JP2018022816A - 半導体システム - Google Patents

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Abstract

【課題】複数の半導体製造装置の間で直接通信可能な半導体システムを提供する。【解決手段】第１の半導体製造装置１Ａと第２の半導体製造装置１Ｂとの間で半導体製造装置に関する情報を共有する半導体システムであって、第１の半導体製造装置は、第１の半導体製造装置に関する第１の情報を取得する第１の取得部と、第１の情報を記憶する第１の記憶部と、記憶された第１の情報を第２の半導体製造装置へ送信する第１の通信部と、を有する。第２の半導体製造装置は、第２の半導体製造装置に関する第２の情報を取得する第２の取得部と、第２の情報を記憶する第２の記憶部と、第１の半導体製造装置から送信された前記第１の情報を受信する第２の通信部と、第２の通信部が受信した前記第１の情報と前記第２の記憶部に記憶された第２の情報とに基づいて第２の半導体製造装置の状態を解析する解析部と、を有する。【選択図】図１

Description

本発明は、半導体システムに関する。
複数の半導体製造装置を用いて半導体装置を製造する半導体システムにおいては、半導体製造装置の個体差や設置環境の違い等により、半導体装置の品質にばらつきが生じる場合がある。
そこで従来は、半導体装置の品質のばらつきを低減するために、半導体製造装置に熟練したエンジニア等が各々の半導体製造装置の状態等を確認し、調整を行っていた。また、複数の半導体製造装置に専用のシステムを接続し、専用のシステムを用いて複数の半導体製造装置の間のパラメータ等の比較や編集を行う方法が知られている（例えば、特許文献１〜３参照）。
特許第５４３６７９７号公報 特開２００３−２１７９９５号公報 特開平１１−３４０１１１号公報
しかしながら、エンジニア等が各々の半導体製造装置の調整を行うのは、時間やコストの観点から好ましくなく、また、調整結果にばらつきが生じやすい。特許文献１〜３に記載された方法では、半導体製造装置とは別個に専用のシステムを導入する必要があり、コストの観点から好ましくない。このため、専用のシステムを導入することなく、複数の半導体製造装置の間で直接通信することが可能な半導体システムが求められている。
そこで、本発明の一態様では、複数の半導体製造装置の間で直接通信することが可能な半導体システムを提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る半導体システムは、第１の半導体製造装置と第２の半導体製造装置との間で半導体製造装置に関する情報を直接通信することにより共有する半導体システムであって、前記第１の半導体製造装置は、前記第１の半導体製造装置に関する第１の情報を取得する第１の取得部と、前記第１の取得部が取得した前記第１の情報を記憶する第１の記憶部と、前記第１の記憶部に記憶された前記第１の情報を前記第２の半導体製造装置へ送信する第１の通信部と、を有し、前記第２の半導体製造装置は、前記第２の半導体製造装置に関する第２の情報を取得する第２の取得部と、前記第２の取得部が取得した前記第２の情報を記憶する第２の記憶部と、前記第１の半導体製造装置から送信された前記第１の情報を受信する第２の通信部と、前記第２の通信部が受信した前記第１の情報と前記第２の記憶部に記憶された前記第２の情報とに基づいて前記第２の半導体製造装置の状態を解析する解析部と、前記解析部の解析結果を可視化した情報を生成する情報生成部と、前記情報生成部により生成された情報を表示する表示部と、を有する。
開示の半導体システムによれば、複数の半導体製造装置の間で直接通信することが可能な半導体システムを提供することができる。
一実施形態に係る半導体システムの一例を示す全体構成図 装置コントローラのハードウェア構成の一例を示す図 装置コントローラの機能構成の一例を示すブロック図 一実施形態に係る半導体システムによる処理の一例を示すフローチャート 半導体製造装置１Ａの排気プロファイルの一例を示す図 半導体製造装置１Ｂの排気プロファイルの一例を示す図 半導体製造装置１Ａの排気プロファイルと半導体製造装置１Ｂの排気プロファイルとの関係を示す図 補正値テーブルの一例を示す図
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
（半導体システム）
本発明の一実施形態に係る半導体システムについて説明する。図１は、一実施形態に係る半導体システムの一例を示す全体構成図である。
図１に示されるように、半導体システムは、複数の半導体製造装置、例えば３つの半導体製造装置１Ａ、１Ｂ、１Ｃを有する。
半導体製造装置１Ａ、１Ｂ、１Ｃは、被処理体に所定の半導体プロセスを行う装置であり、例えば液晶パネル、有機ＥＬ（Electroluminescence）ディスプレイ、プラズマ表示パネル等を製造する装置である。被処理体は、半導体ウエハ、ガラス基板等である。半導体プロセスは、少なくとも半導体に関するプロセスを含むものであればよい。半導体に関するプロセスとしては、成膜処理、エッチング処理、熱酸化処理等が挙げられる。半導体製造装置１Ａ、１Ｂ、１Ｃは、バッチ式の装置であってもよく、枚葉式の装置であってもよい。
半導体製造装置１Ａ、１Ｂ、１Ｃには、それぞれ装置の各部の動作を制御する装置コントローラ１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃが設けられている。装置コントローラ１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、互いに同一の通信ネットワークに接続されている。装置コントローラ１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、通信ネットワークを介して半導体製造装置１Ａ、１Ｂ、１Ｃに関する情報を直接通信することにより共有することが可能となっている。例えば、装置コントローラ１０Ａと装置コントローラ１０Ｂとの間で半導体製造装置１Ａ、１Ｂに関する情報を双方向に通信することにより共有する。また、例えば装置コントローラ１０Ａと装置コントローラ１０Ｃとの間で半導体製造装置１Ａ、１Ｃに関する情報を双方向に通信することにより共有する。なお、通信ネットワークは、例えば半導体システムが設置されている工場全体の製造工程を管理する製造実行システム（ＭＥＳ：Manufacturing Execution System）のネットワークであってよい。また、通信ネットワークは、例えばインターネット、イントラネット、公衆電話回線網であってもよい。
装置コントローラ１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、同一の構成であってもよく、異なる構成であってもよいが、同一の構成である場合を例に挙げて説明する。以下では、同一の構成を有する装置コントローラ１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃのうちの装置コントローラ１０Ａについて説明し、装置コントローラ１０Ｂ、１０Ｃについての説明を省略する。
（装置コントローラ）
装置コントローラ１０Ａのハードウェア構成の一例について説明する。図２は、装置コントローラ１０Ａのハードウェア構成の一例を示す図である。
図２に示されるように、装置コントローラ１０Ａは、バス１７を介して相互に接続されたＣＰＵ（Central Processing Unit）１１、ＲＯＭ（Read Only Memory）１２、ＲＡＭ（Random Access Memory）１３、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）１４、接続Ｉ／Ｆ（Interface）１５及び通信Ｉ／Ｆ１６を有する。
ＣＰＵ１１は、ＲＡＭ１３をワークエリアとしてＲＯＭ１２又はＨＤＤ１４等に格納されたプログラムを実行することで、半導体製造装置１Ａの全体の動作を制御する。接続Ｉ／Ｆ１５には、半導体製造装置１Ａの各部が接続される。通信Ｉ／Ｆ１６は、有線又は無線の通信により他の装置コントローラ１０Ｂ、１０Ｂと通信を行うためのインタフェースである。
装置コントローラ１０Ａには、被処理体に所定の半導体プロセスを実行させるためのプログラムが予めインストールされる。そして、工程管理者等は、プログラムがインストールされた半導体製造装置１Ａに対し、装置コントローラ１０Ａを介して各種の基板処理を実行させる操作を行う。
装置コントローラ１０Ａの機能構成の一例について説明する。図３は、装置コントローラ１０Ａの機能構成の一例を示すブロック図である。以下に示す装置コントローラ１０Ａの機能は、前述のＣＰＵ１１において所定のプログラムが実行されることで実現される。プログラムは、記録媒体を経由して取得されるものでよく、通信ネットワークを経由して取得されるものでもよく、ＲＯＭ１２に組み込まれていてもよい。
図３に示されるように、装置コントローラ１０Ａは、取得部１０１と、記憶部１０２と、通信部１０３と、解析部１０４と、情報生成部１０５と、表示部１０６と、入力受付部１０７と、クラスタ管理部１０８とを有する。
取得部１０１は、半導体製造装置１Ａに関する情報を取得する機能を有している。半導体製造装置１Ａに関する情報は、パラメータ、履歴データ、設置環境データ等が挙げられる。
パラメータは、半導体製造装置の各部の動作を制御するときに使用する設定値や調整値であり、例えばヒータ、真空計、流量制御器のゼロ点が挙げられる。複数の半導体製造装置におけるパラメータを比較することにより、装置構成等の違いを把握することができる。
履歴データは、半導体製造装置に所定の動作を実行させたときの半導体製造装置の各部の状態のログであり、例えば自動圧力制御機器（ＡＰＣ：Automatic Pressure Control）バルブの開度や、温度センサ、圧力センサ、流量センサ等のセンサにより測定された値が挙げられる。また、履歴データは、ＡＰＣバルブの開度やセンサにより測定された値に所定の演算を行うことにより算出される代表値化された値、例えば平均値、標準偏差等であってもよい。所定の動作は、履歴データの種類等に応じて予め定められる。複数の半導体製造装置における履歴データを比較することにより、各半導体製造装置のコンディションの差や基板処理の累積状況等の違いを把握することができる。
設置環境データは、半導体製造装置が設置された環境に応じて変化する値であり、例えば排気コンダクタンス、冷却水供給流量、ガス供給圧力等の値が挙げられる。同一条件における複数の半導体製造装置の設置環境データを比較することにより、各半導体製造装置が設置された環境等の違いを把握することができる。
記憶部１０２は、取得部１０１が取得した半導体製造装置１Ａに関する情報を記憶する機能を有している。また、記憶部１０２は、半導体製造装置１Ａが属するクラスタを特定するクラスタＩＤを記憶する機能を有している。クラスタＩＤは、例えばＩＰアドレス、通信ポートであってよい。なお、本明細書においてクラスタとは、複数の半導体製造装置をグループ化したシステムを意味する。
通信部１０３は、記憶部１０２に記憶された半導体製造装置１Ａに関する情報及びクラスタＩＤを他の装置コントローラ、例えば装置コントローラ１０Ｂ、１０Ｃに送信する機能を有している。また、通信部１０３は、他の装置コントローラ、例えば装置コントローラ１０Ｂ、１０Ｃから送信される半導体製造装置１Ｂ、１Ｃに関する情報及びクラスタＩＤを受信する機能を有している。なお、通信部１０３が受信した半導体製造装置１Ｂ、１Ｃに関する情報及びクラスタＩＤは、記憶部１０２に記憶されてもよい。
解析部１０４は、通信部１０３が受信した他の半導体製造装置１Ｂ、１Ｃに関する情報と、記憶部１０２に記憶された半導体製造装置１Ａに関する情報とに基づいて半導体製造装置１Ａの状態を解析する機能を有している。例えば、解析部１０４は、半導体製造装置１Ａに関する情報と通信部１０３が受信した他の半導体製造装置１Ｂに関する情報とを比較し、半導体製造装置１Ａの状態が半導体製造装置１Ｂの状態と同じであるか否かを判定する。具体的には、例えば半導体製造装置１Ａ及び半導体製造装置１Ｂに同一の動作を実行させたときの半導体製造装置１Ａの履歴データと半導体製造装置１Ｂの履歴データとの差分が所定の範囲内に含まれている場合、両者の状態が同じであると判定する。これに対し、半導体製造装置１Ａ及び半導体製造装置１Ｂに同一の動作を実行させたときの半導体製造装置１Ａの履歴データと半導体製造装置１Ｂの履歴データとの差分が所定の範囲内に含まれていない場合、両者の状態が異なると判定する。
情報生成部１０５は、解析部１０４の解析結果に基づいて半導体製造装置１Ａの状態を可視化した情報を生成する機能を有している。例えば、解析部１０４により半導体製造装置１Ａの状態が半導体製造装置１Ｂの状態と同じであると判定された場合、情報生成部１０５は、半導体製造装置１Ａと半導体製造装置１Ｂの状態が同じであることを示す情報を生成する。また、例えば解析部１０４により半導体製造装置１Ａの状態が半導体製造装置１Ｂの状態と異なると判定された場合、情報生成部１０５は、半導体製造装置１Ａの状態と半導体製造装置１Ｂの状態が異なることを示す情報を生成する。また、例えば解析部１０４により半導体製造装置１Ａの状態が半導体製造装置１Ｂの状態と異なると判定された場合、情報生成部１０５は、半導体製造装置１Ａにより製造される半導体装置の特性を半導体製造装置１Ｂにより製造される半導体装置の特性と一致させるための補正値を生成する。
表示部１０６は、情報生成部１０５により生成された情報を表示する機能を有している。
入力受付部１０７は、工程管理者等の操作入力を受け付ける機能を有している。
クラスタ管理部１０８は、一の半導体製造装置が他の半導体装置と同一のクラスタに属しているか否かを判定する機能を有している。例えば、半導体製造装置１Ａと半導体製造装置１Ｂとが同一のクラスタに属しているか否かを判定する場合、半導体製造装置１Ａの記憶部１０２に記憶されているクラスタＩＤと半導体製造装置１Ｂの記憶部に記憶されているクラスタＩＤとを比較する。半導体製造装置１ＡのクラスタＩＤと半導体製造装置１ＢのクラスタＩＤとが一致する場合、半導体製造装置１Ａと半導体製造装置１Ｂとが同一のクラスタに属していると判定する。なお、例えば半導体製造装置１Ａを新たに特定のクラスタに参加させる場合、工程管理者等が、参加させるクラスタにすでに属している装置のネットワークＩＤを入力することで、新たなクラスタに参加させることが可能になる。
（動作）
本発明の一実施形態に係る半導体システムによる処理の一例について説明する。以下では、半導体製造装置１Ｂの状態を参照して、半導体製造装置１Ａの状態を半導体製造装置１Ｂの状態に合わせこむ場合を例に挙げて説明する。なお、半導体システムにより処理は、複数の半導体製造装置の間において半導体製造装置に関する情報を直接通信することにより共有するものであればよく、一の半導体製造装置の状態を他の半導体製造装置の状態に合わせこむものに限定されるものではない。例えば、一の半導体製造装置において他の半導体製造装置に関する情報を参照するものであってもよく、一の半導体製造装置に他の半導体製造装置に関する情報をコピーするものであってもよい。
図４は、一実施形態に係る半導体システムによる処理の一例を示すフローチャートである。
工程管理者等によって半導体製造装置１Ｂの状態を参照して、半導体製造装置１Ａの状態を半導体製造装置１Ｂの状態に合わせこむ操作入力がなされると、取得部１０１は、半導体製造装置１Ａに関する情報を取得する（ステップＳ１）。
次に、取得部１０１は、取得した半導体製造装置１Ａに関する情報を記憶部１０２に記憶する（ステップＳ２）。
次に、通信部１０３は、半導体製造装置１Ｂに関する情報を受信する（ステップＳ３）。
次に、解析部１０４は、記憶部１０２に記憶された半導体製造装置１Ａに関する情報と通信部１０３が受信した半導体製造装置１Ｂに関する情報とに基づいて、半導体製造装置１Ａの状態が半導体製造装置１Ｂの状態と同じであるか否かを判定する（ステップＳ４）。
ステップＳ４において、解析部１０４が半導体製造装置１Ａの状態が半導体製造装置１Ｂの状態と同じであると判定した場合、情報生成部１０５は、両者の状態が同じであることを示す情報（第１の情報）を生成する（ステップＳ５）。
ステップＳ４において、解析部１０４が半導体製造装置１Ａの状態が半導体製造装置１Ｂの状態と異なると判定した場合、情報生成部１０５は、両者の状態が異なることを示す情報（第２の情報）を生成する（ステップＳ６）。また、情報生成部１０５は、半導体製造装置１Ａにより製造される半導体装置の特性を半導体製造装置１Ｂにより製造される半導体装置の特性と一致させるための補正値を生成する（ステップＳ７）。
次に、表示部１０６は、情報生成部１０５が生成した情報を表示し（ステップＳ８）、処理を終了する。即ち、ステップＳ４において解析部１０４が半導体製造装置１Ａの状態が半導体製造装置１Ｂの状態と同じであると判定した場合、情報生成部１０５により生成された第１の情報を表示する。ステップＳ４において解析部１０４が半導体製造装置１Ａの状態が半導体製造装置１Ｂの状態と異なると判定した場合、情報生成部１０５により生成された第２の情報及び補正値を表示する。
以上、一実施形態に係る半導体システムによる処理の一例について説明したが、半導体システムによる処理を以下のとおり変更してもよい。
例えば、解析部１０４が半導体製造装置１Ａの状態が半導体製造装置１Ｂの状態と異なると判定した場合、情報生成部１０５が補正値を生成するステップ（ステップＳ７）を省略することもできる。この場合、ステップＳ８において、表示部１０６は、情報生成部１０５により生成された第２の情報のみを表示する。
また、例えば情報生成部１０５により生成された第１の情報、第２の情報及び補正値を記憶部１０２に記憶するステップを有していてもよい。
また、例えば工程管理者等によって半導体製造装置１Ｂの状態を参照して半導体製造装置１Ａの状態を半導体製造装置１Ｂの状態に合わせこむ操作入力がなされた場合、ステップＳ１に先立って、半導体製造装置１Ｂが半導体製造装置１Ａと同一のクラスタに属しているか否かをクラスタ管理部１０８が判定するステップを有していてもよい。この場合、クラスタ管理部１０８により半導体製造装置１Ｂが半導体製造装置１Ａと同一のクラスタに属していると判定された場合、ステップＳ１を行う。
次に、半導体システムによる処理の具体的な例について説明する。以下では、半導体製造装置１Ａの排気プロファイルと半導体製造装置１Ｂの排気プロファイルとを比較して、補正値を算出する場合を例に挙げて説明する。排気プロファイルは、半導体製造装置に関する情報の一例である。
まず、取得部１０１は、半導体製造装置１Ａの排気プロファイルを取得する（ステップＳ１）。半導体製造装置１Ａの排気プロファイルは、予め用意しておいた複数の条件で半導体製造装置１Ａを動作させたときの圧力変化である。図５は、半導体製造装置１Ａの排気プロファイルの一例を示す図である。図５に示されるように、半導体製造装置１Ａの排気プロファイルは、ＡＰＣバルブの開度及びＮ２ガスの供給流量をそれぞれ変化させたときの処理容器内の圧力変化とすることができる。なお、図５において、ＡＰＣバルブの開度の単位はパーセント（％）であり、Ｎ２ガスの供給流量の単位はリットル（Ｌ）であり、圧力の単位はパスカル（Ｐａ）である。一実施形態では、図５に示されるように、ＡＰＣバルブの開度を３．０（％）、Ｎ２ガスの供給流量をｙ（Ｌ）としたときの処理容器内の圧力は３．８（Ｐａ）である。また、ＡＰＣバルブの開度を４．０（％）、Ｎ２ガスの供給流量をｙ（Ｌ）としたときの処理容器内の圧力は３．５（Ｐａ）である。
次に、取得部１０１は、取得した情報を記憶部１０２に記憶する（ステップＳ２）。
次に、通信部１０３は、半導体製造装置１Ｂの装置コントローラ１０Ｂの記憶部に記憶されている半導体製造装置１Ｂの排気プロファイルを取得する（ステップＳ３）。半導体製造装置１Ｂの排気プロファイルは、半導体製造装置１Ａの場合と同様に、予め用意しておいた複数の条件で半導体製造装置１Ｂを動作させたときの圧力変化である。図６は、半導体製造装置１Ｂの排気プロファイルの一例を示す図である。図６に示されるように、半導体製造装置１Ｂの排気プロファイルは、ＡＰＣバルブの開度及びＮ２ガスの供給流量をそれぞれ変化させたときの処理容器内の圧力変化とすることができる。なお、図６において、ＡＰＣバルブの開度の単位はパーセント（％）であり、Ｎ２ガスの供給流量の単位はリットル（Ｌ）であり、圧力の単位はパスカル（Ｐａ）である。一実施形態では、図６に示されるように、ＡＰＣバルブの開度を３．０（％）、Ｎ２ガスの供給流量をｙ（Ｌ）としたときの処理容器内の圧力は４．１（Ｐａ）である。また、ＡＰＣバルブの開度を４．０（％）、Ｎ２ガスの供給流量をｙ（Ｌ）としたときの処理容器内の圧力は３．７（Ｐａ）である。
次に、解析部１０４は、記憶部１０２に記憶された半導体製造装置１Ａの排気プロファイルと通信部１０３が受信した半導体製造装置１Ｂの排気プロファイルとに基づいて、半導体製造装置１Ａの状態が半導体製造装置１Ｂの状態と同じであるか否かを判定する（ステップＳ４）。半導体製造装置１Ａの状態が半導体製造装置１Ｂの状態と同じであるか否かの判定は、例えば半導体製造装置１Ａの排気プロファイルと半導体製造装置１Ｂの排気プロファイルとの差分が所定の範囲内に含まれているか否かに基づいて行うことができる。一実施形態では、例えば半導体製造装置１Ａの排気プロファイルと半導体製造装置１Ｂの排気プロファイルとの差分が０．１（Ｐａ）以下である場合、半導体製造装置１Ａの状態が半導体製造装置１Ｂの状態と同じであると判定する。これに対し、半導体製造装置１Ａの排気プロファイルと半導体製造装置１Ｂの排気プロファイルとの差分が０．１（Ｐａ）より大きい場合、半導体製造装置１Ａの状態が半導体製造装置１Ｂの状態と異なると判定することができる。一実施形態では、図５及び図６に示されるように、同一のＡＰＣバルブの開度における半導体製造装置１Ａの排気プロファイルと半導体製造装置１Ｂの排気プロファイルとの差分が０．１（Ｐａ）より大きいので、半導体製造装置１Ａの状態が半導体製造装置１Ｂの状態と異なると判定する。
次に、情報生成部１０５は、半導体製造装置１Ａの状態と半導体製造装置１Ｂの状態が異なることを示す情報（第２の情報）を生成する（ステップＳ６）。また、情報生成部１０５は、半導体製造装置１Ａにより製造される半導体装置の特性を半導体製造装置１Ｂにより製造される半導体装置の特性と一致させるための補正値を生成する（ステップＳ７）。図７は、半導体製造装置１Ａの排気プロファイルと半導体製造装置１Ｂの排気プロファイルとの関係を示す図である。図７において、横軸はＡＰＣバルブの開度（％）を表し、縦軸は半導体製造装置１Ａ、１Ｂの処理容器内の圧力（Ｐａ）を表している。情報生成部１０５は、例えば図７に示されるように、半導体製造装置１ＡのＡＰＣバルブの開度が４．０（Ｐａ）のときの処理容器内の圧力と等しい圧力となる半導体製造装置１ＢのＡＰＣバルブの開度を算出する。そして、情報生成部１０５は、半導体製造装置１ＡのＡＰＣバルブの開度と半導体製造装置１ＢのＡＰＣバルブの開度との差分を算出し、補正値として生成する。図７においては、補正値はＸ１（％）である。図８は、補正値テーブルの一例を示す図である。図８に示されるように、ＡＰＣバルブの開度の補正値は、圧力とＮ２ガスの供給流量とＡＰＣバルブの開度の３変量の関係に依存するため、Ｎ２ガスの供給流量ごとに補正値を算出し、プロセス実行時に補正を行うことが可能になる。
次に、表示部１０６は、情報生成部１０５が生成した情報である第２の情報及び補正値を表示し（ステップＳ８）、処理を終了する。
なお、上記の実施の形態において、半導体製造装置１Ｂは第１の半導体製造装置の一例であり、半導体製造装置１Ａは第２の半導体製造装置の一例である。
以上に説明したように、一実施形態の半導体システムでは、装置コントローラ１０Ａが工程管理者等による操作入力を受け付けると、装置コントローラ１０Ａは半導体製造装置１Ａの排気プロファイルと半導体製造装置１Ｂの排気プロファイルとを比較する。そして、装置コントローラ１０Ａは、半導体製造装置１Ａの状態と半導体製造装置１Ｂの状態とが同じであるか否かを判定する。このため、半導体製造装置に熟練したエンジニア等が各々の半導体製造装置の状態等を確認する必要がなく、工程管理者等が容易に半導体製造装置１Ａの調整を行う必要があるか否かを判断することができる。
また、一実施形態の半導体システムでは、装置コントローラ１０Ａが半導体製造装置１Ａの排気プロファイルと半導体製造装置１Ｂの排気プロファイルとに基づいて、半導体製造装置１Ａの状態が半導体製造装置１Ｂの状態と同等となるように補正値を算出する。このため、半導体製造装置１Ａの排気プロファイルと半導体製造装置１Ｂの排気プロファイルとが異なる場合であっても、工程管理者等が容易に半導体製造装置１Ａの調整を行うことができる。その結果、複数の半導体製造装置を用いて半導体装置を製造する場合であっても、半導体製造装置の品質にばらつきが生じることを抑制することができる。
また、一実施形態に係る半導体システムでは、工程管理者等が容易に半導体製造装置の調整を行う必要があるか否かを判断することができ、また、工程管理者等が容易に半導体製造装置の調整を行うことができる。これにより、半導体工場への装置の搬入・立ち上げの際の時間を短縮することができ、また、装置の維持管理が容易になる。
以上、本発明を実施するための形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ 半導体製造装置
１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ 装置コントローラ
１０１ 取得部
１０２ 記憶部
１０３ 通信部
１０４ 解析部
１０５ 情報生成部
１０６ 表示部
１０７ 入力受付部
１０８ クラスタ管理部

Claims (7)

  1. 第１の半導体製造装置と第２の半導体製造装置との間で半導体製造装置に関する情報を直接通信することにより共有する半導体システムであって、
    前記第１の半導体製造装置は、
    前記第１の半導体製造装置に関する第１の情報を取得する第１の取得部と、
    前記第１の取得部が取得した前記第１の情報を記憶する第１の記憶部と、
    前記第１の記憶部に記憶された前記第１の情報を前記第２の半導体製造装置へ送信する第１の通信部と、
    を有し、
    前記第２の半導体製造装置は、
    前記第２の半導体製造装置に関する第２の情報を取得する第２の取得部と、
    前記第２の取得部が取得した前記第２の情報を記憶する第２の記憶部と、
    前記第１の半導体製造装置から送信された前記第１の情報を受信する第２の通信部と、
    前記第２の通信部が受信した前記第１の情報と前記第２の記憶部に記憶された前記第２の情報とに基づいて前記第２の半導体製造装置の状態を解析する解析部と、
    前記解析部の解析結果を可視化した情報を生成する情報生成部と、
    前記情報生成部により生成された情報を表示する表示部と、
    を有する、半導体システム。
  2. 前記解析部は、
    前記第２の取得部が取得した前記第２の情報と前記第２の通信部が受信した前記第１の情報とを比較し、前記第２の半導体製造装置の状態が前記第１の半導体製造装置の状態と同じであるか否かを判定する、
    請求項１に記載の半導体システム。
  3. 前記解析部は、
    前記第１の半導体製造装置及び前記第２の半導体製造装置に同一の動作を実行させたときの前記第１の情報と前記第２の情報との差分が所定の範囲内に含まれている場合、前記第２の半導体製造装置の状態が前記第１の半導体製造装置の状態が同じであると判定し、
    前記第１の半導体製造装置及び前記第２の半導体製造装置に同一の動作をさせたときの前記第１の情報と前記第２の情報との差分が所定の範囲内に含まれていない場合、前記第２の半導体製造装置の状態が前記第１の半導体製造装置の状態と異なると判定する、
    請求項１に記載の半導体システム。
  4. 前記情報生成部は、
    前記解析部が前記第２の半導体製造装置の状態が前記第１の半導体製造装置の状態と異なると判定した場合、前記第２の半導体製造装置により製造される半導体装置の特性を前記第１の半導体製造装置により製造される半導体装置の特性と一致させるための補正値を生成する、
    請求項２又は３に記載の半導体システム。
  5. 前記第１の情報及び前記第２の情報は、それぞれ前記第１の半導体製造装置及び前記第２の半導体製造装置の各部の動作を制御するときに使用する設定値である、
    請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体システム。
  6. 前記第１の情報及び前記第２の情報は、それぞれ前記第１の半導体製造装置及び前記第２の半導体製造装置に所定の動作を実行させたときの前記第１の半導体製造装置及び前記第２の半導体製造装置の各部の状態のログである、
    請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体システム。
  7. 前記第１の情報及び前記第２の情報は、それぞれ前記第１の半導体製造装置及び前記第２の半導体製造装置が設置された環境に応じて変化する値である、
    請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体システム。
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