JP2018041826A - インプリント用マスク、配線基板の製造方法、およびインプリント用マスクの製造方法 - Google Patents
インプリント用マスク、配線基板の製造方法、およびインプリント用マスクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018041826A JP2018041826A JP2016174517A JP2016174517A JP2018041826A JP 2018041826 A JP2018041826 A JP 2018041826A JP 2016174517 A JP2016174517 A JP 2016174517A JP 2016174517 A JP2016174517 A JP 2016174517A JP 2018041826 A JP2018041826 A JP 2018041826A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sacrificial layer
- imprint mask
- manufacturing
- resin
- imprint
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】インプリント法を用いて配線パターンを安定して形成する。
【解決手段】表面に凹凸を有する構造体100と、上記構造体の上記表面上に配置され、上記凹凸を反映した表面形状を有する犠牲層110と、を具備し、上記犠牲層は、ポジ型の感光材を含む樹脂である、インプリント用マスク10である。また、表面に凹凸を有する構造体と、上記構造体の上記表面上に配置され、上記凹凸を反映した表面形状を有する犠牲層と、を具備し、所定のエッチング液に対する上記犠牲層のエッチングレートは、上記所定のエッチング液に対する樹脂材料または上記構造体のエッチングレートと比べて高い。
【選択図】図1
【解決手段】表面に凹凸を有する構造体100と、上記構造体の上記表面上に配置され、上記凹凸を反映した表面形状を有する犠牲層110と、を具備し、上記犠牲層は、ポジ型の感光材を含む樹脂である、インプリント用マスク10である。また、表面に凹凸を有する構造体と、上記構造体の上記表面上に配置され、上記凹凸を反映した表面形状を有する犠牲層と、を具備し、所定のエッチング液に対する上記犠牲層のエッチングレートは、上記所定のエッチング液に対する樹脂材料または上記構造体のエッチングレートと比べて高い。
【選択図】図1
Description
本開示は、インプリント用マスクの製造方法および配線基板の形成方法に関する。
基板上の樹脂層に対して、インプリント用マスク(版)といわれる凹凸を有する型を押しつけて、配線パターンを形成する技術がある。この技術は、一般的にインプリント法といわれる。インプリント用マスクが樹脂層に接触加圧する状態では、樹脂層と、インプリント用マスクとは、ある程度の密着力を有している。したがって、樹脂層に押しつけられたインプリント用マスクを樹脂層から剥離するときに、剥離しやすくする処理が行われる。これを離型処理という。例えば、特許文献1には離型処理方法が開示されている。
しかしながら、インプリント用マスク表面に離型処理を行ったとしても、複数回インプリント工程に使用していく中で徐々にインプリント用マスクへの樹脂の付着等が発生するため、インプリント用マスクの品質が安定しない。これにより、配線パターンを安定して形成することができないという課題を有する。
このような課題に鑑み、本開示の実施形態における目的は、インプリント法を用いて配線パターンを安定して形成することにある。
本開示の一実施形態によると、表面に凹凸を有する構造体と、上記構造体の上記表面上に配置され、上記凹凸を反映した表面形状を有する犠牲層と、を具備し、上記犠牲層は、ポジ型の感光材を含む樹脂である、インプリント用マスクが提供される。
本開示の一実施形態によると、表面に凹凸を有する構造体と、上記構造体の上記表面上に配置され、上記凹凸を反映した表面形状を有する犠牲層と、を具備し、所定のエッチング液に対する上記犠牲層のエッチングレートは、上記所定のエッチング液に対する樹脂材料または上記構造体のエッチングレートと比べて高い、インプリント用マスクが提供される。
上記インプリント用マスクにおいて、上記所定のエッチング液は、アルカリ溶液であってもよい。
上記インプリント用マスクにおいて、感光材を感光させる、紫外光より短波長側の一部の波長の光を透過してもよい。
上記インプリント用マスクにおいて、上記構造体は、ガラス、石英、または樹脂材料を含んでもよい。
上記インプリント用マスクにおいて、上記犠牲層の厚さは、10nm以上100nm未満であってもよい。
本開示の一実施形態によると、基板上に樹脂層を形成し、表面に凹凸を有する構造体と、上記構造体の上記表面上に配置され、上記凹凸を反映した表面形状を有する犠牲層とを有するインプリント用マスクを、上記樹脂層に接触させて加圧し、上記樹脂層に対して硬化処理を行い、上記インプリント用マスクを上記樹脂層から剥離し、上記インプリント用マスクによって上記樹脂層に形成された凹部内の一部において、上記基板を上記樹脂層から露出させるエッチング処理を行い、上記樹脂層に形成された上記凹部に配線を形成することを含む、配線基板の製造方法が、提供される。
上記配線基板の製造方法において、上記犠牲層を除去する第1のエッチング処理と、上記樹脂層を除去する第2のエッチング処理と、を含んでもよい。
上記配線基板の製造方法において、上記エッチング処理は、上記犠牲層および上記樹脂層を一括でエッチングすることを含んでもよい。
上記配線基板の製造方法において、上記第1のエッチング処理は、アルカリ溶液を用いて行ってもよい。
上記配線基板の製造方法において、上記硬化処理は、光照射を含んでもよい。
上記配線基板の製造方法において、上記樹脂層は、ネガ型の感光材を含み、上記犠牲層は、ポジ型の感光材を含む樹脂で形成されてもよい。
上記配線基板の製造方法において、上記犠牲層の膜厚は、10nm以上100nm未満であってもよい。
本開示の一実施形態によると、表面に凹凸を有する構造体と、上記構造体の上記表面上に配置され、上記凹凸を反映した表面形状を有する第1犠牲層とを有する、インプリント用マスクから上記第1犠牲層を除去し、上記インプリント用マスクの表面上に、上記表面の凹凸を反映するように第2犠牲層を形成するインプリント用マスクの製造方法が提供される。
上記インプリント用マスクの製造方法において、上記第1犠牲層を除去する前に、上記インプリント用マスクを樹脂層に接触させて加圧し、上記インプリント用マスクおよび上記樹脂層に光を照射し、上記インプリント用マスクを上記樹脂層から剥離することを含んでもよい。
上記インプリント用マスクの製造方法において、上記第1犠牲層および上記第2犠牲層の少なくとも一方は、ポジ型の感光材を含んだ樹脂材料であってもよい。
上記インプリント用マスクの製造方法において、上記第1犠牲層は、アルカリ溶液を用いたエッチングにより除去されることを含んでもよい。
上記インプリント用マスクの製造方法において、上記第2犠牲層は、ラングミュア・ブロジェット法により形成されてもよい。
上記インプリント用マスクの製造方法において、上記第2犠牲層は、静電噴霧法により形成されてもよい。
上記インプリント用マスクの製造方法において、上記第2犠牲層は、真空蒸着法により形成されてもよい。
上記インプリント用マスクの製造方法において、上記第2犠牲層は、CVD法により形成されてもよい。
上記インプリント用マスクの製造方法において、上記第1犠牲層および上記第2犠牲層の少なくとも一方の膜厚は、10nm以上100nm未満であってもよい。
本開示の一実施形態によると、表面に凹凸を有する構造体と、上記構造体の上記表面上に配置され、上記凹凸を反映した表面形状を有する第1犠牲層とを有する、インプリント用マスクから上記第1犠牲層を除去し、上記インプリント用マスクの表面上に、上記表面の凹凸を反映するように第2犠牲層を形成する、インプリント用マスクの再生方法が提供される。
本開示の実施形態によると、インプリント法を用いて配線パターンを安定して形成することができる。
以下、本開示の各実施形態に係るインプリント用マスクおよび配線基板の製造方法等について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す各実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。なお、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号(数字の後にA、B等を付しただけの符号)を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。
<第1実施形態>
(1−1.インプリント用マスクの構成)
図1にインプリント用マスク10の断面図を示す。図1において、インプリント用マスク10は、構造体100と、犠牲層110と、を有する。構造体100は、表面側(断面視において上側)に数10nm以上10μm未満の凹凸を有する。犠牲層110は、構造体100上に、構造体100の有する凹凸を反映した表面形状を有して配置されている。
(1−1.インプリント用マスクの構成)
図1にインプリント用マスク10の断面図を示す。図1において、インプリント用マスク10は、構造体100と、犠牲層110と、を有する。構造体100は、表面側(断面視において上側)に数10nm以上10μm未満の凹凸を有する。犠牲層110は、構造体100上に、構造体100の有する凹凸を反映した表面形状を有して配置されている。
構造体100は、凹凸を設けることができる材料であればよい。
犠牲層110は、インプリント法で加工される樹脂(例えば後述する樹脂層130)、および構造体100と比べて、所定のエッチング液に対するエッチングレートが高い材料が用いられる。所定のエッチング液としては、例えばアルカリ溶液を用いられる。
犠牲層110は、ポジ型感光材を含む樹脂材料が用いられる。
また、構造体100は、光を透過する性質を有してもよい。透過する光の波長は、紫外領域、可視光領域のいずれの領域を含んでもよい。例えば、構造体100は、感光材を感光させる、紫外光より短波長側の一部の波長の光を透過してもよい。
また、犠牲層110の膜厚は、10nm以上100nm未満であればよい。
(1−2.インプリント用マスクの製造方法)
次に、インプリント用マスクの製造方法を図2乃至図4を用いて説明する。
次に、インプリント用マスクの製造方法を図2乃至図4を用いて説明する。
まず、図2に示すような構造体100の基材100aを用いる。基材100aには、例えば、基材100aとして、ガラスが用いられる。なお、基材100aとして、ガラス以外に、石英などの無機材料を用いてもよいし、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、エポキシ樹脂、またはポリエチレン樹脂などの有機樹脂材料を用いてもよい。これらの材料は、後述する樹脂層130を、光照射により硬化するときに、感光材を感光させる紫外光より短波長側の一部の波長の光を透過する。
次に、図3に示すように、基材100aを成型し、表面に凹凸を有する構造体100を形成する。例えば、基材100a全面に電子線レジストを塗布し、この電子線レジストに電子線描画を行ってレジストパターンを形成し、このレジストパターンをエッチングマスクとして基材100aをエッチングして凹凸パターンを形成することで構造体100を形成する。
次に、図4に示すように、構造体100上に犠牲層110を形成する。犠牲層110には、感光材を含む樹脂材料が用いられる。例えば、犠牲層110として、化学増幅型ポジ型レジスト材料が用いられる。化学増幅型ポジ型レジスト材料として、具体的には感光材としてジアゾメタンを含むポリビニルフェノール(PVP:Poly−Vinyl Phenol)樹脂が用いられる。犠牲層110は、ラングミュア・ブロジェット法により形成することができる。他の方法として、静電噴霧法、真空蒸着法、化学気相成長(CVD:Chemical Vapor Deposition)法、スピンコーティング法により犠牲層110を形成することができる。犠牲層110の膜厚は、10nm以上100nm未満としてもよい。
上記製造方法により、インプリント用マスク10を製造することができる。
(1−3.配線基板の製造方法)
次に、配線基板の製造方法を図5乃至図13を用いて説明する。
次に、配線基板の製造方法を図5乃至図13を用いて説明する。
図5に示すように、まず、基板120上に樹脂層130を形成する。樹脂層130には、有機樹脂材料を用いることができる。樹脂層130には、ネガ型の感光材を含む樹脂材料が用いられる。ネガ型の感光材を含む樹脂材料には、化学増幅型ネガ型レジスト材料が用いられる。化学増幅型ネガ型レジスト材料として、具体的にはテトラメトキシグリコユリルを感光材として含むPVP樹脂が用いられる。感光材であるテトラメトキシグリコユリルは、光が照射された場合に、PVP樹脂に架橋することにより、PVP樹脂をアルカリ溶液に不溶とする機能を有する。
次に、図6に示すように、樹脂層130と、図1に示したインプリント用マスク10の表面側とを、接触させて加圧する。このときの圧力範囲は、0.1MPa以上10MPa未満の範囲としてもよい。また、加熱しながら加圧してもよい。このときの加熱温度は、60度以上120度未満としてもよい。これにより、樹脂層130は、インプリント用マスク10の凹凸を反映して形状が変化する。
なお、上記凹凸を形成する場合、インプリント用マスク10の犠牲層110の膜厚は、10nm以上100nm未満とすることで、犠牲層110を有しない場合と比較したときの樹脂層130凹凸形状との違いを小さくすることができる。これにより、太い配線のみならず、数μm、さらには数十、数百nmの微細な配線を形成することができる
次に、図7に示すように、インプリント用マスク10と、樹脂層130とが、接触した状態で硬化処理を行う。例えば、硬化処理には光照射処理が用いられる。光照射処理の場合、樹脂層130の特性に合わせて、紫外(UV)領域、または可視光領域の光を用いることができる。例えば、樹脂層130として感光材であるテトラメトキシグリコユリルを含むPVP樹脂を用いる場合には、紫外領域のKrFエキシマレーザーの波長(248nm)の光を用いてもよい。なお、硬化処理として光照射後に熱処理を行ってもよい。これにより、樹脂のアルカリ溶液に対する不溶化性を高めることができる。
次に、図8に示すように、樹脂層130から、インプリント用マスク10を剥離する。このとき、樹脂層130または基板120上に犠牲層110、または犠牲層110の残膜111が転写される場合がある。そのため、残膜111を除去するため、ウェットエッチング法、またはドライエッチング法を用いた第1のエッチング処理を行ってもよい。なお、詳細は後述するが、剥離後のインプリント用マスク10には、樹脂層130の残膜(樹脂層131)が付着する場合がある。
次に、図9に示すように、樹脂層130に形成された凹凸の一部に、基板120まで到達する凹部121が設けられる。このとき、樹脂層130の残膜132が、基板120または樹脂層130上に存在する場合がある。そのため、基板120が樹脂層130から露出するように、第2のエッチング処理または洗浄処理をさらに行って残膜132を除去してもよい。これにより、基板120が露出される。
なお、樹脂層130に化学増幅型ネガ型レジストである、感光材としてテトラメトキシグリコユリルを含むPVP樹脂を用いるとする。また、インプリント用マスク10の犠牲層110に化学増幅型ポジ型レジストである、感光材としてジアゾメタンを含むPVP樹脂を用いたとする。この場合、紫外領域の光(例えば248nm)を照射することにより、化学増幅型ネガ型レジストは、アルカリ溶液に対して不溶化して硬化し、化学増幅型ポジ型レジストは、アルカリ溶液に溶解する性質を有する。このため、第1のエッチング処理としてアルカリ溶液を用いた場合、硬化した樹脂層130は溶解せずに、犠牲層110の残膜111と、凹部にある樹脂層130の残膜を上述した第1のエッチング処理により一度に除去することができる。これにより、基板120を露出させることができる。
次に、図10に示すように、基板120および樹脂層130上に導電層140aを形成する。例えば、導電層140aとして、スパッタリング法により種となる銅膜の薄膜を形成し、さらに電解めっき法により銅膜を厚く形成する。なお、導電層140aとして、金、銀、ニッケル、パラジウム、錫、タングステンなどの材料を用いてもよい。また、導電層140aの形成方法として、印刷法、無電解めっき法、またはCVD法により形成してもよい。
次に、図11に示すように、導電層140aに対して平坦化処理を行い、配線140を形成する。平坦化処理には、ドライエッチング法、化学機械研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)法、または物理機械研磨法が用いられる。物理機械研磨法には、バフ研磨法、ラップ研磨法、ウェットブラスト法などがある。例えば、導電層140aが銅膜である場合、CMP法を用いることで、平坦な配線を形成することができる。以上の製造方法により、配線基板20が製造される。
なお、上記製造方法は、順次繰り返すことができる。図12に示すように、樹脂層130および配線140上に、第2層となる樹脂層150を形成する。そして、上述した各処理を行うことによって、図13に示すように、樹脂層150内に埋め込まれた導電材料で形成された配線160が形成されることで、配線基板21を製造することができる。図12から図13に至る製造工程については、上述した第1層の場合と同様であるため、その説明を省略する。この例では、樹脂層150に形成された第2層の配線となる配線160は、樹脂層130に形成された第1層の配線である、配線140と電気的に接続されている。なお、配線基板の層数は、2層に限らない。例えば、5層の配線基板を形成する場合には、上記の製造工程を繰り返して、配線が埋め込まれた樹脂層を第5層まで形成すればよい。
(1−4.インプリント用マスク製造方法2)
図5乃至図11に示す配線基板20を製造後のインプリント用マスク10には、図14に示すように犠牲層110のインプリント工程処理後の犠牲層112が残存する。また、剥離したときに、樹脂層130の一部(樹脂層131)がインプリント用マスク10側に付着する場合がある。そのため、図15に示すように、犠牲層112の除去を行う。犠牲層112の除去は、ウェットエッチング法またはドライエッチング法により行うことができる。ウェットエッチング法により除去する場合、犠牲層112のエッチングレートは、所定のエッチング液に対する樹脂層130または構造体100のエッチングレートと比べて高いことが望ましい。例えば、所定のエッチング液としてはアルカリ溶液が用いられる。
図5乃至図11に示す配線基板20を製造後のインプリント用マスク10には、図14に示すように犠牲層110のインプリント工程処理後の犠牲層112が残存する。また、剥離したときに、樹脂層130の一部(樹脂層131)がインプリント用マスク10側に付着する場合がある。そのため、図15に示すように、犠牲層112の除去を行う。犠牲層112の除去は、ウェットエッチング法またはドライエッチング法により行うことができる。ウェットエッチング法により除去する場合、犠牲層112のエッチングレートは、所定のエッチング液に対する樹脂層130または構造体100のエッチングレートと比べて高いことが望ましい。例えば、所定のエッチング液としてはアルカリ溶液が用いられる。
なお、構造体100がガラス材料であり、犠牲層112が紫外線照射後の化学増幅型ポジ型レジストである場合、アルカリ溶液を用いることにより、構造体100にダメージを与えることなく、犠牲層112を除去できる。また、犠牲層112上に樹脂層131が存在したとしても、犠牲層112のエッチングと同時に除去(リフトオフ)することができるため、構造体100は、犠牲層110を形成する前と同様の状態に戻すことができる。
次に、図16に示すように、構造体100上に再度犠牲層110を、構造体100の凹凸を反映するように形成する。犠牲層110の形成方法は、図4に示した場合と同様である。
以上の製造方法により、インプリント工程を複数回行っても安定した品質を有するインプリント用マスクを提供することができる。また、配線パターンを安定して形成することができることから、安定した品質を有する配線基板を製造することができる。
<第2実施形態>
第1実施形態においては、犠牲層110として化学増幅型ポジレジストを用いる例を述べたが、これに限定されない。本実施形態では、犠牲層110として、アルミニウム膜を用いた例を示す。なお、第1実施形態で示したものと同様の方法、材料を用いる場合については、その説明を援用する。
第1実施形態においては、犠牲層110として化学増幅型ポジレジストを用いる例を述べたが、これに限定されない。本実施形態では、犠牲層110として、アルミニウム膜を用いた例を示す。なお、第1実施形態で示したものと同様の方法、材料を用いる場合については、その説明を援用する。
また、アルミニウム膜以外でも、マグネシウム膜、酸化膜などでもよく、所定のエッチング液に対する犠牲層110のエッチグレートが、所定のエッチング液に対する構造体または樹脂層のエッチングレートと比較して高いものであればよい。例えば、アルミニウム膜は、スパッタリング法により形成されるが、蒸着法を用いてもよい。アルミニウム膜は、アルカリ溶液にも溶解し、膜厚を薄くすることで感光材を感光させる波長領域の光(例えば紫外光より短波長側の一部の波長の光)を透過する性質を有することができる。
樹脂層130として化学増幅型ネガ型レジスト材料を用いた場合、紫外光の照射(例えば248nm)により樹脂層130を硬化したとする。この場合、図8に示すように、インプリント用マスク10を剥離後、インプリント用マスク10の表面に樹脂層130の一部(樹脂層131)が付着しても、アルカリ溶液を用いることにより、アルミニウム膜とともに樹脂層131の除去(リフトオフ)が可能である。また、樹脂層130側に、アルミニウム膜が転写されてしまったとしても、アルカリ溶液を用いてエッチング処理することで、残膜132とともに1回のエッチング処理により基板120を露出させることができる。
また、犠牲層110としてアルミニウム膜を用いる場合、樹脂層130には熱硬化樹脂を用いてもよい。熱硬化処理によりアルミニウム膜は反応しない。図6に示すように、インプリント用マスク10を樹脂層130に接触させ加圧する。さらに、図17に示すように、樹脂層130を熱硬化する。次に、図8に示すように、インプリント用マスク10を樹脂層130から剥離する。このとき、インプリント用マスク10に樹脂層131が付着しても、アルカリ溶液を用いることにより、アルミニウム膜とともに樹脂層131を除去することができる。アルミニウム膜が樹脂層130側に転写されても、アルカリ溶液による第1のエッチング処理により、アルミニウム膜を除去することができる。さらに、第2のエッチング処理により、残膜132を除去することができる。なお、熱により樹脂層130を硬化させる場合、構造体100は必ずしも光を透過させる性質を有しなくてもよい。
<第3実施形態>
本実施形態では、第1実施形態、第2実施形態で説明した配線基板を用いた半導体装置について説明する。
本実施形態では、第1実施形態、第2実施形態で説明した配線基板を用いた半導体装置について説明する。
図18は、半導体装置500の断面図である。図18において、半導体装置500は、トランジスタを含むチップ化された半導体回路基板600および半導体回路基板610と、配線基板700と、パッケージ基板800とを有する。半導体回路基板600は、中央演算処理装置(CPU:Central Processing Unit)としての機能を有する。半導体回路基板610は、記憶装置としての機能を有する。配線基板700は、インターポーザとしての機能を有する。半導体回路基板600および半導体回路基板610と、配線基板700とは、金バンプ650などを用いて接続される。また、半導体回路基板600と、半導体回路基板610との間はモールド樹脂によって封止されていてもよい。また、配線基板700と、パッケージ基板800とは、錫、銀などを含むはんだバンプ750などを用いて接続される。また、配線基板700と、パッケージ基板800との間隙には、アンダーフィル樹脂が充填されることにより封止されてもよい。
<第4実施形態>
本実施形態では、第3実施形態において説明した半導体装置500を電気機器に適用した例について説明する。
本実施形態では、第3実施形態において説明した半導体装置500を電気機器に適用した例について説明する。
図19は、電気機器を説明する図である。半導体装置500は、例えば、携帯端末(携帯電話、スマートフォンおよびノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器等)、情報処理装置(デスクトップ型パーソナルコンピュータ、サーバ、カーナビゲーション等)、家庭用電気機器(電子レンジ、エアコン、洗濯機、冷蔵庫)、自動車等、様々な電気機器に搭載される。図19(A)はスマートフォン2000であり、筐体2001、表示部2003、マイク2005、スピーカー2007、ボタン2009、カメラ2011等を有する。図19(B)は携帯用ゲーム機3000であり、筐体3001、表示部3003、表示部3005、ボタン3007、ボタン3009、スピーカー3011、マイク3013、カメラ3015等を有する。図19(C)は、ノート型パーソナルコンピュータ4000であり、筐体4001、表示部4003、キーボード4005、タッチパッド4007、ボタン4009、カメラ4011等を有する。
これらの電気機器において、半導体装置500は、アプリケーションプログラムを実行して各種機能を実現するCPU等で構成される制御部、およびメモリなどで構成される記憶部としての機能を有することができる。
<変形例>
また、本実施形態においては、犠牲層110を用いる例を述べたが、犠牲層110上に離型剤を形成してインプリント用マスク10を用いてもよい。これにより、さらに安定した品質を有するインプリント用マスク10を提供することができる。
また、本実施形態においては、犠牲層110を用いる例を述べたが、犠牲層110上に離型剤を形成してインプリント用マスク10を用いてもよい。これにより、さらに安定した品質を有するインプリント用マスク10を提供することができる。
また、本実施形態においては、基板120上面から光を照射する例を述べたが、基板120の下面から照射してもよい。
10・・・インプリント用マスク、20・・・配線基板、21・・・配線基板、100・・・構造体、110・・・犠牲層、111・・・残膜、112・・・犠牲層、120・・・基板、121・・・凹部、130・・・樹脂層、131・・・樹脂層、132・・・残膜、140・・・配線、140a・・・導電層、150・・・樹脂層、160・・・配線、500・・・半導体装置、600・・・半導体回路基板、610・・・半導体回路基板、650・・・金バンプ、700・・・配線基板、750・・・はんだバンプ、800・・・パッケージ基板、900・・・制御部、2000・・・スマートフォン、2001・・・筐体、2003・・・表示部、2005・・・マイク、2007・・・スピーカー、2009・・・ボタン、2011・・・カメラ、3000・・・携帯用ゲーム機、3001・・・筐体、3003・・・表示部、3005・・・表示部、3007・・・ボタン、3009・・・ボタン、3011・・・スピーカー、3013・・・マイク、3015・・・カメラ、4000・・・ノート型パーソナルコンピュータ、4001・・・筐体、4003・・・表示部、4005・・・キーボード、4007・・・タッチパッド、4009・・・ボタン、4011・・・カメラ
Claims (23)
- 表面に凹凸を有する構造体と、
前記構造体の前記表面上に配置され、前記凹凸を反映した表面形状を有する犠牲層と、
を具備し、
前記犠牲層は、ポジ型の感光材を含む樹脂である、
インプリント用マスク。 - 表面に凹凸を有する構造体と、
前記構造体の前記表面上に配置され、前記凹凸を反映した表面形状を有する犠牲層と、
を具備し、
所定のエッチング液に対する前記犠牲層のエッチングレートは、前記所定のエッチング液に対する樹脂材料または前記構造体のエッチングレートと比べて高い、
インプリント用マスク。 - 前記所定のエッチング液は、アルカリ溶液である、
請求項2に記載のインプリント用マスク。 - 前記構造体および前記犠牲層は、感光材を感光させる、紫外光より短波長側の一部の波長の光を透過する、
請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のインプリント用マスク。 - 前記構造体は、ガラス、石英、または樹脂材料を含む、
請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のインプリント用マスク。 - 前記犠牲層の厚さは、10nm以上100nm未満である、
請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のインプリント用マスク。 - 基板上に樹脂層を形成し、
表面に凹凸を有する構造体と、前記構造体の前記表面上に配置され、前記凹凸を反映した表面形状を有する犠牲層とを有する、インプリント用マスクを、前記樹脂層に接触させて加圧し、
前記樹脂層に対して硬化処理を行い、
前記インプリント用マスクを前記樹脂層から剥離し、
前記インプリント用マスクによって前記樹脂層に形成された凹部内の一部において、前記基板を前記樹脂層から露出させるエッチング処理を行い、
前記樹脂層に形成された前記凹部に配線を形成することを含む、
配線基板の製造方法。 - 前記エッチング処理は、前記犠牲層を除去する第1のエッチング処理と、前記樹脂層を除去する第2のエッチング処理とをすることを含む、
請求項7に記載の配線基板の製造方法。 - 前記エッチング処理は、前記犠牲層および前記樹脂層を除去する第1のエッチング処理を含む、
請求項7に記載の配線基板の製造方法。 - 前記第1のエッチング処理は、アルカリ溶液を用いて行う、
請求項9に記載の配線基板の製造方法。 - 前記硬化処理は、光照射を含む、
請求項7乃至請求項10のいずれかに記載の配線基板の製造方法。 - 前記樹脂層は、ネガ型の感光材を含み、
前記犠牲層は、ポジ型の感光材を含む樹脂である、
請求項7乃至請求項11のいずれかに記載の配線基板の製造方法。 - 前記犠牲層の膜厚は、10nm以上100nm未満である、
請求項7乃至請求項12のいずれかに記載の配線基板の製造方法。 - 表面に凹凸を有する構造体と、前記構造体の前記表面上に配置され、前記凹凸を反映した表面形状を有する第1犠牲層とを有する、インプリント用マスクから前記第1犠牲層を除去し、
前記インプリント用マスクの表面上に、前記表面の凹凸を反映するように第2犠牲層を形成する、
インプリント用マスクの製造方法。 - 前記第1犠牲層を除去する前に、
前記インプリント用マスクを樹脂層に接触させて加圧し、
前記インプリント用マスクおよび前記樹脂層に光を照射し、
前記インプリント用マスクを前記樹脂層から剥離することを含む、
請求項14に記載のインプリント用マスクの製造方法。 - 前記第1犠牲層および前記第2犠牲層の少なくとも一方は、ポジ型の感光材を含んだ樹脂材料である、
請求項15に記載のインプリント用マスクの製造方法。 - 前記第1犠牲層は、アルカリ溶液を用いたエッチングにより除去されることを含む、
請求項15または請求項16に記載のインプリント用マスクの製造方法。 - 前記第2犠牲層は、ラングミュア・ブロジェット法により形成される、
請求項14乃至請求項17のいずれかに記載のインプリント用マスクの製造方法。 - 前記第2犠牲層は、静電噴霧法により形成される、
請求項14乃至請求項17のいずれかに記載のインプリント用マスクの製造方法。 - 前記第2犠牲層は、真空蒸着法により形成される、
請求項14乃至請求項17のいずれかに記載のインプリント用マスクの製造方法。 - 前記第2犠牲層は、CVD法により形成される、
請求項14乃至請求項17のいずれかに記載のインプリント用マスクの製造方法。 - 前記第1犠牲層および前記第2犠牲層の少なくとも一方の膜厚は、10nm以上100nm未満である、
請求項14乃至請求項21のいずれかに記載のインプリント用マスクの製造方法。 - 表面に凹凸を有する構造体と、前記構造体の前記表面上に配置され、前記凹凸を反映した表面形状を有する第1犠牲層とを有する、インプリント用マスクから前記第1犠牲層を除去し、
前記インプリント用マスクの表面に、前記表面の凹凸を反映するように第2犠牲層を形成する、
インプリント用マスクの再生方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016174517A JP2018041826A (ja) | 2016-09-07 | 2016-09-07 | インプリント用マスク、配線基板の製造方法、およびインプリント用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016174517A JP2018041826A (ja) | 2016-09-07 | 2016-09-07 | インプリント用マスク、配線基板の製造方法、およびインプリント用マスクの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018041826A true JP2018041826A (ja) | 2018-03-15 |
Family
ID=61626466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016174517A Pending JP2018041826A (ja) | 2016-09-07 | 2016-09-07 | インプリント用マスク、配線基板の製造方法、およびインプリント用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2018041826A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020088012A (ja) * | 2018-11-16 | 2020-06-04 | 信越ポリマー株式会社 | 配線シート及びその製造方法 |
-
2016
- 2016-09-07 JP JP2016174517A patent/JP2018041826A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020088012A (ja) * | 2018-11-16 | 2020-06-04 | 信越ポリマー株式会社 | 配線シート及びその製造方法 |
JP7175166B2 (ja) | 2018-11-16 | 2022-11-18 | 信越ポリマー株式会社 | 配線シート及びその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6911982B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5638463B2 (ja) | パターン転写方法 | |
JP4306540B2 (ja) | 半導体基板の薄型加工方法 | |
US9245765B2 (en) | Apparatus and method of applying a film to a semiconductor wafer and method of processing a semiconductor wafer | |
JP2018041826A (ja) | インプリント用マスク、配線基板の製造方法、およびインプリント用マスクの製造方法 | |
JP2021177546A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US10813231B2 (en) | Method for manufacturing circuit board | |
TWI669034B (zh) | 印刷電路板結構及其形成方法 | |
US7597813B2 (en) | Element substrate and method of manufacturing the same | |
JP4344954B2 (ja) | 素子基板の製造方法 | |
CN112259466A (zh) | 一种重新布线层的制备方法 | |
JP3781118B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
CN212434616U (zh) | 半导体结构 | |
KR101341634B1 (ko) | 비지에이 패키지에 사용되는 회로 기판 | |
JP2018026464A (ja) | 配線基板、半導体装置および配線基板の製造方法 | |
TW202025870A (zh) | 電路板及其製作方法 | |
KR102396144B1 (ko) | 글래스 인터포저 제조 방법 | |
KR101023950B1 (ko) | 전도성 폴리머 범프를 갖는 칩 및 그 제조방법과, 칩을 구비한 전자부품 및 그 제조방법 | |
US11322377B2 (en) | Stacking structure applicable to manufacturing circuit board | |
KR100782403B1 (ko) | 회로기판 제조방법 | |
JP2006019316A (ja) | パターン形成方法及び薄膜の作製方法 | |
JP7119307B2 (ja) | 半導体装置製造用部材の製造方法 | |
JP2018006476A (ja) | 配線板の製造方法 | |
JP2005183512A (ja) | 導電部の転写方法及び配線基板の製造方法 | |
JP2022103270A (ja) | 半導体装置製造用部材の製造方法 |