JP2018049884A - 積層セラミック電子部品 - Google Patents
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Abstract
Description
また、この発明にかかる積層セラミック電子部品では、積層体と第1下地電極層との密着強度が、第1有機層と第1めっき層との密着強度よりも大きく、且つ積層体と第2下地電極層との密着強度が、第2有機層と第2めっき層との密着強度よりも大きいことが好ましい。
さらに、この発明にかかる積層セラミック電子部品では、積層体と第1有機層との密着強度が、第1有機層と第1めっき層との密着強度よりも大きく、且つ積層体と第2有機層との密着強度が、第2有機層と第2めっき層との密着強度よりも大きいことが好ましい。
また、この発明にかかる積層セラミック電子部品では、第1有機層および第2有機層は、多官能アルコキシシランSi−(CnH2n+1)3の構造を有し、且つN元素を含有する有機ケイ素化合物であることが好ましい。
さらに、この発明にかかる積層セラミック電子部品では、積層セラミック電子部品は、積層セラミックコンデンサであることが好ましい。
また、この発明にかかる積層セラミック電子部品によれば、積層体と第1下地電極層との密着強度が、第1有機層と第1めっき層との密着強度よりも大きく、且つ積層体と第2下地電極層との密着強度が、第2有機層と第2めっき層との密着強度よりも大きくすることにより、積層セラミック電子部品の信頼性などの不具合がより一層抑制される。
さらに、この発明にかかる積層セラミック電子部品によれば、積層体と第1有機層との密着強度が、第1有機層と第1めっき層との密着強度よりも大きく、且つ積層体と第2有機層との密着強度が、第2有機層と第2めっき層との密着強度よりも大きくすることにより、積層セラミック電子部品が基板に実装された状態において、仮に、熱衝撃等により基板に撓みが生じれば、この撓みに基づく応力によって第1外部電極の第1下地電極層と第1めっき層との間を剥離させたり、同様に、第2外部電極の第2下地電極層と第2めっき層との間を剥離させたりすることをより一層合理的に行うことができる。そのため、前記応力がより一層分散され、積層セラミック電子部品のセラミック部や内部電極部にクラックや変形等が発生することをより一層抑制することができる。その結果、積層セラミック電子部品の信頼性をより一層向上させることができる。
さらに、この発明にかかる積層セラミック電子部品によれば、第1有機層および第2有機層は、多官能アルコキシシランSi−(CnH2n+1)3の構造を有し、且つN元素を含有する有機ケイ素化合物とすることにより、積層体や第1外部電極の第1下地電極層などの表面に確実に形成されるため、信頼性が向上する。
図1は、本発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの外観を示す斜視図である。図2は、一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図であって、図1のII−II線矢印方向から見た図である。図3は、一実施の形態に係る積層セラミック電子部品の断面図であって、図2の外部電極の一部拡大図である。
なお、第1側面103上及び第2側面104上に位置する第1下地電極層122上に配置される第1有機層140のCuに対するSiの原子濃度比、並びに、第1側面103上及び第2側面104上に直接に位置される第1有機層140のCuに対するSiの原子濃度比においても、Aと同じ値であることが好ましく、関係式A>Bが満たされることが好ましい。
・装置名:ULVAC−PHI製VersaProbe
・X線:単色化Al−Kα線
・X線径:ビーム半値幅で100μm
・光電子の取り出し角:45°
・測定したスペクトル:Si2p、Cu2p
・測定時の帯電の補償方法:電子線とイオンビームを照射
次に、本発明の一実施の形態に係る積層セラミックコンデンサ100の製造方法について説明する。
以下、この発明の効果を確認するために発明者らが行った実験例1について説明する。実験例1では、前記一実施の形態の製造方法によって、積層セラミックコンデンサ100が作製され、積層セラミックコンデンサのクラックの発生率およびめっき不良の発生率について確認した。
・サイズ:長さLが1.0mm、幅Wが0.5mm、高さHが0.5mm
・セラミック材料:BaTiO3
・容量:10nF
・定格電圧:16V
・下地電極層材料:導電性金属(Cu)とガラス成分を含む材料
・下地電極層の厚み:端面中央部で30μm
・有機層
下地電極層の表面に形成される部分:デシルトリメトキシシランからなる単官能シランカップリング膜、厚み3nm
下地電極層の端部および積層体の表面に形成される部分:トリスー(トリメトキシシルプロピル)イソシアヌートからなる多官能アルコキシシランSi−(CnH2n+1)3
Cuに対するSiの原子濃度比(端面中央部)については表1参照
・めっき層:Niめっき層(3μm)+Snめっき層(3μm)の2層
LFソルダーペーストが1.6mm厚みのJEITAランドFR4基板に厚さ150μmで塗布された後、積層セラミックコンデンサ100が載置され、240℃のリフロー炉を5回通すことにより、積層セラミックコンデンサ100が実装された。なお、積層セラミックコンデンサは、第1有機層140および第2有機層150のCuに対するSiの原子濃度比が1%以上5%以下である実施例1〜3の試料を作製した。また、比較のため、第1有機層140および第2有機層150を備えていない比較例1(従来の積層セラミックコンデンサ)、有機層処理が1回のみしか行われず且つ薄い有機層を有する比較例2、第1有機層140および第2有機層150のCuに対するSiの原子濃度比が1%未満である比較例3、並びに同5%より多い比較例4、比較例5および比較例6のそれぞれについても同様の実装が行われた。実装した積層セラミックコンデンサは種類毎に100個である。実装後の積層セラミックコンデンサが240℃のホットプレートに載せられてLFソルダーペーストが溶かされ、積層セラミックコンデンサが基板から取り外された。そして、実装面と直交する方向から研磨を行い、クラック発生の有無を確認した。
・装置名:ULVAC−PHI製VersaProbe
・X線:単色化Al−Kα線
・X線径:ビーム半値幅で100μm
・光電子の取り出し角:45°
・測定したスペクトル:Si2p、Cu2p
・測定時の帯電の補償方法:電子線とイオンビームを照射
実験結果を表1に示す。
101 第1主面
102 第2主面
103 第1側面
104 第2側面
105 第1端面
106 第2端面
110 積層体
120 第1外部電極
130 第2外部電極
122 第1下地電極層
123 第1めっき層
124,134 Niめっき層
126,136 Snめっき層
132 第2下地電極層
133 第2めっき層
140 第1有機層
142 第1有機層の延長端部
150 第2有機層
200 誘電体層
211 第1内部電極
211a 第1対向部
211b 第1引出し部
212 第2内部電極
212a 第2対向部
212b 第2引出し部
220 第1下地電極層の端部
222 第1下地電極層の先端
230 第1めっき層の端部
320 第2下地電極層の端部
330 第2めっき層の端部
H 積層方向
L 長さ方向
W 幅方向
Claims (5)
- 積層された複数の誘電体層と積層された複数の内部電極とを含み、積層方向に相対する第1主面および第2主面と、前記積層方向に直交する幅方向に相対する第1側面および第2側面と、前記積層方向および前記幅方向に直交する長さ方向に相対する第1端面および第2端面と、を有している積層体と、
前記内部電極に接続され、前記第1端面上に配置されて、端部が前記第1主面、前記第2主面、前記第1側面および前記第2側面に延在している第1外部電極と、
前記内部電極に接続され、前記第2端面上に配置されて、端部が前記第1主面、前記第2主面、前記第1側面および前記第2側面に延在している第2外部電極と、を備え、
前記第1外部電極は、導電性金属およびガラス成分を含む第1下地電極層と、前記第1下地電極層を覆うように配置される有機ケイ素化合物を含む第1有機層と、前記第1有機層上に配置される第1めっき層と、を有し、
前記第2外部電極は、導電性金属およびガラス成分を含む第2下地電極層と、前記第2下地電極層を覆うように配置される有機ケイ素化合物を含む第2有機層と、前記第2有機層上に配置される第2めっき層と、を有し、
前記第1有機層は、前記第1下地電極層上から前記積層体の少なくとも一部の表面を覆うように配置されており、且つ前記第2有機層は、前記第2下地電極層上から前記積層体の少なくとも一部の表面を覆うように配置されており、
前記第1めっき層の先端部は、前記第1有機層に接触しており、前記第1有機層の表面のCu濃度およびSi濃度において、Cuに対するSiの原子濃度比が1%以上5%以下であり、且つ前記第2めっき層の先端部は、前記第2有機層に接触しており、前記第2有機層の表面のCu濃度およびSi濃度において、Cuに対するSiの原子濃度比が1%以上5%以下であること、
を特徴とする積層セラミック電子部品。 - 前記積層体と前記第1下地電極層との密着強度が、前記第1有機層と前記第1めっき層との密着強度よりも大きく、且つ前記積層体と前記第2下地電極層との密着強度が、前記第2有機層と前記第2めっき層との密着強度よりも大きい、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記積層体と前記第1有機層との密着強度が、前記第1有機層と前記第1めっき層との密着強度よりも大きく、且つ前記積層体と前記第2有機層との密着強度が、前記第2有機層と前記第2めっき層との密着強度よりも大きい、請求項1または2に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記第1有機層および前記第2有機層は、多官能アルコキシシランSi−(CnH2n+1)3の構造を有し、且つN元素を含有する有機ケイ素化合物である、請求項1〜3のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
- 前記積層セラミック電子部品は、積層セラミックコンデンサである、請求項1〜4のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
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