JP2004288681A - 高圧処理装置および高圧処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高圧流体と、複数の薬剤の全部または一部とを混合させて作成した処理流体を被処理体の表面に接触させて所定の表面処理を施す高圧処理装置および高圧処理方法において、構成の簡素化およびコスト低減を図る。
【解決手段】ミキシングバルブ４２は入口弁４３を介して相溶剤Ｄを貯留する専用タンク５１Ｄに連通されるとともに、３つの注入弁を介して助剤Ａ〜Ｃの各々を貯留する専用タンク５１Ａ〜５１Ｃと連通されている。そして、入口弁４３および注入弁の開閉制御により４種類の薬剤の一部を選択的にミキシングバルブ４２に注入し、調合することにより、調合薬剤が作成される。そして、この調合薬剤が高圧ポンプ４５によりＳＣＦに圧送されて混合されて処理流体が作成される。このため、高圧部分の部品点数を抑制して装置コストを低減することができる。また、薬剤を圧送するための配管系が簡素なものとなっている。
【選択図】 図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、高圧流体あるいは高圧流体と薬剤との混合物を処理流体として被処理体の表面に接触させて前記被処理体の表面に対して所定の表面処理を施す高圧処理装置および高圧処理方法に関するものである。この被処理体としては、例えば半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などの各種基板（以下、単に「基板」という）が含まれる。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造プロセスの中でレジストを用いてパターン形成する場合、パターン形成後に不要となるレジストや、エッチングの時に生成して基板上に残存してしまうエッチングポリマー等の不要物・汚染物質を基板から除去するための洗浄工程が必須工程となる。そこで、高圧流体と薬剤との混合物を処理流体として基板の表面に接触させて該基板に対して洗浄処理を施す高圧処理装置が知られている（特許文献１参照）。
【０００３】
この高圧処理装置では、基板がセットされた処理チャンバーに対して高圧流体と複数の薬剤との混合物を処理流体として供給することで基板洗浄を行っている。さらに詳しく説明すると、この高圧処理装置は、高圧流体を処理チャンバーに供給する高圧流体供給手段と、第１薬剤を処理チャンバーに供給する第１薬剤供給手段と、第２薬剤を処理チャンバーに供給する第２薬剤供給手段とを備えている。そして、これらの供給手段の各々では、高圧流体や薬剤を処理チャンバーに向けて圧送すべく、圧送ポンプ（高圧ポンプ）が設けられている。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−３１３７６４号公報（第４頁、図１）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記した特許文献１に記載の高圧処理装置では、高圧流体に混合させる薬剤ごとに薬剤供給手段を設けているので、薬剤の種類だけ圧送ポンプを設ける必要がある。圧送ポンプは一般的に高価であり、圧送ポンプの配設数の増大は直ちに高圧処理装置の高コスト化につながってしまう。特に、高圧処理装置の汎用性や性能などの向上を図るために、使用する薬剤の種類は多くなる傾向にあり、このことが高圧処理装置の製造コストを引上げる主要因のひとつとなっていた。
【０００６】
また、この高圧処理装置では、複数の薬剤の各々を圧送ポンプから圧送し、その全部または一部を選択的に処理チャンバーに供給する必要がある。このため、各圧送ポンプと処理チャンバーとの間に高圧弁や高圧配管が設けられており、上記と同様の問題が生じる。すなわち、使用する薬剤の種類の増大に応じて高圧弁や高圧配管の部品点数が多くなり、このことが高圧処理装置の製造コストの増大を招いてしまう。また、配管系が複雑となり、装置構成の複雑化を招くという別の問題も発生する。
【０００７】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、高圧流体と、複数の薬剤の全部または一部とを混合させて作成した処理流体を被処理体の表面に接触させて所定の表面処理を施す高圧処理装置および高圧処理方法において、構成の簡素化およびコスト低減を図ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明は、高圧流体あるいは高圧流体と薬剤との混合物を処理流体として被処理体の表面に接触させて被処理体の表面に対して所定の表面処理を施す高圧処理装置に関するものであって、上記目的を達成するため、以下のように構成している。この発明にかかる高圧処理装置の一の態様は、その内部に表面処理を行うための処理チャンバーを有する圧力容器と、処理チャンバーに高圧流体を供給する高圧流体供給手段と、複数の薬剤の全部または一部を選択的に調合して調合薬剤を作成し、必要に応じて該調合薬剤を、高圧流体供給手段から処理チャンバーに圧送される高圧流体に圧送し、または処理チャンバーに直接圧送する薬剤供給手段とを備えている。また、この発明にかかる高圧処理装置の他の態様は、その内部に表面処理を行うための処理チャンバーを有する複数の圧力容器と、複数の処理チャンバーに高圧流体を供給する高圧流体供給手段と、複数の薬剤の各々について薬剤を貯留する複数の共通タンクと、複数の処理チャンバーの各々に対応して設けられ、しかも該処理チャンバーに対応して複数の共通タンクから供給される複数の薬剤の全部または一部を選択的に調合して調合薬剤を作成し、必要に応じて該調合薬剤を、高圧流体供給手段から該処理チャンバーに圧送される高圧流体に圧送し、または該処理チャンバーに直接圧送する、複数の薬剤供給手段とを備えている。
【０００９】
このように構成された高圧処理装置では、複数の薬剤の全部または一部を必要に応じて高圧流体に混合させることで処理流体が形成され、この処理流体により被処理体に対する表面処理が実行されるが、高圧流体と薬剤との混合処理を次のように行っている。まず混合処理に先立って、複数の薬剤の全部または一部を選択的に調合して調合薬剤が作成される。そして、該調合薬剤が高圧流体や処理チャンバーに圧送されて上記混合処理が行われる。このように本発明は、従来技術のように複数の薬剤をそれぞれ個別に圧送して高圧流体と混合させるのではなく、低圧下で調合薬剤を作成した後、その調合薬剤を処理チャンバーに圧送される高圧流体に圧送するか、もしくは処理チャンバーに圧送するように構成しているので、薬剤を圧送するための部品点数（例えば高圧ポンプ、高圧弁、高圧配管などの点数）を抑制することができるとともに、薬剤を圧送するための配管系を簡素化することができ、装置コストを大幅に低減することができる。
【００１０】
ここで、高圧流体への調合薬剤の混合態様としては、（１）高圧流体供給手段から処理チャンバーに圧送される高圧流体に対して調合薬剤を圧送して混合させるようにしてもよいし、（２）調合薬剤を処理チャンバーに直接圧送して処理チャンバー内で混合させるようにしてもよい。
【００１１】
また、上記のようにして調合薬剤を作成するとともに、該調合薬剤を圧送する薬剤供給手段については、薬剤を調合するための調合手段と、複数の専用タンクの各々に対応して設けられた複数の流量制御手段と、調合手段により調合された調合薬剤を圧送する圧送手段とで構成することができる。特に、複数の流量制御手段により複数の薬剤の各々について調合手段への薬剤の流量を制御して調合薬剤中での各薬剤の調合比率を調整することにより、この調合比率を精度良く設定することができ、ひいては処理流体の成分を精度良く調整して被処理体に対する表面処理を良好に行うことができる。また、プロセスの自由度についても、大幅に向上させることができる。なお、調合手段への薬剤の流量制御についてはフィードバック制御が望ましく、かかるフィードバック制御を採用することで高精度で調合比率を調整することができ、さらに優れた品質で、しかも安定して表面処理を行うことができる。
【００１２】
また、表面処理として複数の表面処理を連続して実行することがある。例えば、表面処理として以下の２種類の表面処理、
（１）第１表面処理：複数の薬剤のうちの一の薬剤を第１薬剤とし、第１薬剤以外の少なくとも１つ以上の薬剤を第１薬剤と調合して調合薬剤を作成するとともに、該調合薬剤と高圧流体とを混合した処理流体を用いて被処理体の表面に対して行う表面処理、
（２）第２表面処理：第１薬剤のみを調合薬剤とし、該調合薬剤と高圧流体とを混合した処理流体を用いて被処理体の表面に対して行う表面処理、
をこの順序で行う場合がある。このような表面処理を行う高圧処理装置では、第１薬剤を圧送手段に導く主流路と、複数の薬剤のうち第１薬剤以外の薬剤ごとに設けられて該薬剤を主流路に導く副流路とを備えた調合手段を用いるのが好適である。というのも、第１薬剤については第１および第２表面処理で使用されるのに対し、第１薬剤以外の薬剤については第１表面処理でのみ使用されるため、圧送手段への第１薬剤の安定供給が優先的に要望されるからである。したがって、主流路に沿って第１薬剤を圧送手段に導くことで上記要望を満足させて良好な表面処理が可能となる。
【００１３】
また、補給手段をさらに設け、この補給手段により複数の薬剤のうちの少なくとも１つ以上の薬剤を補給対象薬剤として該補給対象薬剤を貯留する（専用または共通）タンクに補給対象薬剤を補給するように構成してもよい。これによりタンク内の補給対象薬剤が不足するのを抑制して装置の稼働効率を高めることができる。
【００１４】
この発明は、高圧流体と複数の薬剤との混合物を処理流体として被処理体の表面に接触させて被処理体の表面に対して所定の表面処理を施す高圧処理方法に関するものであって、上記目的を達成するため、以下のように構成している。この発明にかかる高圧処理方法の一の態様は、被処理体を収容する処理チャンバーに向けて高圧流体を圧送する工程と、複数の薬剤を調合して調合薬剤を作成した後、該調合薬剤を処理チャンバーに向けて圧送する工程と、処理チャンバーの手前で、高圧流体と調合薬剤とを混合して処理流体を形成し、該処理流体を処理チャンバーに供給する工程とを備えている。また、この発明にかかる高圧処理方法の他の態様は、被処理体を収容する処理チャンバーに高圧流体を圧送する工程と、複数の薬剤を調合して調合薬剤を作成した後、該調合薬剤を処理チャンバーに圧送する工程と、処理チャンバー内で、高圧流体と調合薬剤とを混合して処理流体を形成する工程とを備えている。
【００１５】
このように構成された高圧処理方法では、上記高圧処理装置と同様に、複数の薬剤の全部または一部を選択的に調合して調合薬剤を作成し、該調合薬剤を高圧流体や処理チャンバーに圧送して混合させることで処理流体を形成しているので、簡素な構成で、しかも安価で被処理体に対する表面処理を行うことができる。
【００１６】
なお、本発明における「被処理体の表面」とは、高圧処理を施すべき面を意味しており、被処理体が例えば半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などの各種基板である場合、その基板の両主面のうち回路パターンなどが形成された一方主面に対して表面処理を施す必要がある場合には、該一方主面が本発明の「被処理体の表面」に相当する。また、他方主面に対して表面処理を施す必要がある場合には、該他方主面が本発明の「被処理体の表面」に相当する。もちろん、例えば両面実装基板のように両主面に対して表面処理を施す必要がある場合には、両主面が本発明の「被処理体の表面」に相当する。
【００１７】
また、本発明における表面処理とは、例えばレジストが付着した半導体基板のように汚染物質が付着している被処理体から、汚染物質を剥離・除去する洗浄処理が代表例としてあげられる。被処理体としては、半導体基板に限定されず、金属、プラスチック、セラミックス等の各種基材の上に、異種物質の非連続または連続層が形成もしくは残留しているようなものが含まれる。また、洗浄処理に限られず、高圧流体と高圧流体以外の薬剤を用いて、被処理体上から不要な物質を除去する処理（例えば、乾燥、現像等）は、全て本発明の高圧処理装置および高圧処理方法の対象とすることができる。
【００１８】
また、本発明において、用いられる高圧流体としては、安全性、価格、超臨界状態にするのが容易、といった点で、二酸化炭素が好ましい。二酸化炭素以外には、水、アンモニア、亜酸化窒素、エタノール等も使用可能である。高圧流体を用いるのは、拡散係数が大きく、溶解した汚染物質を媒体中に分散することができるためであり、より高圧にして超臨界流体にした場合には、気体と液体の中間の性質を有するようになって微細なパターン部分にもより一層浸透することができるようになるためである。また、高圧流体の密度は、液体に近く、気体に比べて遥かに大量の添加剤（薬剤）を含むことができる。
【００１９】
ここで、本発明における高圧流体とは、１ＭＰａ以上の圧力の流体である。好ましく用いることのできる高圧流体は、高密度、高溶解性、低粘度、高拡散性の性質が認められる流体であり、さらに好ましいものは超臨界状態または亜臨界状態の流体である。二酸化炭素を超臨界流体とするには３１゜Ｃ、７．１ＭＰａ以上とすればよい。洗浄並びに洗浄後のリンス工程や乾燥・現像工程等は、５〜３０ＭＰａの亜臨界または超臨界流体を用いることが好ましく、７．１〜２０ＭＰａ下でこれらの処理を行うことがより好ましい。なお、後の「発明の実施の形態」では、表面処理として洗浄処理および乾燥処理を実施する場合について説明するが、上述したように高圧処理は洗浄処理、リンス処理および乾燥処理のみには限られない。
【００２０】
本発明においては、基板に付着したレジストやエッチングポリマー等の高分子汚染物質も除去するため、二酸化炭素等の高圧流体のみからなる処理流体を用いた場合では洗浄力が不充分である点を考慮して、薬剤を添加して洗浄処理を行う。薬剤としては、洗浄成分として塩基性化合物を用いることが好ましい。レジストに多用される高分子物質を加水分解する作用があり、洗浄効果が高いためである。塩基性化合物の具体例としては、第四級アンモニウム水酸化物、第四級アンモニウムフッ化物、アルキルアミン、アルカノールアミン、ヒドロキシルアミン（ＮＨ_２ＯＨ）およびフッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ）よりなる群から選択される１種以上の化合物が挙げられる。洗浄成分は、高圧流体に対し、０．０５〜８質量％含まれていることが好ましい。なお、乾燥や現像のために本発明の高圧処理装置を用いる場合は、乾燥または現像すべきレジストの性質に応じて、キシレン、メチルイソブチルケトン、第４級アンモニウム化合物、フッ素系ポリマー等を薬剤とすればよい。
【００２１】
上記塩基性化合物等の洗浄成分が高圧流体に対して溶解度が低い場合には、この洗浄成分を高圧流体に溶解もしくは均一分散させる助剤となり得る相溶剤を薬剤として用いることが好ましい。この相溶剤は、洗浄工程終了後のリンス工程で、汚れを再付着させないようにする作用も有している。また、ミキシングバルブ４２（図２）から圧力容器１（図１）までの高圧配管４１，３１内とこの高圧配管に介挿された高圧ポンプ４５、高圧弁４６、加熱器３３内および圧力容器１内において、洗浄工程で用いられた助剤（薬剤）の除去を促進する作用もある。
【００２２】
相溶剤としては、洗浄成分を高圧流体と相溶化させることができれば特に限定されないが、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール類や、ジメチルスルホキシド等のアルキルスルホキシドが好ましいものとして挙げられる。洗浄工程では、相溶剤は高圧流体の５０質量％以下の範囲で適宜選択すればよい。
【００２３】
【発明の実施の形態】
図１は、この発明にかかる高圧処理装置の一実施形態を示す図である。この高圧処理装置は、圧力容器１の内部に形成される処理チャンバー１１に超臨界二酸化炭素または超臨界二酸化炭素と薬剤との混合物を処理流体として導入し、その処理チャンバー１１において保持されている略円形の半導体ウエハなどの基板（被処理体）に対して所定の洗浄処理、リンス処理および乾燥処理を行う装置である。以下、その構成および動作について詳細に説明する。
【００２４】
この高圧処理装置では、本発明の「高圧流体」として超臨界二酸化炭素（以下「ＳＣＦ」という）を処理チャンバー１１に圧送する高圧流体供給ユニット２が設けられている。この高圧流体供給ユニット２は、必須構成要素である高圧流体用の貯槽２１と高圧ポンプ２２の他、図例では、過冷却器２３、加熱器２４、高圧ボンベ２５と高圧バルブ２６を備えている。上記のように高圧流体として、液化または超臨界二酸化炭素を用いる場合、貯槽２１には、通常、液化二酸化炭素が貯留されており、加速度抵抗を含めた配管圧損が大きい場合には、過冷却器２３で予め流体を冷却して、高圧ポンプ２２内でのガス化を防止するとよく、高圧ポンプ２２で流体を加圧すれば高圧液化二酸化炭素を得ることができる。
【００２５】
なお、処理チャンバー１１を大気圧に開放した場合等、系内の二酸化炭素が減少した分を補給する必要があるが、液化二酸化炭素が入った高圧ボンベ２５から液状で二酸化炭素を補給する場合には高圧バルブ２６を介して直接貯槽２１へ補給すればよく、ガス状で補強する場合は後述する凝縮器を経由して補給するように構成すればよい。また、加熱器２４は、二酸化炭素を表面処理温度に達するよう加熱するためのものであるが、処理温度以下に加熱しておき、または加熱せずに、後述する処理チャンバー１１の近傍に設けた加熱器で、処理チャンバー１１での表面処理に適した温度にそれぞれ加熱する構成としてもよい。
【００２６】
この高圧流体供給ユニット２の加熱器２４は、高圧配管３１により処理チャンバー１１に連通されている。また、この高圧配管３１には、高圧弁３２および加熱器３３が介挿されており、装置全体を制御する制御ユニット（図示省略）からの開閉指令に応じて高圧弁３２が開くと、高圧流体供給ユニット２から圧送されるＳＣＦが加熱器３３を経由して処理チャンバー１１に供給される。逆に、高圧弁３２が閉じると、処理チャンバー１１へのＳＣＦの供給が停止される。
【００２７】
また、高圧弁３２と加熱器３３との間の配管部分には、薬剤供給ユニット４から延びる高圧配管４１が連結されており、薬剤供給ユニット４からの調合薬剤が高圧配管３１により処理チャンバー１１に向けて圧送されているＳＣＦに圧送され、この連結部分で混合される。このように、この実施形態では該連結部分が混合部として機能しており、薬剤供給ユニット４から調合薬剤が圧送される場合には該混合部でＳＣＦと薬剤との混合物が本発明の「処理流体」として加熱器３３を介して処理チャンバー１１に供給される一方、薬剤供給ユニット４から調合薬剤が圧送されない場合にはＳＣＦのみが本発明の「処理流体」として加熱器３３を介して処理チャンバー１１に供給される。なお、この加熱器３３は、処理チャンバー１１のＳＣＦ導入口の近傍に設けられ、処理チャンバー１１への導入直前において処理流体の温度を調整する。したがって、処理流体の温度調整が不要な場合には、加熱器３３を省略してもよいことは言うまでもない。
【００２８】
図２は薬剤供給ユニットの構成を示す図である。この薬剤供給ユニット４は、薬剤貯留ユニット５から４種類の薬剤（相溶剤Ｄ、助剤Ａ、助剤Ｂおよび助剤Ｃ）の供給を受け、これらの全部または一部を選択的に調合して調合薬剤を作成するものである。この薬剤供給ユニット４では、ミキシングバルブ４２が調合処理を行うための「調合手段」として設けられている。
【００２９】
このミキシングバルブ４２には入口弁４３を介して薬剤貯留ユニット５の専用タンク５１Ｄに連通されている。この専用タンク５１Ｄには相溶剤Ｄが予め貯留されるとともに、配管５２Ｄの先端部が相溶剤Ｄに浸漬される一方、同配管５２Ｄの後端部がミキシングバルブ４２の入口弁４３に接続されている。この専用タンク５１Ｄに対応して窒素ガス供給部５３Ｄが設けられており、窒素ガス供給部５３Ｄから窒素ガスを専用タンク５１Ｄに圧送することで専用タンク５１Ｄ中の相溶剤Ｄを配管５２Ｄによりミキシングバルブ４２に供給可能となっている。また、この配管５２Ｄには、専用タンク５１Ｄ用の元弁５４Ｄおよび相溶剤Ｄ用の流量制御部４４Ｄが介挿されており、窒素ガス供給部５３Ｄ、元弁５４Ｄ、流量制御部４４Ｄおよび入口弁４３を制御ユニットにより動作制御することでミキシングバルブ４２への相溶剤Ｄの供給・供給停止を制御することができる。なお、専用タンク５１Ａ〜５１Ｃにそれぞれ貯留された助剤Ａ〜Ｃをミキシングバルブ４２に送り込むために、相溶剤Ｄと同様に、助剤Ａ〜Ｃの各々について配管５２Ａ〜５２Ｃ、窒素ガス供給部５３Ａ〜５３Ｃ、元弁５４Ａ〜５４Ｃおよび流量制御部４４Ａ〜４４Ｃがそれぞれ設けられている。なお、その構成および動作については、相溶剤Ｄと同一であるため、ここでは説明を省略する。また、この実施形態では、本発明の「複数の薬剤」として相溶剤Ｄと３種類の助剤Ａ〜Ｃを準備しているが、薬剤の組合せや種類などについては任意であり、表面処理に応じて複数の薬剤を適宜選択して設けるようにすればよい。
【００３０】
図３は流量制御部の構成を示す図である。これらの流量制御部４４Ａ〜４４Ｄはいずれも同一構成を有している。すなわち、各流量制御部４４Ａ〜４４Ｄは、同図（ａ）に示すように、ミキシングバルブ４２に接続された配管５２Ａ〜５２Ｄに介挿された流量計４４１と、可動絞り弁４４２と、流量コントローラ４４３とを備えている。この流量コントローラ４４３は流量計４４１からの流量信号を受信し、その流量信号ならびに制御ユニットからの流量指令に基づき可動絞り弁４４２の開度をフィードバック制御することでミキシングバルブ４２への薬剤の流量を調整している。このため、相溶剤Ｄおよび３種類の助剤Ａ〜Ｃのいずれの薬剤についてもミキシングバルブ４２への薬剤流入量を精度良く制御することができ、その結果、ミキシングバルブ４２による各薬剤の調合比率を高精度に調整することができる。また、制御ユニットからの流量指令を変更することで調合比率をリアルタイムで、しかも精度良く変更設定することができる。なお、薬剤の流量をリアルタイムで精密制御する必要がない場合には、同図（ｂ）に示すように流量計４４４と固定絞り弁４４５とで構成された流量制御部４４Ａ〜４４Ｄを代用することができる。また、流量計４４１、可動絞り弁４４２、流量コントローラ４４３にかえて、定量供給性能が優れているメタリングポンプを使用しても良い。その場合、制御ユニットからの流量指令に基づいてメタリックポンプの回転数等を調整することにより各薬剤の調合比率をリアルタイムに変更しても良い。
【００３１】
図４はミキシングバルブの部分断面図である。この実施形態で用いたミキシングバルブ４２の内部には、比較的広い断面を有する主流路４２１と、主流路４２１に比べて細く、この主流路４２１に連通する副流路４２２Ａとが設けられている。この主流路４２１の一方端は入口弁４３に連通される一方、その他方端は本発明の「圧送手段」に相当する高圧ポンプ４５に連通されている。このため、入口弁４３を介して送り込まれた相溶剤Ｄは主流路４２１を通って高圧ポンプ４５側（同図の上方側）に流れる。
【００３２】
副流路４２２Ａは、助剤Ａを主流路４２１に送り込むための流路であり、同図に示すように可動部材４２３Ａが連通口４２４Ａから離れた状態で助剤Ａは副流路４２２Ａおよび連通口４２４Ａを介して主流路４２１に流れ込み、相溶剤Ｄとともに高圧ポンプ４５側（同図の上方側）に流れる。一方、制御ユニットからの駆動指令に応じて可動部材４２３Ａが連通口４２４Ａ側（同図の右手側）に移動して可動部材４２３Ａの先端部が連通口４２４Ａを塞ぐと、主流路４２１への助剤Ａの流入が阻止されて相溶剤Ｄへの助剤Ａの混入が防止される。なお、図４中の符号４２５Ａは可動部材４２３Ａのポジション移動に連動して伸縮する蛇腹部である。
【００３３】
このように、この実施形態では可動部材４２３Ａのポジションを制御することで助剤Ａの注入・注入停止を制御しており、可動部材４２３Ａが助剤Ａのミキシングバルブ４２への注入を制御する注入弁として機能している。なお、ここでは、図４への図示を省略しているが、他の助剤Ｂおよび助剤Ｃについても同様の構成が設けられており、各助剤Ｂ、Ｃの相溶剤Ｄへの注入・注入停止を制御可能となっている。したがって、制御ユニットにより各可動部材のポジション移動を制御することによりミキシングバルブ４２により８通りの調合薬剤：（１）相溶剤Ｄのみ；（２）相溶剤Ｄ＋助剤Ａ；（３）相溶剤Ｄ＋助剤Ｂ；（４）相溶剤Ｄ＋助剤Ｃ；（５）相溶剤Ｄ＋助剤Ａ＋助剤Ｂ；（６）相溶剤Ｄ＋助剤Ａ＋助剤Ｃ；（７）相溶剤Ｄ＋助剤Ｂ＋助剤Ｃ；（８）相溶剤Ｄ＋助剤Ａ＋助剤Ｂ＋助剤Ｃを調合可能となっている。しかも、上記のように流量制御部４４Ａ〜４４Ｄにより助剤Ａ〜Ｃおよび相溶剤Ｄの流量をそれぞれ調整することで調合薬剤の調合比率を制御することができる。したがって、これらの制御を組み合わせることで調合薬剤を広範囲で調合することができる。
【００３４】
このミキシングバルブ４２で調合された調合薬剤は、図２に示すように、高圧ポンプ４５に流れ込み、高圧配管４１を介して連結部分に向けて圧送可能となっている。この高圧配管４１には高圧弁４６が介挿されており、制御ユニットからの開閉指令に応じて高圧弁４６が開くと、調合薬剤が高圧配管３１との連結部分に圧送されて高圧配管３１内を圧送されるＳＣＦと混合される。その結果、その混合物（ＳＣＦ＋調合薬剤）が本発明の「処理流体」として処理チャンバー１１に圧送される。一方、制御ユニットからの開閉指令に応じて高圧弁４６が閉じると、上記連結部分への調合薬剤の圧送が阻止され、その結果、ＳＣＦのみが本発明の「処理流体」として処理チャンバー１１に圧送される。なお、高圧配管４１には、高圧配管４７が分岐して連結されており、高圧配管４７に介挿された高圧弁４８を開くことで調合薬剤をドレンすることが可能となっている。
【００３５】
次に、図１に戻って高圧処理装置の構成について説明を続ける。高圧配管３１、４１の連結部分から圧送されてくる処理流体（ＳＣＦのみ、あるいはＳＣＦ＋調合薬剤）は加熱器３３で必要に応じて加熱された後、処理チャンバー１１に送り込まれる。これにより処理チャンバー１１内に配置された基板に対して所定の表面処理が実行される。なお、その処理動作については後で詳述する。
【００３６】
この処理チャンバー１１は、高圧配管３５により分離・回収ユニット６と連通されている。また、この高圧配管３５には高圧弁３６が介挿されている。このため、制御ユニットからの開閉指令に応じて高圧弁３６が開くと、処理チャンバー１１内の処理流体などが分離・回収ユニット６に排出される一方、高圧弁３６が閉じると、処理チャンバー１１に処理流体を閉じ込めることができる。
【００３７】
分離・回収ユニット６では、分離器６１が高圧配管３５により処理チャンバー１１と連通されており、高圧弁６２およびガス化部６３を介して処理チャンバー１１内のＳＣＦ、薬剤や汚染物質などが分離器６１に圧送される。この分離器６１では、ＳＣＦを減圧操作によって気体成分とし、気体成分用高圧弁６４を介して精製器６５で精製する。さらに精製器６５を経た高純度な二酸化炭素については、さらに凝縮器３４に送って液化して該液化二酸化炭素を貯槽２１に戻す。これにより、二酸化炭素が循環利用される。なお、精製器６５としては、活性炭等の吸着剤が充填されている吸着塔等が挙げられる。
【００３８】
また、分離器６１による気液分離により得られた汚染物質と薬剤の混合物については、分離器６１の塔底から液体（または固体）成分用高圧弁６６を介して排出され、必要に応じて処理される。また、分離器６１による気液分離により得られた気体成分を循環利用しないで気体成分用高圧弁６７を介して大気放出するようにしてもよい。なお、分離器６１としては、気液分離が行える種々の装置や、遠心分離機等を使用することができる。
【００３９】
次に、上記のように構成された高圧処理装置の動作の一例を図５を参照しつつ説明する。図５は、図１の高圧処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。ここでは、予めメモリに記憶された表面処理プログラムにしたがって制御ユニットが装置各部を制御することで、助剤Ａ、助剤Ｂおよび相溶剤Ｄの３種類の薬剤を用いて基板の表面に付着するフォトレジストを洗浄除去する一連の表面処理動作を実行する場合について説明する。
【００４０】
まずステップＳ１で、上記表面処理動作を実行するための初期設定として、助剤Ａおよび助剤Ｂの流量が所定値にプリセットされる。また、相溶剤Ｄ、助剤Ａおよび助剤Ｂの元弁５４Ｄ、５４Ａ、５４Ｂがそれぞれ開成される。さらに、窒素ガス供給部５３Ｄ、５３Ａ、５３Ｂから窒素ガスがそれぞれ対応する専用タンク５１Ｄ、５１Ａ、５１Ｂに圧送されて加圧する。これらの操作により相溶剤Ｄ、助剤Ａおよび助剤Ｂがミキシングバルブ４２に向けて送給されるが、この段階ではミキシングバルブ４２の入口弁４３ならびに３つの注入弁は閉じられている。
【００４１】
そして、産業用ロボット等のハンドリング装置や搬送機構により被処理体たる基板が処理チャンバー１１にローディングされる（ステップＳ２）と、次のようにして処理チャンバー１１へのＳＣＦ供給を開始する（ステップＳ３）。すなわち、このステップＳ３では、貯槽２１に蓄えられている二酸化炭素を必要により過冷却器２３で冷却して液体状態とし、高圧ポンプ２２で処理チャンバー１１へ圧送する。この圧送される二酸化炭素は加熱器２４により超臨界状態となるまで加熱されるが、亜臨界状態や液体状態で処理チャンバー１１に圧送されることもある。
【００４２】
次のステップＳ４では、ミキシングバルブ４２の入口弁４３のみが開いて相溶剤Ｄのみをミキシングバルブ４２に注入する。これにより相溶剤Ｄのみが調合薬剤として高圧ポンプ４５側に送られる。そして、高圧ポンプ４５が作動するとともに、高圧弁４６が開いて調合薬剤（相溶剤Ｄ）をＳＣＦに圧送して混合させ、この混合物を処理流体として処理チャンバー１１に圧送する。
【００４３】
こうして相溶剤Ｄのプレ供給が完了すると、ミキシングバルブ４２の助剤Ａ用の注入弁が開くとともに、流量制御部４４Ａにより助剤Ａの流量制御が行われる。これにより、ミキシングバルブ４２では、相溶剤Ｄと助剤Ａとが調合されて調合薬剤（Ｄ＋Ａ）が作成される。そして、この調合薬剤は高圧ポンプ４５によりＳＣＦと混合されて混合物を形成し、この混合物が処理流体として処理チャンバー１１に圧送されて基板表面に付着するフォトレジストを除去する（ステップＳ５）。すなわち、この実施形態では助剤Ａによりフォトレジストの除去処理が進行している。この実施形態では、助剤Ａの注入開始に際して、ステップＳ１でプリセットされた所定値に基づき助剤Ａの流量制御が行われているが、助剤Ａの注入流量を徐々に増大させる、いわゆるランプアップ制御を実行するようにしてもよい。
【００４４】
このフォトレジストの除去処理が所定時間だけ継続されると、ミキシングバルブ４２の助剤Ａ用の注入弁が閉じてミキシングバルブ４２による調合薬剤は（Ｄ＋Ａ）から再び（Ｄのみ）となり、その結果、フォトレジスト除去処理が停止されるとともに、相溶剤Ｄによりミキシングバルブ４２から処理チャンバー１１に至る経路ならびに処理チャンバー１１内における助剤Ａの成分がパージされる（ステップＳ６）。ここで、助剤Ａの注入を停止する際に、助剤Ａの注入流量を徐々に減少させる、いわゆるランプダウン制御を実行するようにしてもよい。なお、このようなランプアップ／ランプダウン制御に関しては、他の助剤の注入開始および停止時においても適用するようにしてもよい。
【００４５】
これに続いて、ミキシングバルブ４２の助剤Ｂ用の注入弁が開くとともに、流量制御部４４Ｂにより助剤Ｂの流量制御が行われる。これにより、ミキシングバルブ４２では、相溶剤Ｄと助剤Ｂとが調合されて調合薬剤（Ｄ＋Ｂ）が作成される。そして、この調合薬剤は高圧ポンプ４５によりＳＣＦと混合されて混合物を形成し、この混合物が処理流体として処理チャンバー１１に圧送されて基板表面に付着するエッチング残渣を除去する（ステップＳ７）。すなわち、この実施形態では助剤Ｂによりエッチング残渣除去処理が進行している。
【００４６】
このエッチング残渣除去処理が所定時間だけ継続されると、ミキシングバルブ４２の助剤Ｂ用の注入弁が閉じてミキシングバルブ４２による調合薬剤は（Ｄ＋Ｂ）から再び（Ｄのみ）となり、その結果、エッチング残渣除去処理が停止されるとともに、相溶剤Ｄによりミキシングバルブ４２から処理チャンバー１１に至る経路ならびに処理チャンバー１１内における助剤Ｂの成分がパージされる（ステップＳ８）。
【００４７】
次のステップＳ９では、高圧弁４６およびミキシングバルブ４２の入口弁４３が閉じるとともに、高圧ポンプ４５が停止して調合薬剤の供給を停止する。これにより、処理流体はＳＣＦのみとなり、ＳＣＦにより高圧配管３１および処理チャンバー１１内の相溶剤Ｄの成分がパージされる。そして、このパージ処理が完了すると、高圧ポンプ２２は停止してＳＣＦの処理チャンバー１１への供給が停止された（ステップＳ１０）後で、処理チャンバー１１を常圧まで減圧する（ステップＳ１１）。この減圧処理により基板がいわゆる超臨界乾燥されることとなり、その表面にシミ等が生じることもなく、また、微細パターンが破壊されることもなく、乾いた状態で取り出せる。そこで、処理チャンバー１１が大気圧に戻ると、産業用ロボット等のハンドリング装置や搬送機構により処理済みの基板が搬出されて一連の表面処理、つまり洗浄処理（フォトレジスト除去処理）＋第１リンス処理（エッチング残渣除去処理）＋第２リンス処理＋乾燥処理）が完了する。そして、ステップＳ２に戻り、次の未処理基板が搬送されてくると、上記動作が繰り返されていく。
【００４８】
以上のように、この実施形態によれば、ＳＣＦと薬剤とを混合させるにあたり、まず予め準備した４種類の薬剤の一部、具体的には薬剤Ａ、Ｄ（または薬剤Ｂ、Ｄ）をミキシングバルブ４２で調合して調合薬剤を作成した後で、この調合薬剤を高圧ポンプ４５によりＳＣＦに圧送されて混合させているので、複数の薬剤をそれぞれ個別に圧送してＳＣＦと混合させる従来装置に比べて、薬剤を圧送するための部品点数（例えば高圧ポンプ、高圧弁、高圧配管などの点数）を抑制して装置コストを大幅に低減することができる。すなわち、この実施形態では、薬剤供給ユニット４における高圧領域は図２に示すように高圧ポンプ４５から高圧配管３１までの領域に限られ、それ以外の領域は通常圧領域となっている。このため、高圧領域に配置すべき部品点数を大幅に抑えることができる。特に、予め準備している薬剤の種類が多くなったとしても、それにかかわらず高圧配管４１、高圧ポンプ４５および高圧弁４６はそれぞれ１つで済むため、低コスト化に大きな役割を担っている。
【００４９】
また、図２中の太線で示した部分がＳＣＦおよび薬剤の圧送に対応するための高圧配管であり、特許文献１の図１で示された配管系との対比から明らかなように、本実施形態にかかる高圧処理装置では薬剤を圧送するための配管系が簡素なものとなっている。
【００５０】
また、流量制御部４４Ａ〜４４Ｄにより助剤Ａ〜助剤Ｃおよび相溶剤Ｄの流量をそれぞれ制御しているので、調合薬剤中での各薬剤の調合比率を精度良く設定することができ、ひいては処理流体の成分を精度良く調整して基板（被処理体）に対する一連の表面処理を良好に行うことができる。しかも、いずれの流量制御部４４Ａ〜４４Ｄにおいても、フィードバック制御により薬剤の流量制御を行っているので、高精度で調合比率を調整することができ、さらに優れた品質で、しかも安定して表面処理を行うことができる。また、プロセスの自由度についても、大幅に向上させることができる。
【００５１】
さらに、この実施形態では、調合薬剤（Ｄ＋Ｂ）による第１リンス処理（エッチング残渣除去処理）と、調合薬剤（Ｄのみ）による第２リンス処理とをこの順序で連続的に行っており、第１および第２リンス処理が本発明の「第１表面処理」および「第２表面処理」にそれぞれ相当し、また相溶剤Ｄが本発明の「第１薬剤」に相当し、助剤Ｂが本発明の「第１薬剤以外の少なくとも１つ以上の薬剤」に相当している。そして、これらの調合するミキシングバルブ４２では、図４に示すように、第１薬剤たる相溶剤Ｄが主流路４２１を流れるように構成しているので、相溶剤Ｄを高圧ポンプ４５に安定して導くことができ、良好な表面処理が可能となる。
【００５２】
図６は、この発明にかかる高圧処理装置の他の実施形態を示す図である。この実施形態が先の実施形態と大きく相違している点は、図２と図６との対比から明らかなように、この実施形態（図６）では相溶剤Ｄを補給するための補給ユニット７がさらに追加的に設けられている点であり、その他の構成は基本的に先の実施形態と同様である。したがって、同一構成については同一符号を付して説明を省略し、以下のおいては相違点を中心に本実施形態の特徴について説明する。
【００５３】
補給ユニット７では、補給タンク７１が設けられており、この実施形態において補給対象薬剤となっている相溶剤Ｄを貯留している。そして、配管７２の先端部が相溶剤Ｄに浸漬される一方、同配管７２の後端部が専用タンク５１Ｄ中の相溶剤Ｄに浸漬されている。さらに、この補給タンク７１に対応して窒素ガス供給部７３が設けられており、窒素ガス供給部７３から窒素ガスを補給タンク７１に圧送することで補給タンク７１中の相溶剤Ｄを配管７２により専用タンク５１Ｄに補給可能となっている。
【００５４】
そして、専用タンク５１Ｄに貯留されている相溶剤Ｄが消費されて貯留量が所定レベルまで減少すると、窒素ガス供給部７３が作動して補給タンク７１中の相溶剤Ｄを配管７２により専用タンク５１Ｄに補給することができる。これにより、専用タンク５１Ｄ内の相溶剤Ｄを常に所定レベル以上に維持することができ、装置の稼働効率を高めることができる。
【００５５】
なお、この実施形態では、相溶剤Ｄを補給対象薬剤としているが、他の助剤Ａ〜Ｃなどについても相溶剤Ｄと同様に補給タンクを設けて適宜補給可能に構成するようにしてもよい。
【００５６】
図７は、この発明にかかる高圧処理装置の別の実施形態を示す図である。この実施形態では、２つの圧力容器１Ａ、１Ｂが設けられており、各圧力容器１Ａ、１Ｂの内部、つまり各処理チャンバー１１Ａ、１１Ｂで独立した表面処理を基板に対して実行可能となっている。すなわち、処理チャンバー１１Ａに対して薬剤供給ユニット４Ａを設けるとともに、処理チャンバー１１Ｂに対して薬剤供給ユニット４Ｂを設けており、各処理チャンバー１１Ａ、１１Ｂに適した薬剤を、しかも適当なタイミングで供給することが可能となっている。
【００５７】
また、この実施形態では、２つの薬剤供給ユニット４Ａ、４Ｂは同一構成となっており、一の薬剤貯留ユニット５から２対の配管群（配管５２Ａ〜５２Ｄ）がそれぞれ薬剤供給ユニット４Ａ、４Ｂに延びて４種類の薬剤（相溶剤Ｄ、助剤Ａ〜Ｄ）が薬剤供給ユニット４Ａ、４Ｂに供給される。すなわち、この実施形態では、薬剤貯留ユニット５中のタンクが本発明の「共通タンク」として機能する。
【００５８】
また、２つの薬剤供給ユニット４Ａ、４Ｂを同一構成とすることは本発明の必須構成ではなく、各処理チャンバー１１Ａ、１１Ｂで実行する表面処理の内容に応じた構成を採用すればよい。
【００５９】
また、この実施形態では、高圧流体供給ユニット２と分離・回収ユニット６とを処理チャンバー１１Ａ、１１Ｂに対して共通利用している。すなわち、高圧流体供給ユニット２が高圧配管３１Ａ、３１Ｂにより処理チャンバー１１Ａ、１１Ｂにそれぞれ接続されるとともに、分離・回収ユニット６が高圧配管３５Ａ、３５Ｂにより処理チャンバー１１Ａ、１１Ｂにそれぞれ接続されている。そして、高圧配管３１Ａ、３１Ｂにそれぞれ介挿された高圧弁３２Ａ、３２Ｂを適当なタイミングで開閉制御することで高圧流体供給ユニット２からのＳＣＦが処理チャンバー１１Ａ、１１Ｂの一方に選択的に供給される。また、高圧配管３５Ａ、３５Ｂにそれぞれ介挿された高圧弁３６Ａ、３６Ｂを適当なタイミングで開閉制御することで分離・回収ユニット６に対し、処理チャンバー１１Ａ、１１Ｂの一方からＳＣＦ、薬剤および汚染物質などが排出される。
【００６０】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では１つまたは２つの処理チャンバーを備えた高圧処理装置に対して本発明を適用しているが、３つ以上の処理チャンバーを備えた高圧処理装置に対しても本発明を適用することができる。また、複数の処理チャンバーを設けた場合には、図７に示す実施形態と同様に、高圧流体供給ユニット２と分離・回収ユニット６とを共通利用するように構成してもよいし、各処理チャンバーごとに高圧流体供給ユニット２および分離・回収ユニット６を設けるようにしてもよい。
【００６１】
また、上記実施形態では、調合処理を行うための「調合手段」としてミキシングバルブ４２を用いているが、特許文献１に記載の発明で開示されているように複数の配管と複数の開閉弁とを組み合わせて調合手段を構成するようにしてもよい。ただし、配管と開閉弁とを組み合わせた調合手段を採用した場合には、配管同士を接合した箇所と開閉弁との間に液溜り部、いわゆるデッドスペースが発生して調合手段から不要な薬剤を確実に排除することができず、調合比率の低下を招くなどの不都合がある。これに対し、上記実施形態で採用したミキシングバルブ４２を採用した場合には、かかる問題がなくなり、調合比率の精度を高めることができ、高圧処理装置にとって好適である。
【００６２】
また、ミキシングバルブ４２の代わりに、攪拌機等が内蔵された薬剤の混合用タンクを設置し、この混合用タンク内で薬剤を調合した後に高圧ポンプ４５に供給しても良い。この場合、使用する薬剤の種類に応じ混合用タンクを複数設置したり、さらにその混合用タンクと高圧ポンプ４５の間に薬剤切替え用のバッファタンクを設置しても良い。
【００６３】
また、上記実施形態では、４種類の薬剤のうち３種類の薬剤を選択的に用いて一連の表面処理を実行しているが、すべての薬剤を用いて表面処理を実行してもよい。また、使用する薬剤の種類や数については、上記実施形態に限定されるものではなく、被処理体の材質、構成などに応じて適宜組み合わせればよい。
【００６４】
さらに、上記実施形態では、高圧配管３１を圧送されるＳＣＦに調合薬剤を圧送しているが、薬剤供給ユニット４、４Ａ、４Ｂからの調合薬剤を直接処理チャンバー１１、１１Ａ、１１Ｂに圧送するように構成してもよい。
【００６５】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、複数の薬剤の全部または一部を選択的に調合して調合薬剤を作成し、該調合薬剤を高圧流体に圧送して混合させることで処理流体を形成するように構成しているので、薬剤を圧送するための部品点数（例えば圧送ポンプ、高圧弁、高圧配管などの点数）を抑制することができるとともに、薬剤を圧送するための配管系を簡素化することができ、コストを大幅に低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明にかかる高圧処理装置の一実施形態を示す図である。
【図２】薬剤供給ユニットの構成を示す図である。
【図３】流量制御部の構成を示す図である。
【図４】ミキシングバルブの部分断面図である。
【図５】図１の高圧処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図６】この発明にかかる高圧処理装置の他の実施形態を示す図である。
【図７】この発明にかかる高圧処理装置の別の実施形態を示す図である。
【符号の説明】
１、１Ａ，１Ｂ…圧力容器
２…高圧流体供給ユニット
４、４Ａ、４Ｂ…薬剤供給ユニット
７…補給ユニット
１１、１１Ａ、１１Ｂ…処理チャンバー
４２…ミキシングバルブ（調合手段）
４４Ａ〜４４Ｄ…流量制御部
４５…高圧ポンプ（圧送手段）
５１Ａ〜５１Ｄ…専用タンク（共通タンク）
４２１…主流路
４２２Ａ…副流路
Ａ〜Ｃ…助剤（薬剤）
Ｄ…相溶剤（第１薬剤）

Claims (10)

1. 高圧流体あるいは高圧流体と薬剤との混合物を処理流体として被処理体の表面に接触させて前記被処理体の表面に対して所定の表面処理を施す高圧処理装置において、
   その内部に前記表面処理を行うための処理チャンバーを有する圧力容器と、
   前記処理チャンバーに前記高圧流体を供給する高圧流体供給手段と、
   複数の薬剤の全部または一部を選択的に調合して調合薬剤を作成し、必要に応じて該調合薬剤を、前記高圧流体供給手段から前記処理チャンバーに圧送される高圧流体に圧送し、または前記処理チャンバーに直接圧送する薬剤供給手段とを備えたことを特徴とする高圧処理装置。
2. 前記複数の薬剤の各々は専用タンクに貯留されており、
   前記薬剤供給手段は、薬剤を調合するための調合手段と、前記複数の専用タンクの各々に対応して設けられた複数の流量制御手段と、前記調合手段により調合された前記調合薬剤を圧送する圧送手段とを備え、前記複数の流量制御手段により前記複数の薬剤の各々について前記調合手段への薬剤の流量を制御することで前記調合薬剤中での各薬剤の調合比率を調整する請求項１記載の高圧処理装置。
3. 高圧流体あるいは高圧流体と薬剤との混合物を処理流体として被処理体の表面に接触させて前記被処理体の表面に対して所定の表面処理を施す高圧処理装置において、
   その内部に前記表面処理を行うための処理チャンバーを有する、複数の圧力容器と、
   前記複数の処理チャンバーに前記高圧流体を供給する高圧流体供給手段と、
   複数の薬剤の各々について薬剤を貯留する、複数の共通タンクと、
   前記複数の処理チャンバーの各々に対応して設けられ、しかも該処理チャンバーに対応して前記複数の共通タンクから供給される前記複数の薬剤の全部または一部を選択的に調合して調合薬剤を作成し、必要に応じて該調合薬剤を、前記高圧流体供給手段から該処理チャンバーに圧送される高圧流体に圧送し、または該処理チャンバーに直接圧送する、複数の薬剤供給手段とを備えたことを特徴とする高圧処理装置。
4. 前記複数の薬剤供給手段の各々は、薬剤を調合するための調合手段と、前記複数の共通タンクの各々に対応して設けられた複数の流量制御手段と、前記調合手段により調合された前記調合薬剤を圧送する圧送手段とを備え、前記複数の流量制御手段により前記複数の薬剤の各々について前記調合手段への薬剤の流量を制御することで前記調合薬剤中での各薬剤の調合比率を調整する請求項３記載の高圧処理装置。
5. 前記複数の流量制御手段の各々はフィードバック制御により前記調合手段への薬剤の流量を制御する請求項２または４記載の高圧処理装置。
6. 前記表面処理として、
   前記複数の薬剤のうちの一の薬剤を第１薬剤とし、前記第１薬剤以外の少なくとも１つ以上の薬剤を前記第１薬剤と調合して前記調合薬剤を作成するとともに、該調合薬剤と前記高圧流体とを混合した処理流体を用いて前記被処理体の表面に対して第１表面処理を行った後、
   前記第１薬剤のみを前記調合薬剤とし、該調合薬剤と前記高圧流体とを混合した処理流体を用いて前記被処理体の表面に対して前記第１表面処理とは異なる第２表面処理を行う請求項２、４または５記載の高圧処理装置であって、
   前記調合手段は、前記第１薬剤を前記圧送手段に導く主流路と、前記複数の薬剤のうち前記第１薬剤以外の薬剤ごとに設けられて該薬剤を前記主流路に導く副流路とを備えることを特徴とする高圧処理装置。
7. 前記調合手段はミキシングバルブである請求項２、４ないし６のいずれかに記載の高圧処理装置。
8. 前記複数の薬剤のうちの少なくとも１つ以上の薬剤を補給対象薬剤とする請求項２、４ないし７のいずれかに記載の高圧処理装置であって、前記補給対象薬剤を貯留する前記タンクに前記補給対象薬剤を補給する補給手段をさらに備えたことを特徴とする高圧処理装置。
9. 高圧流体と複数の薬剤との混合物を処理流体として被処理体の表面に接触させて前記被処理体の表面に対して所定の表面処理を施す高圧処理方法において、
   前記被処理体を収容する処理チャンバーに向けて前記高圧流体を圧送する工程と、
   前記複数の薬剤を調合して調合薬剤を作成した後、該調合薬剤を前記処理チャンバーに向けて圧送する工程と、
   前記処理チャンバーの手前で、前記高圧流体と前記調合薬剤とを混合して前記処理流体を形成し、該処理流体を前記処理チャンバーに供給する工程とを備えたことを特徴とする高圧処理方法。
10. 高圧流体と複数の薬剤との混合物を処理流体として被処理体の表面に接触させて前記被処理体の表面に対して所定の表面処理を施す高圧処理方法において、
    前記被処理体を収容する処理チャンバーに前記高圧流体を圧送する工程と、
    前記複数の薬剤を調合して調合薬剤を作成した後、該調合薬剤を前記処理チャンバーに圧送する工程と、
    前記処理チャンバー内で、前記高圧流体と前記調合薬剤とを混合して前記処理流体を形成する工程とを備えたことを特徴とする高圧処理方法。

Images