JP2005183512A - 導電部の転写方法及び配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 導電部の転写方法及び配線基板の製造方法に関して、信頼性の向上を図ることにある。
【解決手段】 導電部の転写方法は、（ａ）第１の転写用基板の下地電極に第１の導電部を形成すること、（ｂ）第１の導電部を製品用基板に形成される第２の導電部に金属接合させることによって、製品用基板に転写すること、を含む。
【選択図】 図４

Description

本発明は、導電部の転写方法及び配線基板の製造方法に関する。

導電部を転写させることによって、製品用基板に配線（電極）を形成することが知られている。例えば、あらかじめ転写用基板に第１の導電部をめっき処理によって形成し、その第１の導電部を製品用基板に転写する。製品用基板には下地となる第２の導電部が形成されており、第１の導電部を第２の導電部に接続する。従来、その接続には接着材料を使用していたので、接着材料の厚み、はみ出し及び気泡などが問題となっていた。また、接着材料による接続では充分な接合強度を得ることができなかった。

本発明の目的は、導電部の転写方法及び配線基板の製造方法に関して、信頼性の向上を図ることにある。
特開平９−６４５４８号公報

（１）本発明に係る導電部の転写方法は、
（ａ）第１の転写用基板の下地電極に第１の導電部を形成すること、
（ｂ）前記第１の導電部を製品用基板に形成される第２の導電部に金属接合させることによって、前記製品用基板に転写すること、
を含む。本発明によれば、第１の導電部を製品用基板の第２の導電部に金属接合させることによって、製品用基板に転写する。第１及び第２の導電部は金属接合するため、接着材料による接続に比べて、充分な接合強度を得ることができる。また、接着材料を使用しないので、接着材料の厚み、はみ出し及び気泡の発生などの問題を解消することができる。したがって、信頼性の向上を図ることができる。
（２）この導電部の転写方法において、
前記第１の導電部は、第１の金属層を含み、
前記（ａ）工程で、前記第１の金属層を、めっき処理することによって前記下地電極に形成してもよい。これによれば、容易に所定の厚みを有する金属層を形成することができる。
（３）この導電部の転写方法において、
前記第１の導電部は、第２の金属層をさらに含み、
前記（ａ）工程で、前記第２の金属層を前記第１の金属層の表面に積層してもよい。これによれば、例えば、第２の金属層として、金属接合に適した材料を選定することができる。
（４）この導電部の転写方法において、
前記（ａ）工程で、前記第１の金属層の表面を研磨してもよい。これによれば、第１の金属層の高さをほぼ均一にすることができる。
（５）この導電部の転写方法において、
前記（ａ）工程で、前記第１の転写用基板の前記下地電極にレジスト層をパターニングし、前記レジスト層からの開口部に、前記第１の金属層を析出させてもよい。これによれば、所定形状の第１の金属層を形成することができる。
（６）この導電部の転写方法において、
前記（ａ）工程で、前記レジスト層を残した状態で、前記第１の金属層の表面を研磨してもよい。これによれば、第１の金属層を損傷させることなく、安定した状態で研磨することができる。
（７）この導電部の転写方法において、
前記（ａ）工程で、前記第１の金属層を前記レジスト層よりも高くなるように研磨してもよい。これによれば、例えば、転写工程を、レジスト層を残した状態で行うことが可能になる。
（８）この導電部の転写方法において、
前記（ｂ）工程は、
（ｂ_１）前記第１の導電部を、前記第１の転写用基板から第２の転写用基板に転写して、前記第１の転写用基板から剥離すること、
（ｂ_２）前記第１の導電部を、前記第２の転写用基板から第３の転写用基板に転写して、前記第２の転写用基板から剥離すること、
（ｂ_３）前記第１の導電部を、前記第３の転写用基板から前記製品用基板に転写して、前記第３の転写用基板から剥離すること、
を含んでもよい。
（９）この導電部の転写方法において、
前記第２の転写用基板は、接着性を有するエネルギー硬化型の樹脂シートであり、
前記（ｂ_２）工程で、前記第２の転写用基板にエネルギーを加えて接着力を低下させ、前記第１の導電部を前記第２の転写用基板から剥離してもよい。これによれば、容易に剥離することができる。
（１０）この導電部の転写方法において、
前記（ｂ_２）工程で、
前記第２の転写用基板を、それぞれに前記第１の導電部が位置するように複数の分割領域に分割し、
前記複数の分割領域を前記第１の導電部の配列が変更するように再配置して、前記第１の導電部を前記第３の転写用基板に転写してもよい。
（１１）この導電部の転写方法において、
前記第３の転写用基板は、接着性を有する金属シートであり、
前記（ｂ_３）工程で、前記第３の転写用基板を加圧及び加熱することによって、前記第１の導電部を前記第２の導電部に金属接合してもよい。これによれば、例えば第１の導電部を、製品として使用する寸法よりも縮小したピッチで、第１の転写用基板に形成することができる。したがって、第１の転写用基板のスペースを有効活用して、第１の導電部を形成することができる。
（１２）この導電部の転写方法において、
いずれかの前記転写工程で、
いずれか一方の基板に凸部が形成され、
他方の基板に穴が形成され、
前記凸部を前記穴に挿入することによって基板同士の位置決めを行ってもよい。これによれば、基板同士の位置決めを正確に行うことができる。
（１３）この導電部の転写方法によって、前記製品用基板に配線を形成してもよい。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。

図１（Ａ）〜図５は、本発明の実施の形態に係る導電部の転写方法（配線基板の製造方法）を説明する図である。

図１（Ａ）に示すように、第１の転写用基板１０を用意する。第１の転写用基板１０はガラス基板又はシリコン基板であってもよい。本実施の形態では、めっき処理を行うので、第１の転写用基板１０は、めっき液に対する耐性を有する材料からなる。

第１の転写用基板１０には、下地電極１２が形成されている。第１の転写用基板１０の全面に下地電極１２を形成してもよい。下地電極１２は、ニッケル又はクロムを含む金属から形成してもよい。例えば、スパッタ又は蒸着によって、下地電極１２を第１の転写用基板１０に形成する。下地電極１２は、後の工程で、その上に形成する第１の導電部２０から剥離する。ニッケルから下地電極１２を形成する場合には、ニッケルの表面に酸化皮膜を形成してもよい。こうすることで、下地電極１２を第１の導電部２０から剥離しやすくすることができる。クロムから下地電極１２を形成すれば、酸化皮膜を形成しなくても、第１の導電部２０からの剥離が容易になるので製造プロセスの簡略化を図ることができる。

第１の転写用基板１０（下地電極１２）に、第１の導電部２０を形成する（図２（Ｂ）参照）。第１の導電部２０は導電パターンであり、第１の転写用基板１０に複数の導電パターンを形成してもよい。第１の導電部２０の形成工程は、めっき処理の工程を含む。本実施の形態では、フォトリソグラフィ技術を適用する。

図１（Ａ）に示すように、下地電極１２にレジスト層１４を形成する。レジスト層１４は感光性材料からなる。レジスト層１４として、ドライフィルムを使用してもよいし、液状の材料を使用してもよい。レジスト層１４は、第１の転写用基板１０の全面に形成した後に露光する。レジスト層１４がポジ型であれば光の照射された部分の溶解性が増加して可溶性となり、ネガ型であれば光の照射された部分の溶解性が減少して不溶性となる。その後、現像することによって、レジスト層１４の溶解性部分を除去し、所定形状にパターニングする。パターニングされて形成されたレジスト層１４の開口部１６からは、下地電極１２が露出している。レジスト層１４の厚みは、例えば１０μｍ〜２００μｍ程度であってもよい。

図１（Ｂ）に示すように、下地電極１２に第１の導電部２０の一部（第１の金属層２２）を形成する。第１の金属層２２は、図１（Ｂ）に示すように単一層で形成してもよい。第１の金属層２２は、めっき処理によって、下地電極１２上に析出させる。めっき処理によれば、スパッタ又は蒸着よりも容易に所定の厚みを有する金属層を形成することができる。したがって、信号系配線の形成のみならず、電源系配線の形成にも適している。めっき処理として、電気めっき法（電鋳法）又は無電解めっき法を適用してもよい。第１の転写用基板１０をめっき浴に浸し、レジスト層１４からの開口部１６に、第１の金属層２２を析出させる。第１の金属層２２は、レジスト層１４の上面よりも高くなるように析出させる。あるいは、第１の金属層２２は、レジスト層１４の面とほぼ同一又はその面よりも低くなるように析出させてもよい。第１の金属層２２は、ニッケル層（ニッケルを含む金属からなる層）又は銅層（銅を含む金属からなる層）であってもよい。

変形例として、第１の金属層２２を複数層で形成してもよい。下地電極１２上に金層（金を含む金属からなる層）を形成した後、ニッケル層又は銅層を積層させてもよい。あるいは、下地電極１２上に低融点金属のロウ層（例えばスズ層（スズを含む金属からなる層））を形成し、ロウ層上に金層を積層させ、金層上にニッケル層又は銅層を積層させてもよい。金層は、例えば０．１〜１．０μｍ程度の厚みで形成する。金層又はロウ層は、開口部１６に形成し、めっき処理によって形成してもよい。これらによれば、金層又はロウ層は金属接合に適しているため、転写後の最終製品において、第１の導電部２０の下地電極１２側の面に対する金属接合が達成しやすくなる。

図１（Ｃ）に示すように、必要があれば、第１の金属層２２の表面（上面）を研磨してもよい。レジスト層１４を残した状態で、第１の金属層２２を研磨してもよい。こうすることで、第１の金属層２２を損傷させることなく、安定した状態で研磨することができる。レジスト層１４の表面も研磨してもよい。変形例として、レジスト層１４を除去し、第１の金属層２２のみを研磨してもよい。研磨方法は、機械的方法、化学的方法、化学的機械的方法（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing method）などのいずれの方法を適用してもよい。半導体装置の製造で使用される研磨方法を適用してもよい。図１（Ｃ）に示すように、研磨ツール１８を第１の金属層２２上にセットし、砥石又はダイヤモンド材などの研磨部１９によって、第１の金属層２２を機械的に研磨してもよい。研磨部１９は第１の金属層２２の高さ方向（Ｚ方向）を軸として回転し、第１の転写用基板１０を支持するテーブル（図示しない）をＸＹ方向に移動させることによって、第１の金属層２２の表面を均一に研磨することができる。研磨工程を行うことで、第１の金属層２２の高さをほぼ均一（例えばばらつきを高さの１％の範囲内）にすることができる。研磨工程後の第１の金属層２２の高さは、レジスト層１４よりも高くてもよい。こうすることで、後述の転写工程を、レジスト層１４を残した状態で行うことが可能になる。

研磨工程を真空中又は不活性ガス中において行ってもよい。こうすることで、第１の金属層２２の新しく露出する新生面が酸化するのを防止することができる。したがって、第１の金属層２２が酸化皮膜で覆われるのを防止でき、第１の金属層２２と、第１の金属層２２上に形成する第２の金属層２４（図２（Ａ）参照）との密着力を高めることができる。

図２（Ａ）に示すように、必要があれば、第１の金属層２２上に第２の金属層２４を形成する。第２の金属層２４は複数層で形成してもよい。例えば、第１の金属層２２上に金層を形成し、金層上にロウ層（例えばスズ層）を積層させてもよい。あるいは、第１の金属層２２上に金層を形成することによって、単一層の第２の金属層２４を形成してもよい。第２の金属層２４は、スパッタ又は蒸着によって形成することができる。これによれば、金層又はロウ層は金属接合に適しているため、転写後の最終製品において、第１の導電部２０の下地電極１２とは反対側の面に対する金属接合が達成しやすくなる。

図２（Ｂ）に示すように、レジスト層１４を除去する。例えば水酸化ナトリウムなどの溶液を使用して、レジスト層１４を除去することができる。こうして、第１の転写用基板１０（下地電極１２）に第１の導電部２０（第１及び第２の金属層２２，２４）を形成する。

次に、第１の導電部２０の転写工程を行う。本実施の形態で説明するように、複数回の転写工程を行ってもよい。あるいは、転写工程の回数は限定されず、例えば、１回の転写工程で第１の転写用基板１０から後述の製品用基板に、第１の導電部２０を転写してもよい。

図３（Ａ）に示すように、第１の導電部２０を、第１の転写用基板１０から第２の転写用基板３０に転写する。第２の転写用基板３０は接着性（例えば接着力５ｋｇ／ｃｍ^２以上）を有する。第２の転写用基板３０は、エネルギー硬化型（例えば光硬化型又は熱硬化型）の樹脂シート（例えばＰＥＴシート）であってもよい。すなわち、エネルギー硬化型の樹脂シートは、エネルギーが加えられると硬化してその接着性が低下する。例えば、第２の転写用基板３０として、紫外線硬化型の樹脂シートを使用する。第２の転写用基板３０を第１の導電部２０に貼り付ける。第２の転写用基板３０がフレキシブル性を有する場合には、撓まないように引っ張り応力を加えながら貼り付ける。また、貼り付けるときに、ツール（例えばローラ）２６によって、第２の転写用基板３０を第１の導電部２０に加圧してもよい。第１の導電部２０を第２の転写用基板３０に貼り付けた後、第１の転写用基板１０を第１の導電部２０から剥離する。詳しくは、第１の導電部２０を下地電極１２から剥離する。

こうして、図３（Ｂ）に示すように、第２の転写用基板３０に第１の導電部２０を配置することができる。図３（Ｂ）に示す例では、第２の金属層２４の面が第２の転写用基板３０側を向いて貼り付けられている。

図３（Ｃ）に示すように、第１の導電部２０を、第２の転写用基板３０から第３の転写用基板４０に転写する。第３の転写用基板４０は接着性を有する。第３の転写用基板４０は一方の面に接着材料が設けられた金属シートであってもよい。第３の転写用基板４０を第１の導電部２０に貼り付ける。上述したように、第３の転写用基板４０がフレキシブル性を有する場合には引っ張り応力を加えながら貼り付けてもよく、また、ツールを使用して第３の転写用基板４０を第１の導電部２０に加圧してもよい。第１の導電部２０を第３の転写用基板４０に貼り付けた後、第２の転写用基板３０を剥離する。エネルギー硬化型の樹脂シートであれば、エネルギーを加えることによって、第２の転写用基板３０の接着力を低下（喪失）させた後に剥離する。紫外線硬化型の樹脂シートであれば、紫外線を照射することによって、第２の転写用基板３０の接着力を低下（喪失）させた後に剥離する。これによれば、容易に剥離することができる。

こうして、図４（Ａ）に示すように、第３の転写用基板４０に第１の導電部２０を配置することができる。図４（Ａ）に示す例では、第２の金属層２４の面が第３の転写用基板４０とは反対側を向いて貼り付けられている。第３の転写用基板４０には、穴４２が形成されていてもよい。穴４２は、貫通穴であってもよいし、凹部となっていてもよい。穴４２は転写工程での位置決めに使用される。

図４（Ｂ）に示すように、第１の導電部２０を、第３の転写用基板４０から製品用基板５０に転写する。製品用基板５０は、ガラス基板又はシリコン基板などの無機系の材料からなるものであってもよいし、樹脂基板などの有機系の材料からなるものであってもよい。製品用基板５０の表面は、図示するように平面（水平面又は斜面）であってもよいし、曲面であってもよいし、凹凸をなしていてもよい。第３の転写用基板４０がフレキシブル性を有していれば、製品用基板５０の表面形状に追従させて、第１の導電部２０を転写することができる。

製品用基板５０には、第２の導電部５２が形成されており、第１の導電部２０を第２の導電部５２に転写する。第２の導電部５２は複数の導電パターンになっていてもよい。第２の導電部５２は複数層から形成してもよいし、単一層から形成してもよい。第２の導電部５２は、ロウ層又は金層のいずれか一層で形成してもよいし、金層の上にロウ層を積層して形成してもよい。第２の導電部５２は、スパッタ又は蒸着によって形成することができる。

製品用基板５０には凸部（例えばピン）５４が形成され、凸部５４を第３の転写用基板４０の穴４２に挿入することによって、第３の転写用基板４０と製品用基板５０との位置決めを行ってもよい。こうすることで、両者の位置決めを正確に行うことができる。特に、第３の転写用基板（例えば金属シート）４０が不透明であることなどにより、視認による位置合わせが難しい場合に効果的である。なお、上述の凸部を穴に挿入する位置決めは、第１及び第２の転写用基板１０，３０の転写工程において適用してもよいし、第２及び第３の転写用基板３０，４０の転写工程において適用してもよい。

図４（Ｃ）に示すように、第１の導電部２０と第２の導電部５２を金属接合する。第１及び第２の導電部２０，５２の少なくともいずれか一方にロウ層（例えばスズ層）が設けられている場合には、両者をロウ接合してもよい。あるいは、第１及び第２の導電部２０，５２の両方に金層が設けられている場合には、両者を熱圧着して接合してもよい。本実施の形態では、製品用基板５０への転写工程では接着材料を使用しない。

金属接合では、第１の導電部２０を加圧及び加熱する。ツール６０によって、第３の転写用基板４０を加圧（例えば０．２〜０．４ＭＰａ程度）及び加熱（例えば２５０〜３００℃程度）してもよい。加圧力、加熱温度及び時間は、第１及び第２の導電部２０，５２の接合条件などを考慮して選定すればよい。第３の転写用基板４０が金属シートであれば、樹脂シートである場合に比べて耐熱性に優れ、寸法収縮が少ない（位置決めの誤差が少ない）ので好ましい。ツール６０の加圧面は平面であってもよい。あるいは、ツール６０はローラであり、加圧面が曲面になっていてもよい。金属接合が終了したら、第３の転写用基板４０を第１の導電部２０から剥離する。

こうして、図５に示すように、製品用基板５０（第２の導電部５２）に第１の導電部２０を配置することができる。第１及び第２の導電部２０，５２は、配線（例えば配線の一部）であってもよい。すなわち、製品用基板５０と、配線（第１及び第２の導電部２０，５２）と、を含む配線基板１００を製造してもよい。配線基板１００は、集積回路が形成された半導体チップ又は半導体ウエハであってもよいし、半導体パッケージのインターポーザであってもよいし、各種の電子部品を実装する回路基板（例えばマザーボード）であってもよい。あるいは、配線基板１００は、液晶などの電気光学パネルに接続する駆動ＩＣを搭載するための、ＣＯＦ（Chip On Film）用テープ又はＴＡＢ（Tape Automated Bonding）用テープであってもよい。配線基板１００の用途は限定されない。

図６には配線基板の一例として、電磁波応答装置が示されている。電磁波応答装置は、例えば非接触型ＩＣカード（又はＲＦ（Radio Frequency）カード）であってもよく、無線タグであってもよい。電磁波応答装置は、上述の製品用基板５０と、配線（アンテナ）１１０と、を有し、配線１１０の一部が電気的接続部１２０となっている。上述の導電部の転写方法を適用して、第１及び第２の導電部２０，５２からなる電気的接続部１２０を形成してもよい。電磁波応答装置には、集積回路チップ（図示しない）が搭載される。集積回路チップは、電気的接続部１２０に電気的に接続される。

本実施の形態によれば、第１の導電部２０を製品用基板５０の第２の導電部５２に金属接合させることによって、製品用基板５０に転写する。第１及び第２の導電部２０，５２は金属接合するため、接着材料による接続に比べて、充分な接合強度を得ることができる。また、接着材料を使用しないので、接着材料の厚み、はみ出し及び気泡の発生などの問題を解消することができる。したがって、信頼性の向上を図ることができる。

本実施の形態の変形例として、図３（Ｂ）に示すように第１の導電部２０を第２の転写用基板３０に転写した後、第２の転写用基板３０をそれぞれに第１の導電部２０が位置するように複数の分割領域し、複数の分割領域を第１の導電部２０の配列が変更するように再配置して、第１の導電部２０を第３の転写用基板４０に転写してもよい。こうすることで、例えば第１の導電部２０を、製品として使用する寸法よりも縮小したピッチで、第１の転写用基板１０に形成することができる。したがって、第１の転写用基板１０のスペースを有効活用して、第１の導電部２０を形成することができる。あるいは、上述の逆で、第１の導電部２０を、製品として使用する寸法よりも拡大したピッチで、第１の転写用基板１０に形成することもできる。なお、上述の第２の転写用基板３０に対しての再配置の工程は、第３の転写用基板４０に対して行ってもよい。

本実施の形態の変形例として、上述のいずれかの転写工程で、いずれか一方がフレキシブル基板である場合には、リール・トゥ・リール搬送を適用してもよい。リール・トゥ・リール搬送は、半導体装置の製造で使用されるものを適用してもよい。

本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

図１（Ａ）〜図１（Ｃ）は、本発明の実施の形態に係る導電部の転写方法を示す図である。 図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、本発明の実施の形態に係る導電部の転写方法を示す図である。 図３（Ａ）〜図３（Ｃ）は、本発明の実施の形態に係る導電部の転写方法を示す図である。 図４（Ａ）〜図４（Ｃ）は、本発明の実施の形態に係る導電部の転写方法を示す図である。 図５は、本発明の実施の形態に係る導電部の転写方法を示す図である。 図６は、本発明の実施の形態に係る配線基板の一例を示す図である。

符号の説明

１０…第１の転写用基板 １２…下地電極 １４…レジスト層 １６…開口部
２０…第１の導電部 ２２…第１の金属層 ２４…第２の金属層
３０…第２の転写用基板 ４０…第３の転写用基板 ５０…製品用基板
５２…第２の導電部 ５４…凸部 １００…配線基板 １１０…配線

Claims (13)

1. （ａ）第１の転写用基板の下地電極に第１の導電部を形成すること、
   （ｂ）前記第１の導電部を製品用基板に形成される第２の導電部に金属接合させることによって、前記製品用基板に転写すること、
   を含む導電部の転写方法。
2. 請求項１記載の導電部の転写方法において、
   前記第１の導電部は、第１の金属層を含み、
   前記（ａ）工程で、前記第１の金属層を、めっき処理することによって前記下地電極に形成する導電部の転写方法。
3. 請求項１又は請求項２記載の導電部の転写方法において、
   前記第１の導電部は、第２の金属層をさらに含み、
   前記（ａ）工程で、前記第２の金属層を前記第１の金属層の表面に積層する導電部の転写方法。
4. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の導電部の転写方法において、
   前記（ａ）工程で、前記第１の金属層の表面を研磨する導電部の転写方法。
5. 請求項１から請求項４のいずれかに記載の導電部の転写方法において、
   前記（ａ）工程で、前記第１の転写用基板の前記下地電極にレジスト層をパターニングし、前記レジスト層からの開口部に、前記第１の金属層を析出させる導電部の転写方法。
6. 請求項４を引用する請求項５記載の導電部の転写方法において、
   前記（ａ）工程で、前記レジスト層を残した状態で、前記第１の金属層の表面を研磨する導電部の転写方法。
7. 請求項６記載の導電部の転写方法において、
   前記（ａ）工程で、前記第１の金属層を前記レジスト層よりも高くなるように研磨する導電部の転写方法。
8. 請求項１から請求項７のいずれかに記載の導電部の転写方法において、
   前記（ｂ）工程は、
   （ｂ_１）前記第１の導電部を、前記第１の転写用基板から第２の転写用基板に転写して、前記第１の転写用基板から剥離すること、
   （ｂ_２）前記第１の導電部を、前記第２の転写用基板から第３の転写用基板に転写して、前記第２の転写用基板から剥離すること、
   （ｂ_３）前記第１の導電部を、前記第３の転写用基板から前記製品用基板に転写して、前記第３の転写用基板から剥離すること、
   を含む導電部の転写方法。
9. 請求項８記載の導電部の転写方法において、
   前記第２の転写用基板は、接着性を有するエネルギー硬化型の樹脂シートであり、
   前記（ｂ_２）工程で、前記第２の転写用基板にエネルギーを加えて接着力を低下させ、前記第１の導電部を前記第２の転写用基板から剥離する導電部の転写方法。
10. 請求項８又は請求項９記載の導電部の転写方法において、
    前記（ｂ_２）工程で、
    前記第２の転写用基板を、それぞれに前記第１の導電部が位置するように複数の分割領域に分割し、
    前記複数の分割領域を前記第１の導電部の配列が変更するように再配置して、前記第１の導電部を前記第３の転写用基板に転写する導電部の転写方法。
11. 請求項８から請求項１０のいずれかに記載の導電部の転写方法において、
    前記第３の転写用基板は、接着性を有する金属シートであり、
    前記（ｂ_３）工程で、前記第３の転写用基板を加圧及び加熱することによって、前記第１の導電部を前記第２の導電部に金属接合する導電部の転写方法。
12. 請求項１から請求項１１のいずれかに記載の導電部の転写方法において、
    いずれかの前記転写工程で、
    いずれか一方の基板に凸部が形成され、
    他方の基板に穴が形成され、
    前記凸部を前記穴に挿入することによって基板同士の位置決めを行う導電部の転写方法。
13. 請求項１から請求項１２のいずれかに記載の導電部の転写方法によって、前記製品用基板に配線を形成する配線基板の製造方法。

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