JP2003059977A - 電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法及び製造装置 - Google Patents

電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法及び製造装置

Info

Publication number
JP2003059977A
JP2003059977A JP2001241327A JP2001241327A JP2003059977A JP 2003059977 A JP2003059977 A JP 2003059977A JP 2001241327 A JP2001241327 A JP 2001241327A JP 2001241327 A JP2001241327 A JP 2001241327A JP 2003059977 A JP2003059977 A JP 2003059977A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film carrier
carrier tape
slit
electronic parts
die
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001241327A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3833084B2 (ja
Inventor
Hiroaki Kurihara
原 宏 明 栗
Tatsuya Aoki
木 達 也 青
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Original Assignee
Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Mining and Smelting Co Ltd filed Critical Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Priority to JP2001241327A priority Critical patent/JP3833084B2/ja
Publication of JP2003059977A publication Critical patent/JP2003059977A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3833084B2 publication Critical patent/JP3833084B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]

Landscapes

  • Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ソルダーレジスト層を形成後にスリットを形
成する電子部品実装用フィルムキャリアテープを製造す
る方法であって、スリットの形成によってフィルムキャ
リアが損傷を受けにくい電子部品実装用フィルムキャリ
アテープの製造方法を提供する 【解決手段】 電子部品実装用フィルムキャリアテープ
に打抜き形成されるスリットの周縁部のワイヤーボンデ
ィングパッド(ワイヤーB'g PAD)部分を、基台金型に
対して押圧しながら、打抜き金型でスリット形成部を打
抜いて、電子部品実装用フィルムキャリアテープと電子
部品に形成された電極とを電気的に接続するためのスリ
ットを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、CSP、BGAのよう
に、実装される電子部品とほぼ同等の面積に配線パター
ンが形成され、外部と接続するための端子が形成された
電子部品実装用フィルムキャリアテープを製造する方法
およびその製造装置に関する。より詳細には、本発明
は、フィルムキャリアに形成されたスリットを介して、
実装される電子部品がボンディングされるタイプの電子
部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法およびこ
の製造方法に使用される製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】電子機器の小型軽量化に伴い、電子機器
に使用するためのフィルムキャリアテープも小型化して
おり、CSP(Chip Size Package)、BGA(Ball Grid Array)
のように、実装される電子部品と実装基板とがほぼ同等
の面積を占有する配線基板技術が利用されている。
【0003】このようなフィルムキャリアテープ10に
は、図6に示したように、可撓性絶縁フィルム11の一
方の面に電子部品30を貼着し、他方の面に配線パター
ン16を形成し、可撓性絶縁フィルム11にスリット1
9を形成して、電子部品30と配線パターン16とこの
スリット19を介してワイヤーボンディング21するこ
とにより、電子部品30を実装するタイプのものがあ
る。
【0004】このようなスリット19は、配線パターン
16などを形成する前に穿設することが好ましいが、フ
ィルムキャリアの構成上、配線パターン16を形成した
後に、電子部品30を実装する前に穿設せざるを得ない
場合がある。このように最後にスリット19を形成する
場合、フィルムキャリアテープ10には既に配線16パ
ターンが形成され、端子部分17、18を除く配線パタ
ーン部分16はソルダーレジスト層20により被覆され
ている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、スリット1
9を形成するには、図7に示したように、フィルムキャ
リアテープ10を基台金型40の上に載置して固定した
後、打抜き金型42を押し下げることによって穿設して
いる。しかしながら、前述のように配線パターン16が
形成され、この配線パターン16がソルダーレジスト2
0で被覆され、可撓性絶縁フィルム11の裏面に接着剤
層14が形成されているフィルムキャリアテープ10
を、打抜き金型42を用いてスリット19を形成する場
合には、接着剤層14が押し潰されて、図7の矢印で示
したように、打抜き金型42によりフィルムキャリアテ
ープ10を形成する配線パターン16、可撓性絶縁フィ
ルム11、および保護フィルム15の各層が打ち抜き金
型側に引き寄せられることがある。この現象は、特に、
接着剤層14が弾性を有する場合には、その傾向が大き
くなる。
【0006】その結果、図7に示したように、フィルム
キャリアテープ10を形成する可撓性の低い層、すなわ
ち、熱硬化性樹脂が硬化することにより形成されている
ソルダーレジスト層20にクラック44が発生すること
がある。このようにソルダーレジスト層20にクラック
44が発生したフィルムキャリアテープ10は使用する
ことができないばかりでなく、修復も極めて困難であ
り、廃棄せざるを得ないのが現状である。
【0007】本発明は、このような現状を考慮して、ソ
ルダーレジスト層を形成後にスリットを形成する電子部
品実装用フィルムキャリアテープを製造する方法であっ
て、スリットの形成によってフィルムキャリアが損傷を
受けにくい電子部品実装用フィルムキャリアテープの製
造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、
このように最後にスリットを形成する際に、フィルムキ
ャリアに損傷を与えにくい電子部品実装用フィルムキャ
リアテープの製造装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述したよう
な従来技術における課題及び目的を達成するために発明
なされたものであって、本発明の電子部品実装用フィル
ムキャリアテープの製造方法は、可撓性絶縁フィルムの
一方の面に積層された導電性金属箔を選択的にエッチン
グして、所定形状の配線パターンを形成し、前記配線パ
ターンの表面に、ソルダーレジスト層を形成し、前記可
撓性絶縁フィルムの配線パターンが形成されていない可
撓性絶縁フィルムの表面に、電子部品を仮固定する接着
剤層を形成し、前記接着剤層によって仮固定される電子
部品に形成されている電極とフィルムキャリアに形成さ
れた電極とを電気的に接続するためのスリットを形成す
る工程を有する電子部品実装用フィルムキャリアテープ
の製造方法において、前記電子部品実装用フィルムキャ
リアテープに打抜き形成されるスリットの周縁部のワイ
ヤーボンディングパッド部分を、基台金型に対して押圧
しながら、打抜き金型でスリット形成部を打抜いて、前
記電子部品実装用フィルムキャリアテープと電子部品に
形成された電極とを電気的に接続するためのスリットを
形成することを特徴とする。
【0009】また、本発明の電子部品実装用フィルムキ
ャリアテープの製造方法は、前記電子部品実装用フィル
ムキャリアテープに打抜き形成されるスリットの周縁部
のワイヤーボンディングパッド部分を、上方より縁部加
圧手段を介して基台金型に対して加圧しながら、打抜き
金型を用いて、電子部品実装用フィルムキャリアテープ
にスリットを打抜き形成することを特徴とする。
【0010】また、本発明の電子部品実装用フィルムキ
ャリアテープの製造装置は、電子部品実装用フィルムキ
ャリアテープにスリットを形成するための電子部品実装
用フィルムキャリアテープの製造装置であって、基台金
型と、前記基台金型の上面に載置した電子部品実装用フ
ィルムキャリアテープの打抜き形成されるスリットの周
縁部のワイヤーボンディングパッド部分を、基台金型に
対して押圧して固定する縁部加圧手段と、前記基台金型
に対して接近離反移動して、電子部品実装用フィルムキ
ャリアテープにスリットを形成する打抜き金型とを備え
ることを特徴とする。
【0011】このように構成することによって、フィル
ムキャリアテープのスリットを形成する部分の縁部のワ
イヤーボンディングパッド部分を基台金型に押し付けて
スリットを形成しているので、打抜き金型の打ち抜き作
動に伴って、フィルムキャリアテープがポンチ孔に引き
込まれることがなく、フィルムキャリアテープが変形す
ることが少ないので、ソルダーレジスト層にクラックが
発生するのを有効に防止できる。
【0012】また、本発明では、前記ワイヤーボンディ
ングパッド部分を140〜180g/cm2の範囲内の圧力
で基台金型に対して押圧することを特徴とする。このよ
うな範囲の押圧力であれば、フィルムキャリアテープの
ワイヤーボンディングパッド部分を基台金型に押し付け
固定しても、この圧力によってフィルムキャリアテー
プ、特にワイヤーボンディングパッド部分が変形するこ
とがなく、フィルムキャリアテープの品質が劣化するこ
とがない。
【0013】また、本発明では、前記縁部加圧手段が、
上型に形成されている打抜き金型が移動する打抜き金型
移動孔の周囲に、前記上型の下端面から突出して形成さ
れた押し付け部材であることを特徴とする。このように
構成することによって、フィルムキャリアテープのスリ
ットを形成する部分の縁部のワイヤーボンディングパッ
ド部分を、確実に基台金型に押し付けてスリットを形成
することができる。
【0014】また、本発明の電子部品実装用フィルムキ
ャリアテープの製造方法は、前記接着剤層の表面に保護
フィルムが剥離可能に貼着されていることを特徴とす
る。このように電子部品を仮固定する接着剤層に保護フ
ィルムが剥離可能に貼着されているので、接着剤層が汚
染されるなどして接着能力が低下することがなく、確実
に電子部品をフィルムキャリアテープに固定することが
できる。しかも、このような保護フィルムが貼着された
フィルムキャリアテープであっても、ソルダーレジスト
層にクラックが発生することなく、スリットを確実に形
成することが可能である。
【0015】また、本発明の電子部品実装用フィルムキ
ャリアテープの製造方法は、前記配線パターンが、実装
される電子部品と略同一の面積の表面に形成されている
ことを特徴とする。このような配線パターンが、実装さ
れる電子部品と略同一の面積の表面に形成されているCS
P、BGAなどの電子部品実装用フィルムキャリアテープで
あっても、ソルダーレジスト層にクラックが発生するこ
となく、スリットを確実に形成することが可能である。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態(実施例)について説明する。図1は、本
発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方
法で使用されるスリットの形成装置の第1の実施例を模
式的に示す概略図、図2〜図4は、本発明の電子部品実
装用フィルムキャリアテープの製造方法においてスリッ
トを形成する工程の例を模式的に示す断面図、図5は、
図4の部分拡大断面図である。
【0017】本発明の電子部品実装用フィルムキャリア
テープの製造方法は、図2〜図4に示したように、実装
される電子部品と略同一の面積の絶縁フィルム11に外
部端子形成部18を有する配線パターン16を形成した
後、このフィルムキャリアテープ10に電子部品を実装
するためのスリット19を形成する工程を有している。
【0018】本発明の方法で電子部品実装用フィルムキ
ャリアテープ10を製造する際は、図6に示したよう
に、まず、絶縁フィルム11のスプロケットホール12
などの必要な貫通孔を形成する。本発明の方法で使用さ
れる絶縁フィルム11は、可撓性を有するとともに、エ
ッチングする際に酸などと接触するため、このような薬
品に侵されない耐薬品性、および、ボンディングする際
の加熱などによっても変質しないような耐熱性を有して
いる。このような絶縁フィルム11を形成する素材の例
としては、ポリエステル、ポリアミド、液晶ポリマーお
よびポリイミドなどを挙げることができる。特に、本発
明では、ポリイミドからなるフィルムを用いることが好
ましい。
【0019】絶縁フィルム11を構成するポリイミドフ
ィルムの例としては、ピロメリット酸2無水物と芳香族
ジアミンとから合成される全芳香族ポリイミド、ビフェ
ニルテトラカルボン酸2無水物と芳香族ジアミンとから
合成されるビフェニル骨格を有する全芳香族ポリイミド
を挙げることができる。特に本発明ではビフェニル骨格
を有する全芳香族ポリイミド(例;商品名:ユーピレッ
クスS、宇部興産(株)製)が好ましく使用される。こ
の方法で使用可能な絶縁フィルム11の厚さは、通常は
7.5〜125μm、好ましくは25〜75μmの範囲
内にある。
【0020】このような絶縁フィルム11の両縁部近傍
に、この絶縁フィルム11を装置内で移送するためのス
プロケットホール12を多数形成する。また、フィルム
キャリアの位置決め孔、リードの切断孔(図示なし)な
どの必要な貫通孔も同時に穿設する。このような貫通孔
は、通常はパンチングにより形成される。前記のように
各種貫通孔あるいはスリットなどが形成された絶縁フィ
ルム11の一方の面に導電体金属箔を積層する。
【0021】本発明では、導電性金属箔として、導電性
を有し、厚さが通常は3〜35μm、好ましくは9〜2
5μmの範囲内にある金属箔を使用することができる。
具体的には、導電性を有する金属箔の例としては、銅
箔、アルミニウム箔などを挙げることができる。ここで
使用される銅箔には、電解銅箔と圧延銅箔とがあるが、
エッチング特性、操作性などを考慮すると電解銅箔を使
用することが好ましい。
【0022】なお、配線パターンを形成する導電性金属
箔は、通常は絶縁フィルム11の一方の面に積層される
が、図5に示したように、この導電性金属箔は接着層1
3を介して絶縁フィルム11の表面に積層することもで
きるし、図6に示したように、このように接着層を介す
ることなく積層することもできる。このように絶縁フィ
ルム11の一方の面に導電性金属箔を積層し、次いでこ
の導電性金属箔表面にフォトレジストを塗布し、このフ
ォトレジストに形成しようとする配線パターンと同一の
パターンを露光現像することにより形成し、このフォト
レジストにより形成されたパターンをマスキング材とし
て導電性金属箔をエッチングして所望の配線パターン1
6を形成する。
【0023】このようにして形成された配線パターン1
6の表面には、図6に示したように、電子部品30を電
気的に接続するワイヤーボンディングパッド(ワイヤー
B'gPAD)17および電子部品30をこのフィルムキャリ
アを介して外部と接続するための外部端子形成部18を
除いて、ソルダーレジスト層20が形成されており、こ
のソルダーレジスト層20により配線パターン16の表
面が保護されている。
【0024】ソルダーレジスト層20を形成する場合に
使用されるソルダーレジスト塗布液は、硬化性樹脂が有
機溶媒に溶解若しくは分散された比較的高粘度の塗布液
である。このようなソルダーレジスト塗布液中に含有さ
れる硬化性樹脂の例としては、エポキシ系樹脂、エポキ
シ系樹脂のエラストマー変性物、ウレタン樹脂、ウレタ
ン樹脂のエラストマー変性物、ポリイミド樹脂、ポリイ
ミド樹脂のエラストマー変性物およびアクリル樹脂を挙
げることができる。特にエラストマー変性物を使用する
ことが好ましい。このようなソルダーレジスト塗布液中
には、前記のような樹脂成分の他に、硬化促進剤、充填
剤、添加剤、チキソ剤および溶剤等、通常ソルダーレジ
スト塗布液に添加される物質を添加することができる。
さらに、ソルダーレジスト層20の可撓性等の特性を向
上させるために、ゴム微粒子のような弾性を有する微粒
子などを配合することも可能である。
【0025】このようなソルダーレジスト塗布液は、ス
クリーン印刷技術を利用して塗布することができる。ソ
ルダーレジスト塗布液は、次の工程でメッキ処理される
部分を除いて塗布される。このようなソルダーレジスト
の塗布平均厚さは、通常は1〜80μm、好ましくは5
〜50μmの範囲内にある。このようにソルダーレジス
ト塗布液を塗布した後、溶剤を除去し、樹脂を硬化させ
ることによりソルダーレジスト層20を形成する。ソル
ダーレジストを形成する樹脂は、通常は加熱硬化する。
このソルダーレジスト層を形成するための加熱硬化温度
は、通常は80〜180℃、好ましくは120〜150
℃であり、この範囲内の温度に通常は30分〜3時間保
持することにより樹脂が硬化する。
【0026】このようにして形成されたソルダーレジス
ト層20は、絶縁フィルム11表面に形成されている配
線パターン16を保護するので、硬質の樹脂によって形
成されており、例えばこのソルダーレジスト層20に応
力がかかると、図7に示したようにクラック44が形成
されることがある。このようにクラック44が形成され
たソルダーレジスト層20は、配線パターン16を充分
に保護することはできない。
【0027】なお、通常はソルダーレジスト層を形成し
た後、このソルダーレジスト層によって被覆されていな
い配線パターン部分(リード部など)は、メッキ処理さ
れる。このメッキ処理には、錫メッキ、はんだメッキ、
金メッキ、ニッケル/金メッキなどを挙げることができ
る。一方、前記のように配線パターン16が形成され、
さらにこの表面にソルダーレジスト層20が形成されて
いる絶縁フィルム11の反対側の面には、電子部品30
を仮固定するための接着剤層14が形成されており、こ
の接着剤層14の表面には、電子部品30が仮固定のた
めに貼着されるまでは、保護フィルム15が剥離可能に
貼着されその表面を被覆している。
【0028】この接着剤層14に電子部品30を貼着し
て仮固定した後、この電子部品に形成されている電極
(例えば、電極パット)31と絶縁フィルム11に形成さ
れている配線パターン16の先端部であるワイヤーボン
ディングパッド(ワイヤーB'gPAD)17とを電気的に接
続する。従って、この接着剤層14は電子部品30の位
置合わせなどのためにある程度の可撓性を有しているこ
とが好ましく、また、電子部品30を仮固定のために貼
着する際にこの接着剤層14はある程度の弾性を有して
いることが望ましい。
【0029】実装される電子部品30には、ボンディン
グ用スリット19に対応する位置にボンディング用の接
続パット31が形成されている。この電子部品30は、
絶縁フィルム11の配線パターン16が形成されていな
い面に積層されている接着剤層14から保護フィルム1
5を剥離して接着剤により仮固定した後、ボンディング
用スリット19に露出しているボンディング用パット3
1と、電子部品実装用フィルムキャリアテープ10に形
成されているボンディング用スリット19の縁部に形成
されているワイヤーボンディングパッド(ワイヤーB'g
PAD)17とが導電性細線21で電気的に接続されるこ
とによりフィルムキャリアに実装される。
【0030】ところで、このような構成を有する電子部
品実装用フィルムキャリアテープ10では、電子部品3
0のボンディング用のパット31とワイヤーボンディン
グパッド(ワイヤーB'g PAD)17とを導電性細線21
により電気的に接続するためにスリット19を形成する
必要がある。このスリット19を形成する場合には、絶
縁フィルム11に配線パターン16を形成し、この配線
パターン16表面にソルダーレジスト層20を形成し、
この絶縁フィルム11の裏面に電子部品30仮接着用の
接着剤層14を保護フィルム15とともに積層した後
に、フィルムキャリアテープのスリット形成部を打抜き
金型で打抜くことにより形成される。
【0031】このフィルムキャリアテープには、スリッ
ト19を形成する前に、電子部品30仮接着用の接着剤
層14が既に形成されており、この接着剤層14は、電
子部品30を、可撓性の高いフィルムキャリアに仮固定
するために、弾性がありかつ軟質であることが望まし
い。しかしながら、このような弾性がありかつ軟質の接
着剤からなる接着剤層14を配置した状態で、スリット
を形成しようとすると、下記のような現象が生じること
になる。
【0032】すなわち、例えば、図7に示したように、
打抜き金型42を下方に押し下げてスリットを形成する
際に、この打抜き金型42の下方移動に伴って、接着剤
層14が圧縮され、電子部品実装用フィルムキャリアテ
ープ10のソルダーレジスト層20を除く各層、すなわ
ち、ワイヤーボンディングパッド(ワイヤーB'g PAD)
17の部分が、打抜き金型42の下方移動に追随して、
基台金型40に形成されているポンチ穴43内に引っ張
りこまれることがある。
【0033】一方、ソルダーレジスト層20は、スリッ
トの縁部にワイヤーボンディングパッド(ワイヤーB'g
PAD)17が形成されているので、打抜き金型42とは
離間しており接触していない。また、ソルダーレジスト
層20は、このフィルムキャリアテープ10を固定する
ための上型41によって基台金型40方向に押され、上
型41と基台金型40とによって挟持されている。
【0034】このためソルダーレジスト層20が打抜き
金型42の移動によって、ポンチ孔43内に引き込まれ
ることはなく、また、ソルダーレジスト層20の上端部
は、上型41と接触しており変形することはない。しか
しながら、ワイヤーボンディングパッド(ワイヤーB'g
PAD)17が形成されている部分の接着剤層14が、打
抜き金型42の移動に伴ってポンチ孔43内に引き込ま
れると、この接着剤層14が薄くなり、ソルダーレジス
ト層20の配線パターン16に接している部分近傍に、
図7の矢印で示したように、下方向、すなわち、ポンチ
孔43方向へ変形させようとする応力が生ずる。
【0035】一般にソルダーレジスト層20は硬化性樹
脂で形成されており、この硬化性樹脂の硬化体からなる
ソルダーレジスト層20は、前記のような打抜き金型4
2によるスリット19の形成の際に生ずる応力変形に追
随するような可撓性を有していない。このため打抜き金
型42の移動によって、最も可撓性の低いソルダーレジ
スト層20に、例えば、図7に示すようなクラック44
が生じてしまうおそれがある。
【0036】このようにソルダーレジスト層20にクラ
ック44が生じたフィルムキャリアテープでは、配線パ
ターン16の保護が不完全になり、短絡が生じる原因に
もなる。このようなクラック44の発生は、電子部品3
0を仮固定するための接着剤層14を形成した後に、前
記のようにしてスリット19を打抜き形成した場合に生
じ、接着剤層14を形成する前にスリット19を形成す
るとこのようなクラック44は発生しない。
【0037】すなわち、本発明の電子部品実装用フィル
ムキャリアテープの製造方法は、前述のように電子部品
30を仮固定するための接着剤層14を、スリットの穿
設前に形成した電子部品実装用フィルムキャリアテープ
を製造する際に、特に顕著に生ずる問題である。そし
て、このような接着剤層14を形成されていない電子部
品について、前記と同様にしてスリットを形成してもソ
ルダーレジスト層20にクラックは発生しない。
【0038】本発明では、スリットを形成する際にソル
ダーレジスト層に応力によってソルダーレジスト層20
にクラックが生じないように、フィルムキャリアテープ
を打抜き金型により打ち抜く際に、インナーリード部1
7をポンチ孔43方向に移動する力に抗し得る圧力で基
台金型に押し付けながらスリットを形成する。このため
に本発明で使用するスリット形成装置には、電子部品実
装用フィルムキャリアテープの打抜き形成されるスリッ
トの周縁部のインナーリード部分を、基台金型に所定の
圧力で押圧して固定する縁部加圧手段が設けられてい
る。
【0039】図1は、本発明で採用可能な縁部加圧手段
を配置したスリット形成装置の第1の実施例の概略図で
ある。図1に示したように、本発明のスリット形成装置
は、ポンチ孔43を備えた基台金型40と、この基台金
型40に電子部品実装用フィルムキャリアテープを載置
してスリットを打抜き形成する際に、電子部品実装用フ
ィルムキャリアテープ全体を押さえるための上型41と
を備えている。
【0040】そして、この上型41には、電子部品実装
用フィルムキャリアテープに形成されるスリットの周縁
部のワイヤーボンディングパッド(ワイヤーB'g PAD)
部分17を、所定の押圧力で基台金型40に押し付ける
縁部加圧手段としての押し付け部材50が設けられてい
る。この押し付け部材50は、図1〜図5に示したよう
に、上型41に形成されている打抜き金型42が移動す
る打抜き金型移動孔48の周囲に、上型41の下端面4
1aから突出して形成されている。
【0041】この場合、押し付け部材50は、図1〜図
5に示したように、上型41の下端面41aから突出す
る突出距離S1として、電子部品実装用フィルムキャリ
アテープ10の厚さにもよるが、各材料の厚さのバラツ
キを考慮すれば、電子部品実装用フィルムキャリアテー
プ10のソルダーレジストと層20の厚さTよりも、2
0μm〜150μm、好ましくは、50μm〜90μm厚く
するのが望ましい。
【0042】また、押し付け部材50の突設幅S2とし
ては、形成されるスリットの周縁部のワイヤーボンディ
ングパッド(ワイヤーB'g PAD)部分17を確実に押し
付け、フィルムキャリアテープを固定して、ソルダーレ
ジスト層20にクラック44が発生しないようにするた
めには、電子部品実装用フィルムキャリアテープに形成
されるスリット形成予定位置から、50μm〜250μ
m、好ましくは、50μm〜100μmの幅とするのが
望ましい。
【0043】この場合、押し付け部材50は、図1〜図
5に示したように、打抜き金型移動孔48の周囲に、上
型41の下端面41a自体を延設して突出して形成して
もよいが、図示しないが、上型41とは別の部材からな
る押し付け部材50を設けてもよく、また、突設形成部
の下面にこのような別の部材を設けるようにしてもよ
い。このように構成される押し付け部材50が設けられ
た本発明のスリット形成装置を用いて、電子部品実装用
フィルムキャリアテープにスリットを形成する際には、
図2〜図4に示したように、下記のように作動する。
【0044】先ず、図2に示したように、基台金型40
と上型41との間に、スリットを形成しようとする電子
部品実装用フィルムキャリアテープを配置する。そし
て、図3に示したように、上型41を基台金型40方向
に移動させて、電子部品実装用フィルムキャリアテープ
を固定する際に、この押し付け部材50が電子部品実装
用フィルムキャリアテープ10のワイヤーボンディング
パッド(ワイヤーB'g PAD)部分17に接触する。
【0045】さらに、上型を下方に移動させると、押し
付け部材50は、さらにフィルムキャリアテープを強く
基台金型40に押し付ける。そして、上型41が、基台
金型40の上表面に載置された電子部品実装用フィルム
キャリアテープ10のワイヤーボンディングパッド(ワ
イヤーB'g PAD)部分17と所定の圧力で、接触するこ
とが、図示しない圧力センサーなどの検知装置で検知さ
れた際に、制御装置の制御によって、上型41の下降が
停止する。
【0046】この場合、押し付け部材50と接触してい
るスリット打抜き部分の周縁部のワイヤーボンディング
パッド(ワイヤーB'g PAD)部分17は、基台金型40
に対して、30〜200g/cm2の範囲内の圧力、好まし
くは140〜170g/cm2の範囲内の圧力、特に好まし
くは150〜160g/cm2の範囲内の圧力で、基台金型
40に押し付けるようにされている。
【0047】従って、スリットを形成する周縁部のワイ
ヤーボンディングパッド(ワイヤーB'g PAD)部分17
は、他の部分の1〜6.7倍、好ましくは4.7〜6
倍、特に好ましくは5〜5.7倍の押圧で電子部品実装
用フィルムキャリアテープを基台金型40に押し付けて
いるのが望ましい。このようにして、基台金型40に電
子部品実装用フィルムキャリアテープを載置して、上型
41を基台金型40まで下降させて、電子部品実装用フ
ィルムキャリアテープ10を固定するとともに、スリッ
トを形成する部分の周囲のワイヤーボンディングパッド
(ワイヤーB'g PAD)部分17を押し付け部材50によ
って、基台金型40に前記所定の圧力で押し付ける。
【0048】次に、図4に示したように、打抜き金型4
2を基材金型40に形成されているポンチ孔43に至る
まで下降させて、電子部品実装用フィルムキャリアテー
プ10を打抜き、スリット19を形成する。そして、こ
の打抜き金型42を上昇させるとともに上型41も上昇
させることにより、スリット19が形成された電子部品
実装用フィルムキャリアテープを形成することができ
る。以上のサイクルが繰り返し行われるようになってい
る。
【0049】この際、打抜き金型42が下降して電子部
品実装用フィルムキャリアテープの接着剤層14をパン
チ孔に引き込むことによりソルダーレジスト層20にか
かる応力は、スリット形成部近傍のワイヤーボンディン
グパッド(ワイヤーB'g PAD)部分17の変形が少ない
ので、小さくなり、クラックの発生が防止できる。すな
わち、スリット形成部の縁部のインナーリード部分が、
押し付け部材50によって基台金型40に、前述した所
定の圧力によって押し付けられているので、接着剤層1
4が引き出されてソルダーレジスト層20に過度の応力
がかかることがなく、ソルダーレジスト層20にクラッ
クなどが発生することがない。
【0050】また、本発明で使用するスリット形成装置
は、従来の打抜き装置にわずかに改良を加えるだけであ
り、このスリット形成装置の改良することによって実質
的に製品のコストは変動しない。このスリット形成装置
の打抜き金型は、形成しようとするスリットの幅および
長さに対して、通常は85〜105%、好ましくは90
〜105%の幅および長さを有している。このような長
さを有する打抜き金型を使用することにより、形成され
たスリットの壁面の打抜き荒れが少なくなる。
【0051】このようにしてスリットが形成された電子
部品実装用フィルムキャリアテープは、接着剤層14の
表面に貼着されている保護フィルム15をはがして、電
子部品30を貼着して、電子部品30に形成されている
パット31がスリット19から露出するように位置合わ
せを行い、電子部品30を仮固定する。次に、金線など
の導電性細線21で、パット31とスリット19の縁部
に形成されている電極とを電気的に接続する。具体的に
は、例えば、25μm程度の金線などを用いて、熱及び
超音波を用いてパット31とスリット19の縁部に形成
されたワイヤーボンディングパッド(ワイヤーB'g PA
D)17とを接続する。スリットの縁部に形成されたワ
イヤーボンディングパッド(ワイヤーB'g PAD)17
は、ソルダーレジスト層20によって保護された配線パ
ターン16で外部端子形成部18に接続している。この
外部端子接続部18には、例えば、ハンダボールなどを
配置して電子部品30を外部の装置に接続可能にする。
【0052】このような本発明の電子部品実装用フィル
ムキャリアテープの製造方法では、スリット19を形成
する際に、スリットを打抜き形成する部分の縁部のワイ
ヤーボンディングパッド(ワイヤーB'g PAD)部分17
に、所定の圧力をかけて電子部品実装用フィルムキャリ
アテープ10を、押し付け部材50によって、基台金型
40に押し付けながらスリットを形成している。このよ
うな押し付け圧力で電子部品実装用フィルムキャリアテ
ープ10を押し付けることにより、ソルダーレジスト層
20にクラック44が発生するのを有効に防止すること
ができる。
【0053】また、このような圧力でスリット形成部の
縁部のワイヤーボンディングパッド(ワイヤーB'g PA
D)部分17を押さえつけることによっても、この圧力
によって、配線パターン16などの押さえつけられた部
分に断線などが発生することはなく、非常に安定してス
リット19を形成することができる。
【0054】
【実施例】次の本発明の電子部品実装用フィルムキャリ
アテープの製造方法およびこの方法に使用する装置につ
いて実施例を示してさらに詳細に説明するが、本発明は
これらにより限定されるものではない。
【0055】
【実施例1】図6に示したように、一方の面に12μm
厚のエポキシ系接着剤を塗布した厚さ75μm、幅35
mm、長さ100mのポリイミドフィルム(商品名:ユ
ーピレックスS、宇部興産(株)製)からなる絶縁フィ
ルムの両縁部に所定間隔でスプロケットホールをパンチ
ングにより形成した。
【0056】次いで、このポリイミドフィルムに厚さ1
8μmの電解銅箔をラミネートした。このように積層さ
れた電解銅箔の表面にフォトレジストを塗布し、露光、
現像し、残存するフォトレジストをマスキング材として
電解銅箔をエッチングすることにより配線パターンを絶
縁フィルムの一方の面に形成した。なお、エッチング
後、フォトレジストからなるマスキング材はアルカリ洗
浄により除去した。
【0057】このように形成された配線パターンの表面
に、リード部を残してエポキシ系ソルダーレジストを塗
布した。このフィルムキャリアテープにスルファミン酸
ニッケル浴で2.0μmの電気ニッケルメッキ層を形成
した後、このフィルムキャリアテープを金メッキ槽に移
行させて金の電気メッキを行った。
【0058】前記のように金メッキすることで、電子部
品側接続端子のワイヤーボンディングされる端子の表面
および外部端子接続部に、平均厚さ0.3μmの金メッ
キ層を形成した。これとは別に、ポリエチレンテレフタ
レートフィルム、あるいは、ポリエチレンサルファイド
フィルム(平均厚さ:25μm)の一方の面にエポキシ
系熱硬化性接着剤、あるいは、シリコン系熱硬化性接着
剤を平均塗布厚50μmの厚さで塗布した接着剤フィル
ムを調整した。
【0059】この接着剤フィルムと前記のようにして形
成された一方の面に配線パターンが形成された絶縁フィ
ルムとを絶縁フィルムの配線パターンが形成されていな
い面と接着剤フィルムのエポキシ系熱硬化性接着剤、あ
るいは、シリコン系熱硬化性接着剤とが対面するように
配置して加熱圧着することにより絶縁フィルムの配線パ
ターンが形成されていない面にポリエチレンテレフタレ
ートフィルムからなる剥離層付の接着剤層を形成した。
【0060】このように接着剤層が形成されたフィルム
キャリアを接着剤層が基台金型に面するように配置して
上型でフィルムキャリア全体を押さえるとともに、図2
〜図4に示したように、スリット形成予定部の周囲のワ
イヤーボンディングパッド(ワイヤーB'g PAD)部分1
7を、打抜き金型移動孔48の周囲に、上型41の下端
面41aから突出して形成された押し付け部材50によ
って、160g/cm2の圧力で基台金型40に押し付け
た。
【0061】次いで、打ち抜き金型42を下降させてフ
ィルムキャリアのスリット形成部を打ち抜いてスリット
19を形成した。スリットの打ち抜きに使用した打ち抜
き金型は、スリット形成後上昇させ、さらに上型を上昇
させて次の工程に備えた。このように形成された電子部
品実装用フィルムキャリアテープのソルダーレジスト層
を光学顕微鏡で観察したが、クラックの発生は認められ
なかった。また、押し付け部材50による押し付けによ
っても配線パターンなどに断線などは認められなかっ
た。
【0062】前記のようにして10000個のフィルム
キャリアを製造したが、得られたフィルムキャリアのソ
ルダーレジスト層にクラックは認められなかった。
【0063】
【比較例1】実施例1において、打抜き金型移動孔48
の周囲に、上型41の下端面41aから突出して形成さ
れた押し付け部材50の代わりに、押し付け部材50を
有していない上型が配置されたスリット形成装置を用い
た以外は同様にしてフィルムキャリアを製造した。
【0064】このように製造したフィルムキャリアにつ
いてソルダーレジスト層におけるクラックの発生数を実
施例と同様にして測定した結果、10000個のフィル
ムキャリア中、10000個のフィルムキャリアに明ら
かにスリットを形成した際に生じたと思われるクラック
が認められた。
【0065】
【参考例1】実施例1において、接着剤層を形成しない
フィルムキャリアについて、前記実施例1と同様にして
スリットを形成したが、ソルダーレジスト層にクラック
は発生しなかった。この結果から、ソルダーレジスト層
にクラックが発生するのは、接着剤層が敷設されたソル
ダーレジスト層に特異的に見られる現象であることがわ
かる。
【0066】そして、実施例1で敷設した接着剤層がエ
ポキシ系熱硬化性接着剤、あるいは、シリコン系熱硬化
性接着剤からなる比較的軟質の接着剤であり、スリット
を形成する際に打ち抜き金型によってこの接着剤層がポ
ンチ孔側に引き出されてソルダーレジスト層に応力が加
わることにより、ソルダーレジスト層にクラックが発生
するものであると推定される。
【0067】
【発明の効果】本発明の方法によれば、絶縁フィルムの
一方の面に配線パターンが形成され、この配線パターン
の表面にソルダーレジスト層が形成され、絶縁フィルム
の配線パターンが形成されていない面には、電子部品を
仮固定するための柔軟で可撓性の高い接着剤層が形成さ
れている電子部品実装用フィルムキャリアテープに、電
子部品の電極パットとフィルムキャリアのリードとを電
気的に接続するためのスリットを打ち抜き形成する際、
スリット形成予定部の周縁部のワイヤーボンディングパ
ッド(ワイヤーB'g PAD)部分が、特定の圧力で基台金
型に押し付けられ固定されている。
【0068】従って、スリットを形成するための打ち抜
き金型を押し下げても、絶縁フィルムに設けられた接着
剤層が打ち抜き金型によってポンチ孔方向に引き出され
ることがなく、硬質でクラックが発生しやすいソルダー
レジスト層にかかる応力を低減することができる。ま
た、このようにフィルムキャリアのスリット形成予定部
の周縁部のインナーリード部分を、所定の圧力で基台金
型に押し付けることによっても、配線パターン、ソルダ
ーレジスト層など、フィルムキャリアを構成する他の構
成要素には全く影響がない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテー
プの製造方法で使用されるスリットの形成装置の第1の
実施例を模式的に示すである。
【図2】図2は、本発明の電子部品実装用フィルムキャ
リアテープの製造方法においてスリットを形成する工程
の例を模式的に示す断面図である。
【図3】図3は、本発明の方法で製造される電子部品実
装用フィルムキャリアテープに電子部品を実装した例を
示す断面図である。
【図4】図4は、本発明の方法で製造される電子部品実
装用フィルムキャリアテープに電子部品を実装した例を
示す断面図である。
【図5】図5は、図4の部分拡大断面である。
【図6】図6は、本発明の方法で製造される電子部品実
装用フィルムキャリアテープの断面図である。
【図7】図7は、電子部品を仮固定するための接着剤層
が形成された後、スリットを打抜き形成する際にソルダ
ーレジスト層にクラックが生ずる機構の例を模式的に説
明する図である。
【符号の説明】
10・・・電子部品実装用フィルムキャリアテープ 11・・・絶縁フィルム 12・・・スプロケットホール 13・・・接着層 14・・・接着剤層 16・・・配線パターン 15・・・保護フィルム 17・・・ワイヤーボンディングパッド(ワイヤーB'g PA
D) 18・・・外部端子形成部 19・・・ボンディング用スリット 20・・・ソルダーレジスト層 21・・・導電体細線 30・・・電子部品 31・・・接続パット 40・・・基台金型 41・・・上型 42・・・打ち抜き金型 43・・・ポンチ穴 44・・・クラック 48・・・打ち抜き金型移動孔 50・・・押し付け部材

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 可撓性絶縁フィルムの一方の面に積層さ
    れた導電性金属箔を選択的にエッチングして、所定形状
    の配線パターンを形成し、 前記配線パターンの表面に、ソルダーレジスト層を形成
    し、 前記可撓性絶縁フィルムの配線パターンが形成されてい
    ない可撓性絶縁フィルムの表面に、電子部品を仮固定す
    る接着剤層を形成し、 前記接着剤層によって仮固定される電子部品に形成され
    ている電極とフィルムキャリアに形成された電極とを電
    気的に接続するためのスリットを形成する工程を有する
    電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法にお
    いて、 前記電子部品実装用フィルムキャリアテープに打抜き形
    成されるスリットの周縁部のワイヤーボンディングパッ
    ド部分を、基台金型に対して押圧しながら、打抜き金型
    でスリット形成部を打抜いて、 前記電子部品実装用フィルムキャリアテープと電子部品
    に形成された電極とを電気的に接続するためのスリット
    を形成することを特徴とする電子部品実装用フィルムキ
    ャリアテープの製造方法。
  2. 【請求項2】 前記電子部品実装用フィルムキャリアテ
    ープに打抜き形成されるスリットの周縁部のワイヤーボ
    ンディングパッド部分を、上方より縁部加圧手段を介し
    て基台金型に対して加圧しながら、打抜き金型を用い
    て、電子部品実装用フィルムキャリアテープにスリット
    を打抜き形成することを特徴とする請求項1に記載の電
    子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法。
  3. 【請求項3】 前記ワイヤーボンディングパッド部分を
    140〜180g/cm 2の範囲内の圧力で基台金型に対し
    て押圧することを特徴とする請求項1から2のいずれか
    に記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造
    方法。
  4. 【請求項4】 前記縁部加圧手段が、上型に形成されて
    いる打抜き金型が移動する打抜き金型移動孔の周囲に、
    前記上型の下端面から突出して形成された押し付け部材
    であることを特徴とする請求項2から3のいずれかに記
    載の電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方
    法。
  5. 【請求項5】 前記接着剤層の表面に保護フィルムが剥
    離可能に貼着されていることを特徴とする請求項1から
    4のいずれかに記載の電子部品実装用フィルムキャリア
    テープの製造方法。
  6. 【請求項6】 前記配線パターンが、実装される電子部
    品と略同一の面積の表面に形成されていることを特徴と
    する請求項1から5のいずれかに記載の電子部品実装用
    フィルムキャリアテープの製造方法。
  7. 【請求項7】 電子部品実装用フィルムキャリアテープ
    にスリットを形成するための電子部品実装用フィルムキ
    ャリアテープの製造装置であって、 基台金型と、 前記基台金型の上面に載置した電子部品実装用フィルム
    キャリアテープの打抜き形成されるスリットの周縁部の
    ワイヤーボンディングパッド部分を、基台金型に対して
    押圧して固定する縁部加圧手段と、 前記基台金型に対して接近離反移動して、電子部品実装
    用フィルムキャリアテープにスリットを形成する打抜き
    金型とを備えることを特徴とする電子部品実装用フィル
    ムキャリアテープの製造装置。
  8. 【請求項8】 前記縁部加圧手段が、ワイヤーボンディ
    ングパッド部分を140〜180g/cm2の範囲内の圧力
    で基台金型に対して押圧するように構成されていること
    を特徴とする請求項7に記載の電子部品実装用フィルム
    キャリアテープの製造装置。
  9. 【請求項9】 前記縁部加圧手段が、上型に形成されて
    いる打抜き金型が移動する打抜き金型移動孔の周囲に、
    前記上型の下端面から突出して形成された押し付け部材
    であることを特徴とする請求項7から8のいずれかに記
    載の電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造装
    置。
  10. 【請求項10】 前記縁部加圧手段が、上型とは独立し
    て電子部品実装用フィルムキャリアテープを基台金型に
    押し付け固定可能に設けられている固定治具であること
    を特徴とする請求項7から9のいずれかに記載の電子部
    品実装用フィルムキャリアテープの製造装置。
JP2001241327A 2001-08-08 2001-08-08 電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法 Expired - Fee Related JP3833084B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001241327A JP3833084B2 (ja) 2001-08-08 2001-08-08 電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001241327A JP3833084B2 (ja) 2001-08-08 2001-08-08 電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003059977A true JP2003059977A (ja) 2003-02-28
JP3833084B2 JP3833084B2 (ja) 2006-10-11

Family

ID=19071795

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001241327A Expired - Fee Related JP3833084B2 (ja) 2001-08-08 2001-08-08 電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3833084B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007208204A (ja) * 2006-02-06 2007-08-16 Ibiden Engineering Kk プリント配線板の製造方法
JP2007208205A (ja) * 2006-02-06 2007-08-16 Ibiden Engineering Kk プリント配線板の製造方法及びこれに用いる打抜き加工用金型
JP2007208206A (ja) * 2006-02-06 2007-08-16 Ibiden Engineering Kk プリント配線板の製造方法
JP2008171954A (ja) * 2007-01-10 2008-07-24 Ibiden Engineering Kk プリント配線板の製造方法
JP2017146392A (ja) * 2016-02-16 2017-08-24 日昌株式会社 偏光板の加工方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200015994A (ko) * 2018-08-06 2020-02-14 삼성에스디아이 주식회사 배터리용 전극판 타발 장치

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007208204A (ja) * 2006-02-06 2007-08-16 Ibiden Engineering Kk プリント配線板の製造方法
JP2007208205A (ja) * 2006-02-06 2007-08-16 Ibiden Engineering Kk プリント配線板の製造方法及びこれに用いる打抜き加工用金型
JP2007208206A (ja) * 2006-02-06 2007-08-16 Ibiden Engineering Kk プリント配線板の製造方法
JP2008171954A (ja) * 2007-01-10 2008-07-24 Ibiden Engineering Kk プリント配線板の製造方法
JP2017146392A (ja) * 2016-02-16 2017-08-24 日昌株式会社 偏光板の加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3833084B2 (ja) 2006-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100819195B1 (ko) 플렉서블 프린트 배선 기판 및 플렉서블 프린트 배선기판의 제조방법 및 반도체 장치
KR100437437B1 (ko) 반도체 패키지의 제조법 및 반도체 패키지
KR100781827B1 (ko) 반도체 패키지 및 그 제조 방법
KR100634239B1 (ko) 보강판 부착 장치 및 부착 방법
KR101944795B1 (ko) 테이프 필름 패키지 및 그의 제조방법
KR101544844B1 (ko) 와이어드 러버 컨택트 및 그 제조방법
KR20000010668A (ko) 성형된 유연 회로 볼 그리드 어레이 및 그 제조방법
TWI478296B (zh) 樹脂密封型半導體裝置
JP2007287953A (ja) 回路基板およびその製造方法
US20160255717A1 (en) Multilayer wiring board
JP2004095756A (ja) 半導体パッケージおよびその製造方法、並びに電子装置
KR100776466B1 (ko) 플렉서블 프린트 배선 기판 및 플렉서블 프린트 배선기판의 제조방법 및 반도체 장치
WO2009122911A1 (ja) 半導体モジュール、半導体モジュールの製造方法、ならびに携帯機器
JP3833084B2 (ja) 電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法
KR20070106364A (ko) 반도체(플립 칩) 실장 부품과 그 제조 방법
JP2000340617A (ja) Tabテープキャリアおよびその製造方法
JP2004140384A (ja) プリント配線基板の接続方法
JP3836002B2 (ja) 電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法及び製造装置
JP2009277987A (ja) 電子部品実装用フィルムキャリアテープ、その製造方法、および、半導体装置
JP4072693B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3726891B2 (ja) 電子部品実装用フィルムキャリアテープの実装構造および電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法
JP2006013030A (ja) 回路基板用部材およびその製造方法
JP2008235656A (ja) 回路基板の実装体
JP4364181B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3444787B2 (ja) 電子部品実装用フィルムキャリアテープおよび電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050314

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060424

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060426

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060616

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060712

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060718

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees