JP2003282409A

JP2003282409A - 高圧現像処理装置および処理方法

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Publication number: JP2003282409A
Application number: JP2002083282A
Authority: JP
Inventors: Ikuo Mizobata; 一国雄溝端; Yusuke Muraoka; 祐介村岡; Kimitsugu Saito; 公続斉藤; Tomomi Iwata; 智巳岩田; Takashi Miyake; 孝志三宅; Ryuji Kitakado; 龍治北門
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2002-03-25
Filing date: 2002-03-25
Publication date: 2003-10-03

Abstract

(57)【要約】【課題】基板に現像液を供給して現像処理を行うにあ
たって、現像液中での気泡発生を抑制して現像処理を良
好に行うことができる高圧現像処理装置および処理方法
を提供する。【解決手段】昇圧ポンプ５２が流体供給部５１からの
流体（二酸化炭素や窒素など）を昇圧して高圧流体を形
成する。また、この昇圧ポンプ５２のアウトレット側が
加熱器５３を介して処理チャンバー１１と接続されてお
り、昇圧ポンプ５２から圧送されてくる高圧流体は必要
に応じて加熱器５３で加熱された後、処理チャンバー１
１に導入されて処理チャンバー１１内を常圧よりも高い
高圧環境に設定する。そして、その高圧環境下で現像ノ
ズル２１から基板Ｗに向けて現像液を吐出しながら該ノ
ズル２１を基板Ｗの表面に沿って移動させることで基板
Ｗの全面に現像液が薄い膜状に盛られて現像処理が実行
される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プ
ラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などの各種
基板（以下、単に「基板」という）に現像液を供給して
該基板に対して現像処理を施す高圧現像処理装置および
処理方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】基板に現像液を供給して該基板に対して
現像処理を施す現像処理装置として、例えば特開平１１
−１９５６７号公報に記載された装置がある。この現像
処理装置では、レジスト膜に所定パターンを露光した基
板（以下「露光済基板」という）が吸引チャック上に水
平に吸引保持されている。また、このようにして保持さ
れている基板の上方位置に現像液供給ノズルが配置され
ている。この現像液供給ノズルは基板の直径と同等以上
の長さのスリット状の液吐出口を有するものであり、開
閉バルブを介して現像液供給源と接続されている。この
ため、装置全体を制御する制御部からの開指令に応じて
開閉バルブが開くと、現像液供給ノズルから現像液が吐
出される。

【０００３】この現像液供給ノズルには駆動機構が連結
されており、上記のようにして現像液供給ノズルから現
像液を吐出させつつ、この現像液供給ノズルをその長手
方向に垂直な方向に一定速度で移動させる。これによっ
て、現像液供給ノズルから基板上に吐出された現像液
は、その表面張力によって基板上に薄い膜状に盛られ
る。そして、この液盛り状態のまま一定現像時間だけ基
板の静止状態を維持することによって基板表面のレジス
トの現像が進行する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した現
像処理装置では現像処理は常圧、つまり該装置の設置さ
れたクリーンルーム内の圧力下で行われており、現像液
中に気泡が混入して現像不良が発生するという問題があ
った。このように気泡混入の発生要因のひとつとして開
閉バルブの開閉に伴うキャビテーションが考えられてい
るが、実際に確認されている気泡サイズは目視レベルか
らマイクロバブルと称される極微小バブルまで広範囲に
渡っている。そして、気泡を含む現像液が露光されたレ
ジスト膜上に吐出されると、その気泡がレジスト膜面に
吸着されてしまい、その気泡吸着部分で現像不良が発生
することがあった。従来、このことが製品歩留まりの低
下要因のひとつとなっていた。特に、最近ではレジスト
の高機能化に伴ってレジスト膜面の疎水化が進行してお
り、現像液中の気泡がレジスト膜面に吸着され易いとい
う状況があるため、かかる問題を効果的に解決する技術
が強く要望されている。

【０００５】この発明は上記課題に鑑みなされたもので
あり、基板に現像液を供給して現像処理を行うにあたっ
て、現像液中での気泡発生を抑制して現像処理を良好に
行うことができる高圧現像処理装置および処理方法を提
供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この発明は、上記目的を
達成するため、処理チャンバー内を常圧よりも高い高圧
環境にした状態で基板に対して現像液を供給し、該基板
に対する現像処理が行われる。このように現像液を高圧
環境下に置くことで現像液中の気泡発生が抑えられ、か
かる現像液を用いることで気泡の影響を受けることなく
現像処理が良好に行われる。

【０００７】高圧環境を設定するためには、例えば二酸
化炭素や窒素などの流体を処理チャンバーに導入するよ
うにしてもよい。また、流体をさらに昇圧して高圧流体
を形成するとともに、この高圧流体を処理チャンバーに
導入して高圧環境を設定するようにしてもよい。

【０００８】また、処理チャンバー内で現像処理を受け
た基板に対してリンス液を供給してリンス処理するよう
にしてもよく、これによって現像処理に続いてリンス処
理を連続的に行うことができる。リンス液を供給する代
わりに高圧流体あるいは高圧流体と薬剤との混合物を処
理流体として処理チャンバーに導入し、現像処理された
基板に対してリンス処理を施すようにしてもよい。

【０００９】さらに、リンス処理に続いて高圧流体ある
いは高圧流体と薬剤との混合物を処理流体として処理チ
ャンバーに導入し、リンス処理された基板に対して高圧
乾燥処理を施すようにしてもよい。

【００１０】なお、本発明において、用いられる高圧流
体としては、安全性、価格、超臨界状態にするのが容
易、といった点で、二酸化炭素が好ましい。二酸化炭素
以外には、水、アンモニア、亜酸化窒素、エタノール等
も使用可能である。高圧流体を用いるのは、拡散係数が
大きく、溶解した物質を媒体中に分散することができる
ためであり、より高圧にして超臨界流体にした場合に
は、気体と液体の中間の性質を有するようになって微細
なパターン部分にもより一層浸透することができ、しか
も表面張力が発生しないためである。また、高圧流体の
密度は、液体に近く、気体に比べて遥かに大量の添加剤
（薬剤）を含むことができる。

【００１１】また、本発明における高圧流体とは、１Ｍ
Ｐａ以上の圧力の流体である。好ましく用いることので
きる高圧流体は、高密度、高溶解性、低粘度、高拡散性
の性質が認められる流体であり、さらに好ましいものは
超臨界状態または亜臨界状態の流体である。例えば二酸
化炭素を超臨界流体とするには３１゜Ｃ、７．１ＭＰａ
以上とすればよい。また、現像処理、リンス処理および
乾燥処理では、５〜３０ＭＰａの亜臨界（高圧流体）ま
たは超臨界流体を用いることが好ましく、７．１〜２０
ＭＰａでこれらの処理を行うことがより好ましい。

【００１２】また、上記のように高圧流体のみを処理流
体として用いる以外に、現像液やリンス液成分が高圧流
体に非相溶である場合には、これらの液成分を高圧流体
に溶解もしくは均一分散させる助剤となり得る相溶化剤
を薬剤として用いる、つまり高圧流体と薬剤との混合物
を処理流体として用いることが好ましい。

【００１３】

【発明の実施の形態】図１は、この発明にかかる高圧現
像処理装置の第１実施形態を示す図である。この高圧現
像処理装置は、基板Ｗを圧力容器１の内部、つまり処理
チャンバー１１で位置決め保持可能となっている。

【００１４】また、この処理チャンバー１１では、現像
ノズル２１が基板Ｗの上方側に配置されており、図示を
省略するノズル駆動機構によって基板Ｗの表面に沿って
移動するように構成されている。この現像ノズル２１に
は、流量計２２および開閉バルブＶ2を介して現像液供
給部２３に接続されている。そして、装置全体を制御す
る制御部４からの開指令に応じて開閉バルブＶ2が開く
と、現像液供給部２３からの現像液が開閉バルブＶ2お
よび流量計２２を介して現像ノズル２１に圧送され、該
ノズル２１から基板Ｗに向けて現像液が吐出される。こ
の現像液供給によって基板Ｗに対する現像処理が実行さ
れる。なお、この実施形態では、流量計２２によって現
像ノズル２１に流れる現像液の流量を計測し、その計測
結果を制御部４に与えるように構成しており、制御部４
はその計測結果に基づき開閉バルブＶ2を開閉制御する
ことで基板Ｗへの現像液の供給量をフィードバック制御
している。このように、この実施形態では、現像ノズル
２１、流量計２２、開閉バルブＶ2および現像液供給部
２３により本発明の「現像液供給手段」に相当する現像
液供給機構２が構成されている。

【００１５】また、処理チャンバー１１には本発明の
「リンス液供給手段」に相当するリンス液供給機構３が
接続されており、上記のようにして現像処理を受けた基
板Ｗに対してリンス液を供給してリンス処理する。この
リンス液供給機構３は流量計３１、開閉バルブＶ3およ
びリンス液供給部３２を備えている。そして、制御部４
からの開指令に応じて開閉バルブＶ3が開くと、リンス
液供給部３２から供給される純水やイソプロピルアルコ
ール（ＩＰＡ）などのリンス液が開閉バルブＶ3および
流量計３１を介して処理チャンバー１１に供給される。
このリンス液供給によって基板Ｗに対するリンス処理が
実行される。なお、リンス液についても、現像液と同様
に、流量計３１によって処理チャンバー１１に導入され
るリンス液の流量を計測し、その計測結果を制御部４に
与えるように構成しており、制御部４はその計測結果に
基づき開閉バルブＶ3を開閉制御することで基板Ｗへの
リンス液の供給量をフィードバック制御している。

【００１６】また、この実施形態では二酸化炭素や窒素
などの流体を供給する流体供給部５１が設けられてお
り、この流体供給部５１からの流体を本発明の「昇圧
部」に相当する昇圧ポンプ５２によって昇圧して高圧流
体を形成している。また、この昇圧ポンプ５２のアウト
レット側が加熱器５３を介して処理チャンバー１１と接
続されている。このため、昇圧ポンプ５２から圧送され
てくる高圧流体は必要に応じて加熱器５３で加熱された
後、処理チャンバー１１に導入される。その結果、処理
チャンバー１１内を常圧よりも高い高圧環境に設定する
ことが可能となっている。さらに、この処理チャンバー
１１の内部圧力を計測するために、処理チャンバー１１
に圧力センサ５４が取り付けられており、その計測結果
が制御部４に与えられる。このように、この実施形態で
は、流体供給部５１、昇圧ポンプ５２および加熱器５３
により構成される高圧機構５が本発明の「高圧環境設定
手段」として機能している。

【００１７】さらに、処理チャンバー１１には開閉バル
ブＶ1を介して回収部１２が接続されており、制御部４
からの開指令に応じて開閉バルブＶ1が開くと、上記の
ようにして処理チャンバー１１に導入される現像液、リ
ンス液、流体などを回収する。特に、この実施形態では
圧力センサ５４からの計測結果に基づき制御部４が開閉
バルブＶ1を開閉制御することで処理チャンバー１１の
高圧環境を調整している。

【００１８】次に、上記のように構成された高圧現像処
理装置の動作について図２を参照しつつ説明する。図２
は、図１の高圧現像処理装置の動作を示すタイミングチ
ャートである。この高圧現像処理装置の初期状態では、
すべてのバルブＶ1〜Ｖ3は閉じられており、昇圧ポンプ
５２および加熱器５３も停止状態にある。

【００１９】そして、適当なタイミングＴ1で基板搬送
ロボット（図示省略）により露光済基板Ｗが処理チャン
バー１１に搬入されると、制御部４は装置各部を以下の
ように制御して基板Ｗに対する現像処理、リンス処理お
よび乾燥処理をこの順序で実行する。

【００２０】まず、タイミングＴ1で、昇圧ポンプ５２
が作動し始めて処理チャンバー１１内の圧力が徐々に上
昇していく。そして、常圧Ｐ0よりも高い所定圧力Ｐ1
（例えば１ＭＰa）に達して処理チャンバー１１内で高
圧環境が形成される（タイミングＴ2）と、加熱器５３
の作動を開始して処理チャンバー１１に圧送する流体の
温度を調整する。これによって温調された高圧流体が処
理チャンバー１１に圧送されていき、処理チャンバー１
１内の温度が調整される。また、この温調処理を開始す
ると同時に、圧力センサ５４の計測出力に基づきバルブ
Ｖ1を開閉制御して処理チャンバー１１内の圧力を一定
値Ｐ1に保っている。なお、この開閉制御による圧力調
整は乾燥処理が完了するまで継続される。

【００２１】上記のようにして処理チャンバー１１内で
の高圧環境が現像処理に適したものとなる（タイミング
Ｔ3）と、バルブＶ2を開いて現像ノズル２１に現像液を
供給して該ノズル２１から基板Ｗに向けて現像液を吐出
する。そして、現像液を吐出しながら現像ノズル２１を
基板Ｗの表面に沿って移動させることで基板Ｗの全面に
現像液が薄い膜状に盛られて現像処理が実行される。な
お、この間、余剰の現像液などについては回収部１２に
回収されるが、この回収された現像液を必要に応じて再
利用することで現像液の利用効率を高めてランニングコ
ストの低減を図ることができる。

【００２２】そして、次のタイミングＴ4で、バルブＶ2
を閉じて現像液の供給を停止するとともに、バルブＶ3
を開いて処理チャンバー１１にリンス液を供給する。こ
れによって基板Ｗに付着する現像液がリンス液に置換さ
れて現像処理が停止される。

【００２３】このリンス処理が完了する（タイミングＴ
5）と、バルブＶ3を閉じて処理チャンバー１１へのリン
ス液の供給を停止するとともに、タイミングＴ6まで温
調された流体の処理チャンバー１１への供給を継続させ
て基板Ｗの乾燥処理を実行する。そして、タイミングＴ
6で昇圧ポンプ５２および加熱器５３を停止させて処理
チャンバー１１内の圧力を減圧し、常圧Ｐ0に戻った時
点（タイミングＴ7）でバルブＶ1を閉じて排気を完了す
る。なお、加熱器５３の停止は常圧Ｐ0に戻った後でも
良い。一方、処理チャンバー１１内の基板Ｗについて
は、基板搬送ロボットが受取り、この高圧現像処理装置
から搬出して次の工程に搬送する。そして、次の露光済
基板Ｗが基板搬送ロボットにより搬送されてくるたび
に、上記した一連の動作を実行して各基板Ｗに対して現
像処理、リンス処理および乾燥処理を施す。

【００２４】以上のように、この第１実施形態によれ
ば、高圧環境（この実施形態では１ＭＰａ）下で現像液
を基板Ｗに供給して現像処理を行うように構成している
ので、現像液中の気泡発生を抑えることができ、かかる
現像液を用いることで気泡の影響を受けることなく現像
処理を良好に行うことができる。

【００２５】ところで、上記第１実施形態では高圧環境
下で現像処理を行った後、その高圧環境のままリンス処
理および乾燥処理（高圧乾燥）を行っているが、現像処
理後に処理チャンバー１１内を常圧Ｐ0に戻した状態
（常圧状態）でリンス処理および乾燥処理を行うように
してもよい。

【００２６】また、乾燥処理をいわゆる超臨界乾燥処理
に置き換えてもよい。例えば図３に示すように、昇圧処
理からリンス処理までを第１実施形態と同様に行った
後、タイミングＴ5でバルブＶ1を開閉制御して処理チャ
ンバー１１内の圧力をさらに高めて所定圧力Ｐ2を超臨
界状態または亜臨界状態にし、さらにタイミングＴ6で
昇圧ポンプ５２および加熱器５３を停止させて超臨界乾
燥を行う。このように、この第２実施形態では高圧機構
５により高圧流体が処理チャンバー１１に導入されて超
臨界乾燥処理を行っており、高圧機構５は第１実施形態
と同様に本発明の「高圧環境設定手段」として機能する
のみならず、本発明の「処理流体導入手段」としても機
能している。もちろん、高圧機構５とは別個に高圧流体
を処理チャンバー１１に導入する機構を設けてもよい
が、第２実施形態のごとく高圧機構５を「高圧環境設定
手段」および「処理流体導入手段」として兼任させるよ
うに構成することによって装置構成を簡素に、しかも低
コストで高機能化を図ることができ、好適である。

【００２７】また、この第２実施形態にかかる高圧現像
処理装置は同一装置内で現像処理から超臨界乾燥処理ま
での一連の処理を実行可能となっているため、半導体製
造工場や液晶製造工場などにおいて複数のモジュールを
配列する際にも、工場レイアウトや既設装置などに対し
て柔軟に、かつ合理的に配置することが可能となる。

【００２８】図４は、この発明にかかる高圧現像処理装
置の第３実施形態を示す図である。この高圧現像処理装
置が第１実施形態と構成上大きく相違する点は、現像液
供給機構２が処理チャンバー１１に直接現像液を供給す
るように構成している点と、リンス液供給機構３を設け
ていない点であり、その他の構成は基本的に同一であ
る。そして、この高圧現像処理装置では処理チャンバー
１１内を超臨界状態または亜臨界状態に設定した上で超
臨界現像処理、超臨界リンス処理および超臨界乾燥処理
を連続して行っている。以下、図４の高圧現像処理装置
の動作について図５を参照しつつ説明する。

【００２９】図５は、図４の高圧現像処理装置の動作を
示すタイミングチャートである。この高圧現像処理装置
の初期状態では、すべてのバルブＶ1，Ｖ2は閉じられて
おり、昇圧ポンプ５２および加熱器５３も停止状態にあ
る。

【００３０】そして、適当なタイミングＴ1で基板搬送
ロボット（図示省略）により露光済の基板Ｗが処理チャ
ンバー１１に搬入されると、昇圧ポンプ５２が作動し始
めて処理チャンバー１１内の圧力が徐々に上昇してい
く。そして、超臨界状態または亜臨界状態に相当する圧
力Ｐ2（例えば５〜３０ＭＰａの圧力）に達する（タイ
ミングＴ2）と、さらに加熱器５３の作動を開始して処
理チャンバー１１に圧送する高圧流体の温度を調整す
る。これによって温調された高圧流体が処理チャンバー
１１に圧送されていき、処理チャンバー１１内に超臨界
状態または亜臨界状態を形成する。また、この温調処理
を開始すると同時に、圧力センサ５４の計測出力に基づ
きバルブＶ1を開閉制御して処理チャンバー１１内の圧
力を一定値Ｐ2に保っている。なお、この開閉制御によ
る圧力調整は降圧処理が完了するまで継続される。

【００３１】上記のようにして処理チャンバー１１内が
超臨界状態または亜臨界状態となると（タイミングＴ
3）と、バルブＶ2を開いて処理チャンバー１１に現像液
を供給して超臨界現像処理を実行する。そして、次のタ
イミングＴ4で、バルブＶ2を閉じて現像液の供給を停止
する一方、高圧機構５により高圧流体を処理チャンバー
１１に導入しつづけて高圧流体による超臨界リンス処理
を行った後、タイミングＴ6で昇圧ポンプ５２および加
熱器５３を停止させて超臨界乾燥を行う。

【００３２】そして、常圧Ｐ0に戻った時点（タイミン
グＴ7）でバルブＶ1を閉じて排気を完了する。一方、処
理チャンバー１１内の基板Ｗについては、基板搬送ロボ
ットが受取り、この高圧現像処理装置から搬出して次の
工程に搬送する。そして、次の露光済基板Ｗが基板搬送
ロボットにより搬送されてくるたびに、上記した一連の
動作を実行して各基板Ｗに対して超臨界現像処理、超臨
界リンス処理および超臨界乾燥処理を施す。

【００３３】以上のように、この第３実施形態によれ
ば、超臨界状態または亜臨界状態で現像液を基板Ｗに供
給して現像処理を行うように構成しているので、現像液
中の気泡発生を抑えることができ、かかる現像液を用い
ることで気泡の影響を受けることなく現像処理を良好に
行うことができる。

【００３４】また、同一装置内で超臨界現像処理から超
臨界乾燥処理までの一連の処理を実行可能となっている
ため、半導体製造工場や液晶製造工場などにおいて複数
のモジュールを配列する際にも、工場レイアウトや既設
装置などに対して柔軟に、かつ合理的に配置することが
可能となる。

【００３５】なお、本発明は上記した実施形態に限定さ
れるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて
上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能であ
る。例えば、上記実施形態では、同一装置内で現像処理
のみならずリンス処理および乾燥処理を行っているが、
乾燥処理までを含めることは本発明の必須構成要件では
なく任意の構成要件である。

【００３６】また、上記実施形態では、処理チャンバー
１１に１枚の基板Ｗを搬入した後に該基板Ｗに現像処理
などを施す、いわゆる枚葉式の高圧現像処理装置につい
て説明したが、本発明の適用対象は枚葉式現像処理装置
に限定されるものではなく、複数の基板を一括して処理
する、いわゆるバッチ式の高圧現像処理装置に対しても
本発明を適用することができる。

【００３７】また、上記第２および第３実施形態では、
高圧流体を処理流体として用いているが、高圧流体と薬
剤との混合物を処理流体として処理チャンバー１１に導
入するようにしてもよく、例えば第２実施形態では超臨
界乾燥処理に適した薬剤としてはリンス液成分を高圧流
体に溶解もしくは均一分散させる助剤となり得る相溶化
剤を用いることが好ましく、リンス液成分を高圧流体と
相溶化させることができれば特に限定されないが、メタ
ノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール
類や、いわゆる界面活性剤であるジメチルスルホキシド
等のアルキルスルホキシドが好ましいものとして挙げら
れる。

【００３８】また、上記実施形態のリンス液としては単
一のものを用いてもよいし、互いに異なる複数種類のも
のを用いてもよい。例えば、純水ＤＩＷでリンス処理し
た後に有機溶剤をはじめとする不活性及び低蒸気圧で超
臨界二酸化炭素に親和性に優れた溶剤、例えばフロロカ
ーボン系の薬液を置換液として供給する。その後に超臨
界乾燥処理を施すようにしても良い。

【００３９】さらに、上記実施形態において、高圧現像
処理装置は、基板Ｗの回転機構を備え、均一性とリンス
効率向上の為にリンス処理中に基板Ｗを回転するように
しても良い。

【００４０】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、処理
チャンバー内を常圧よりも高い高圧環境にした状態で基
板に対して現像液を供給し、該基板に対する現像処理を
施すように構成しているので、現像液中の気泡発生を抑
えることができ、気泡の影響を受けることなく現像処理
を良好に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明にかかる高圧現像処理装置の第１実施
形態を示す図である。

【図２】図１の高圧現像処理装置の動作を示すタイミン
グチャートである。

【図３】この発明の第２実施形態にかかる高圧現像処理
装置の動作を示すタイミングチャートである。

【図４】この発明にかかる高圧現像処理装置の第３実施
形態を示す図である。

【図５】図４の高圧現像処理装置の動作を示すタイミン
グチャートである。

【符号の説明】

１…圧力容器２…現像液供給機構３…リンス液供給機構５…高圧機構（高圧環境設定手段、処理流体導入手段）１１…処理チャンバー５１…流体供給部５２…昇圧ポンプ（昇圧部）Ｐ0…常圧Ｗ…基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者村岡祐介京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内 (72)発明者斉藤公続京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内 (72)発明者岩田智巳京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内 (72)発明者三宅孝志京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内 (72)発明者北門龍治京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA28 GA21 5F046 LA03 LA04 LA06 LA12 LA13 LA14 LA19

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】その内部が処理チャンバーとなっている
圧力容器と、前記処理チャンバー内を常圧よりも高い高圧環境に設定
する高圧環境設定手段と、前記処理チャンバー内に搬入された基板に対して前記高
圧環境下で現像液を供給して該基板に対して現像処理を
施す現像液供給手段とを備えたことを特徴とする高圧現
像処理装置。
【請求項２】前記処理チャンバー内で現像処理を受け
た前記基板に対してリンス液を供給してリンス処理する
リンス液供給手段をさらに備えた請求項１記載の高圧現
像処理装置。
【請求項３】高圧流体あるいは高圧流体と薬剤との混
合物を処理流体として前記処理チャンバーに導入し、リ
ンス処理された前記基板に対して高圧乾燥処理を施す処
理流体導入手段をさらに備えた請求項２記載の高圧現像
処理装置。
【請求項４】高圧流体あるいは高圧流体と薬剤との混
合物を処理流体として前記処理チャンバーに導入し、現
像処理された前記基板に対してリンス処理を施す処理流
体導入手段をさらに備えた請求項１記載の高圧現像処理
装置。
【請求項５】前記高圧環境設定手段は流体を供給する
流体供給部を備え、この流体供給部からの流体を前記処
理チャンバーに導入して高圧環境に設定する請求項１記
載の高圧現像処理装置。
【請求項６】前記高圧環境設定手段は前記流体供給部
からの流体を昇圧して高圧流体を形成するとともに、こ
の高圧流体を前記処理チャンバーに向けて圧送する昇圧
部をさらに備える請求項５記載の高圧現像処理装置。
【請求項７】前記高圧環境設定手段は前記流体供給部
からの流体を昇圧して高圧流体を形成するとともに、こ
の高圧流体を前記処理チャンバーに向けて圧送する昇圧
部をさらに備え、高圧流体あるいは高圧流体と薬剤との
混合物を処理流体として前記処理チャンバーに導入し、
現像処理された前記基板に対してリンス処理を施す請求
項５または６記載の高圧現像処理装置。
【請求項８】処理チャンバーに基板を搬入する工程
と、前記処理チャンバー内を常圧よりも高い高圧環境に設定
する工程と、前記高圧環境にある前記処理チャンバー内で前記基板に
現像液を供給して前記基板に対して現像処理を施す工程
とを備えたことを特徴とする高圧現像処理方法。