JP2018056242A - 洗浄液カートリッジおよび該洗浄液カートリッジを用いた洗浄方法 - Google Patents

洗浄液カートリッジおよび該洗浄液カートリッジを用いた洗浄方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2018056242A
JP2018056242A JP2016188635A JP2016188635A JP2018056242A JP 2018056242 A JP2018056242 A JP 2018056242A JP 2016188635 A JP2016188635 A JP 2016188635A JP 2016188635 A JP2016188635 A JP 2016188635A JP 2018056242 A JP2018056242 A JP 2018056242A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning liquid
cleaning
liquid
opening
cartridge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016188635A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6740072B2 (ja
Inventor
淳靖 三浦
Atsuyasu Miura
淳靖 三浦
淳一 新庄
Junichi Shinjo
淳一 新庄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2016188635A priority Critical patent/JP6740072B2/ja
Priority to CN201780047633.XA priority patent/CN109564863B/zh
Priority to KR1020187036692A priority patent/KR102156486B1/ko
Priority to PCT/JP2017/029748 priority patent/WO2018061520A1/ja
Priority to TW106130472A priority patent/TWI655036B/zh
Publication of JP2018056242A publication Critical patent/JP2018056242A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6740072B2 publication Critical patent/JP6740072B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Abstract

【課題】基板処理装置の処理液系統を洗浄するための洗浄液を処理液系統に対して効率的に供給する。
【解決手段】洗浄液を貯留する貯留空間および貯留空間に連通する開口部を有するカートリッジ本体と、貯留空間に連通された給気経路を有し、洗浄液を貯留した貯留空間に対してカートリッジ本体の外部から供給される気体を給気経路を介して導入して貯留空間内に大気圧よりも高い高圧気体領域を形成する気体導入部と、を備え、高圧気体領域によって洗浄液が開口部を介して処理液系統に押し出される。
【選択図】図6A

Description

この発明は、処理液系統を介して送液される処理液により基板を処理する基板処理装置を洗浄するための洗浄液を処理液系統に供給する洗浄液カートリッジ、ならびに当該洗浄液カートリッジを用いて上記基板処理装置を洗浄する洗浄方法に関するものである。
半導体ウエハ等の基板に種々の処理を行うために薬液や純水などの処理液を用いる基板処理装置が知られている。この基板処理装置では、配管、バルブおよびノズルなどで構成された処理液系統を介して処理液が基板に供給され、当該処理液によって基板に対して所定の処理が施される。このような基板処理装置を工場等に設置する場合、基板処理装置の稼動前に、処理液系統の内部に存在するパーティクル(塵埃)等の汚染物を除去しなければならない。また、基板処理装置の使用により配管等に付着した付着物を適当な時期に除去しなければならない。そのため、基板処理装置の処理液系統を洗浄する必要がある。
そこで、例えば特許文献1では、洗浄効果を有する薬液(本発明の「洗浄液」に相当)が貯留された薬液カートリッジ(本発明の「洗浄液カートリッジ」に相当)を用いた洗浄技術が提案されている。当該従来技術では、この薬液カートリッジを処理液系統に装着することで薬液カートリッジから処理液系統に薬液を注入し、当該薬液によって処理液系統の洗浄を行っている。
特許第4630881号
上記特許文献1に記載の発明では、上記薬液注入を行うために、次のような構成が採用されている。すなわち、処理液系統を構成する配管に薬液供給部が設けられている。この薬液供給部は薬液カートリッジを着脱自在に構成されている。一方、薬液カートリッジは、薬液を貯留する内容器と、薬液供給部に対して差込自在な差込部とを有している。そして、薬液カートリッジの差込部を薬液供給部に差し込むことで、内容器から薬液供給部への薬液注入が行われる。しかしながら、上記のように構成された薬液カートリッジを用いた場合、薬液注入を効率的に行うことが困難であった。
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板処理装置の処理液系統を洗浄するための洗浄液を処理液系統に対して効率的に供給することができる洗浄液カートリッジおよび該洗浄液カートリッジを用いた洗浄方法を提供することを目的とする。
この発明の一態様は、処理液系統を介して送液される処理液により基板を処理する基板処理装置を洗浄するための洗浄液を貯留し、処理液系統に装着されることで洗浄液を処理液系統に供給する洗浄液カートリッジであって、洗浄液を貯留する貯留空間および貯留空間に連通する開口部を有するカートリッジ本体と、貯留空間に連通された給気経路を有し、洗浄液を貯留した貯留空間に対してカートリッジ本体の外部から供給される気体を給気経路を介して導入して貯留空間内に大気圧よりも高い高圧気体領域を形成する気体導入部と、を備え、高圧気体領域によって洗浄液が開口部を介して処理液系統に押し出されることを特徴としている。
また、この発明の他の態様は、処理液系統を介して送液される処理液により基板を処理する基板処理装置を洗浄する洗浄方法であって、上記洗浄液カートリッジの貯留空間に洗浄液を貯留して開口部を封止する貯留工程と、処理液系統に対する洗浄液カートリッジの装着により開口部を介して処理液系統と貯留空間と連通させるとともに、装着前および/または装着中に給気経路を介して洗浄液を貯留した貯留空間に対して気体を導入して形成される高圧気体領域によって洗浄液を開口部を介して押し出して処理液系統に供給する供給工程と、を備えることを特徴としている。
このように構成された発明では、洗浄液カートリッジのカートリッジ本体に貯留空間が設けられており、当該貯留空間で洗浄液を貯留する。また、このように洗浄液が貯留された貯留空間に連通するように給気経路が設けられ、カートリッジ本体の外部から供給される気体が上記給気経路を介して貯留空間に導入される。これによって、貯留空間内では洗浄液以外に大気圧よりも高い高圧気体領域が形成される。この高圧気体領域は洗浄液を押圧し、開口部を介して処理液系統に押し出す。その結果、洗浄液を効率的に処理液系統に供給することができ、基板処理装置を良好に洗浄することができる。
この発明にかかる洗浄方法の一実施形態が適用される基板処理装置の一例を示す斜視図である。 図1に示す基板処理装置の平面図である。 処理液の生成および供給を行う処理液系統を示す概念図である。 図3に示す処理液系統の一部を示す図である。 本発明にかかる洗浄液カートリッジの一実施形態を示す図である。 洗浄液カートリッジを用いた洗浄方法を模式的に示す図である。 洗浄用混合液が供給される範囲の一例を模式的に示す部である。 洗浄用混合液が供給される範囲の他の例を模式的に示す部である。 この発明にかかる洗浄方法の他の実施形態での洗浄液カートリッジへの窒素ガス供給を示す図である。
図1は、この発明にかかる洗浄方法の一実施形態が適用される基板処理装置の一例を示す斜視図であり、図2は図1に示す基板処理装置の平面図である。この基板処理装置100は、いわゆる枚葉式の装置であり、半導体ウエハなどの基板W(図3、図4参照)に処理液を供給して一枚ずつ処理する。この基板処理装置100では、図1に示すように、フレーム1内に、所定の水平方向に延びる搬送室2が形成された基板処理部3と、この基板処理部3に対して平面視で搬送室2の長手方向の一方側に結合されたインデクサ部4とが設けられている。
基板処理部3では、搬送室2の長手方向と直交する方向の一方側に、第1処理部51および第3処理部53が搬送室2に沿ってインデクサ部4側から順に並べて配置されている。また、搬送室2を挟んで第1および第3処理部51、53とそれぞれ対向する位置に、第2処理部52および第4処理部54が配置されている。さらに、第4処理部54の第2処理部52と反対側に、薬液キャビネット6が配置されている。
各処理部51〜54は3段に積み重ねられた3つの処理室を備えており、基板処理部3では合計12個の処理室5A〜5Lが設けられている。より詳しくは、第1処理部51では、下方から順に、3つの処理室5A、処理室5Bおよび処理室5Cが積み重ねられている。また、第2処理部52では、下方から順に、処理室5D、処理室5Eおよび処理室5Fが積み重ねられている。また、第3処理部53では、下方から順に、処理室5G、処理室5Hおよび処理室5Iが積み重ねられている。さらに、第4処理部54では、下方から順に、処理室5J、処理室5Kおよび処理室5Lが積み重ねられている。
搬送室2には、図2に示すように基板搬送ロボット7が配置されている。基板搬送ロボット7は、各処理室5A〜5Lに対してハンド(図示省略)をアクセスさせて、処理室5A〜5Lに対する基板Wの搬出入を実行する。
インデクサ部4には、図2に示すようにインデクサロボット8が配置されている。また、図示を省略するが、インデクサ部4の基板処理部3と反対側には、カセット載置部が設けられている。このカセット載置部では、複数枚の基板Wを多段に積層して収容するカセットが複数並べて配置されている。そして、カセット載置部に配置されたカセットに対し、インデクサロボット8はハンドをアクセスさせて、カセットからの基板Wの取出およびカセットへの基板Wの収納を行う。さらに、インデクサロボット8は基板搬送ロボット7との間で基板Wの受け渡しを行う機能も有している。
薬液キャビネット6は隔壁で区画されており、その内部には、処理室5A〜5Lに供給すべき複数種類の薬液、例えばSC1(アンモニア過酸化水素水混合液)、SC2(塩酸過酸化水素水混合液)、SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:硫酸過酸化水素水混合液)、フッ酸、バファードフッ酸(Buffered HF:フッ酸とフッ化アンモニウムとの混合液)などを貯留するタンクが収容されている。なお、本実施形態では、基板Wに対して所定の処理を施すための処理液の一つとして、DIW(脱イオン水:deionized water)を用いている。また、予め2種類の薬液(以下、「第1薬液」および「第2薬液」という)を準備しておき、次に説明するようにDIWを第1薬液および/または第2薬液を適用な混合比で混合させて基板処理用混合液を本発明の「処理液」として生成する。さらに、本実施形態では、DIWに二酸化炭素ガスを溶解させた炭酸水(以下「CO2水」という)を本発明の「処理液」として生成する。そして、これらの処理液を、配管やバルブなどで構成された処理液系統を介して各処理室5A〜5Lに供給し、当該処理液により基板Wを処理する。
図3は処理液の生成および供給を行う処理液系統を示す概念図である。また、図4は図3に示す処理液系統の一部を示す図である。図1に示す基板処理装置100は工場の用力と接続されてDIWおよび高純度窒素ガス(N2)の供給を受けるように構成されている。この基板処理装置100では、複数の処理液系統を構成するために、DIW供給部6A、CO2水供給部6Bおよび4つの薬液供給部6C〜6Fが設けられている。これらのうち薬液供給部6C〜6Fはそれぞれ処理部51〜54に対応して設けられている。つまり、薬液供給部6Cは第1処理部51で実行される基板処理に適した混合液を生成して処理室5A〜5Cに供給する機能を有している。また、薬液供給部6Dは第2処理部52で実行される基板処理に適した混合液を生成して処理室5D〜5Fに供給する機能を有している。また、薬液供給部6Eは第3処理部53で実行される基板処理に適した混合液を生成して処理室5G〜5Iに供給する機能を有している。さらに、薬液供給部6Fは第4処理部54で実行される基板処理に適した混合液を生成して処理室5J〜5Lに供給する機能を有している。
なお、これらの薬液供給部6C〜6Fは同一構成および同一機能を有しているため、図4では、薬液供給部6Cの構成のみを図示し、その他の薬液供給部6D〜6Fの構成について省略している。また、図3中の符号10は、装置各部を制御して所望の混合液およびCO2水を生成し、それらを基板Wに供給して処理したり、後述する洗浄液カートリッジを用いて洗浄処理を実行する際にDIWなどの供給を制御する制御部を示している。以下、DIW供給部6A、CO2水供給部6Bおよび薬液供給部6Cの構成を図3および図4を参照しつつ説明した後で、洗浄液カートリッジの構成および当該洗浄液カートリッジを用いた洗浄処理について説明する。
DIW供給部6Aは、工場の用力として設けられたDIW供給源から供給されるDIWをCO2水供給部6Bに適した流量や圧力などに調整してCO2水供給部6Bに供給するとともに薬液供給部6C〜6Fに適した流量や圧力などに調整して各薬液供給部6C〜6Fに供給する機能を有している。より具体的には、DIW供給部6Aでは、DIW供給源に接続された配管P1が3つの分岐し、そのうちの配管P2がCO2水供給部6Bに接続され、配管P3がさらに4本に分岐し、それぞれ薬液供給部6C〜6Fに接続されている。また、残りの配管P4はドレイン用の配管である。
配管P1には、特許文献1に記載の「薬液供給部」と同様に、後で詳述する洗浄液カートリッジを着脱可能な取付部P5aを有する分岐管P5が介挿されており、取付部P5aに対して洗浄液カートリッジが装着されていない状態ではDIWはそのまま分岐管P5を介して配管P2〜P4に流れる。一方、洗浄液カートリッジが装着されると、洗浄液カートリッジに貯留された洗浄液が取付部P5aを介してDIWに混入して洗浄用混合液(=DIW+洗浄液)が生成され、分岐管P5を介して配管P2〜P4に流れる。
配管P2には、バルブV1および流量制御バルブV2が介挿されている。そして、制御部10からの指令に応じてバルブV1が開成すると、配管P1から流れてきたDIW(または洗浄用混合液)を流量制御バルブV2に流通させ、当該流量制御バルブV2によって流量や圧力などが調整された上でCO2水供給部6Bに供給される。一方、制御部10からの指令に応じてバルブV1が閉成すると、CO2水供給部6Bへの液体供給が停止される。
また、配管P3には、配管P2と同様に、バルブV3および流量制御バルブV4が介挿されており、制御部10からの指令に応じてバルブV3が開成すると、配管P1から流れてきたDIW(または洗浄用混合液)を流量制御バルブV4に流通させ、当該流量制御バルブV4によって流量や圧力などが調整された上で各薬液供給部6C〜6Fに供給される。一方、制御部10からの指令に応じてバルブV3が閉成すると、全薬液供給部6C〜6Fへの液体供給が停止される。
また、配管P4には、バルブV5が介挿されている。このバルブV5は、基板処理を行っている間、閉成状態に維持されている。そして、制御部10からの指令に応じてバルブV5が開成すると、DIW供給部6Aに残留しているDIWや洗浄用混合液をDIW供給部6Aからドレイン可能となっている。
CO2水供給部6Bは二酸化炭素溶解部601を有している。この二酸化炭素溶解部601は上記配管P2によりDIW供給部6Aと接続されている。また、二酸化炭素溶解部601の上流側では、配管P2にバルブV6および流量制御バルブV7が介挿されている。そして、制御部10からの指令に応じてバルブV6が開成すると、DIW供給部6Aから送液されてきたDIW(または洗浄用混合液)を流量制御バルブV7に流通させ、当該流量制御バルブV7によって流量や圧力などが調整された上で二酸化炭素溶解部601に供給される。二酸化炭素溶解部601は、DIW供給部6Aから供給されるDIWに二酸化炭素溶解部601によって二酸化炭素ガスを溶解させてCO2水を生成し、全処理室5A〜5Lに供給可能となっている。より詳しくは、二酸化炭素溶解部601の出力側には、分岐管P5の一方端部が接続される。一方、図3に示すように、配管P5の他方端部は4本に分岐され、それらの配管P6〜P9がそれぞれ処理部51〜54に延設されている。なお、図4中の符号602はフィルタである。
これらのうち配管P6には、図4に示すように、バルブV8が接続されるとともに、バルブV8よりも先端側で配管P6はさらに3本の配管P10〜P12に分岐し、それぞれ処理室5A〜5Cのノズル55に接続されている。また、それらの配管P10〜P12には、それぞれバルブV9〜V11が介挿されている。そして、制御部10からの指令に応じてバルブV8、V9がともに開成した状態となっているとき、処理室5Aでは、ノズル55にCO2水が供給され、スピンチャック56に保持された基板Wの上面に向けて吐出される。一方、制御部10からの指令に応じてバルブV9が閉成されると、基板WへのCO2水の吐出が停止される。これらの点については、処理部51を構成する他の処理室5B、5Cについても、処理室5Aと同様であり、処理室単位でCO2水の供給および供給停止を制御可能となっている。これらの点については、処理部52〜54についても同様である。したがって、装置全体として見ると、処理部単位でもCO2水の供給および供給停止を制御することが可能となっている。
薬液供給部6Cは、図3に示すように、配管P3の先端側で4つに分岐した配管P13〜P16のうち一の配管P13と接続されており、当該配管P13を介して供給されるDIWの供給を受ける。また、薬液供給部6Cは、配管P17を介して工場の用力として設けられた窒素ガス供給源と接続されており、窒素ガス供給源から高純度の窒素ガス(N2)の供給を受ける。そして、次のような構成により基板処理用混合液を生成し、各処理室5A〜5Cのノズル57に供給して基板Wに対して所定の基板処理を施す。なお、その他の薬液供給部6D〜6Fも、薬液供給部6Cと同様に、それぞれ配管P14〜P16を介してDIWの供給を受けるとともに、それぞれ配管P18〜P20を介して高純度窒素ガスの供給を受ける。そして、基板処理用混合液を生成し、処理室5D〜5Fに供給して基板処理を行う。
また、薬液供給部6Cは、第1薬液を秤量する第1秤量タンク611と、第2薬液を秤量する第2秤量タンク612と、薬液とDIWとを混合して基板処理用混合液を生成するための混合液生成用タンク613と、を備えている。混合液生成用タンク613では、液入口と液出口との間に液循環用の配管P21が接続されている。この配管P21には、バルブV13、ポンプ614およびフィルタ615が介挿されている。また、配管P21から分岐するように配管P22が設けられている。
秤量タンク611、612は、それぞれ配管P23、P24を通して混合液生成用タンク613の液入口に接続されている。配管P23、P24には、バルブV14、V15がそれぞれ介挿されている。また、秤量タンク611、612には、配管P25、P26を通して薬液タンク616、617がそれぞれ接続されている。これらの薬液タンク616、617は薬液キャビネット6に収容されており、薬液供給部6C〜6Fにおいて共通使用される。もちろん、薬液タンクの配設態様はこれに限定されるものではなく、例えば薬液供給部6C〜6F毎に薬液タンク616、617を設けてもよい。
薬液タンク616から供給される第1薬液は秤量タンク611で秤量されるとともに、薬液タンク617から供給される第2薬液は秤量タンク612で秤量される。そして、制御部10からの指令に応じてバルブV14、V15が開成すると、所定量の第1薬液および第2薬液が混合液生成用タンク613に供給される。また、この混合液生成用タンク613は配管P13によりDIW供給部6Aと接続されている。配管P13には、バルブV16が介挿されており、制御部10からの指令に応じてバルブV16が開成している間、DIWが混合液生成用タンク613に供給される。このように、混合液生成用タンク613に対して第1薬液、第2薬液およびDIWが供給されて基板処理用混合液が生成される。なお、混合液を構成する第1薬液、第2薬液およびDIWの混合比を厳密に制御するために、本実施形態では、比抵抗計618を設けている。つまり、混合液生成用タンク613の液出口は配管P27を通して比抵抗計618に接続されており、配管P27に介挿されたバルブV17を制御部10からの指令に応じて開成すると、混合液生成用タンク613内の混合液が比抵抗計618に注入されて上記混合比を反映した値が比抵抗計618から制御部10に出力される。この値に基づいて制御部10が薬液供給部6Cの各部を制御することで処理室5A〜5Cでの基板処理に適合した混合液を生成可能となっている。
こうして所定の混合比を有する基板処理用混合液はポンプ614によって混合液生成用タンク613からフィルタ615および配管P21、P22を介して当該混合液を一時的に貯留する混合液貯留用タンク619に送液される。この配管P22には、2つのバルブV18、V19が介挿されるとともに、両バルブV18、V19の間で配管P22は配管P17と接続されている。なお、配管P17には、バルブV20が介挿されており、制御部10からの指令に応じてバルブV20が開閉することで配管22への高純度窒素ガスの供給および供給停止が制御される。つまり、バルブV18を閉成した状態でバルブV19、V20を開成することで高純度窒素ガスが配管22を介して混合液貯留用タンク619に送り込まれる。一方、バルブV20を閉成した状態でバルブV18、V19を開成することで基板処理用混合液が混合液貯留用タンク619に送り込まれる。
この混合液貯留用タンク619の液入口と液出口との間には、液循環用の配管P28が接続されている。また、配管P28には、バルブV21、ポンプ620およびフィルタ621が介挿されており、制御部10からの指令に応じてポンプ620が作動することで混合液貯留用タンク619および配管P28内を基板処理用混合液が循環する。
この配管P28から分岐するように配管P29が設けられ、比抵抗計618と接続されている。なお、配管P29にはバルブV22が介挿されており、制御部10からの指令に応じて開成すると、混合液貯留用タンク619および配管P28の間を循環している混合液が配管P29を介して比抵抗計618に流入する。そして、当該混合液の混合比を反映した値が比抵抗計618から制御部10に出力され、循環している混合液の混合比をモニターすることが可能となっている。
また、配管P28では、別の配管P30が分岐するとともに、その先端部はさらに3つの配管P31〜P33に分岐し、それぞれ処理室5A〜5Cのノズル57に接続されている。また、配管P30〜P33にはバルブV23〜V26がそれぞれ介挿されている。このため、制御部10からの指令によりバルブV23〜V26の開閉状態を切り替えることで、上記循環している基板処理用混合液を各処理室5A〜5Cに適切なタイミングで独立して供給することが可能となっている。こうして、基板処理用混合液が供給された処理室では、ノズル57から基板Wに向けて混合液が吐出され、基板Wに対して上記第1薬液および第2薬液による処理が施される。また、当該処理が完了すると、上記したように別のノズル55からCO2水が基板Wに供給されて薬液による処理の停止およびリンス処理が実行される。
このように各処理室5A〜5Cで使用された処理液、つまり混合液(=第1薬液+第2薬液+DIW)やCO2水などを排液するために、処理室5A〜5Cには、ドレイン用の配管P34〜P36がそれぞれ設けられている。これらの配管P34〜P36は比抵抗計618に延設されている。また、配管P34〜P36には、バルブV27〜V29が介挿されている。このため、制御部10からの指令によってバルブV27〜V29のうちの一のバルブのみが選択的に開成されると、当該バルブに対応する処理室からの排液が比抵抗計618に送液され、排液中の薬液の濃度や比率などを検出することが可能となっている。なお、図4中の符号P37はドレイン用の配管である。
上記のように構成された基板処理装置100では、本発明の「処理液」の一例に相当するDIW、CO2水および基板処理用混合液は以下のような処理液系統で供給される。DIWは、DIW供給部6A、CO2水供給部6Bおよび薬液供給部6C〜6Fで構成される処理液系統を介して基板Wに送液される。また、CO2水はCO2水供給部6Bで構成される処理液系統を介して基板Wに送液される。さらに、基板処理用混合液は薬液供給部6C〜6Fで構成される処理液系統を介して基板Wに送液される。
これらの処理液系統を有する基板処理装置100を工場に設置する場合、上述のように基板処理装置100の稼動前に処理液系統の内部に存在するパーティクル(塵埃)等の汚染物を除去する必要がある。そこで、本実施形態では図4に示すようにDIW供給部6A内の配管P1に分岐管P5を設け、適当なタイミングで次に説明する洗浄液カートリッジを分岐管P5の取付部P5aに装着することでDIWを送液するための処理液系統、つまりDIW供給部6A、CO2水供給部6Bおよび薬液供給部6C〜6Fの全てを一括して洗浄することが可能となっている。以下、洗浄液カートリッジの構成および当該洗浄液カートリッジを用いた処理液系統の洗浄方法について説明する。
図5Aおよび図5Bは本発明にかかる洗浄液カートリッジの一実施形態を示す図であり、図5Aでは洗浄液および窒素ガスの取り込みを行う際の洗浄液カートリッジの配置状態を示し、図5Bでは洗浄処理を行う際の洗浄液カートリッジの配置状態を示している。また、図6Aは洗浄液カートリッジを用いた洗浄方法を模式的に示す図である。この洗浄液カートリッジ9は、カートリッジ本体91と、気体導入部92とを有している。カートリッジ本体91は耐圧ボトルであり、ボトル材料としてはフッ素樹脂、例えばPFA(ペルフルオロアルコキシフッ素樹脂)を用いることができるが、これに限定されるものではない。このカートリッジ本体91の胴部911の内部に洗浄液を貯留するための貯留空間912(図6A)が設けられている。また、胴部911から円錐台部913を介して延びる首部914には、貯留空間912に対する洗浄液の充填および取出のための開口部915が設けられている。
また、開口部915には、オリフィス板93が装着されている。オリフィス板93には、図5Aに示すように、開口部915の開口径より小さな開口径のオリフィス931が設けられている。このため、貯留空間912に対する洗浄液の充填および取出の際には、オリフィス板93により流量が規制される。特に、後で説明するように分岐管P5を流れるDIWに押し出される洗浄液の単位時間当たりの流量については上記オリフィス931によって調整することができ、オリフィス板93の配設によって所望の混合比を有する洗浄用混合液(=DIW+洗浄液)を生成することができる。
また、首部914には、クイックコネクタの雌部94aが外嵌されている。図面への図示を省略するが、クイックコネクタの雌部94aには逆止弁構造が組み込まれており、雌部94aに対してクイックコネクタの雄部95aが装着されていない、いわゆる未装着状態で開口部915を閉成して貯留空間912を封止する。一方、雌部94aに対してクイックコネクタの雄部95aが装着されると、開口部915が開成されて貯留空間912がカートリッジ本体91の外部と連通され、クイックコネクタ(=雌部94a+雄部95a)を介して貯留空間912に対する洗浄液の充填および取出が可能となる。このように、雌部94aは開口部915の開閉を切り替える第1切替部として機能する。なお、図5Aに示すクイックコネクタの雄部95aは洗浄液を供給するための供給配管96の先端部に取り付けられており、洗浄液を充填するための専用部品として用いられている。また、図5Bに示すクイックコネクタの雄部95aは分岐管P5の取付部P5aに装着されて洗浄液を分岐管P5の内部に取り出すための専用部品として用いられている。
気体導入部92は、カートリッジ本体91の円錐台部913を貫通して貯留空間912とカートリッジ本体91の外部とを連通する配管921を備えている。すなわち、配管921の一方端部は貯留空間912に延設される一方、他方端部はカートリッジ本体91の外部に延設されており、配管921の内部が給気経路(図示省略)として機能する。また、配管921の他方端部には、クイックコネクタの雌部94bが外嵌されている。この雌部94bは雌部94aと同一構成を有しており、雌部94bに対してクイックコネクタの雄部95bを装着しない未装着状態で給気経路を閉成して貯留空間912を外気と遮断する。一方、雌部94bに対してクイックコネクタの雄部95bを装着すると、給気経路が開成されて貯留空間912がカートリッジ本体91の外部と連通され、クイックコネクタ(=雌部94b+雄部95b)を介して貯留空間912への気体、例えば高純度の窒素ガスの圧送が可能となっている。このように、雌部94bは給気経路の開閉を切り替える第2切替部として機能する。なお、図5Aに示すクイックコネクタの雄部95bは窒素ガスを圧送するための高圧配管97の先端部に取り付けられており、窒素ガスを充填して貯留空間912内に高圧気体領域98を形成するための専用部品として用いられている。
さらに、カートリッジ本体91の貯留空間912では、図6Aに示すように、開口部915に対向してフィルタ99が配置されており、洗浄液中に存在するパーティクルをトラップして清浄な洗浄液を供給可能となっている。
次に、洗浄液カートリッジ9を用いて基板処理装置100を洗浄する方法について図6Aおよび図6Bを参照しつつ説明する。この実施形態では、図6A中の(a)欄に示すように、洗浄液を貯留していない洗浄液カートリッジ9(以下、「空カートリッジ」という)を用意し、基板処理装置100が設置された工場に輸送する(輸送工程)。このような空状態の洗浄液カートリッジ9については取扱いが比較的容易であり、特に工場が海外であったとしても洗浄液カートリッジ9を簡易に輸送することができる。
空カートリッジ9を受け取った工場では、図6A中の(b)欄に示すように、空カートリッジ9を正立させた状態で、洗浄液の供給源と接続された供給配管96の先端部に取り付けられたクイックコネクタの雄部95aを空カートリッジ9のクイックコネクタの雌部94aに装着する。そして、供給配管96およびクイックコネクタを介して空カートリッジ9の貯留空間912に洗浄液を送り込んで洗浄液を貯留空間912に充填する(貯留工程)。ここで、洗浄液としては、特許文献1に記載の発明でも使用されている、塩化水素ガスを純水に溶存させて生成された塩酸溶液、アンモニアガスを純水に溶存させて生成されたアンモニア溶液、フッ化水素ガスを純水に溶存させて生成されたフッ化水素酸溶液など以外に、例えばSC1を用いてもよく、本実施形態ではSC1を洗浄液とし、開口部915を介して洗浄液カートリッジ9の貯留空間912に充填している。そして、洗浄液(SC1)の充填が完了すると、雄部95aを取り外して雌部94aによって開口部915を閉成する。
こうして洗浄液の充填が完了すると、高純度窒素ガスの供給源と接続された高圧配管97の先端部に取り付けられたクイックコネクタの雄部95bを気体導入部92のクイックコネクタの雌部94bに装着する。そして、高圧配管97およびクイックコネクタを介して既に洗浄液を貯留している貯留空間912に高純度の窒素ガスを給気して貯留空間912内に大気圧よりも高く洗浄液の押出に好適な圧力、例えば約0.4Mpaを有する高圧気体領域98を形成する。その後で雄部95bを取り外して雌部94bによって給気経路(配管921の内部)を閉成する。こうして、貯留空間912内に洗浄液(SC1)と高圧気体領域98とを併存させた状態の洗浄液カートリッジ9が得られる。ここで、洗浄液カートリッジ9の内容積を例えば2リッター程度以下に設定しておくと、洗浄液カートリッジ9を容易に基板処理装置100に移動させることが可能となる、つまり優れた可搬性が得られる。そこで、本実施形態では、基板処理装置100の洗浄に先立って洗浄液カートリッジ9を準備しておき、洗浄時には当該洗浄液カートリッジ9を基板処理装置100に搬送している。
ここで、例えば基板処理装置100内のDIW供給部6A、CO2水供給部6Bおよび薬液供給部6C〜6Fの全てを一括して洗浄する場合には、図6A中の(d)欄および(e)欄に示すように、洗浄液カートリッジ9を倒立させた後、クイックコネクタの雌部94aを取付部P5aに取り付けられた雄部95aに装着する。すると、開口部915が開成され、高圧気体領域98によって洗浄液(SC1)が開口部915に向けて加圧され、オリフィス931を介して分岐管P5内のDIWに押し出される。そして、分岐管P5の内部でDIWに洗浄液(SC1)が混合されて洗浄用混合液(=DIW+SC1)が生成される。この洗浄用混合液は、DIW供給部6Aはもちろんのこと、さらに図6Bに示すようにCO2水供給部6Bおよび薬液供給部6C〜6Fに供給され、さらに全処理室5A〜5Lにも供給され、これらの洗浄が行われる(供給工程)。この点の理解を容易にするため、図6Bでは洗浄用混合液が供給されて洗浄される箇所にドットを付している。この点については後で説明する図6Cにおいても同様である。なお、使用された洗浄用混合液はドレイン用の配管P4、P34〜P37およびノズル55などから基板処理装置100の処理液系統の外部に排出される。供給工程が完了すると、洗浄液カートリッジ9からの洗浄液の供給が停止されるが、DIW供給部6AからのDIWの供給は継続する。これにより、基板処理装置100の処理液系統に残留した洗浄用混合液がDIWに置換されていく(リンス工程)。洗浄用混合液からDIWへの置換が完了すると、DIW供給部6AからのDIWの供給を停止して処理液系統の洗浄処理を終了する。
このように供給工程とリンス工程とは連続して実行してもよいし、供給工程後、一定時間放置した後に、リンス工程を実行してもよい。すなわち、バルブV9〜V11およびバルブV27〜V29を開放した状態で、分岐管P5から洗浄液の供給を実行することで、使用後の洗浄用混合液がドレイン用の配管P4、P34〜P37およびノズル55から排出される。こうして処理液系統の洗浄を一定時間実行した後、DIW供給部6AからのDIWの供給および分岐管P5からの洗浄液の供給を停止すると共に、バルブV9〜V11およびバルブV27〜V29を閉止する。これにより、処理液系統は混合洗浄液で充填される。この状態で一定時間(例えば数時間)、放置する(放置工程)。その後、バルブV9〜V11およびバルブV27〜V29を開放すると共に、DIW供給部6AからのDIWの供給を再開して、処理液系統内に残留していた混合洗浄液をDIWに置換する(リンス工程)。
このように、供給工程とリンス工程との間に放置工程を介在させた場合、供給工程とリンス工程とを連続して実行する場合よりも、処理液系統の洗浄品質が高くなる。
以上のように、本実施形態によれば、貯留空間912に予め高圧気体領域98を形成しているため、洗浄液カートリッジ9を分岐管P5に装着すると、当該高圧気体領域98により洗浄液を分岐管P5を流れるDIWに押し出して洗浄用混合液(=DIW+SC1)を効率的に生成することができる。そして、洗浄用混合液によってDIW供給部6A、CO2水供給部6B、薬液供給部6C〜6Fおよび処理室5A〜5Lを効果的に洗浄することができる。
また、上記実施形態では、オリフィス931を介して洗浄液を分岐管P5の内部を流れるDIWに押し出している。このため、洗浄用混合液におけるDIWと洗浄液(SC1)との混合比を正確に制御することが可能となり、優れた洗浄効果が得られる。
また、上記実施形態では、洗浄液カートリッジ9に貯留可能な洗浄液の量を2リッタ程度としているため、洗浄液カートリッジ9は可搬性に優れている。そして、当該洗浄液カートリッジ9を取付部P5aに取り付けられた雄部95aに装着することで広範囲にわたって洗浄することができ、優れた洗浄作業性が得られる。
また、上記実施形態では、洗浄液カートリッジ9から洗浄液(SC1)を供給して洗浄用混合液(=DIW+SC1)を生成し、これをDIWの処理液系統に行き渡らせて洗浄処理を実行している。ここで、単に洗浄用混合液を供給するだけでなく、制御部10が装置各部、特にポンプやバルブなどを作動させることで洗浄効果をさらに高めることができる。このように洗浄用混合液を供給するのと並行して装置各部を動作させるために、処理液系統の洗浄に適したレシピ、いわゆる内部洗浄レシピを予め作成しておき、制御部10が当該内部洗浄レシピにしたがって処理液系統の洗浄を行うように構成してもよい。
また、上記実施形態では、貯留空間912にフィルタ99を配置して洗浄液中のパーティクルをトラップ除去しているため、洗浄液の品質を高めることができ、高い洗浄効果が得られる。
また、上記実施形態では、オリフィス931を介して洗浄液を分岐管P5に押し出すように構成しているため、洗浄用混合液におけるDIWと洗浄液(SC1)との混合比を正確に制御することができる。ここで、比抵抗計618による検出結果に基づいて上記混合比をモニターすることができ、それに応じて混合比を適正化してもよい。例えば検出結果が当該混合比に対応する値からずれている時には、洗浄液カートリッジ9に装着されているオリフィス板93を異なるオリフィス径を有するものに取り替える、あるいは当該オリフィス板93を有する洗浄液カートリッジ9に交換してもよい。
さらに、上記実施形態では、洗浄液カートリッジ9に貯留可能な洗浄液の量を2リッタ程度としているため、洗浄液カートリッジ9は可搬性に優れ、また処理液系統を構成する配管に対して容易に着脱可能となっている。したがって、基板処理装置100の内部を広範囲にわたって簡単に洗浄することができ、優れた洗浄作業性が得られる。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、配管P1に分岐管P5を設けてDIWの処理液系統全体に洗浄用混合液(=DIW+SC1)を供給しているが、分岐管P5の設置位置はこれに限定されるものではない。例えば図6Cに示すように薬液供給部6Cの配管P13に分岐管P5を設け、当該分岐管P5に対して洗浄液カートリッジ9を選択的に装着すると、薬液供給部6Cで生成される基板処理用混合液(=第1薬液+第2薬液+DIW)の処理液系統のみに洗浄用混合液を供給することができる。この場合、他の薬液供給部6D〜6Fにおいては、通常通りに基板処理用混合液を生成して処理部52〜54で基板処理を行うことが可能となる。この点については、他の薬液供給部6D〜6Fの配管P13に分岐管P5を設けた場合も同様である。また、CO2水供給部6Bの配管P2などに設けた場合には、CO2水の処理液系統全体に洗浄用混合液(=DIW+SC1)を供給することができる。もちろん、分岐管P5を複数個所に設け、洗浄液カートリッジ9を選択的に装着するように構成してもよい。
また、上記実施形態では、分岐管P5に対して取付部P5aを1個設けているが、取付部P5aを複数個設けてもよい。この場合、複数の洗浄液カートリッジ9を装着することができ、洗浄液の供給量を高めることができる。また、分岐管P5毎に取付部P5aの個数を相違させてもよい。例えばDIWの処理液系統では多くの箇所に洗浄用混合液を供給する必要があるために配管P1には複数個の取付部P5aを有する分岐管P5を介挿する一方、薬液供給部6Cの配管P13には1個の取付部P5aを有する分岐管P5を介挿するように構成してもよい。
また、上記実施形態では、洗浄液カートリッジ9を装着している間、クイックコネクタの雌部94bによって給気経路の閉成を維持して貯留空間912に予め充填しておいた高圧気体領域98中の窒素ガスを用いて洗浄液カートリッジ9からの洗浄液の押出を行っている。つまり、高圧気体領域98中の窒素ガスのみを用いて洗浄液を加圧している。このため、洗浄処理に伴い高圧気体領域98の圧力が低下していき、洗浄液の押出量が変動することがある。そこで、例えば図7に示すように洗浄液カートリッジ9を分岐管P5の取付部P5aに装着した状態、つまり洗浄液カートリッジ9の装着中に気体導入部92から窒素ガスを補助的に圧送してもよい。これによって、洗浄処理中に窒素ガスを補給することで高圧気体領域98の圧力を一定に保ち、洗浄液の押出量を安定化させることができる。このような作用効果を得るためには、図7に示すように流量制御バルブV30によって流量制御しながら窒素ガスを補助的に与えるのが望ましい。
また、図7に示す構成を採用する場合、洗浄液カートリッジ9の装着前に高圧気体領域98を形成せずに、装着後に窒素ガスを導入して高圧気体領域98を形成しながら洗浄液を押し出すように構成してもよい。
また、上記実施形態では、空カートリッジ9(図6A中の(a)欄参照)を工場に輸送し、工場あるいはその周囲で洗浄液カートリッジ9への洗浄液および窒素ガスの充填を行っているが、洗浄液カートリッジ9の輸送タイミングはこれに限定されるものではなく、例えば洗浄液の充填後に洗浄液カートリッジを工場に輸送してもよい。このように窒素ガスの充填を工場で行っているが、これは高圧ガス(高圧窒素ガス)を充填した状態の洗浄液カートリッジ9を輸送するためには種々の制約を受けることを考慮したものである。また、高圧気体領域98を形成した直後より気体成分が洗浄液に溶解し、洗浄液の成分が変動したり、高圧気体領域98の圧力低下を招くことがある。そこで、これらの影響を抑制・回避するために、工場あるいは工場の周囲で窒素ガスの充填を行うのが望ましい。また、洗浄処理を行う直前で窒素ガスの充填を行うのが好適である。
この発明は、基板処理装置を洗浄するための洗浄液を貯留する洗浄液カートリッジ、ならびに当該洗浄液カートリッジを用いて上記基板処理装置を洗浄する技術全般に適用することができる。
6A…DIW供給部
6B…CO2水供給部
6C〜6F…薬液供給部
9…洗浄液カートリッジ
91…カートリッジ本体
92…気体導入部
93…オリフィス板
94a…(クイックコネクタの)雌部(第1切替部)
94b…(クイックコネクタの)雌部(第2切替部)
98…高圧気体領域
99…フィルタ
100…基板処理装置
912…貯留空間
915…開口部
931…オリフィス
W…基板

Claims (11)

  1. 処理液系統を介して送液される処理液により基板を処理する基板処理装置を洗浄するための洗浄液を貯留し、前記処理液系統に装着されることで前記洗浄液を前記処理液系統に供給する洗浄液カートリッジであって、
    前記洗浄液を貯留する貯留空間および前記貯留空間に連通する開口部を有するカートリッジ本体と、
    前記貯留空間に連通された給気経路を有し、前記洗浄液を貯留した前記貯留空間に対して前記カートリッジ本体の外部から供給される気体を前記給気経路を介して導入して前記貯留空間内に大気圧よりも高い高圧気体領域を形成する気体導入部と、を備え、
    前記高圧気体領域によって前記洗浄液が前記開口部を介して前記処理液系統に押し出されることを特徴とする洗浄液カートリッジ。
  2. 請求項1に記載の洗浄液カートリッジであって、
    前記開口部の開成と閉成とを切替える第1切替部と、
    前記給気経路の開成と閉成とを切り替える第2切替部とをさらに備え、
    前記処理液系統への装着前に、前記第1切替部が前記開口部を閉成して前記洗浄液を前記貯留空間に封止しながら、前記第2切替部が前記給気経路を開成して前記高圧気体領域を形成させた後に前記給気経路を閉成して前記高圧気体領域を前記貯留空間に封止し、
    前記処理液系統への装着中に、前記第1切替部が前記開口部を開成して前記高圧気体領域により前記洗浄液を前記開口部を介して前記処理液系統に押し出す洗浄液カートリッジ。
  3. 請求項2に記載の洗浄液カートリッジであって、
    前記処理液系統への装着中に、前記第2切替部は前記給気経路の閉成を維持する洗浄液カートリッジ。
  4. 請求項2に記載の洗浄液カートリッジであって、
    前記処理液系統への装着中に、前記第2切替部は前記給気経路を開成して前記高圧気体領域に前記気体を補給する洗浄液カートリッジ。
  5. 請求項1に記載の洗浄液カートリッジであって、
    前記開口部の開成と閉成とを切替える第1切替部と、
    前記給気経路の開成と閉成とを切り替える第2切替部とをさらに備え、
    前記処理液系統への装着前に、前記第1切替部が前記開口部を閉成して前記洗浄液を前記貯留空間に封止し、
    前記処理液系統への装着中に、前記第2切替部が前記給気経路を開成して前記高圧気体領域を形成させるとともに、前記第1切替部が前記開口部を開成して前記高圧気体領域により前記洗浄液を前記開口部を介して前記処理液系統に押し出す洗浄液カートリッジ。
  6. 請求項1ないし5のいずれか一項に記載の洗浄液カートリッジであって、
    前記開口部の開口径より小さな径のオリフィスを有し、前記開口部に設けられて前記開口部を介して押し出される前記洗浄液の単位時間当たりの流量を調整するオリフィス板をさらに備える洗浄液カートリッジ。
  7. 請求項1ないし6のいずれか一項に記載の洗浄液カートリッジであって、
    前記開口部に対向して前記貯留空間に配置されて前記洗浄液中のパーティクルをトラップするフィルタをさらに備える洗浄液カートリッジ。
  8. 処理液系統を介して送液される処理液により基板を処理する基板処理装置を洗浄する洗浄方法であって、
    請求項1ないし7のいずれか一項に記載の洗浄液カートリッジの前記貯留空間に前記洗浄液を貯留して前記開口部を封止する貯留工程と、
    前記処理液系統に対する前記洗浄液カートリッジの装着により前記開口部を介して前記処理液系統と前記貯留空間と連通させるとともに、前記装着前および/または前記装着中に前記給気経路を介して前記洗浄液を貯留した前記貯留空間に対して前記気体を導入して形成される前記高圧気体領域によって前記洗浄液を前記開口部を介して押し出して前記処理液系統に供給する供給工程と、
    を備えることを特徴とする洗浄方法。
  9. 請求項8に記載の洗浄方法であって、
    前記基板処理装置が設置される工場に前記洗浄液カートリッジを輸送する輸送工程をさらに備え、
    前記輸送工程は、前記洗浄液の貯留および前記気体の導入が行われていない空の状態で実行され、
    前記貯留工程および前記供給工程は、前記空の状態の洗浄液カートリッジを受け取った後に前記工場内あるいは前記工場の周囲で実行される洗浄方法。
  10. 請求項8に記載の洗浄方法であって、
    前記基板処理装置が設置される工場に前記洗浄液カートリッジを輸送する輸送工程をさらに備え、
    前記貯留工程は前記輸送工程前に実行され、
    前記輸送工程は、前記貯留空間に対して前記高圧気体領域が形成されておらず前記洗浄液のみが貯留された状態で実行され、
    前記供給工程は、前記洗浄液のみが貯留された状態の洗浄液カートリッジを受け取った後に前記工場内で実行される洗浄方法。
  11. 請求項8ないし10のいずれか一項に記載の洗浄方法であって、
    前記基板処理装置が前記処理液系統を複数個有し、
    前記供給工程は、前記複数の処理液系統に対して前記洗浄液カートリッジを選択的に装着自在となっている洗浄方法。
JP2016188635A 2016-09-27 2016-09-27 洗浄液カートリッジおよび該洗浄液カートリッジを用いた洗浄方法 Active JP6740072B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016188635A JP6740072B2 (ja) 2016-09-27 2016-09-27 洗浄液カートリッジおよび該洗浄液カートリッジを用いた洗浄方法
CN201780047633.XA CN109564863B (zh) 2016-09-27 2017-08-21 清洗液盒及使用该清洗液盒的清洗方法
KR1020187036692A KR102156486B1 (ko) 2016-09-27 2017-08-21 세정액 카트리지 및 그 세정액 카트리지를 사용한 세정 방법
PCT/JP2017/029748 WO2018061520A1 (ja) 2016-09-27 2017-08-21 洗浄液カートリッジおよび該洗浄液カートリッジを用いた洗浄方法
TW106130472A TWI655036B (zh) 2016-09-27 2017-09-06 洗淨液匣及使用該洗淨液匣之洗淨方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016188635A JP6740072B2 (ja) 2016-09-27 2016-09-27 洗浄液カートリッジおよび該洗浄液カートリッジを用いた洗浄方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018056242A true JP2018056242A (ja) 2018-04-05
JP6740072B2 JP6740072B2 (ja) 2020-08-12

Family

ID=61762768

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016188635A Active JP6740072B2 (ja) 2016-09-27 2016-09-27 洗浄液カートリッジおよび該洗浄液カートリッジを用いた洗浄方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6740072B2 (ja)
KR (1) KR102156486B1 (ja)
CN (1) CN109564863B (ja)
TW (1) TWI655036B (ja)
WO (1) WO2018061520A1 (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008218701A (ja) * 2007-03-05 2008-09-18 Sharp Corp 基板洗浄装置
JP2014222756A (ja) * 2012-02-16 2014-11-27 東京エレクトロン株式会社 フィルタ内の気体の除去方法及びその装置
JP2015018955A (ja) * 2013-07-11 2015-01-29 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4630881Y1 (ja) 1969-02-21 1971-10-26
KR20010076831A (ko) * 2000-01-28 2001-08-16 박종섭 반도체 제조용 약액 충전장치
CN104813095B (zh) * 2012-09-21 2018-05-01 恩特格里斯公司 压力调节流体贮存和输送容器的抗尖峰压力管理

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008218701A (ja) * 2007-03-05 2008-09-18 Sharp Corp 基板洗浄装置
JP2014222756A (ja) * 2012-02-16 2014-11-27 東京エレクトロン株式会社 フィルタ内の気体の除去方法及びその装置
JP2015018955A (ja) * 2013-07-11 2015-01-29 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN109564863A (zh) 2019-04-02
TW201813728A (zh) 2018-04-16
JP6740072B2 (ja) 2020-08-12
WO2018061520A1 (ja) 2018-04-05
KR102156486B1 (ko) 2020-09-15
CN109564863B (zh) 2023-08-01
TWI655036B (zh) 2019-04-01
KR20190008360A (ko) 2019-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102492391B1 (ko) 초임계 유체 제조 장치 및 기판 처리 장치
KR102539404B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101932869B1 (ko) 기판 처리 장치
CN108022861B (zh) 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
US7617836B2 (en) System and method for supplying functional water
KR20180033594A (ko) 기판 처리 시스템 및 배관 세정 방법
US20180096863A1 (en) Substrate processing method, substrate processing apparatus, and storage medium
US20010047821A1 (en) Apparatus for supplying chemical
JP2023168535A (ja) 基板処理装置及びその制御方法
JP4290075B2 (ja) 基板保持用チャックの洗浄・乾燥装置及び基板保持用チャックの洗浄・乾燥方法
US20110220157A1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium storing a computer program for performing substrate processing method
WO2018061520A1 (ja) 洗浄液カートリッジおよび該洗浄液カートリッジを用いた洗浄方法
KR100788906B1 (ko) 처리액 공급 방법
JP4630881B2 (ja) 基板洗浄装置
KR20100022922A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 기판 처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
JP2004288681A (ja) 高圧処理装置および高圧処理方法
US20240075410A1 (en) Gas solution supply apparatus
JP3892670B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP6939960B1 (ja) ウェハ洗浄水供給装置
KR100926159B1 (ko) 약액 공급 장치
JP7371172B2 (ja) 基板処理装置
KR100706793B1 (ko) 케미컬 공급 장치 및 케미컬 공급 방법
JP4878986B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記録媒体
JP2009081248A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR100818331B1 (ko) 별도의 공급 라인을 가지는 약액 저장 및 공급 장치 및탱크

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20170725

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190624

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200602

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200701

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200714

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200722

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6740072

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250