JP2006013030A - 回路基板用部材およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】補強板、有機物層、可撓性フィルム、金属層がこの順に積層された回路基板用部材であって、金属層を30μmピッチ以下のパターンに形成し、得られた配線パターンの金属表面に高さが1μm以上50μm以下の突起部を設けた回路基板用部材。
【選択図】 図2
Description
(1)補強板、有機物層、可撓性フィルム、金属層がこの順に積層された回路基板用部材であって、金属層を30μmピッチ以下のパターンに形成し、得られた配線パターンの金属表面に高さが1μm以上50μm以下の突起部を設けた回路基板用部材。
(2)絶縁層と導体配線層が交互に複数積層され、各導体配線層が絶縁層を厚さ方向に横切ってスルーホールもしくはビアにより電気的に接続され、最表層に導体配線層が露出している多層回路基板を、有機物層を介して補強板に積層された回路基板用部材であって、多層回路基板の配線パターン表面に突起部が設けられている前記(1)記載の回路基板用部材。
(3)前記(1)または(2)記載の回路基板用部材の補強板を剥離し、得られるフレキシブル回路基板。
(4)補強板、有機物層、可撓性フィルム、金属層がこの順に積層された回路基板用部材の製造方法であって
[1]可撓性フィルムの表面に第1金属層を形成する工程と、
[2]可撓性フィルムを有機物層を介して補強板に貼り合わせる工程と、
[3]第1金属層の表面に金属配線パターン用の第1のめっきレジスト膜(第1めっきレジスト膜)を設け、電解めっきによって第2金属層のパターンを形成する工程と、
[4]第1めっきレジスト膜及び第2金属層の上にめっきにより形成する突起部用の第2めっきレジスト膜(第2めっきレジスト膜)を設け、電解めっきによって突起部を第3金属層で形成する工程と、
[5]第1及び第2めっきレジスト膜を剥離した後、エッチング液によって露出した第1金属層を除去する工程を有することを特徴とする前記(1)または(2)記載の回路基板用部材の製造方法。
また、突起部とICバンプの両方の断面形状が微細ピッチ形成に有利な低アスペクト比になるためには、突起部とICバンプの高さがほぼ同じであることが必要となる。例えばICと回路基板の距離が10μmであるとき、突起部の高さが5μmに近い値で微細ピッチに一番有利な形状であるといえる。ICと回路基板の距離は8μmから50μmであるため、突起部の高さは突起部の高さとICバンプ高さの和の半分である4μm以上、25μm以下であることがさらに好ましい。
本発明の一実施形態である補強板、有機物層、可撓性フィルム、金属層がこの順に積層された回路基板用部材であって、金属層表面に突起部が設けられている回路基板用部材の一例を図1、図2、図3を用いて以下に説明する。
補強板、有機物層、多層回路基板がこの順に積層された回路基板用部材であって、多層回路基板の配線表面に突起部が設けられている回路基板用部の一例を図4を用いて以下に説明する。
その後、孔内と配線116をセミアディティブ法にて同時形成した。これ以後は、実施例1と同様にして回路基板用部材を得た(図4)。
補強板、有機物層、多層回路基板がこの順に積層された回路基板用部材であって、多層回路基板の配線表面に突起部が設けられている回路基板用部の一例を図5を用いて以下に説明する。
その後、孔内と配線116をセミアディティブ法にて同時形成した。このとき孔内は銅めっきにて充填するビアフィル用の電解銅めっき液を用いた。
電解金めっきバンプ201として突起部を1μmの厚さに形成した以外は、実施例1と同様にして回路基板用部材を得た。このとき25μmピッチで厚さ9μmの金バンプ302のあるICチップ301を加熱圧着したところ、金バンプ302と突起部201のセンターの位置ズレを1μm以下で接合することができた(図3)。これによりICチップと回路基板の距離を10μm離すことが出来るため、接続信頼性に優れた25μmピッチの端子接続が可能となった。
10μm×50μmの長方形の接合パッド金属膜106上レジスト厚55μmでφ35μmの円形の開口部を千鳥状に配置して形成し(図7)、この開口部に電解金めっきバンプ201として突起部を50μmの厚さに形成した以外は、実施例1と同様にして回路基板用部材を得た。このとき25μmピッチで厚さ1μmの金バンプ302が金バンプ201と同様に千鳥状に配置されたICチップ301を加熱圧着したところ、金バンプ302と突起部201のセンターの位置ズレを1μm以下で接合することができた(図3)。これによりICチップと回路基板の距離を51μm離すことが出来るため、接続信頼性に非常に優れた25μmピッチの端子接続が可能となった。
電解金めっきバンプ201を形成しなかったこと以外は、実施例1と同様にして回路基板用部材を得た。このとき25μmピッチで厚さ3μmの金バンプのあるICチップを接合した。ICチップと回路基板の距離が3μmと短いため、ICのエッジと配線の一部が接触して短絡した。
可撓性フィルム基板である、25μm厚のポリイミドフィルム絶縁樹脂基板103(”カプトン”(登録商標)100EN 東レ・デュポン(株)製)を剥離可能な有機物層102(紫外線硬化型粘着剤”SKダイン”SW22 線研化学(株)製)を介して平坦なガラス補強板101に固定しなかったこと以外は、実施例1と同様にして回路基板用部材を得た。このとき10μm×50μmの長方形の接合パッド上の電解金めっきバンプ201の位置ズレが9μm発生する箇所があった。位置ズレが9μm発生した箇所ではICチップ実装すると電解金めっきバンプ201が倒れて隣接する配線と接触し短絡した。
電解金めっきバンプ201として突起部を0.5μmの厚さに形成した以外は、実施例1と同様にして回路基板用部材を得た。このとき25μmピッチで厚さ9μmの金バンプ302のあるICチップ301を加熱圧着したが、金バンプ高さのバラツキと圧着時の金バンプ変形で0.5μm厚の突起部の有効性を明確に確認することができなかった。
10μm×50μmの長方形の接合パッド金属膜106上レジスト厚60μmでφ30μmの円形の開口部を千鳥状に配置して形成し(図7)、この開口部に電解金めっきバンプ201として突起部を55μmの厚さに形成した以外は、実施例1と同様にして回路基板用部材を得た。このとき突起部の厚みを55μmとするためレジスト厚を60μmとした。レジスト解像度の限界のため開口部のサイズはφ38μmとした。めっき厚をこのとき25μmピッチで厚さ1μmの金バンプ302が金バンプ201と同様に千鳥状に配置されたICチップ301を加熱圧着したところ、金バンプ302と突起部201のセンターの位置ズレを1μm以下で接合することができた(図3)。これによりICチップと回路基板の距離を56μm離すことが出来るため、25μmピッチの端子接続が可能となった。しかし、金バンプ201がφ38μmと大きくなったため、配線と金バンプ201の間のスペースは1μmとなり、位置ズレの範囲内で隣接する配線と金バンプ201が接触し、短絡した。
102 有機物層
103 可撓性フィルム
113、123 エポキシ樹脂層
104 第1金属層
105 配線形成用レジスト層
106、116、126、136 銅めっき膜
107 突起部形成用レジスト層
201、406 突起部
202、212 ソルダーレジスト
301 ICチップ
302 IC側接合端子
303 アンダーフィル材
401 テストパターンのインナーリード位置を決める長方形
402 テストパターンのインナーリード部
403 テストパターンにおけるインナーリード部とアウターリーダ部を結ぶ配線
404 テストパターンのアウターリード位置を決める四角形
405 テストパターンにおけるアウターリード部
Claims (4)
- 補強板、有機物層、可撓性フィルム、金属層がこの順に積層された回路基板用部材であって、金属層を30μmピッチ以下のパターンに形成し、得られた配線パターンの金属表面に高さが1μm以上50μm以下の突起部を設けた回路基板用部材。
- 絶縁層と導体配線層が交互に複数積層され、各導体配線層が絶縁層を厚さ方向に横切ってスルーホールもしくはビアにより電気的に接続され、最表層に導体配線層が露出している多層回路基板を、有機物層を介して補強板に積層された回路基板用部材であって、多層回路基板の配線パターン表面に突起部が設けられている請求項1記載の回路基板用部材。
- 請求項1または2記載の回路基板用部材の補強板を剥離し、得られるフレキシブル回路基板。
- 補強板、有機物層、可撓性フィルム、金属層がこの順に積層された回路基板用部材の製造方法であって、
(1)可撓性フィルムの表面に第1金属層を形成する工程と、
(2)可撓性フィルムを有機物層を介して補強板に貼り合わせる工程と、
(3)第1金属層の表面に金属配線パターン用の第1のめっきレジスト膜(第1めっきレジスト膜)を設け、電解めっきによって第2金属層のパターンを形成する工程と、
(4)第1めっきレジスト膜及び第2金属層の上にめっきにより形成する突起部用の第2めっきレジスト膜(第2めっきレジスト膜)を設け、電解めっきによって突起部を第3金属層で形成する工程と、
(5)第1及び第2めっきレジスト膜を剥離した後、エッチング液によって露出した第1金属層を除去する工程を有することを特徴とする請求項1または2記載の回路基板用部材の製造方法。
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