WO2018061520A1 - 洗浄液カートリッジおよび該洗浄液カートリッジを用いた洗浄方法 - Google Patents

洗浄液カートリッジおよび該洗浄液カートリッジを用いた洗浄方法 Download PDF

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cleaning
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liquid
processing
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淳靖 三浦
淳一 新庄
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株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
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    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Definitions

  • the present invention provides a cleaning liquid cartridge for supplying a cleaning liquid for cleaning a substrate processing apparatus for processing a substrate with a processing liquid fed through the processing liquid system to the processing liquid system, and the substrate processing using the cleaning liquid cartridge.
  • the present invention relates to a cleaning method for cleaning an apparatus.
  • a substrate processing apparatus that uses a processing solution such as a chemical solution or pure water to perform various processes on a substrate such as a semiconductor wafer is known.
  • a processing liquid is supplied to a substrate via a processing liquid system constituted by piping, valves, nozzles, and the like, and a predetermined process is performed on the substrate by the processing liquid.
  • contaminants such as particles (dust) existing in the processing liquid system must be removed before the substrate processing apparatus is operated.
  • Patent Document 1 proposes a cleaning technique using a chemical cartridge (corresponding to the “cleaning liquid cartridge” of the present invention) in which a chemical liquid having a cleaning effect (corresponding to the “cleaning liquid” of the present invention) is stored.
  • the chemical liquid is injected into the processing liquid system from the chemical liquid cartridge by attaching the chemical liquid cartridge to the processing liquid system, and the processing liquid system is cleaned with the chemical liquid.
  • a chemical solution supply unit is provided in the piping that constitutes the processing solution system.
  • the chemical solution supply unit is configured to be detachable from the chemical solution cartridge.
  • the chemical cartridge has an inner container for storing the chemical and an insertion part that can be inserted into the chemical supply part.
  • medical solution supply part is performed by inserting the insertion part of a chemical
  • the chemical cartridge configured as described above it is difficult to efficiently inject chemical.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and uses a cleaning liquid cartridge capable of efficiently supplying a cleaning liquid for cleaning a processing liquid system of a substrate processing apparatus to the processing liquid system, and the cleaning liquid cartridge.
  • An object is to provide a cleaning method.
  • One aspect of the present invention stores a cleaning liquid for cleaning a substrate processing apparatus that processes a substrate with a processing liquid sent through the processing liquid system, and the cleaning liquid is attached to the processing liquid system to process the cleaning liquid.
  • a cleaning liquid cartridge to be supplied to the system which has a storage space for storing the cleaning liquid and a cartridge body having an opening communicating with the storage space, and an air supply path connected to the storage space, and storing the cleaning liquid in the storage space
  • a gas introduction unit that introduces a gas supplied from the outside of the cartridge body through an air supply path to form a high-pressure gas region higher than atmospheric pressure in the storage space, and the cleaning liquid is provided by the high-pressure gas region. It is characterized by being extruded into the treatment liquid system through the opening.
  • a cleaning method for cleaning a substrate processing apparatus for processing a substrate with a processing liquid fed through a processing liquid system wherein the cleaning liquid is stored in a storage space of the cleaning liquid cartridge.
  • the storage step for sealing the opening portion and the attachment of the cleaning liquid cartridge to the processing liquid system allow the processing liquid system and the storage space to communicate with each other via the opening portion, and before and / or during the mounting through the air supply path.
  • a storage space is provided in the cartridge body of the cleaning liquid cartridge, and the cleaning liquid is stored in the storage space.
  • an air supply path is provided so as to communicate with the storage space in which the cleaning liquid is stored in this way, and gas supplied from the outside of the cartridge body is introduced into the storage space via the air supply path.
  • a high-pressure gas region higher than the atmospheric pressure is formed in the storage space in addition to the cleaning liquid. This high pressure gas region presses the cleaning liquid and pushes it out to the processing liquid system through the opening.
  • the cleaning liquid can be efficiently supplied to the processing liquid system, and the substrate processing apparatus can be cleaned well.
  • a plurality of constituent elements of each aspect of the present invention described above are not essential, and some or all of the effects described in the present specification are to be solved to solve part or all of the above-described problems.
  • technical features included in one embodiment of the present invention described above A part or all of the technical features included in the above-described other aspects of the present invention may be combined to form an independent form of the present invention.
  • FIG. 1 It is a perspective view which shows an example of the substrate processing apparatus with which one Embodiment of the cleaning method concerning this invention is applied. It is a top view of the substrate processing apparatus shown in FIG. It is a conceptual diagram which shows the process liquid system
  • FIG. 1 is a perspective view showing an example of a substrate processing apparatus to which an embodiment of a cleaning method according to the present invention is applied
  • FIG. 2 is a plan view of the substrate processing apparatus shown in FIG.
  • the substrate processing apparatus 100 is a so-called single-wafer type apparatus, which supplies a processing liquid to a substrate W such as a semiconductor wafer (see FIGS. 3 and 4) and processes the substrates one by one.
  • a substrate processing unit 3 in which a transfer chamber 2 extending in a predetermined horizontal direction is formed in a frame 1, and is transferred to the substrate processing unit 3 in plan view.
  • An indexer portion 4 is provided which is coupled to one side of the chamber 2 in the longitudinal direction.
  • the first processing unit 51 and the third processing unit 53 are arranged in order from the indexer unit 4 side along the transfer chamber 2 on one side in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the transfer chamber 2.
  • a second processing unit 52 and a fourth processing unit 54 are arranged at positions facing the first and third processing units 51 and 53 with the transfer chamber 2 interposed therebetween.
  • the chemical liquid cabinet 6 is disposed on the opposite side of the fourth processing unit 54 from the second processing unit 52.
  • Each processing unit 51 to 54 includes three processing chambers stacked in three stages, and the substrate processing unit 3 includes a total of twelve processing chambers 5A to 5L. More specifically, in the first processing unit 51, three processing chambers 5A, a processing chamber 5B, and a processing chamber 5C are stacked in order from the bottom. In the second processing unit 52, the processing chamber 5D, the processing chamber 5E, and the processing chamber 5F are stacked in order from the bottom. In the third processing unit 53, a processing chamber 5G, a processing chamber 5H, and a processing chamber 5I are stacked in order from the bottom. Furthermore, in the fourth processing unit 54, the processing chamber 5J, the processing chamber 5K, and the processing chamber 5L are stacked in order from the bottom.
  • a substrate transfer robot 7 is disposed as shown in FIG.
  • the substrate transport robot 7 accesses the processing chambers 5A to 5L with a hand (not shown) and carries the substrate W into and out of the processing chambers 5A to 5L.
  • an indexer robot 8 is arranged as shown in FIG.
  • a cassette placement unit is provided on the side of the indexer unit 4 opposite to the substrate processing unit 3.
  • a plurality of cassettes for storing a plurality of substrates W stacked in multiple stages are arranged side by side. Then, the indexer robot 8 accesses the cassette placed on the cassette placement unit to take out the substrate W from the cassette and store the substrate W in the cassette. Further, the indexer robot 8 has a function of delivering the substrate W to and from the substrate transport robot 7.
  • the chemical liquid cabinet 6 is partitioned by a partition wall, and a plurality of kinds of chemical liquids to be supplied to the processing chambers 5A to 5L, for example, SC1 (ammonia hydrogen peroxide solution mixed solution), SC2 (hydrochloric acid hydrogen peroxide solution mixed solution) are contained therein. Liquid), SPM (sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture), hydrofluoric acid, buffered hydrofluoric acid (Buffered HF: mixed liquid of hydrofluoric acid and ammonium fluoride) Yes.
  • DIW deionized water
  • DIW deionized water
  • first chemical solution and “second chemical solution”
  • DIW is appropriately mixed with the first chemical solution and / or the second chemical solution as described below.
  • the mixed liquid for substrate processing is produced as the “processing liquid” of the present invention by mixing at a ratio.
  • carbonated water hereinafter referred to as “CO2 water” in which carbon dioxide gas is dissolved in DIW is generated as the “treatment liquid” of the present invention.
  • CO2 water carbonated water
  • these processing liquids are supplied to the processing chambers 5A to 5L through a processing liquid system including pipes and valves, and the substrate W is processed with the processing liquid.
  • FIG. 3 is a conceptual diagram showing a processing liquid system for generating and supplying the processing liquid.
  • FIG. 4 is a diagram showing a part of the processing liquid system shown in FIG.
  • a substrate processing apparatus 100 shown in FIG. 1 is connected to factory power and configured to receive supply of DIW and high-purity nitrogen gas (N 2).
  • N 2 high-purity nitrogen gas
  • a DIW supply unit 6A, a CO2 water supply unit 6B, and four chemical solution supply units 6C to 6F are provided in order to configure a plurality of processing solution systems.
  • the chemical liquid supply units 6C to 6F are provided corresponding to the processing units 51 to 54, respectively.
  • the chemical solution supply unit 6C has a function of generating a mixed solution suitable for the substrate processing performed in the first processing unit 51 and supplying the mixed solution to the processing chambers 5A to 5C.
  • the chemical solution supply unit 6D has a function of generating a mixed solution suitable for the substrate processing executed by the second processing unit 52 and supplying the mixed solution to the processing chambers 5D to 5F.
  • the chemical solution supply unit 6E has a function of generating a mixed solution suitable for the substrate processing executed in the third processing unit 53 and supplying the mixed solution to the processing chambers 5G to 5I.
  • the chemical solution supply unit 6F has a function of generating a mixed solution suitable for the substrate processing executed in the fourth processing unit 54 and supplying the mixed solution to the processing chambers 5J to 5L.
  • reference numeral 10 in FIG. 3 controls each part of the apparatus to generate a desired mixed liquid and CO2 water, supply them to the substrate W for processing, or perform a cleaning process using a cleaning liquid cartridge described later. It shows a control unit that controls the supply of DIW or the like when performing the process.
  • the DIW supply unit 6A adjusts DIW supplied from a DIW supply source provided as factory utility to a flow rate or pressure suitable for the CO2 water supply unit 6B and supplies it to the CO2 water supply unit 6B and a chemical solution supply unit It has a function of adjusting the flow rate and pressure suitable for 6C to 6F and supplying them to the chemical solution supply units 6C to 6F. More specifically, in the DIW supply unit 6A, the pipe P1 connected to the DIW supply source branches into three branches, of which the pipe P2 is connected to the CO2 water supply unit 6B, and the pipe P3 further branches into four. These are connected to the chemical solution supply units 6C to 6F, respectively. The remaining pipe P4 is a drain pipe.
  • a branch pipe P5 having a mounting part P5a to which a cleaning liquid cartridge, which will be described in detail later, can be attached and detached is inserted in the pipe P1, and is attached to the mounting part P5a.
  • DIW flows as it is to the pipes P2 to P4 through the branch pipe P5.
  • a valve V1 and a flow control valve V2 are inserted in the pipe P2.
  • DIW or a cleaning liquid mixture flowing from the pipe P1
  • the flow control valve V2 Is adjusted and supplied to the CO2 water supply unit 6B.
  • the valve V1 is closed according to a command from the control unit 10, the liquid supply to the CO2 water supply unit 6B is stopped.
  • a valve V3 and a flow rate control valve V4 are inserted into the pipe P3.
  • DIW flowing from the pipe P1
  • the cleaning liquid mixture is circulated through the flow rate control valve V4, and the flow rate and pressure are adjusted by the flow rate control valve V4, and then supplied to each of the chemical solution supply units 6C to 6F.
  • the valve V3 is closed according to a command from the control unit 10, the liquid supply to all the chemical liquid supply units 6C to 6F is stopped.
  • valve V5 is inserted in the pipe P4.
  • the valve V5 is kept closed during the substrate processing. Then, when the valve V5 is opened in accordance with a command from the control unit 10, DIW remaining in the DIW supply unit 6A and the cleaning liquid mixture can be drained from the DIW supply unit 6A.
  • the CO2 water supply unit 6B has a carbon dioxide dissolving unit 601.
  • the carbon dioxide dissolving part 601 is connected to the DIW supply part 6A by the pipe P2. Further, on the upstream side of the carbon dioxide dissolving part 601, a valve V6 and a flow rate control valve V7 are inserted in the pipe P2.
  • the valve V6 is opened in accordance with a command from the control unit 10
  • the DIW (or cleaning liquid mixture) sent from the DIW supply unit 6A is circulated to the flow control valve V7, and the flow control valve V7 After the flow rate and pressure are adjusted, the carbon dioxide dissolving unit 601 is supplied.
  • the carbon dioxide dissolution unit 601 can generate CO2 water by dissolving carbon dioxide gas in the DIW supplied from the DIW supply unit 6A by the carbon dioxide dissolution unit 601 and supply it to all the processing chambers 5A to 5L. More specifically, one end of the branch pipe P5 is connected to the output side of the carbon dioxide dissolving part 601. On the other hand, as shown in FIG. 3, the other end of the pipe P5 is branched into four, and these pipes P6 to P9 are extended to the processing parts 51 to 54, respectively.
  • symbol 602 in FIG. 4 is a filter.
  • a valve V8 is connected to the pipe P6, and the pipe P6 further branches into three pipes P10 to P12 on the tip side of the valve V8, and each of the processing chambers 5A to P12. It is connected to the 5C nozzle 55.
  • valves V9 to V11 are inserted in the pipes P10 to P12, respectively.
  • valve V9 when the valve V9 is closed in accordance with a command from the control unit 10, the discharge of CO2 water to the substrate W is stopped.
  • the process chamber 5A also about the other process chambers 5B and 5C which comprise the process part 51, and supply and a supply stop of CO2 water are controllable per process chamber.
  • the chemical solution supply unit 6C is connected to one pipe P13 among the four pipes P13 to P16 branched at the tip end side of the pipe P3, and DIW supplied through the pipe P13. Receive the supply. Further, the chemical liquid supply unit 6C is connected to a nitrogen gas supply source provided as factory power through a pipe P17, and receives supply of high-purity nitrogen gas (N2) from the nitrogen gas supply source. Then, a mixed liquid for substrate processing is generated with the following configuration and supplied to the nozzles 57 of the processing chambers 5A to 5C to perform predetermined substrate processing on the substrate W.
  • N2 high-purity nitrogen gas
  • the other chemical solution supply units 6D to 6F are also supplied with DIW via the pipes P14 to P16, respectively, and supply high-purity nitrogen gas via the pipes P18 to P20, respectively, in the same manner as the chemical solution supply unit 6C. receive. Then, a mixed liquid for substrate processing is generated and supplied to the processing chambers 5D to 5F to perform substrate processing.
  • the chemical supply unit 6C mixes the first weighing tank 611 for weighing the first chemical liquid, the second weighing tank 612 for weighing the second chemical liquid, and the chemical liquid and DIW to generate a mixed liquid for substrate processing. And a mixed liquid generation tank 613.
  • a liquid circulation pipe P21 is connected between the liquid inlet and the liquid outlet.
  • a valve V13, a pump 614, and a filter 615 are inserted in the pipe P21.
  • the piping P22 is provided so that it may branch from the piping P21.
  • the weighing tanks 611 and 612 are connected to the liquid inlet of the mixed liquid generation tank 613 through the pipes P23 and P24, respectively. Valves V14 and V15 are inserted in the pipes P23 and P24, respectively.
  • chemical tanks 616 and 617 are connected to the weighing tanks 611 and 612 through pipes P25 and P26, respectively. These chemical liquid tanks 616 and 617 are accommodated in the chemical liquid cabinet 6 and are commonly used in the chemical liquid supply units 6C to 6F. Of course, the arrangement of the chemical liquid tank is not limited to this, and for example, the chemical liquid tanks 616 and 617 may be provided for each of the chemical liquid supply units 6C to 6F.
  • the first chemical solution supplied from the chemical solution tank 616 is weighed in the weighing tank 611, and the second chemical solution supplied from the chemical solution tank 617 is measured in the weighing tank 612.
  • the valves V ⁇ b> 14 and V ⁇ b> 15 are opened according to a command from the control unit 10
  • a predetermined amount of the first chemical liquid and the second chemical liquid are supplied to the mixed liquid generation tank 613.
  • the mixed solution generation tank 613 is connected to the DIW supply unit 6A by a pipe P13.
  • a valve V16 is inserted in the pipe P13, and DIW is supplied to the mixed liquid generation tank 613 while the valve V16 is opened in accordance with a command from the control unit 10.
  • the first chemical liquid, the second chemical liquid, and DIW are supplied to the mixed liquid generation tank 613 to generate the substrate processing mixed liquid.
  • a specific resistance meter 618 is provided in order to strictly control the mixing ratio of the first chemical liquid, the second chemical liquid, and DIW constituting the mixed liquid. That is, the liquid outlet of the mixed liquid generation tank 613 is connected to the resistivity meter 618 through the pipe P27, and when the valve V17 inserted in the pipe P27 is opened according to a command from the control unit 10, a mixed liquid is generated. The liquid mixture in the working tank 613 is injected into the resistivity meter 618 and a value reflecting the mixture ratio is output from the resistivity meter 618 to the control unit 10. Based on this value, the control unit 10 controls each part of the chemical solution supply unit 6C, so that a mixed solution suitable for substrate processing in the processing chambers 5A to 5C can be generated.
  • the substrate processing mixed liquid having a predetermined mixing ratio is sent by the pump 614 from the mixed liquid generating tank 613 to the mixed liquid storage tank 619 for temporarily storing the mixed liquid through the filter 615 and the pipes P21 and P22.
  • Two valves V18 and V19 are inserted in the pipe P22, and the pipe P22 is connected to the pipe P17 between the valves V18 and V19.
  • a valve V20 is inserted in the pipe P17, and the supply and stop of the supply of high-purity nitrogen gas to the pipe 22 are controlled by opening and closing the valve V20 in accordance with a command from the control unit 10.
  • the high-purity nitrogen gas is sent to the mixed solution storage tank 619 via the pipe 22.
  • the substrate processing liquid mixture is sent into the liquid mixture storage tank 619.
  • a liquid circulation pipe P28 is connected between the liquid inlet and the liquid outlet of the mixed liquid storage tank 619.
  • a valve V21, a pump 620, and a filter 621 are inserted in the pipe P28, and the pump 620 is operated in response to a command from the control unit 10, whereby the mixed liquid storage tank 619 and the inside of the pipe P28 are formed as a substrate.
  • the processing mixture circulates.
  • a pipe P29 is provided so as to branch from the pipe P28 and is connected to a specific resistance meter 618. Note that a valve V22 is inserted in the pipe P29. When the valve V22 is opened in response to a command from the control unit 10, the liquid mixture circulating between the liquid mixture storage tank 619 and the pipe P28 is passed through the pipe P29. Into the specific resistance meter 618. Then, a value reflecting the mixing ratio of the mixed liquid is output from the resistivity meter 618 to the control unit 10 so that the mixing ratio of the circulating mixed liquid can be monitored.
  • another pipe P30 is branched, and the tip thereof is further branched into three pipes P31 to P33, which are connected to the nozzles 57 of the processing chambers 5A to 5C, respectively.
  • Valves V23 to V26 are inserted in the pipes P30 to P33, respectively. Therefore, by switching the open / close state of the valves V23 to V26 according to a command from the control unit 10, the circulating substrate processing liquid mixture is independently supplied to each of the processing chambers 5A to 5C at an appropriate timing. Is possible. In this way, in the processing chamber to which the substrate processing liquid mixture is supplied, the liquid mixture is discharged from the nozzle 57 toward the substrate W, and the substrate W is processed with the first chemical liquid and the second chemical liquid. When the process is completed, CO2 water is supplied to the substrate W from another nozzle 55 as described above, and the process stop and the rinse process with the chemical solution are executed.
  • Pipes P34 to P36 are provided. These pipes P34 to P36 are extended to a specific resistance meter 618. Valves V27 to V29 are inserted in the pipes P34 to P36. For this reason, when only one of the valves V27 to V29 is selectively opened by a command from the control unit 10, the drainage from the processing chamber corresponding to the valve is sent to the resistivity meter 618. It is possible to detect the concentration and ratio of the chemical solution in the drainage.
  • symbol P37 in FIG. 4 is piping for drains.
  • DIW is fed to the substrate W through a treatment liquid system including a DIW supply unit 6A, a CO2 water supply unit 6B, and chemical solution supply units 6C to 6F.
  • the CO2 water is sent to the substrate W through the processing liquid system configured by the CO2 water supply unit 6B.
  • the substrate processing mixed liquid is fed to the substrate W through a processing liquid system constituted by the chemical liquid supply units 6C to 6F.
  • a branch pipe P5 is provided in the pipe P1 in the DIW supply section 6A, and a cleaning liquid cartridge described below is attached to the attachment section P5a of the branch pipe P5 at an appropriate timing.
  • the processing liquid system for feeding DIW that is, all of the DIW supply unit 6A, the CO2 water supply unit 6B, and the chemical solution supply units 6C to 6F can be cleaned at once.
  • a configuration of the cleaning liquid cartridge and a method of cleaning the processing liquid system using the cleaning liquid cartridge will be described.
  • FIG. 5A and 5B are views showing an embodiment of the cleaning liquid cartridge according to the present invention.
  • FIG. 5A shows the arrangement of the cleaning liquid cartridge when the cleaning liquid and nitrogen gas are taken in
  • FIG. 5B shows the cleaning process.
  • the arrangement state of the cleaning liquid cartridge at this time is shown.
  • FIG. 6A schematically shows a cleaning method using a cleaning liquid cartridge.
  • the cleaning liquid cartridge 9 has a cartridge main body 91 and a gas introduction part 92.
  • the cartridge main body 91 is a pressure-resistant bottle, and a fluororesin such as PFA (perfluoroalkoxy fluororesin) can be used as the bottle material, but is not limited thereto.
  • a storage space 912 (FIG.
  • an orifice plate 93 is attached to the opening 915.
  • the orifice plate 93 is provided with an orifice 931 having an opening diameter smaller than the opening diameter of the opening 915. Therefore, the flow rate is regulated by the orifice plate 93 when the storage space 912 is filled and removed with the cleaning liquid.
  • the flow rate per unit time of the cleaning liquid pushed out to the DIW flowing through the branch pipe P5 can be adjusted by the orifice 931, and the cleaning having a desired mixing ratio by the arrangement of the orifice plate 93.
  • a female portion 94a of a quick connector is fitted on the neck portion 914.
  • a check valve structure is incorporated in the female portion 94a of the quick connector, and the male portion 95a of the quick connector is not attached to the female portion 94a.
  • the opening 915 is closed and the storage space 912 is sealed.
  • the storage space 912 can be filled and removed with the cleaning liquid.
  • the female part 94a functions as a first switching part that switches between opening and closing of the opening 915.
  • the male portion 95a of the quick connector shown in FIG. 5A is attached to the distal end portion of the supply pipe 96 for supplying the cleaning liquid, and is used as a dedicated part for filling the cleaning liquid. Further, the male portion 95a of the quick connector shown in FIG. 5B is attached to the attachment portion P5a of the branch pipe P5 and used as a dedicated part for taking out the cleaning liquid into the branch pipe P5.
  • the gas introduction part 92 includes a pipe 921 that passes through the truncated cone part 913 of the cartridge body 91 and communicates the storage space 912 with the outside of the cartridge body 91. That is, one end of the pipe 921 extends to the storage space 912, while the other end extends to the outside of the cartridge body 91, and the inside of the pipe 921 functions as an air supply path (not shown). .
  • a female portion 94b of a quick connector is fitted on the other end of the pipe 921.
  • the female portion 94b has the same configuration as the female portion 94a, and the air supply path is closed with the male portion 95b of the quick connector not attached to the female portion 94b so that the storage space 912 is taken as outside air. Cut off.
  • gas for example, high-purity nitrogen gas
  • the female part 94b functions as a second switching part that switches between opening and closing of the air supply path.
  • the male portion 95b of the quick connector shown in FIG. 5A is attached to the tip of a high-pressure pipe 97 for feeding nitrogen gas, and fills the nitrogen gas to form a high-pressure gas region 98 in the storage space 912. It is used as a dedicated part.
  • a filter 99 is disposed so as to face the opening 915, so that particles present in the cleaning liquid can be trapped and a clean cleaning liquid can be supplied. It has become.
  • a cleaning liquid cartridge 9 (hereinafter referred to as “empty cartridge”) that does not store cleaning liquid is prepared and installed in the factory where the substrate processing apparatus 100 is installed.
  • Transport transport process
  • Such an empty cleaning liquid cartridge 9 is relatively easy to handle, and the cleaning liquid cartridge 9 can be easily transported even if the factory is overseas.
  • the empty cartridge 9 is attached to the front end of the supply pipe 96 connected to the supply source of the cleaning liquid in an upright state.
  • the male portion 95a of the quick connector is attached to the female portion 94a of the quick connector of the empty cartridge 9.
  • the cleaning liquid is sent into the storage space 912 of the empty cartridge 9 via the supply pipe 96 and the quick connector to fill the storage space 912 with the cleaning liquid (storage process).
  • a hydrochloric acid solution generated by dissolving hydrogen chloride gas in pure water and an ammonia solution generated by dissolving ammonia gas in pure water are also used in the invention described in Patent Document 1.
  • SC1 In addition to the hydrofluoric acid solution generated by dissolving hydrogen fluoride gas in pure water, for example, SC1 may be used.
  • SC1 is used as a cleaning liquid, and the cleaning liquid cartridge 9 is provided through the opening 915.
  • the storage space 912 is filled.
  • the male part 95a is removed and the opening 915 is closed by the female part 94a.
  • the male portion 95b of the quick connector attached to the distal end portion of the high-pressure pipe 97 connected to the high purity nitrogen gas supply source is attached to the female portion 94b of the quick connector of the gas introducing portion 92.
  • a high-purity nitrogen gas is supplied to the storage space 912 that has already stored the cleaning liquid via the high-pressure pipe 97 and the quick connector, and the pressure is higher than atmospheric pressure and suitable for extruding the cleaning liquid in the storage space 912.
  • the high-pressure gas region 98 having about 0.4 Mpa is formed.
  • the male part 95b is removed and the air supply path (inside the pipe 921) is closed by the female part 94b.
  • the cleaning liquid cartridge 9 in a state where the cleaning liquid (SC1) and the high-pressure gas region 98 coexist in the storage space 912 is obtained.
  • the internal volume of the cleaning liquid cartridge 9 is set to about 2 liters or less, for example, the cleaning liquid cartridge 9 can be easily moved to the substrate processing apparatus 100, that is, excellent portability can be obtained. Therefore, in the present embodiment, the cleaning liquid cartridge 9 is prepared prior to the cleaning of the substrate processing apparatus 100, and the cleaning liquid cartridge 9 is transported to the substrate processing apparatus 100 during the cleaning.
  • This cleaning liquid mixture is supplied not only to the DIW supply unit 6A, but also to the CO2 water supply unit 6B and the chemical solution supply units 6C to 6F as shown in FIG. 6B, and also to all the processing chambers 5A to 5L. These cleanings are performed (supply process).
  • dots are attached to the locations where the cleaning liquid mixture is supplied and cleaned. The same applies to FIG. 6C described later.
  • the used cleaning liquid mixture is discharged to the outside of the processing liquid system of the substrate processing apparatus 100 through the drain pipes P4, P34 to P37, the nozzle 55, and the like.
  • the supplying step and the rinsing step may be executed continuously, or the rinsing step may be executed after being left for a certain time after the supplying step. That is, by supplying the cleaning liquid from the branch pipe P5 with the valves V9 to V11 and the valves V27 to V29 opened, the used cleaning mixed liquid becomes the drain pipes P4, P34 to P37 and the nozzle 55. Discharged from. After the processing liquid system is thus washed for a certain period of time, the supply of DIW from the DIW supply unit 6A and the supply of the cleaning liquid from the branch pipe P5 are stopped, and the valves V9 to V11 and the valves V27 to V29 are closed. Thereby, the processing liquid system is filled with the mixed cleaning liquid.
  • the cleaning quality of the processing liquid system is higher than when the supply process and the rinse process are continuously performed.
  • the DIW supply unit 6A, the CO2 water supply unit 6B, the chemical solution supply units 6C to 6F, and the processing chambers 5A to 5L can be effectively cleaned with the cleaning liquid mixture.
  • the cleaning liquid is pushed out through the orifice 931 into DIW flowing through the branch pipe P5. For this reason, it becomes possible to accurately control the mixing ratio between DIW and the cleaning liquid (SC1) in the cleaning liquid mixture, and an excellent cleaning effect is obtained.
  • the cleaning liquid cartridge 9 since the amount of cleaning liquid that can be stored in the cleaning liquid cartridge 9 is about 2 liters, the cleaning liquid cartridge 9 is excellent in portability. And it can wash
  • the cleaning effect can be further enhanced not only by supplying the cleaning liquid mixture but also by operating the various parts of the apparatus, particularly pumps and valves, by the control unit 10.
  • a recipe suitable for cleaning the processing liquid system that is, a so-called internal cleaning recipe is prepared in advance, and the control unit 10 You may comprise so that a process liquid system
  • the filter 99 is disposed in the storage space 912 to remove particles in the cleaning liquid by trapping, the quality of the cleaning liquid can be improved and a high cleaning effect can be obtained.
  • the mixing ratio of DIW and the cleaning liquid (SC1) in the cleaning liquid mixture can be accurately controlled.
  • the mixing ratio can be monitored based on the detection result by the resistivity meter 618, and the mixing ratio may be optimized accordingly. For example, when the detection result deviates from a value corresponding to the mixing ratio, the orifice plate 93 mounted on the cleaning liquid cartridge 9 is replaced with one having a different orifice diameter, or the cleaning liquid cartridge 9 having the orifice plate 93 is replaced. May be.
  • the cleaning liquid cartridge 9 since the amount of cleaning liquid that can be stored in the cleaning liquid cartridge 9 is about 2 liters, the cleaning liquid cartridge 9 is excellent in portability and can be easily attached to and detached from the piping constituting the processing liquid system. It has become. Therefore, the inside of the substrate processing apparatus 100 can be easily cleaned over a wide range, and excellent cleaning workability can be obtained.
  • the branch pipe P5 is provided in the pipe P13 of the chemical liquid supply unit 6C and the cleaning liquid cartridge 9 is selectively attached to the branch pipe P5, the substrate processing mixture generated in the chemical liquid supply unit 6C
  • the branch pipe P5 is provided in the pipe P13 of the other chemical liquid supply units 6D to 6F.
  • the branch pipe P5 may be provided at a plurality of locations, and the cleaning liquid cartridge 9 may be selectively mounted.
  • the pipe P1 is provided with a branch pipe P5 having a plurality of attachment parts P5a, while the pipe of the chemical liquid supply section 6C You may comprise so that the branch pipe P5 which has one attachment part P5a may be inserted in P13.
  • the air supply path is kept closed by the female portion 94b of the quick connector, and the storage space 912 is filled in advance in the high-pressure gas region 98.
  • the cleaning liquid is extruded from the cleaning liquid cartridge 9 using nitrogen gas. That is, the cleaning liquid is pressurized using only the nitrogen gas in the high-pressure gas region 98. For this reason, the pressure of the high-pressure gas region 98 decreases with the cleaning process, and the extrusion amount of the cleaning liquid may fluctuate. Therefore, for example, as shown in FIG.
  • nitrogen gas may be supplementarily pumped from the gas introduction part 92 in a state where the cleaning liquid cartridge 9 is attached to the attachment part P5a of the branch pipe P5, that is, while the cleaning liquid cartridge 9 is attached.
  • the pressure of the high-pressure gas region 98 can be kept constant and the extrusion amount of the cleaning liquid can be stabilized.
  • the cleaning liquid is pushed out while forming the high-pressure gas region 98 by introducing nitrogen gas after the mounting without forming the high-pressure gas region 98 before the mounting of the cleaning liquid cartridge 9. It may be configured.
  • the empty cartridge 9 (see the column (a) in FIG. 6A) is transported to the factory, and the cleaning liquid cartridge 9 is filled with the cleaning liquid and nitrogen gas at or around the factory.
  • the transport timing of the cartridge 9 is not limited to this.
  • the cleaning liquid cartridge may be transported to the factory after the cleaning liquid is filled.
  • the nitrogen gas is filled in the factory in this way, and this is in consideration of various restrictions in order to transport the cleaning liquid cartridge 9 filled with the high pressure gas (high pressure nitrogen gas). .
  • the high-pressure gas region 98 immediately after the high-pressure gas region 98 is formed, the gas component is dissolved in the cleaning liquid, the component of the cleaning liquid may fluctuate, or the pressure of the high-pressure gas region 98 may be reduced.
  • the present invention can be applied to a cleaning liquid cartridge that stores a cleaning liquid for cleaning the substrate processing apparatus, and a general technique for cleaning the substrate processing apparatus using the cleaning liquid cartridge.

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Abstract

基板処理装置の処理液系統を洗浄するための洗浄液を処理液系統に対して効率的に供給する。　洗浄液を貯留する貯留空間および貯留空間に連通する開口部を有するカートリッジ本体と、貯留空間に連通された給気経路を有し、洗浄液を貯留した貯留空間に対してカートリッジ本体の外部から供給される気体を給気経路を介して導入して貯留空間内に大気圧よりも高い高圧気体領域を形成する気体導入部と、を備え、高圧気体領域によって洗浄液が開口部を介して処理液系統に押し出される。

Description

洗浄液カートリッジおよび該洗浄液カートリッジを用いた洗浄方法
　この発明は、処理液系統を介して送液される処理液により基板を処理する基板処理装置を洗浄するための洗浄液を処理液系統に供給する洗浄液カートリッジ、ならびに当該洗浄液カートリッジを用いて上記基板処理装置を洗浄する洗浄方法に関するものである。
　以下に示す日本出願の明細書、図面および特許請求の範囲における開示内容は、参照によりその全内容が本書に組み入れられる：
　特願２０１６－１８８６３５（２０１６年９月２７日出願）。
　半導体ウエハ等の基板に種々の処理を行うために薬液や純水などの処理液を用いる基板処理装置が知られている。この基板処理装置では、配管、バルブおよびノズルなどで構成された処理液系統を介して処理液が基板に供給され、当該処理液によって基板に対して所定の処理が施される。このような基板処理装置を工場等に設置する場合、基板処理装置の稼動前に、処理液系統の内部に存在するパーティクル（塵埃）等の汚染物を除去しなければならない。また、基板処理装置の使用により配管等に付着した付着物を適当な時期に除去しなければならない。そのため、基板処理装置の処理液系統を洗浄する必要がある。
　そこで、例えば特許文献１では、洗浄効果を有する薬液（本発明の「洗浄液」に相当）が貯留された薬液カートリッジ（本発明の「洗浄液カートリッジ」に相当）を用いた洗浄技術が提案されている。当該従来技術では、この薬液カートリッジを処理液系統に装着することで薬液カートリッジから処理液系統に薬液を注入し、当該薬液によって処理液系統の洗浄を行っている。
特許第４６３０８８１号
　上記特許文献１に記載の発明では、上記薬液注入を行うために、次のような構成が採用されている。すなわち、処理液系統を構成する配管に薬液供給部が設けられている。この薬液供給部は薬液カートリッジを着脱自在に構成されている。一方、薬液カートリッジは、薬液を貯留する内容器と、薬液供給部に対して差込自在な差込部とを有している。そして、薬液カートリッジの差込部を薬液供給部に差し込むことで、内容器から薬液供給部への薬液注入が行われる。しかしながら、上記のように構成された薬液カートリッジを用いた場合、薬液注入を効率的に行うことが困難であった。
　この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板処理装置の処理液系統を洗浄するための洗浄液を処理液系統に対して効率的に供給することができる洗浄液カートリッジおよび該洗浄液カートリッジを用いた洗浄方法を提供することを目的とする。
　この発明の一態様は、処理液系統を介して送液される処理液により基板を処理する基板処理装置を洗浄するための洗浄液を貯留し、処理液系統に装着されることで洗浄液を処理液系統に供給する洗浄液カートリッジであって、洗浄液を貯留する貯留空間および貯留空間に連通する開口部を有するカートリッジ本体と、貯留空間に連通された給気経路を有し、洗浄液を貯留した貯留空間に対してカートリッジ本体の外部から供給される気体を給気経路を介して導入して貯留空間内に大気圧よりも高い高圧気体領域を形成する気体導入部と、を備え、高圧気体領域によって洗浄液が開口部を介して処理液系統に押し出されることを特徴としている。
　また、この発明の他の態様は、処理液系統を介して送液される処理液により基板を処理する基板処理装置を洗浄する洗浄方法であって、上記洗浄液カートリッジの貯留空間に洗浄液を貯留して開口部を封止する貯留工程と、処理液系統に対する洗浄液カートリッジの装着により開口部を介して処理液系統と貯留空間と連通させるとともに、装着前および／または装着中に給気経路を介して洗浄液を貯留した貯留空間に対して気体を導入して形成される高圧気体領域によって洗浄液を開口部を介して押し出して処理液系統に供給する供給工程と、を備えることを特徴としている。
　このように構成された発明では、洗浄液カートリッジのカートリッジ本体に貯留空間が設けられており、当該貯留空間で洗浄液を貯留する。また、このように洗浄液が貯留された貯留空間に連通するように給気経路が設けられ、カートリッジ本体の外部から供給される気体が上記給気経路を介して貯留空間に導入される。これによって、貯留空間内では洗浄液以外に大気圧よりも高い高圧気体領域が形成される。この高圧気体領域は洗浄液を押圧し、開口部を介して処理液系統に押し出す。その結果、洗浄液を効率的に処理液系統に供給することができ、基板処理装置を良好に洗浄することができる。
　上述した本発明の各態様の有する複数の構成要素はすべてが必須のものではなく、上述の課題の一部又は全部を解決するため、あるいは、本明細書に記載された効果の一部又は全部を達成するために、適宜、前記複数の構成要素の一部の構成要素について、その変更、削除、新たな他の構成要素との差し替え、限定内容の一部削除を行うことが可能である。また、上述の課題の一部又は全部を解決するため、あるいは、本明細書に記載された効果の一部又は全部を達成するために、上述した本発明の一態様に含まれる技術的特徴の一部又は全部を上述した本発明の他の態様に含まれる技術的特徴の一部又は全部と組み合わせて、本発明の独立した一形態とすることも可能である。
この発明にかかる洗浄方法の一実施形態が適用される基板処理装置の一例を示す斜視図である。 図１に示す基板処理装置の平面図である。 処理液の生成および供給を行う処理液系統を示す概念図である。 図３に示す処理液系統の一部を示す図である。 本発明にかかる洗浄液カートリッジの一実施形態を示す図である。 洗浄液カートリッジを用いた洗浄方法を模式的に示す図である。 洗浄用混合液が供給される範囲の一例を模式的に示す部である。 洗浄用混合液が供給される範囲の他の例を模式的に示す部である。 この発明にかかる洗浄方法の他の実施形態での洗浄液カートリッジへの窒素ガス供給を示す図である。
　図１は、この発明にかかる洗浄方法の一実施形態が適用される基板処理装置の一例を示す斜視図であり、図２は図１に示す基板処理装置の平面図である。この基板処理装置１００は、いわゆる枚葉式の装置であり、半導体ウエハなどの基板Ｗ（図３、図４参照）に処理液を供給して一枚ずつ処理する。この基板処理装置１００では、図１に示すように、フレーム１内に、所定の水平方向に延びる搬送室２が形成された基板処理部３と、この基板処理部３に対して平面視で搬送室２の長手方向の一方側に結合されたインデクサ部４とが設けられている。
　基板処理部３では、搬送室２の長手方向と直交する方向の一方側に、第１処理部５１および第３処理部５３が搬送室２に沿ってインデクサ部４側から順に並べて配置されている。また、搬送室２を挟んで第１および第３処理部５１、５３とそれぞれ対向する位置に、第２処理部５２および第４処理部５４が配置されている。さらに、第４処理部５４の第２処理部５２と反対側に、薬液キャビネット６が配置されている。
　各処理部５１～５４は３段に積み重ねられた３つの処理室を備えており、基板処理部３では合計１２個の処理室５Ａ～５Ｌが設けられている。より詳しくは、第１処理部５１では、下方から順に、３つの処理室５Ａ、処理室５Ｂおよび処理室５Ｃが積み重ねられている。また、第２処理部５２では、下方から順に、処理室５Ｄ、処理室５Ｅおよび処理室５Ｆが積み重ねられている。また、第３処理部５３では、下方から順に、処理室５Ｇ、処理室５Ｈおよび処理室５Ｉが積み重ねられている。さらに、第４処理部５４では、下方から順に、処理室５Ｊ、処理室５Ｋおよび処理室５Ｌが積み重ねられている。
　搬送室２には、図２に示すように基板搬送ロボット７が配置されている。基板搬送ロボット７は、各処理室５Ａ～５Ｌに対してハンド（図示省略）をアクセスさせて、処理室５Ａ～５Ｌに対する基板Ｗの搬出入を実行する。
　インデクサ部４には、図２に示すようにインデクサロボット８が配置されている。また、図示を省略するが、インデクサ部４の基板処理部３と反対側には、カセット載置部が設けられている。このカセット載置部では、複数枚の基板Ｗを多段に積層して収容するカセットが複数並べて配置されている。そして、カセット載置部に配置されたカセットに対し、インデクサロボット８はハンドをアクセスさせて、カセットからの基板Ｗの取出およびカセットへの基板Ｗの収納を行う。さらに、インデクサロボット８は基板搬送ロボット７との間で基板Ｗの受け渡しを行う機能も有している。
　薬液キャビネット６は隔壁で区画されており、その内部には、処理室５Ａ～５Ｌに供給すべき複数種類の薬液、例えばＳＣ１（アンモニア過酸化水素水混合液）、ＳＣ２（塩酸過酸化水素水混合液）、ＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水混合液）、フッ酸、バファードフッ酸（Buffered　HF：フッ酸とフッ化アンモニウムとの混合液）などを貯留するタンクが収容されている。なお、本実施形態では、基板Ｗに対して所定の処理を施すための処理液の一つとして、ＤＩＷ（脱イオン水：deionized water）を用いている。また、予め２種類の薬液（以下、「第１薬液」および「第２薬液」という）を準備しておき、次に説明するようにＤＩＷを第１薬液および／または第２薬液を適当な混合比で混合させて基板処理用混合液を本発明の「処理液」として生成する。さらに、本実施形態では、ＤＩＷに二酸化炭素ガスを溶解させた炭酸水（以下「ＣＯ２水」という）を本発明の「処理液」として生成する。そして、これらの処理液を、配管やバルブなどで構成された処理液系統を介して各処理室５Ａ～５Ｌに供給し、当該処理液により基板Ｗを処理する。
　図３は処理液の生成および供給を行う処理液系統を示す概念図である。また、図４は図３に示す処理液系統の一部を示す図である。図１に示す基板処理装置１００は工場の用力と接続されてＤＩＷおよび高純度窒素ガス（Ｎ２）の供給を受けるように構成されている。この基板処理装置１００では、複数の処理液系統を構成するために、ＤＩＷ供給部６Ａ、ＣＯ２水供給部６Ｂおよび４つの薬液供給部６Ｃ～６Ｆが設けられている。これらのうち薬液供給部６Ｃ～６Ｆはそれぞれ処理部５１～５４に対応して設けられている。つまり、薬液供給部６Ｃは第１処理部５１で実行される基板処理に適した混合液を生成して処理室５Ａ～５Ｃに供給する機能を有している。また、薬液供給部６Ｄは第２処理部５２で実行される基板処理に適した混合液を生成して処理室５Ｄ～５Ｆに供給する機能を有している。また、薬液供給部６Ｅは第３処理部５３で実行される基板処理に適した混合液を生成して処理室５Ｇ～５Ｉに供給する機能を有している。さらに、薬液供給部６Ｆは第４処理部５４で実行される基板処理に適した混合液を生成して処理室５Ｊ～５Ｌに供給する機能を有している。
　なお、これらの薬液供給部６Ｃ～６Ｆは同一構成および同一機能を有しているため、図４では、薬液供給部６Ｃの構成のみを図示し、その他の薬液供給部６Ｄ～６Ｆの構成について省略している。また、図３中の符号１０は、装置各部を制御して所望の混合液およびＣＯ２水を生成し、それらを基板Ｗに供給して処理したり、後述する洗浄液カートリッジを用いて洗浄処理を実行する際にＤＩＷなどの供給を制御する制御部を示している。以下、ＤＩＷ供給部６Ａ、ＣＯ２水供給部６Ｂおよび薬液供給部６Ｃの構成を図３および図４を参照しつつ説明した後で、洗浄液カートリッジの構成および当該洗浄液カートリッジを用いた洗浄処理について説明する。
　ＤＩＷ供給部６Ａは、工場の用力として設けられたＤＩＷ供給源から供給されるＤＩＷをＣＯ２水供給部６Ｂに適した流量や圧力などに調整してＣＯ２水供給部６Ｂに供給するとともに薬液供給部６Ｃ～６Ｆに適した流量や圧力などに調整して各薬液供給部６Ｃ～６Ｆに供給する機能を有している。より具体的には、ＤＩＷ供給部６Ａでは、ＤＩＷ供給源に接続された配管Ｐ１が３つの分岐し、そのうちの配管Ｐ２がＣＯ２水供給部６Ｂに接続され、配管Ｐ３がさらに４本に分岐し、それぞれ薬液供給部６Ｃ～６Ｆに接続されている。また、残りの配管Ｐ４はドレイン用の配管である。
　配管Ｐ１には、特許文献１に記載の「薬液供給部」と同様に、後で詳述する洗浄液カートリッジを着脱可能な取付部Ｐ５ａを有する分岐管Ｐ５が介挿されており、取付部Ｐ５ａに対して洗浄液カートリッジが装着されていない状態ではＤＩＷはそのまま分岐管Ｐ５を介して配管Ｐ２～Ｐ４に流れる。一方、洗浄液カートリッジが装着されると、洗浄液カートリッジに貯留された洗浄液が取付部Ｐ５ａを介してＤＩＷに混入して洗浄用混合液（＝ＤＩＷ＋洗浄液）が生成され、分岐管Ｐ５を介して配管Ｐ２～Ｐ４に流れる。
　配管Ｐ２には、バルブＶ１および流量制御バルブＶ２が介挿されている。そして、制御部１０からの指令に応じてバルブＶ１が開成すると、配管Ｐ１から流れてきたＤＩＷ（または洗浄用混合液）を流量制御バルブＶ２に流通させ、当該流量制御バルブＶ２によって流量や圧力などが調整された上でＣＯ２水供給部６Ｂに供給される。一方、制御部１０からの指令に応じてバルブＶ１が閉成すると、ＣＯ２水供給部６Ｂへの液体供給が停止される。
　また、配管Ｐ３には、配管Ｐ２と同様に、バルブＶ３および流量制御バルブＶ４が介挿されており、制御部１０からの指令に応じてバルブＶ３が開成すると、配管Ｐ１から流れてきたＤＩＷ（または洗浄用混合液）を流量制御バルブＶ４に流通させ、当該流量制御バルブＶ４によって流量や圧力などが調整された上で各薬液供給部６Ｃ～６Ｆに供給される。一方、制御部１０からの指令に応じてバルブＶ３が閉成すると、全薬液供給部６Ｃ～６Ｆへの液体供給が停止される。
　また、配管Ｐ４には、バルブＶ５が介挿されている。このバルブＶ５は、基板処理を行っている間、閉成状態に維持されている。そして、制御部１０からの指令に応じてバルブＶ５が開成すると、ＤＩＷ供給部６Ａに残留しているＤＩＷや洗浄用混合液をＤＩＷ供給部６Ａからドレイン可能となっている。
　ＣＯ２水供給部６Ｂは二酸化炭素溶解部６０１を有している。この二酸化炭素溶解部６０１は上記配管Ｐ２によりＤＩＷ供給部６Ａと接続されている。また、二酸化炭素溶解部６０１の上流側では、配管Ｐ２にバルブＶ６および流量制御バルブＶ７が介挿されている。そして、制御部１０からの指令に応じてバルブＶ６が開成すると、ＤＩＷ供給部６Ａから送液されてきたＤＩＷ（または洗浄用混合液）を流量制御バルブＶ７に流通させ、当該流量制御バルブＶ７によって流量や圧力などが調整された上で二酸化炭素溶解部６０１に供給される。二酸化炭素溶解部６０１は、ＤＩＷ供給部６Ａから供給されるＤＩＷに二酸化炭素溶解部６０１によって二酸化炭素ガスを溶解させてＣＯ２水を生成し、全処理室５Ａ～５Ｌに供給可能となっている。より詳しくは、二酸化炭素溶解部６０１の出力側には、分岐管Ｐ５の一方端部が接続される。一方、図３に示すように、配管Ｐ５の他方端部は４本に分岐され、それらの配管Ｐ６～Ｐ９がそれぞれ処理部５１～５４に延設されている。なお、図４中の符号６０２はフィルタである。
　これらのうち配管Ｐ６には、図４に示すように、バルブＶ８が接続されるとともに、バルブＶ８よりも先端側で配管Ｐ６はさらに３本の配管Ｐ１０～Ｐ１２に分岐し、それぞれ処理室５Ａ～５Ｃのノズル５５に接続されている。また、それらの配管Ｐ１０～Ｐ１２には、それぞれバルブＶ９～Ｖ１１が介挿されている。そして、制御部１０からの指令に応じてバルブＶ８、Ｖ９がともに開成した状態となっているとき、処理室５Ａでは、ノズル５５にＣＯ２水が供給され、スピンチャック５６に保持された基板Ｗの上面に向けて吐出される。一方、制御部１０からの指令に応じてバルブＶ９が閉成されると、基板ＷへのＣＯ２水の吐出が停止される。これらの点については、処理部５１を構成する他の処理室５Ｂ、５Ｃについても、処理室５Ａと同様であり、処理室単位でＣＯ２水の供給および供給停止を制御可能となっている。これらの点については、処理部５２～５４についても同様である。したがって、装置全体として見ると、処理部単位でもＣＯ２水の供給および供給停止を制御することが可能となっている。
　薬液供給部６Ｃは、図３に示すように、配管Ｐ３の先端側で４つに分岐した配管Ｐ１３～Ｐ１６のうち一の配管Ｐ１３と接続されており、当該配管Ｐ１３を介して供給されるＤＩＷの供給を受ける。また、薬液供給部６Ｃは、配管Ｐ１７を介して工場の用力として設けられた窒素ガス供給源と接続されており、窒素ガス供給源から高純度の窒素ガス（Ｎ２）の供給を受ける。そして、次のような構成により基板処理用混合液を生成し、各処理室５Ａ～５Ｃのノズル５７に供給して基板Ｗに対して所定の基板処理を施す。なお、その他の薬液供給部６Ｄ～６Ｆも、薬液供給部６Ｃと同様に、それぞれ配管Ｐ１４～Ｐ１６を介してＤＩＷの供給を受けるとともに、それぞれ配管Ｐ１８～Ｐ２０を介して高純度窒素ガスの供給を受ける。そして、基板処理用混合液を生成し、処理室５Ｄ～５Ｆに供給して基板処理を行う。
　また、薬液供給部６Ｃは、第１薬液を秤量する第１秤量タンク６１１と、第２薬液を秤量する第２秤量タンク６１２と、薬液とＤＩＷとを混合して基板処理用混合液を生成するための混合液生成用タンク６１３と、を備えている。混合液生成用タンク６１３では、液入口と液出口との間に液循環用の配管Ｐ２１が接続されている。この配管Ｐ２１には、バルブＶ１３、ポンプ６１４およびフィルタ６１５が介挿されている。また、配管Ｐ２１から分岐するように配管Ｐ２２が設けられている。
　秤量タンク６１１、６１２は、それぞれ配管Ｐ２３、Ｐ２４を通して混合液生成用タンク６１３の液入口に接続されている。配管Ｐ２３、Ｐ２４には、バルブＶ１４、Ｖ１５がそれぞれ介挿されている。また、秤量タンク６１１、６１２には、配管Ｐ２５、Ｐ２６を通して薬液タンク６１６、６１７がそれぞれ接続されている。これらの薬液タンク６１６、６１７は薬液キャビネット６に収容されており、薬液供給部６Ｃ～６Ｆにおいて共通使用される。もちろん、薬液タンクの配設態様はこれに限定されるものではなく、例えば薬液供給部６Ｃ～６Ｆ毎に薬液タンク６１６、６１７を設けてもよい。
　薬液タンク６１６から供給される第１薬液は秤量タンク６１１で秤量されるとともに、薬液タンク６１７から供給される第２薬液は秤量タンク６１２で秤量される。そして、制御部１０からの指令に応じてバルブＶ１４、Ｖ１５が開成すると、所定量の第１薬液および第２薬液が混合液生成用タンク６１３に供給される。また、この混合液生成用タンク６１３は配管Ｐ１３によりＤＩＷ供給部６Ａと接続されている。配管Ｐ１３には、バルブＶ１６が介挿されており、制御部１０からの指令に応じてバルブＶ１６が開成している間、ＤＩＷが混合液生成用タンク６１３に供給される。このように、混合液生成用タンク６１３に対して第１薬液、第２薬液およびＤＩＷが供給されて基板処理用混合液が生成される。なお、混合液を構成する第１薬液、第２薬液およびＤＩＷの混合比を厳密に制御するために、本実施形態では、比抵抗計６１８を設けている。つまり、混合液生成用タンク６１３の液出口は配管Ｐ２７を通して比抵抗計６１８に接続されており、配管Ｐ２７に介挿されたバルブＶ１７を制御部１０からの指令に応じて開成すると、混合液生成用タンク６１３内の混合液が比抵抗計６１８に注入されて上記混合比を反映した値が比抵抗計６１８から制御部１０に出力される。この値に基づいて制御部１０が薬液供給部６Ｃの各部を制御することで処理室５Ａ～５Ｃでの基板処理に適合した混合液を生成可能となっている。
　こうして所定の混合比を有する基板処理用混合液はポンプ６１４によって混合液生成用タンク６１３からフィルタ６１５および配管Ｐ２１、Ｐ２２を介して当該混合液を一時的に貯留する混合液貯留用タンク６１９に送液される。この配管Ｐ２２には、２つのバルブＶ１８、Ｖ１９が介挿されるとともに、両バルブＶ１８、Ｖ１９の間で配管Ｐ２２は配管Ｐ１７と接続されている。なお、配管Ｐ１７には、バルブＶ２０が介挿されており、制御部１０からの指令に応じてバルブＶ２０が開閉することで配管２２への高純度窒素ガスの供給および供給停止が制御される。つまり、バルブＶ１８を閉成した状態でバルブＶ１９、Ｖ２０を開成することで高純度窒素ガスが配管２２を介して混合液貯留用タンク６１９に送り込まれる。一方、バルブＶ２０を閉成した状態でバルブＶ１８、Ｖ１９を開成することで基板処理用混合液が混合液貯留用タンク６１９に送り込まれる。
　この混合液貯留用タンク６１９の液入口と液出口との間には、液循環用の配管Ｐ２８が接続されている。また、配管Ｐ２８には、バルブＶ２１、ポンプ６２０およびフィルタ６２１が介挿されており、制御部１０からの指令に応じてポンプ６２０が作動することで混合液貯留用タンク６１９および配管Ｐ２８内を基板処理用混合液が循環する。
　この配管Ｐ２８から分岐するように配管Ｐ２９が設けられ、比抵抗計６１８と接続されている。なお、配管Ｐ２９にはバルブＶ２２が介挿されており、制御部１０からの指令に応じて開成すると、混合液貯留用タンク６１９および配管Ｐ２８の間を循環している混合液が配管Ｐ２９を介して比抵抗計６１８に流入する。そして、当該混合液の混合比を反映した値が比抵抗計６１８から制御部１０に出力され、循環している混合液の混合比をモニターすることが可能となっている。
　また、配管Ｐ２８では、別の配管Ｐ３０が分岐するとともに、その先端部はさらに３つの配管Ｐ３１～Ｐ３３に分岐し、それぞれ処理室５Ａ～５Ｃのノズル５７に接続されている。また、配管Ｐ３０～Ｐ３３にはバルブＶ２３～Ｖ２６がそれぞれ介挿されている。このため、制御部１０からの指令によりバルブＶ２３～Ｖ２６の開閉状態を切り替えることで、上記循環している基板処理用混合液を各処理室５Ａ～５Ｃに適切なタイミングで独立して供給することが可能となっている。こうして、基板処理用混合液が供給された処理室では、ノズル５７から基板Ｗに向けて混合液が吐出され、基板Ｗに対して上記第１薬液および第２薬液による処理が施される。また、当該処理が完了すると、上記したように別のノズル５５からＣＯ２水が基板Ｗに供給されて薬液による処理の停止およびリンス処理が実行される。
　このように各処理室５Ａ～５Ｃで使用された処理液、つまり混合液（＝第１薬液＋第２薬液＋ＤＩＷ）やＣＯ２水などを排液するために、処理室５Ａ～５Ｃには、ドレイン用の配管Ｐ３４～Ｐ３６がそれぞれ設けられている。これらの配管Ｐ３４～Ｐ３６は比抵抗計６１８に延設されている。また、配管Ｐ３４～Ｐ３６には、バルブＶ２７～Ｖ２９が介挿されている。このため、制御部１０からの指令によってバルブＶ２７～Ｖ２９のうちの一のバルブのみが選択的に開成されると、当該バルブに対応する処理室からの排液が比抵抗計６１８に送液され、排液中の薬液の濃度や比率などを検出することが可能となっている。なお、図４中の符号Ｐ３７はドレイン用の配管である。
　上記のように構成された基板処理装置１００では、本発明の「処理液」の一例に相当するＤＩＷ、ＣＯ２水および基板処理用混合液は以下のような処理液系統で供給される。ＤＩＷは、ＤＩＷ供給部６Ａ、ＣＯ２水供給部６Ｂおよび薬液供給部６Ｃ～６Ｆで構成される処理液系統を介して基板Ｗに送液される。また、ＣＯ２水はＣＯ２水供給部６Ｂで構成される処理液系統を介して基板Ｗに送液される。さらに、基板処理用混合液は薬液供給部６Ｃ～６Ｆで構成される処理液系統を介して基板Ｗに送液される。
　これらの処理液系統を有する基板処理装置１００を工場に設置する場合、上述のように基板処理装置１００の稼動前に処理液系統の内部に存在するパーティクル（塵埃）等の汚染物を除去する必要がある。そこで、本実施形態では図４に示すようにＤＩＷ供給部６Ａ内の配管Ｐ１に分岐管Ｐ５を設け、適当なタイミングで次に説明する洗浄液カートリッジを分岐管Ｐ５の取付部Ｐ５ａに装着することでＤＩＷを送液するための処理液系統、つまりＤＩＷ供給部６Ａ、ＣＯ２水供給部６Ｂおよび薬液供給部６Ｃ～６Ｆの全てを一括して洗浄することが可能となっている。以下、洗浄液カートリッジの構成および当該洗浄液カートリッジを用いた処理液系統の洗浄方法について説明する。
　図５Ａおよび図５Ｂは本発明にかかる洗浄液カートリッジの一実施形態を示す図であり、図５Ａでは洗浄液および窒素ガスの取り込みを行う際の洗浄液カートリッジの配置状態を示し、図５Ｂでは洗浄処理を行う際の洗浄液カートリッジの配置状態を示している。また、図６Ａは洗浄液カートリッジを用いた洗浄方法を模式的に示す図である。この洗浄液カートリッジ９は、カートリッジ本体９１と、気体導入部９２とを有している。カートリッジ本体９１は耐圧ボトルであり、ボトル材料としてはフッ素樹脂、例えばＰＦＡ（ペルフルオロアルコキシフッ素樹脂）を用いることができるが、これに限定されるものではない。このカートリッジ本体９１の胴部９１１の内部に洗浄液を貯留するための貯留空間９１２（図６Ａ）が設けられている。また、胴部９１１から円錐台部９１３を介して延びる首部９１４には、貯留空間９１２に対する洗浄液の充填および取出のための開口部９１５が設けられている。
　また、開口部９１５には、オリフィス板９３が装着されている。オリフィス板９３には、図５Ａに示すように、開口部９１５の開口径より小さな開口径のオリフィス９３１が設けられている。このため、貯留空間９１２に対する洗浄液の充填および取出の際には、オリフィス板９３により流量が規制される。特に、後で説明するように分岐管Ｐ５を流れるＤＩＷに押し出される洗浄液の単位時間当たりの流量については上記オリフィス９３１によって調整することができ、オリフィス板９３の配設によって所望の混合比を有する洗浄用混合液（＝ＤＩＷ＋洗浄液）を生成することができる。
　また、首部９１４には、クイックコネクタの雌部９４ａが外嵌されている。図面への図示を省略するが、クイックコネクタの雌部９４ａには逆止弁構造が組み込まれており、雌部９４ａに対してクイックコネクタの雄部９５ａが装着されていない、いわゆる未装着状態で開口部９１５を閉成して貯留空間９１２を封止する。一方、雌部９４ａに対してクイックコネクタの雄部９５ａが装着されると、開口部９１５が開成されて貯留空間９１２がカートリッジ本体９１の外部と連通され、クイックコネクタ（＝雌部９４ａ＋雄部９５ａ）を介して貯留空間９１２に対する洗浄液の充填および取出が可能となる。このように、雌部９４ａは開口部９１５の開閉を切り替える第１切替部として機能する。なお、図５Ａに示すクイックコネクタの雄部９５ａは洗浄液を供給するための供給配管９６の先端部に取り付けられており、洗浄液を充填するための専用部品として用いられている。また、図５Ｂに示すクイックコネクタの雄部９５ａは分岐管Ｐ５の取付部Ｐ５ａに装着されて洗浄液を分岐管Ｐ５の内部に取り出すための専用部品として用いられている。
　気体導入部９２は、カートリッジ本体９１の円錐台部９１３を貫通して貯留空間９１２とカートリッジ本体９１の外部とを連通する配管９２１を備えている。すなわち、配管９２１の一方端部は貯留空間９１２に延設される一方、他方端部はカートリッジ本体９１の外部に延設されており、配管９２１の内部が給気経路（図示省略）として機能する。また、配管９２１の他方端部には、クイックコネクタの雌部９４ｂが外嵌されている。この雌部９４ｂは雌部９４ａと同一構成を有しており、雌部９４ｂに対してクイックコネクタの雄部９５ｂを装着しない未装着状態で給気経路を閉成して貯留空間９１２を外気と遮断する。一方、雌部９４ｂに対してクイックコネクタの雄部９５ｂを装着すると、給気経路が開成されて貯留空間９１２がカートリッジ本体９１の外部と連通され、クイックコネクタ（＝雌部９４ｂ＋雄部９５ｂ）を介して貯留空間９１２への気体、例えば高純度の窒素ガスの圧送が可能となっている。このように、雌部９４ｂは給気経路の開閉を切り替える第２切替部として機能する。なお、図５Ａに示すクイックコネクタの雄部９５ｂは窒素ガスを圧送するための高圧配管９７の先端部に取り付けられており、窒素ガスを充填して貯留空間９１２内に高圧気体領域９８を形成するための専用部品として用いられている。
　さらに、カートリッジ本体９１の貯留空間９１２では、図６Ａに示すように、開口部９１５に対向してフィルタ９９が配置されており、洗浄液中に存在するパーティクルをトラップして清浄な洗浄液を供給可能となっている。
　次に、洗浄液カートリッジ９を用いて基板処理装置１００を洗浄する方法について図６Ａおよび図６Ｂを参照しつつ説明する。この実施形態では、図６Ａ中の（ａ）欄に示すように、洗浄液を貯留していない洗浄液カートリッジ９（以下、「空カートリッジ」という）を用意し、基板処理装置１００が設置された工場に輸送する（輸送工程）。このような空状態の洗浄液カートリッジ９については取扱いが比較的容易であり、特に工場が海外であったとしても洗浄液カートリッジ９を簡易に輸送することができる。
　空カートリッジ９を受け取った工場では、図６Ａ中の（ｂ）欄に示すように、空カートリッジ９を正立させた状態で、洗浄液の供給源と接続された供給配管９６の先端部に取り付けられたクイックコネクタの雄部９５ａを空カートリッジ９のクイックコネクタの雌部９４ａに装着する。そして、供給配管９６およびクイックコネクタを介して空カートリッジ９の貯留空間９１２に洗浄液を送り込んで洗浄液を貯留空間９１２に充填する（貯留工程）。ここで、洗浄液としては、特許文献１に記載の発明でも使用されている、塩化水素ガスを純水に溶存させて生成された塩酸溶液、アンモニアガスを純水に溶存させて生成されたアンモニア溶液、フッ化水素ガスを純水に溶存させて生成されたフッ化水素酸溶液など以外に、例えばＳＣ１を用いてもよく、本実施形態ではＳＣ１を洗浄液とし、開口部９１５を介して洗浄液カートリッジ９の貯留空間９１２に充填している。そして、洗浄液（ＳＣ１）の充填が完了すると、雄部９５ａを取り外して雌部９４ａによって開口部９１５を閉成する。
　こうして洗浄液の充填が完了すると、高純度窒素ガスの供給源と接続された高圧配管９７の先端部に取り付けられたクイックコネクタの雄部９５ｂを気体導入部９２のクイックコネクタの雌部９４ｂに装着する。そして、高圧配管９７およびクイックコネクタを介して既に洗浄液を貯留している貯留空間９１２に高純度の窒素ガスを給気して貯留空間９１２内に大気圧よりも高く洗浄液の押出に好適な圧力、例えば約０．４Ｍｐａを有する高圧気体領域９８を形成する。その後で雄部９５ｂを取り外して雌部９４ｂによって給気経路（配管９２１の内部）を閉成する。こうして、貯留空間９１２内に洗浄液（ＳＣ１）と高圧気体領域９８とを併存させた状態の洗浄液カートリッジ９が得られる。ここで、洗浄液カートリッジ９の内容積を例えば２リッター程度以下に設定しておくと、洗浄液カートリッジ９を容易に基板処理装置１００に移動させることが可能となる、つまり優れた可搬性が得られる。そこで、本実施形態では、基板処理装置１００の洗浄に先立って洗浄液カートリッジ９を準備しておき、洗浄時には当該洗浄液カートリッジ９を基板処理装置１００に搬送している。
　ここで、例えば基板処理装置１００内のＤＩＷ供給部６Ａ、ＣＯ２水供給部６Ｂおよび薬液供給部６Ｃ～６Ｆの全てを一括して洗浄する場合には、図６Ａ中の（ｄ）欄および（ｅ）欄に示すように、洗浄液カートリッジ９を倒立させた後、クイックコネクタの雌部９４ａを取付部Ｐ５ａに取り付けられた雄部９５ａに装着する。すると、開口部９１５が開成され、高圧気体領域９８によって洗浄液（ＳＣ１）が開口部９１５に向けて加圧され、オリフィス９３１を介して分岐管Ｐ５内のＤＩＷに押し出される。そして、分岐管Ｐ５の内部でＤＩＷに洗浄液（ＳＣ１）が混合されて洗浄用混合液（＝ＤＩＷ＋ＳＣ１）が生成される。この洗浄用混合液は、ＤＩＷ供給部６Ａはもちろんのこと、さらに図６Ｂに示すようにＣＯ２水供給部６Ｂおよび薬液供給部６Ｃ～６Ｆに供給され、さらに全処理室５Ａ～５Ｌにも供給され、これらの洗浄が行われる（供給工程）。この点の理解を容易にするため、図６Ｂでは洗浄用混合液が供給されて洗浄される箇所にドットを付している。この点については後で説明する図６Ｃにおいても同様である。なお、使用された洗浄用混合液はドレイン用の配管Ｐ４、Ｐ３４～Ｐ３７およびノズル５５などから基板処理装置１００の処理液系統の外部に排出される。供給工程が完了すると、洗浄液カートリッジ９からの洗浄液の供給が停止されるが、ＤＩＷ供給部６ＡからのＤＩＷの供給は継続する。これにより、基板処理装置１００の処理液系統に残留した洗浄用混合液がＤＩＷに置換されていく（リンス工程）。洗浄用混合液からＤＩＷへの置換が完了すると、ＤＩＷ供給部６ＡからのＤＩＷの供給を停止して処理液系統の洗浄処理を終了する。
　このように供給工程とリンス工程とは連続して実行してもよいし、供給工程後、一定時間放置した後に、リンス工程を実行してもよい。すなわち、バルブＶ９～Ｖ１１およびバルブＶ２７～Ｖ２９を開放した状態で、分岐管Ｐ５から洗浄液の供給を実行することで、使用後の洗浄用混合液がドレイン用の配管Ｐ４、Ｐ３４～Ｐ３７およびノズル５５から排出される。こうして処理液系統の洗浄を一定時間実行した後、ＤＩＷ供給部６ＡからのＤＩＷの供給および分岐管Ｐ５からの洗浄液の供給を停止すると共に、バルブＶ９～Ｖ１１およびバルブＶ２７～Ｖ２９を閉止する。これにより、処理液系統は混合洗浄液で充填される。この状態で一定時間（例えば数時間）、放置する（放置工程）。その後、バルブＶ９～Ｖ１１およびバルブＶ２７～Ｖ２９を開放すると共に、ＤＩＷ供給部６ＡからのＤＩＷの供給を再開して、処理液系統内に残留していた混合洗浄液をＤＩＷに置換する（リンス工程）。
　このように、供給工程とリンス工程との間に放置工程を介在させた場合、供給工程とリンス工程とを連続して実行する場合よりも、処理液系統の洗浄品質が高くなる。
　以上のように、本実施形態によれば、貯留空間９１２に予め高圧気体領域９８を形成しているため、洗浄液カートリッジ９を分岐管Ｐ５に装着すると、当該高圧気体領域９８により洗浄液を分岐管Ｐ５を流れるＤＩＷに押し出して洗浄用混合液（＝ＤＩＷ＋ＳＣ１）を効率的に生成することができる。そして、洗浄用混合液によってＤＩＷ供給部６Ａ、ＣＯ２水供給部６Ｂ、薬液供給部６Ｃ～６Ｆおよび処理室５Ａ～５Ｌを効果的に洗浄することができる。
　また、上記実施形態では、オリフィス９３１を介して洗浄液を分岐管Ｐ５の内部を流れるＤＩＷに押し出している。このため、洗浄用混合液におけるＤＩＷと洗浄液（ＳＣ１）との混合比を正確に制御することが可能となり、優れた洗浄効果が得られる。
　また、上記実施形態では、洗浄液カートリッジ９に貯留可能な洗浄液の量を２リッタ程度としているため、洗浄液カートリッジ９は可搬性に優れている。そして、当該洗浄液カートリッジ９を取付部Ｐ５ａに取り付けられた雄部９５ａに装着することで広範囲にわたって洗浄することができ、優れた洗浄作業性が得られる。
　また、上記実施形態では、洗浄液カートリッジ９から洗浄液（ＳＣ１）を供給して洗浄用混合液（＝ＤＩＷ＋ＳＣ１）を生成し、これをＤＩＷの処理液系統に行き渡らせて洗浄処理を実行している。ここで、単に洗浄用混合液を供給するだけでなく、制御部１０が装置各部、特にポンプやバルブなどを作動させることで洗浄効果をさらに高めることができる。このように洗浄用混合液を供給するのと並行して装置各部を動作させるために、処理液系統の洗浄に適したレシピ、いわゆる内部洗浄レシピを予め作成しておき、制御部１０が当該内部洗浄レシピにしたがって処理液系統の洗浄を行うように構成してもよい。
　また、上記実施形態では、貯留空間９１２にフィルタ９９を配置して洗浄液中のパーティクルをトラップ除去しているため、洗浄液の品質を高めることができ、高い洗浄効果が得られる。
　また、上記実施形態では、オリフィス９３１を介して洗浄液を分岐管Ｐ５に押し出すように構成しているため、洗浄用混合液におけるＤＩＷと洗浄液（ＳＣ１）との混合比を正確に制御することができる。ここで、比抵抗計６１８による検出結果に基づいて上記混合比をモニターすることができ、それに応じて混合比を適正化してもよい。例えば検出結果が当該混合比に対応する値からずれている時には、洗浄液カートリッジ９に装着されているオリフィス板９３を異なるオリフィス径を有するものに取り替える、あるいは当該オリフィス板９３を有する洗浄液カートリッジ９に交換してもよい。
　さらに、上記実施形態では、洗浄液カートリッジ９に貯留可能な洗浄液の量を２リッタ程度としているため、洗浄液カートリッジ９は可搬性に優れ、また処理液系統を構成する配管に対して容易に着脱可能となっている。したがって、基板処理装置１００の内部を広範囲にわたって簡単に洗浄することができ、優れた洗浄作業性が得られる。
　なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、配管Ｐ１に分岐管Ｐ５を設けてＤＩＷの処理液系統全体に洗浄用混合液（＝ＤＩＷ＋ＳＣ１）を供給しているが、分岐管Ｐ５の設置位置はこれに限定されるものではない。例えば図６Ｃに示すように薬液供給部６Ｃの配管Ｐ１３に分岐管Ｐ５を設け、当該分岐管Ｐ５に対して洗浄液カートリッジ９を選択的に装着すると、薬液供給部６Ｃで生成される基板処理用混合液（＝第１薬液＋第２薬液＋ＤＩＷ）の処理液系統のみに洗浄用混合液を供給することができる。この場合、他の薬液供給部６Ｄ～６Ｆにおいては、通常通りに基板処理用混合液を生成して処理部５２～５４で基板処理を行うことが可能となる。この点については、他の薬液供給部６Ｄ～６Ｆの配管Ｐ１３に分岐管Ｐ５を設けた場合も同様である。また、ＣＯ２水供給部６Ｂの配管Ｐ２などに設けた場合には、ＣＯ２水の処理液系統全体に洗浄用混合液（＝ＤＩＷ＋ＳＣ１）を供給することができる。もちろん、分岐管Ｐ５を複数個所に設け、洗浄液カートリッジ９を選択的に装着するように構成してもよい。
　また、上記実施形態では、分岐管Ｐ５に対して取付部Ｐ５ａを１個設けているが、取付部Ｐ５ａを複数個設けてもよい。この場合、複数の洗浄液カートリッジ９を装着することができ、洗浄液の供給量を高めることができる。また、分岐管Ｐ５毎に取付部Ｐ５ａの個数を相違させてもよい。例えばＤＩＷの処理液系統では多くの箇所に洗浄用混合液を供給する必要があるために配管Ｐ１には複数個の取付部Ｐ５ａを有する分岐管Ｐ５を介挿する一方、薬液供給部６Ｃの配管Ｐ１３には１個の取付部Ｐ５ａを有する分岐管Ｐ５を介挿するように構成してもよい。
　また、上記実施形態では、洗浄液カートリッジ９を装着している間、クイックコネクタの雌部９４ｂによって給気経路の閉成を維持して貯留空間９１２に予め充填しておいた高圧気体領域９８中の窒素ガスを用いて洗浄液カートリッジ９からの洗浄液の押出を行っている。つまり、高圧気体領域９８中の窒素ガスのみを用いて洗浄液を加圧している。このため、洗浄処理に伴い高圧気体領域９８の圧力が低下していき、洗浄液の押出量が変動することがある。そこで、例えば図７に示すように洗浄液カートリッジ９を分岐管Ｐ５の取付部Ｐ５ａに装着した状態、つまり洗浄液カートリッジ９の装着中に気体導入部９２から窒素ガスを補助的に圧送してもよい。これによって、洗浄処理中に窒素ガスを補給することで高圧気体領域９８の圧力を一定に保ち、洗浄液の押出量を安定化させることができる。このような作用効果を得るためには、図７に示すように流量制御バルブＶ３０によって流量制御しながら窒素ガスを補助的に与えるのが望ましい。
　また、図７に示す構成を採用する場合、洗浄液カートリッジ９の装着前に高圧気体領域９８を形成せずに、装着後に窒素ガスを導入して高圧気体領域９８を形成しながら洗浄液を押し出すように構成してもよい。
　また、上記実施形態では、空カートリッジ９（図６Ａ中の（ａ）欄参照）を工場に輸送し、工場あるいはその周囲で洗浄液カートリッジ９への洗浄液および窒素ガスの充填を行っているが、洗浄液カートリッジ９の輸送タイミングはこれに限定されるものではなく、例えば洗浄液の充填後に洗浄液カートリッジを工場に輸送してもよい。このように窒素ガスの充填を工場で行っているが、これは高圧ガス（高圧窒素ガス）を充填した状態の洗浄液カートリッジ９を輸送するためには種々の制約を受けることを考慮したものである。また、高圧気体領域９８を形成した直後より気体成分が洗浄液に溶解し、洗浄液の成分が変動したり、高圧気体領域９８の圧力低下を招くことがある。そこで、これらの影響を抑制・回避するために、工場あるいは工場の周囲で窒素ガスの充填を行うのが望ましい。また、洗浄処理を行う直前で窒素ガスの充填を行うのが好適である。
　以上、特定の実施例に沿って発明を説明したが、この説明は限定的な意味で解釈されることを意図したものではない。発明の説明を参照すれば、本発明のその他の実施形態と同様に、開示された実施形態の様々な変形例が、この技術に精通した者に明らかとなるであろう。故に、添付の特許請求の範囲は、発明の真の範囲を逸脱しない範囲内で、当該変形例または実施形態を含むものと考えられる。
　この発明は、基板処理装置を洗浄するための洗浄液を貯留する洗浄液カートリッジ、ならびに当該洗浄液カートリッジを用いて上記基板処理装置を洗浄する技術全般に適用することができる。
　６Ａ…ＤＩＷ供給部
　６Ｂ…ＣＯ２水供給部
　６Ｃ～６Ｆ…薬液供給部
　９…洗浄液カートリッジ
　９１…カートリッジ本体
　９２…気体導入部
　９３…オリフィス板
　９４ａ…（クイックコネクタの）雌部（第１切替部）
　９４ｂ…（クイックコネクタの）雌部（第２切替部）
　９８…高圧気体領域
　９９…フィルタ
　１００…基板処理装置
　９１２…貯留空間
　９１５…開口部
　９３１…オリフィス
　Ｗ…基板

Claims (11)

  1. 　処理液系統を介して送液される処理液により基板を処理する基板処理装置を洗浄するための洗浄液を貯留し、前記処理液系統に装着されることで前記洗浄液を前記処理液系統に供給する洗浄液カートリッジであって、
    　前記洗浄液を貯留する貯留空間および前記貯留空間に連通する開口部を有するカートリッジ本体と、
    　前記貯留空間に連通された給気経路を有し、前記洗浄液を貯留した前記貯留空間に対して前記カートリッジ本体の外部から供給される気体を前記給気経路を介して導入して前記貯留空間内に大気圧よりも高い高圧気体領域を形成する気体導入部と、を備え、
    　前記高圧気体領域によって前記洗浄液が前記開口部を介して前記処理液系統に押し出されることを特徴とする洗浄液カートリッジ。
  2. 　請求項１に記載の洗浄液カートリッジであって、
    　前記開口部の開成と閉成とを切替える第１切替部と、
    　前記給気経路の開成と閉成とを切り替える第２切替部とをさらに備え、
    　前記処理液系統への装着前に、前記第１切替部が前記開口部を閉成して前記洗浄液を前記貯留空間に封止しながら、前記第２切替部が前記給気経路を開成して前記高圧気体領域を形成させた後に前記給気経路を閉成して前記高圧気体領域を前記貯留空間に封止し、
    　前記処理液系統への装着中に、前記第１切替部が前記開口部を開成して前記高圧気体領域により前記洗浄液を前記開口部を介して前記処理液系統に押し出す洗浄液カートリッジ。
  3. 　請求項２に記載の洗浄液カートリッジであって、
    　前記処理液系統への装着中に、前記第２切替部は前記給気経路の閉成を維持する洗浄液カートリッジ。
  4. 　請求項２に記載の洗浄液カートリッジであって、
    　前記処理液系統への装着中に、前記第２切替部は前記給気経路を開成して前記高圧気体領域に前記気体を補給する洗浄液カートリッジ。
  5. 　請求項１に記載の洗浄液カートリッジであって、
    　前記開口部の開成と閉成とを切替える第１切替部と、
    　前記給気経路の開成と閉成とを切り替える第２切替部とをさらに備え、
    　前記処理液系統への装着前に、前記第１切替部が前記開口部を閉成して前記洗浄液を前記貯留空間に封止し、
    　前記処理液系統への装着中に、前記第２切替部が前記給気経路を開成して前記高圧気体領域を形成させるとともに、前記第１切替部が前記開口部を開成して前記高圧気体領域により前記洗浄液を前記開口部を介して前記処理液系統に押し出す洗浄液カートリッジ。
  6. 　請求項１ないし５のいずれか一項に記載の洗浄液カートリッジであって、
    　前記開口部の開口径より小さな径のオリフィスを有し、前記開口部に設けられて前記開口部を介して押し出される前記洗浄液の単位時間当たりの流量を調整するオリフィス板をさらに備える洗浄液カートリッジ。
  7. 　請求項１ないし６のいずれか一項に記載の洗浄液カートリッジであって、
    　前記開口部に対向して前記貯留空間に配置されて前記洗浄液中のパーティクルをトラップするフィルタをさらに備える洗浄液カートリッジ。
  8. 　処理液系統を介して送液される処理液により基板を処理する基板処理装置を洗浄する洗浄方法であって、
    　請求項１ないし７のいずれか一項に記載の洗浄液カートリッジの前記貯留空間に前記洗浄液を貯留して前記開口部を封止する貯留工程と、
    　前記処理液系統に対する前記洗浄液カートリッジの装着により前記開口部を介して前記処理液系統と前記貯留空間と連通させるとともに、前記装着前および／または前記装着中に前記給気経路を介して前記洗浄液を貯留した前記貯留空間に対して前記気体を導入して形成される前記高圧気体領域によって前記洗浄液を前記開口部を介して押し出して前記処理液系統に供給する供給工程と、
    を備えることを特徴とする洗浄方法。
  9. 　請求項８に記載の洗浄方法であって、
    　前記基板処理装置が設置される工場に前記洗浄液カートリッジを輸送する輸送工程をさらに備え、
    　前記輸送工程は、前記洗浄液の貯留および前記気体の導入が行われていない空の状態で実行され、
    　前記貯留工程および前記供給工程は、前記空の状態の洗浄液カートリッジを受け取った後に前記工場内あるいは前記工場の周囲で実行される洗浄方法。
  10. 　請求項８に記載の洗浄方法であって、
    　前記基板処理装置が設置される工場に前記洗浄液カートリッジを輸送する輸送工程をさらに備え、
    　前記貯留工程は前記輸送工程前に実行され、
    　前記輸送工程は、前記貯留空間に対して前記高圧気体領域が形成されておらず前記洗浄液のみが貯留された状態で実行され、
    　前記供給工程は、前記洗浄液のみが貯留された状態の洗浄液カートリッジを受け取った後に前記工場内で実行される洗浄方法。
  11. 　請求項８ないし１０のいずれか一項に記載の洗浄方法であって、
    　前記基板処理装置が前記処理液系統を複数個有し、
    　前記供給工程は、前記複数の処理液系統に対して前記洗浄液カートリッジを選択的に装着自在となっている洗浄方法。
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