JP2018022926A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2018022926A5
JP2018022926A5 JP2017211491A JP2017211491A JP2018022926A5 JP 2018022926 A5 JP2018022926 A5 JP 2018022926A5 JP 2017211491 A JP2017211491 A JP 2017211491A JP 2017211491 A JP2017211491 A JP 2017211491A JP 2018022926 A5 JP2018022926 A5 JP 2018022926A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
etching method
catalyst layer
semiconductor
noble metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2017211491A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2018022926A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2017211491A priority Critical patent/JP2018022926A/ja
Priority claimed from JP2017211491A external-priority patent/JP2018022926A/ja
Publication of JP2018022926A publication Critical patent/JP2018022926A/ja
Publication of JP2018022926A5 publication Critical patent/JP2018022926A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2017211491A 2017-11-01 2017-11-01 エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法 Pending JP2018022926A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017211491A JP2018022926A (ja) 2017-11-01 2017-11-01 エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017211491A JP2018022926A (ja) 2017-11-01 2017-11-01 エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017006148A Division JP6246956B1 (ja) 2017-01-17 2017-01-17 エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018022926A JP2018022926A (ja) 2018-02-08
JP2018022926A5 true JP2018022926A5 (enExample) 2019-08-22

Family

ID=61165147

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017211491A Pending JP2018022926A (ja) 2017-11-01 2017-11-01 エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2018022926A (enExample)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019159781A1 (ja) 2018-02-13 2019-08-22 三菱マテリアル株式会社 TiN基焼結体およびTiN基焼結体製切削工具
KR102593698B1 (ko) * 2018-05-31 2023-10-24 더 스쿨 코포레이션 칸사이 유니버시티 실리콘 반도체 기판의 에칭 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및 에칭액

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB201005979D0 (en) * 2010-04-09 2010-05-26 Nexeon Ltd A method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries
JP6441025B2 (ja) * 2013-11-13 2018-12-19 株式会社東芝 半導体チップの製造方法
JP6121959B2 (ja) * 2014-09-11 2017-04-26 株式会社東芝 エッチング方法、物品及び半導体装置の製造方法、並びにエッチング液

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6121959B2 (ja) エッチング方法、物品及び半導体装置の製造方法、並びにエッチング液
CN102132402B (zh) 薄箔半导体封装
US10854466B2 (en) Etching method, method of manufacturing semiconductor chip, and method of manufacturing article
JP6081647B1 (ja) エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法
RU2010138584A (ru) Осаждение и селективное удаление электропроводного вспомогательного слоя для обработки наноструктуры
US20080087634A1 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP3177600U (ja) 発光ダイオード基板及び発光ダイオード
TWI413188B (zh) 導線結構及其形成方法
TW201344869A (zh) 半導體元件背面銅金屬之改良結構及其製程方法
JP2011077434A5 (enExample)
JP2018022926A5 (enExample)
JP6444805B2 (ja) 半導体チップの製造方法
JP5228381B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US8101871B2 (en) Aluminum bond pads with enhanced wire bond stability
JP6970263B2 (ja) エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法
JP2018022926A (ja) エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法
JP6246956B1 (ja) エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法
CN106298635B (zh) 半导体器件的制造方法
CN103065974B (zh) 一种制作芯片压焊块的方法及芯片
TWI669994B (zh) Method for manufacturing miniaturized circuit and its products
JP2017152710A (ja) エッチング方法、物品及び半導体装置の製造方法、並びにエッチング液
CN104253088B (zh) 防止铝尖楔的成膜工艺方法
KR100624435B1 (ko) 반도체 기판의 식각방법
JP2010199182A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2013211414A (ja) 半導体装置の製造方法