JP2000340617A - Tabテープキャリアおよびその製造方法 - Google Patents
Tabテープキャリアおよびその製造方法Info
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- H01L2924/1517—Multilayer substrate
- H01L2924/15172—Fan-out arrangement of the internal vias
- H01L2924/15173—Fan-out arrangement of the internal vias in a single layer of the multilayer substrate
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
生を抑制し、薄型化を図ることができ、素子搭載時およ
びボンディング時の位置決め精度に優れ、歩留りおよび
生産性の向上を図ることができるTABテープキャリア
およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 絶縁フィルム1上に銅箔によって形成さ
れる配線パターン2と、配線パターン2の形成面に設け
られる補強枠2Cと、補強枠2Cの形成領域に開口され
るテープキャリア搬送用の送り孔1Aを有するようにし
た。
Description
アおよびその製造方法に関し、特に、COF(Chip On
Flexible Printed Circuit)に使用するTAB(Tape A
utomated Bonding)用テープのチップ位置合わせと作業
性に優れるTABテープキャリアおよびその製造方法に
関する。
えば、COF用TABテープがある。このCOF用TA
Bテープは、一般に、厚さ12〜100μm,幅35m
m〜70mmの幅を有する有機ポリイミドテープ、ガラ
スエポキシテープ等の絶縁フィルムに接着剤を用いずに
厚さ9〜35μmの圧延銅箔あるいは電解銅箔等の銅箔
を貼り合わせた後、パンチング加工によってTABテー
プキャリアを搬送するための送り孔を形成し、フォトレ
ジスト・エッチングプロセスによって所定の配線パター
ンとIC装置搭載用のリード配線を形成しており、この
配線パターンおよびリード配線にSnめっきあるいはN
i/Au電気めっき等のめっき処理を行っている。
プを用いた液晶表示装置を示し、ポリイミドフィルム1
に貼り付けられた銅箔によって形成される配線パターン
21A,21BおよびIC接続用のインナーリード21
Cと、インナーリード21Cに後述する異方性導電膜に
よって接続されるIC装置22と、配線パターン21
A,21BおよびIC装置接続用のインナーリード21
Cを保護するソルダレジスト23と、基板24A,24
B間に液晶24Cを封入された液晶表示素子24を有
し、IC装置22のボンディングパッドとインナーリー
ド21C、および液晶表示素子24と配線パターン21
Bは異方性導電膜25によって接続されている。また、
配線パターン21Aは異方性導電膜25によって外部接
続回路(図示せず)と接続される。
断面を示し、異方性導電膜25は、合成樹脂にニッケル
等の金属粒子を混合して形成されており、ポリイミドフ
ィルム1に形成されたインナーリード21CとIC装置
22のボンディングパッド22Aが対向するようにIC
装置22を配置し、異方性導電膜25を介在させて熱お
よび圧力を加えると合成樹脂が流れ出し、金属粒子が対
向するインナーリード21Cとボンディングパッド22
Aに接触することによって電気的に接続される。この金
属粒子は合成樹脂中の水平方向で隣接する金属粒子と所
定の間隔を有するように分散しており、このことによっ
て水平方向に配置された他のインナーリードとの電気的
接続が確保されている。また、液晶表示素子24と配線
パターン21Bについても異方性導電膜25によって同
様に接続される。
テープキャリアによると、柔軟性を得るために絶縁フィ
ルムの厚さを薄く(100μm以下)すると、テープキ
ャリアの強度が低下して搬送時に送り孔が破損するた
め、搬送位置ずれが生じ、時には搬送が困難になるとい
う問題がある。また、100μm以下の厚さの絶縁フィ
ルム上に形成される配線パターンが微細化すると、テー
プキャリアの反りが大になってインナーリードとIC装
置(半導体チップ)の搭載時およびボンディング時に位
置ずれが発生し易くなるため、歩留りおよび生産性が低
下するという問題がある。従って、本発明の第1の目的
は、送り孔の破損およびテープキャリアの反りの発生を
抑制し、薄型化を図ることができるTABテープキャリ
アを提供することにある。
およびボンディング時の位置決め精度に優れ、歩留りお
よび生産性の向上を図ることのできるTABテープキャ
リアの製造方法を提供することにある。
目的を達成するため、薄い膜厚の柔軟性を有する絶縁フ
ィルムに積層された導電層によって所定の配線パターン
を形成されるTABテープキャリアにおいて、前記導電
層によって前記配線パターンの周囲に形成され、前記絶
縁フィルムを補強する補強パターン有するTABテープ
キャリアを提供する。
配線パターンを形成する導電層によって配線パターンの
周囲に補強パターンを形成することでテープキャリアの
剛性が向上し、このことによって反りや送り孔の破損が
防止される。
するため、薄い膜厚の柔軟性を有する絶縁フィルムに積
層された導電層によって所定の配線パターンを形成され
るTABテープキャリアの製造方法において、前記絶縁
フィルムの第1および第2の面に圧延銅箔又は電解銅箔
の導電層を設け、前記導電層を設けた前記絶縁フィルム
にパンチング加工によってテープキャリア搬送用の送り
孔を形成し、前記第1の面にフォトアプリケーションお
よびエッチング処理を施して配線パターンおよびこの配
線パターンを囲う第1の補強パターンを形成し、前記第
2の面にフォトアプリケーションおよびエッチング処理
を施して前記第1の補強パターンに対応した第2の補強
パターンを形成し、前記配線パターンの素子接続部およ
び外部回路との接続部を除く前記第1および第2の面に
ポリイミド系の樹脂材料を塗布し、前記樹脂材料を塗布
された前記絶縁フィルムに熱処理を施すTABテープキ
ャリアの製造方法を提供する。
によると、配線パターン形成部分の周囲に銅箔層を残す
ように配線パターンを形成することによって、配線パタ
ーン形成部分の平坦性が向上し、このことによってIC
装置の搭載時およびボンディング時の位置決め精度が向
上するとともに歩留りおよび生産性の向上が図れる。
態のTABテープキャリアを部分的に示し、ポリイミド
フィルム1の両面に電解銅箔でインナーリード2Aおよ
びアウターリード2Bを形成される配線パターン2と、
電解銅箔によって配線パターン2の周囲に枠状に形成さ
れる補強枠2Cと、補強枠2Cの形成部分に設けられる
送り孔1Aを有し、配線パターン2の所定の部分をソル
ダレジスト3で覆って保護している。ポリイミドフィル
ム1の厚さは25μm〜100μmであり、インナーリ
ード2A,アウターリード2B,および補強枠2Cを形
成する電解銅箔の厚さは9μm〜25μmで、市販品と
して入手可能な接着剤レス両面銅貼りポリイミドテープ
の構成に準じている。
リアの裏面を示し、配線パターン形成面に形成される補
強枠の裏面に電解銅箔によって補強枠2Cと略同一形状
で補強枠2Dが形成されている。この補強枠2Dは、上
記した配線パターン形成面の補強枠2Cとともに配線パ
ターンより外側の周縁部の厚さを増大させることによっ
てテープキャリアの剛性を大にしており、このことによ
って反りの発生を抑制する。また、補強枠2C,2Dの
形成部分に送り孔1Aを形成することによってテープキ
ャリアの搬送時における送り孔1Aの破損が防止され
る。
プキャリアの製造工程を図1(a)の線II−IIに沿った
部分の断面に基づいて示す。図2(a)は、TABテー
プキャリアを構成する接着剤レス両面銅貼りポリイミド
テープ10を示し、厚さ25μm、幅70mmのポリイ
ミドフィルム1の両面に厚さ18μmの電解銅箔20が
接着剤を用いずに貼り付けられている。また、ポリイミ
ドフィルムにスパッタ等によってCrおよびNiの下地
処理を施した後、Cuめっきを施すことによって銅配線
層を形成することも可能であるが、この場合、後述する
熱処理によってピール強度が低下し、Cuめっきと下地
層が剥離する恐れがある。
接着剤レス両面銅貼りポリイミドテープ10の側部にパ
ンチング加工によってTABテープキャリア搬送用の送
り孔1Aを形成する。
の形成工程を示し、パンチング加工された接着剤レス両
面銅貼りポリイミドテープ10の配線パターン形成面に
設けられる電解銅箔20をフォトアプリケーションに基
づいてインナーリードおよびアウターリードを有する配
線パターン2および補強枠2Cのエッチングパターンを
形成し、このエッチングパターンをレジストでマスクし
てエッチングを施すことにより配線パターン2および補
強枠2Cを残して電解銅箔が除去される。
の形成工程を示し、配線パターン形成面の裏面にフォト
アプリケーションに基づいて補強枠2Dに応じたエッチ
ングパターンを形成し、このエッチングパターンをレジ
ストでマスクしてエッチングを施すことにより補強枠2
Dを残して電解銅箔が除去される。
成工程を示し、エッチング処理後の接着剤レス両面銅貼
りポリイミドテープ10の両面にポリイミド系の樹脂を
塗布し、所定の熱処理を施して銅箔部分の表面に保護膜
11を形成する。このとき、インナーリードおよび配線
パターンの外部接続部分を除いた部分に樹脂を塗布す
る。樹脂の塗布後に熱処理を施すことで屈曲性が付与さ
れる。熱処理後に樹脂が塗布されない銅箔部分には厚さ
0.4μmの無電解Snめっきが施される。
ャリアについて、85℃×85%RH,30Vで耐マイ
グレーション試験を1000時間実施したところ、配線
パターン2の60μmピッチ部で109 Ω以上の絶縁抵
抗を有し、信頼性に優れることが確認された。
には異方性導電膜を用いる。IC等の半導体装置の接続
端子をTABテープキャリアに形成されるインナーリー
ドに位置決めし、異方性導電膜によって半導体装置をT
ABテープキャリア上に搭載するとともにインナーリー
ドと接続端子を電気的に接続する。半導体装置の搭載
後、TABテープキャリアの補強枠を切断して回路基板
に実装する。
貼り付けられた電解銅箔20によって配線パターンのエ
ッチング処理時に補強枠2C,2Dを形成することで、
電解銅箔20の除去に基づくポリイミドフィルム1の反
り,変形が抑制され、また、送り孔の破損を防ぐことが
できる。このことにより薄型で変形の小なるTABテー
プキャリアを形成することができる。上記した銅箔によ
る補強枠を有するTABテープキャリアは、従来の補強
なしのTABテープキャリアと比較して反りを1/3以
下に抑えられることが本発明者によって確認されてい
る。
設けないTABテープキャリアおよびその製造方法につ
いて説明したが、デバイスホールを形成したインナーリ
ードボンディングタイプのTABテープキャリアおよび
その製造方法に適用することもできる。具体的には、デ
バイスホールなしのFlip Chip接続用のTAB
テープキャリア、デバイスホールを形成したビームリー
ドタイプのLCD用TABテープキャリアが挙げられ
る。
プキャリアによると、導電層によって配線パターンの周
囲に形成され、絶縁フィルムを補強する補強パターンを
有するようにしたため、送り孔の破損および反りの発生
を抑制し、薄型化を図ることができる。また、本発明の
TABテープキャリアの製造方法によると、絶縁フィル
ムの第1および第2の面に圧延銅箔又は電解銅箔の導電
層を設け、導電層を設けた絶縁フィルムにパンチング加
工によってテープキャリア搬送用の送り孔を形成し、第
1の面にフォトアプリケーションおよびエッチング処理
を施して配線パターンおよびこの配線パターンを囲う第
1の補強パターンを形成し、第2の面にフォトアプリケ
ーションおよびエッチング処理を施して第1の補強パタ
ーンに対応した第2の補強パターンを形成し、配線パタ
ーンの素子接続部および外部回路との接続部を除く第1
および第2の面にポリイミド系の樹脂材料を塗布し、樹
脂材料を塗布された絶縁フィルムに熱処理を施すように
したため、素子搭載時およびボンディング時の位置決め
精度に優れ、歩留りおよび生産性の向上を図ることがで
きる
ープキャリアの平面図 (b)は、本発明の実施の形態に係るTABテープキャ
リアの背面図
るTABテープキャリアの製造方法を示す説明図
図 (b)は、(a)の線B−Bの沿った断面図
Claims (5)
- 【請求項1】 薄い膜厚の柔軟性を有する絶縁フィルム
に積層された導電層によって所定の配線パターンを形成
されるTABテープキャリアにおいて、 前記導電層によって前記配線パターンの周囲に形成さ
れ、前記絶縁フィルムを補強する補強パターン有するこ
とを特徴とするTABテープキャリア。 - 【請求項2】 前記絶縁フィルムは、前記導電層として
厚さ9〜25μmの銅箔を両面に有する厚さ25〜10
0μmのポリイミドテープであり、前記補強パターン
は、前記配線パターンの形成面に形成される第1の補強
パターンと、その裏面に形成される第2の補強パターン
を有する構成の請求項第1項記載のTABテープキャリ
ア。 - 【請求項3】 前記補強パターンは、前記絶縁フィルム
に形成された搬送用の送り孔を補強する構成を有し、 前記配線パターンは、半導体チップ搭載領域へ両側より
伸びる第1および第2の複数のインナーリードと、前記
第1の複数のインナーリードの他端に形成されて液晶表
示装置に接続される第1の複数のアウターリードと、前
記第2の複数のインナーリードの他端に形成されて外部
回路に接続される第2のアウターリードを有する構成の
請求項第1項記載のTABテープキャリア。 - 【請求項4】 薄い膜厚の柔軟性を有する絶縁フィルム
に積層された導電層によって所定の配線パターンを形成
されるTABテープキャリアの製造方法において、 前記絶縁フィルムの第1および第2の面に圧延銅箔又は
電解銅箔の導電層を設け、 前記導電層を設けた前記絶縁フィルムにパンチング加工
によってテープキャリア搬送用の送り孔を形成し、 前記第1の面にフォトアプリケーションおよびエッチン
グ処理を施して配線パターンおよびこの配線パターンを
囲う第1の補強パターンを形成し、 前記第2の面にフォトアプリケーションおよびエッチン
グ処理を施して前記第1の補強パターンに対応した第2
の補強パターンを形成し、 前記配線パターンの素子接続部および外部回路との接続
部を除く前記第1および第2の面にポリイミド系の樹脂
材料を塗布し、 前記樹脂材料を塗布された前記絶縁フィルムに熱処理を
施すことを特徴とするTABテープキャリアの製造方
法。 - 【請求項5】 前記圧延銅箔又は電解銅箔は、接着剤を
用いずに前記絶縁フィルム第1および第2の面に貼り合
わせられる請求項第4項記載のTABテープキャリアの
製造方法。
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JP14865299A JP3555502B2 (ja) | 1999-05-27 | 1999-05-27 | Cof用tabテープキャリアの製造方法 |
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- 1999-05-27 JP JP14865299A patent/JP3555502B2/ja not_active Expired - Fee Related
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