JP2018022926A - エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法 - Google Patents

エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2018022926A
JP2018022926A JP2017211491A JP2017211491A JP2018022926A JP 2018022926 A JP2018022926 A JP 2018022926A JP 2017211491 A JP2017211491 A JP 2017211491A JP 2017211491 A JP2017211491 A JP 2017211491A JP 2018022926 A JP2018022926 A JP 2018022926A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
catalyst layer
semiconductor
noble metal
etching method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2017211491A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2018022926A5 (enExample
Inventor
圭一郎 松尾
Keiichiro Matsuo
圭一郎 松尾
佑策 浅野
Yusaku Asano
佑策 浅野
樋口　和人
Kazuto Higuchi
和人 樋口
下川　一生
Kazuo Shimokawa
一生 下川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2017211491A priority Critical patent/JP2018022926A/ja
Publication of JP2018022926A publication Critical patent/JP2018022926A/ja
Publication of JP2018022926A5 publication Critical patent/JP2018022926A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Weting (AREA)
  • Dicing (AREA)
JP2017211491A 2017-11-01 2017-11-01 エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法 Pending JP2018022926A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017211491A JP2018022926A (ja) 2017-11-01 2017-11-01 エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017211491A JP2018022926A (ja) 2017-11-01 2017-11-01 エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017006148A Division JP6246956B1 (ja) 2017-01-17 2017-01-17 エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018022926A true JP2018022926A (ja) 2018-02-08
JP2018022926A5 JP2018022926A5 (enExample) 2019-08-22

Family

ID=61165147

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017211491A Pending JP2018022926A (ja) 2017-11-01 2017-11-01 エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2018022926A (enExample)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019159781A1 (ja) 2018-02-13 2019-08-22 三菱マテリアル株式会社 ＴｉＮ基焼結体およびＴｉＮ基焼結体製切削工具
JPWO2019230833A1 (ja) * 2018-05-31 2021-06-24 学校法人 関西大学 シリコン半導体基板のエッチング方法、半導体装置の製造方法およびエッチング液

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013523588A (ja) * 2010-04-09 2013-06-17 ネグゼオン・リミテッド シリコン又はシリコン系材料からなる構造化粒子の製造方法及びそのリチウム二次電池での使用
JP2015119170A (ja) * 2013-11-13 2015-06-25 株式会社東芝 半導体チップの製造方法、半導体チップ、及び半導体装置
JP2016058647A (ja) * 2014-09-11 2016-04-21 株式会社東芝 エッチング方法、物品及び半導体装置の製造方法、並びにエッチング液

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013523588A (ja) * 2010-04-09 2013-06-17 ネグゼオン・リミテッド シリコン又はシリコン系材料からなる構造化粒子の製造方法及びそのリチウム二次電池での使用
JP2015119170A (ja) * 2013-11-13 2015-06-25 株式会社東芝 半導体チップの製造方法、半導体チップ、及び半導体装置
JP2016058647A (ja) * 2014-09-11 2016-04-21 株式会社東芝 エッチング方法、物品及び半導体装置の製造方法、並びにエッチング液

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019159781A1 (ja) 2018-02-13 2019-08-22 三菱マテリアル株式会社 ＴｉＮ基焼結体およびＴｉＮ基焼結体製切削工具
JPWO2019230833A1 (ja) * 2018-05-31 2021-06-24 学校法人 関西大学 シリコン半導体基板のエッチング方法、半導体装置の製造方法およびエッチング液
JP7236111B2 (ja) 2018-05-31 2023-03-09 学校法人 関西大学 シリコン半導体基板のエッチング方法、半導体装置の製造方法およびエッチング液
TWI818030B (zh) * 2018-05-31 2023-10-11 學校法人關西大學 矽半導體基板之蝕刻方法、半導體裝置之製造方法及蝕刻液

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6081647B1 (ja) エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法
US10854466B2 (en) Etching method, method of manufacturing semiconductor chip, and method of manufacturing article
KR102271693B1 (ko) 에칭 방법, 물품 및 반도체 장치의 제조 방법, 및 에칭액
JP2017050378A (ja) エッチング方法、物品の製造方法、及びエッチング装置
JP6444805B2 (ja) 半導体チップの製造方法
US20220115238A1 (en) Etching method, method of manufacturing semiconductor chip, and method of manufacturing article
JP7080781B2 (ja) 多孔質層の形成方法、エッチング方法、物品の製造方法、半導体装置の製造方法、及びめっき液
JP2018022926A (ja) エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法
JP6246956B1 (ja) エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法
JP2017195383A (ja) エッチング方法、物品の製造方法、及びエッチング装置
JP6970263B2 (ja) エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法
US20230077915A1 (en) Etching method
TWI785501B (zh) 觸媒層之形成方法
JP6363245B2 (ja) エッチング方法、物品及び半導体装置の製造方法、並びにエッチング液
JP2025047175A (ja) エッチング方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190710

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190710

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200626

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200630

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20201222