JP2018039720A - Iii族窒化物半導体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】種基板1は、下地となる下地基板2上に、III 族窒化物半導体層3が形成され、III 族窒化物半導体層3上にマスク4が形成された構成である。マスク4には、正三角格子状のドット状に複数の窓5が空けられている。この種基板1を用いて、フラックス法により種基板1上にIII 族窒化物半導体を育成する。ここで、種基板1と混合融液を保持する坩堝12の蓋12Aの上に炭素を配置し、結晶成長開始時に炭素と混合融液21が接触しないようにする。このように配置することで、時間の経過とともに次第に混合融液21に炭素が添加されていくようにする。これにより種基板1上に育成したIII 族窒化物半導体結晶6は、未成長領域や異常粒成長領域が低減されている。
【選択図】図7
Description
本発明に用いるフラックス法は、フラックスとなるアルカリ金属と、原料であるIII 族金属とを含む混合融液に、窒素を含むガスを供給して溶解させ、液相でIII 族窒化物半導体をエピタキシャル成長させる方法である。本発明では、混合融液中に種基板1を配置し、その種基板1上にIII 族窒化物半導体を結晶成長させる。
本発明のIII 族窒化物半導体の製造方法では、混合融液中に種基板(種結晶)1を配置し、その種基板1上にIII 族窒化物半導体を育成する。この種基板1には、任意の構成のものを用いることができ、III 族窒化物半導体からなる基板(自立基板)や、下地基板上にIII 族窒化物半導体を積層させた基板(テンプレート基板)などを用いることができるが、以下に説明する構成の種基板1を用いることが好ましい。
本発明のIII 族窒化物半導体の製造方法では、たとえば以下の構成の結晶製造装置を用いる。
次に、本発明のIII 族窒化物半導体の製造方法について、図4を参照に説明する。
比較例1として、実施例1と同一構成の種基板1を用い、以下の点を変えた以外は同一の育成条件のフラックス法によって、種基板1上にGaN結晶を育成した。坩堝12にCをNaに対して0.6mol%直接投入した。各種結晶領域から育成したGaN結晶は合体して一体となっており、GaN結晶の成長速度は13μm/hであった。
比較例2として、実施例1と同一構成の種基板1を用い、以下の点を変えた以外は同一の育成条件のフラックス法によって、種基板1上にGaN結晶を育成した。比較例2では坩堝12に炭素を添加せず、坩堝12の外にも炭素を配置しないで育成を行った。各種結晶領域から育成したGaN結晶は合体して一体となっており、GaN結晶の成長速度は2μm/hであった。
また、図7に示すように、炭素の粉末30を入れた坩堝31を蓋12Aの上に設けて、同様にGaNの成長を行っても、同様に実施例1と同一の効果が得られる。
坩堝12の上端面と蓋12Aとの間のギャップ44の幅は、0.2〜10mmが適切である。このギャップ44の幅が大き過ぎると、蒸発したNaが坩堝12の外に出る量が増えるために、育成中の融液のNaの量が低下する。そのため、ギャップ44の幅は、育成温度、圧力に応じて、適切に設定されることが望ましい。
意図的(積極的に)にギャップ44を設けることで、実施例1の場合に比べて、坩堝12内への炭素の流入量は増加するが、炭素の粉末を坩堝12の外部に設けることで、良質なGaN結晶を得ることができる。このギャップ44の幅を変化させることにより、炭素の坩堝12内への導入量を制御することができる。また、図13に示すように、坩堝12の上端面と蓋12Aとの間にギャップ44を設けて、炭素の粉末30を入れた坩堝31を、実施例4と同様に、坩堝12の設置面と同一面上に設けても良い。この場合にも、同様に良質なGaN結晶が得られる。
実施例1では、育成開始時に混合融液に接触しないように炭素を配置し、これにより、育成開始前に混合融液の炭素濃度が0であって育成開始後に混合融液の炭素濃度が次第に増加するようにしているが、本発明はこれに限るものではない。育成開始前に混合融液の炭素濃度を0とし、育成開始後に混合融液の炭素濃度を次第に増加させる方法であれば、任意の方法を用いることができる。炭素濃度の増加は連続的であることが好ましい。なお、上記において炭素濃度が0とは、完全に炭素濃度が0であることを意味するのではなく、意図的な炭素の添加であると判別できない程度に炭素濃度が低ければよい。
2:下地基板
3:III 族窒化物半導体層
4:マスク
5:窓
6:III 族窒化物半導体結晶
12:坩堝
21:混合融液
30:炭素
31:坩堝
40:メッシュ
43:スペーサ
44:ギャップ
Claims (14)
- 種基板の上に、アルカリ金属とIII 族金属の混合融液を用いたフラックス法によってIII 族窒化物半導体を成長させるIII 族窒化物半導体の製造方法において、
育成開始前に前記混合融液の炭素濃度を0とし、育成開始後に前記混合融液の炭素濃度を増加させながら、前記種基板上にIII 族窒化物半導体を成長させる、
を有することを特徴とするIII 族窒化物半導体の製造方法。 - 育成開始時に前記混合融液に接触しないように炭素を配置することにより、育成開始前に前記混合融液の炭素濃度を0とし、育成開始後に前記混合融液の炭素濃度を増加させる、ことを特徴とする請求項1にIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記種基板と前記混合融液の保持のために第1の坩堝を用い、前記炭素は、前記第1の坩堝の外に配置した、
ことを特徴とする請求項2に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。 - 前記第1の坩堝は蓋を有することを特徴とする請求項3に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記第1の坩堝の上端面と前記蓋との間には間隙が形成されていることを特徴とする請求項4に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記炭素は、前記第1の坩堝の前記蓋の上に配置した、ことを特徴とする請求項4又は請求項5に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記炭素を保持する第2の坩堝を用い、前記炭素を保持した前記第2の坩堝を前記第1の坩堝に近接して配置した、ことを特徴とする請求項4又は請求項5に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記炭素は粉末状であり、メッシュに包んで配置した、ことを特徴とする請求項2ないし請求項7のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記種基板は、エピタキシャル成長の起点となる種結晶領域がドット状に点在されている、ことを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記種基板は、下地基板と、下地基板上に位置するIII 族窒化物半導体層と、III 族窒化物半導体層上に位置するマスクと、を有し、
前記マスクは、三角格子状に配列された複数の窓を有する、
ことを特徴とする請求項9に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。 - 前記マスクは、ALD法により形成されている、ことを特徴とする請求項10に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記マスクは、Al2 O3 、TiO2 、またはZrO2 からなる、ことを特徴とする請求項11に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記種基板は、III 族窒化物半導体からなる自立基板である、ことを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記種基板は、直径が2インチ以上である、ことを特徴とする請求項1ないし請求項13のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
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