KR102255938B1 - 반도체 시스템 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 복수의 반도체 제조 장치 사이에서 직접 통신하는 것이 가능한 반도체 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.
일 실시형태의 반도체 시스템은, 제1 반도체 제조 장치와 제2 반도체 제조 장치 사이에서 반도체 제조 장치에 관한 정보를 직접 통신함으로써 공유하는 반도체 시스템으로서, 상기 제1 반도체 제조 장치는, 상기 제1 반도체 제조 장치에 관한 제1 정보를 취득하는 제1 취득부와, 상기 제1 취득부가 취득한 상기 제1 정보를 기억하는 제1 기억부와, 상기 제1 기억부에 기억된 상기 제1 정보를 상기 제2 반도체 제조 장치에 송신하는 제1 통신부를 갖고, 상기 제2 반도체 제조 장치는, 상기 제2 반도체 제조 장치에 관한 제2 정보를 취득하는 제2 취득부와, 상기 제2 취득부가 취득한 상기 제2 정보를 기억하는 제2 기억부와, 상기 제1 반도체 제조 장치로부터 송신된 상기 제1 정보를 수신하는 제2 통신부와, 상기 제2 통신부가 수신한 상기 제1 정보와 상기 제2 기억부에 기억된 상기 제2 정보에 기초하여 상기 제2 반도체 제조 장치의 상태를 해석하는 해석부와, 상기 해석부의 해석 결과를 가시화한 정보를 생성하는 정보 생성부와, 상기 정보 생성부에 의해 생성된 정보를 표시하는 표시부를 갖는다.

Description

반도체 시스템{SEMICONDUCTOR SYSTEM}
본 발명은 반도체 시스템에 관한 것이다.
복수의 반도체 제조 장치를 이용하여 반도체 장치를 제조하는 반도체 시스템에 있어서는, 반도체 제조 장치의 개체차나 설치 환경의 차이 등에 의해, 반도체 장치의 품질에 변동이 발생하는 경우가 있다.
그래서 종래에는, 반도체 장치의 품질의 변동을 저감하기 위해서, 반도체 제조 장치에 숙련된 엔지니어들이 각각의 반도체 제조 장치의 상태 등을 확인하여, 조정을 행하고 있었다. 또한, 복수의 반도체 제조 장치에 전용의 시스템을 접속하고, 전용의 시스템을 이용하여 복수의 반도체 제조 장치 사이의 파라미터 등의 비교나 편집을 행하는 방법이 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1∼3 참조).
일본 특허 제5436797호 공보 일본 특허 공개 제2003-217995호 공보 일본 특허 공개 평성 제11-340111호 공보
그러나, 엔지니어들이 각각의 반도체 제조 장치의 조정을 행하는 것은, 시간이나 비용의 관점에서 바람직하지 않고, 또한, 조정 결과에 변동이 발생하기 쉽다. 특허문헌 1∼3에 기재된 방법에서는, 반도체 제조 장치와는 별개로 전용의 시스템을 도입할 필요가 있어, 비용의 관점에서 바람직하지 않다. 이 때문에, 전용의 시스템을 도입하지 않고, 복수의 반도체 제조 장치 사이에서 직접 통신하는 것이 가능한 반도체 시스템이 요구되고 있다.
그래서, 본 발명의 일 양태에서는, 복수의 반도체 제조 장치 사이에서 직접 통신하는 것이 가능한 반도체 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 양태에 따른 반도체 시스템은, 제1 반도체 제조 장치와 제2 반도체 제조 장치 사이에서 반도체 제조 장치에 관한 정보를 직접 통신함으로써 공유하는 반도체 시스템으로서, 상기 제1 반도체 제조 장치는, 상기 제1 반도체 제조 장치에 관한 제1 정보를 취득하는 제1 취득부와, 상기 제1 취득부가 취득한 상기 제1 정보를 기억하는 제1 기억부와, 상기 제1 기억부에 기억된 상기 제1 정보를 상기 제2 반도체 제조 장치에 송신하는 제1 통신부를 갖고, 상기 제2 반도체 제조 장치는, 상기 제2 반도체 제조 장치에 관한 제2 정보를 취득하는 제2 취득부와, 상기 제2 취득부가 취득한 상기 제2 정보를 기억하는 제2 기억부와, 상기 제1 반도체 제조 장치로부터 송신된 상기 제1 정보를 수신하는 제2 통신부와, 상기 제2 통신부가 수신한 상기 제1 정보와 상기 제2 기억부에 기억된 상기 제2 정보에 기초하여 상기 제2 반도체 제조 장치의 상태를 해석하는 해석부와, 상기 해석부의 해석 결과를 가시화한 정보를 생성하는 정보 생성부와, 상기 정보 생성부에 의해 생성된 정보를 표시하는 표시부를 갖는다.
개시하는 반도체 시스템에 의하면, 복수의 반도체 제조 장치 사이에서 직접 통신하는 것이 가능한 반도체 시스템을 제공할 수 있다.
도 1은 일 실시형태에 따른 반도체 시스템의 일례를 도시한 전체 구성도이다.
도 2는 장치 컨트롤러의 하드웨어 구성의 일례를 도시한 도면이다.
도 3은 장치 컨트롤러의 기능 구성의 일례를 도시한 블록도이다.
도 4는 일 실시형태에 따른 반도체 시스템에 의한 처리의 일례를 도시한 흐름도이다.
도 5는 반도체 제조 장치(1A)의 배기 프로파일의 일례를 도시한 도면이다.
도 6은 반도체 제조 장치(1B)의 배기 프로파일의 일례를 도시한 도면이다.
도 7은 반도체 제조 장치(1A)의 배기 프로파일과 반도체 제조 장치(1B)의 배기 프로파일의 관계를 도시한 도면이다.
도 8은 보정값 테이블의 일례를 도시한 도면이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 한편, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는, 동일한 부호를 붙임으로써 중복된 설명을 생략한다.
(반도체 시스템)
본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 시스템에 대해 설명한다. 도 1은 일 실시형태에 따른 반도체 시스템의 일례를 도시한 전체 구성도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 시스템은, 복수의 반도체 제조 장치, 예컨대 3개의 반도체 제조 장치(1A, 1B, 1C)를 갖는다.
반도체 제조 장치(1A, 1B, 1C)는, 피처리체에 미리 정해진 반도체 프로세스를 행하는 장치이며, 예컨대 액정 패널, 유기 EL(Electroluminescence) 디스플레이, 플라즈마 표시 패널 등을 제조하는 장치이다. 피처리체는, 반도체 웨이퍼, 유리 기판 등이다. 반도체 프로세스는, 적어도 반도체에 관한 프로세스를 포함하는 것이면 된다. 반도체에 관한 프로세스로서는, 성막(成膜) 처리, 에칭 처리, 열산화 처리 등을 들 수 있다. 반도체 제조 장치(1A, 1B, 1C)는, 배치식의 장치여도 좋고, 매엽식(枚葉式)의 장치여도 좋다.
반도체 제조 장치(1A, 1B, 1C)에는, 각각 장치의 각부의 동작을 제어하는 장치 컨트롤러(10A, 10B, 10C)가 설치되어 있다. 장치 컨트롤러(10A, 10B, 10C)는, 서로 동일한 통신 네트워크에 접속되어 있다. 장치 컨트롤러(10A, 10B, 10C)는, 통신 네트워크를 통해 반도체 제조 장치(1A, 1B, 1C)에 관한 정보를 직접 통신함으로써 공유하는 것이 가능하게 되어 있다. 예컨대, 장치 컨트롤러(10A)와 장치 컨트롤러(10B) 사이에서 반도체 제조 장치(1A, 1B)에 관한 정보를 쌍방향으로 통신함으로써 공유한다. 또한, 예컨대 장치 컨트롤러(10A)와 장치 컨트롤러(10C) 사이에서 반도체 제조 장치(1A, 1C)에 관한 정보를 쌍방향으로 통신함으로써 공유한다. 한편, 통신 네트워크는, 예컨대 반도체 시스템이 설치되어 있는 공장 전체의 제조 공정을 관리하는 제조 실행 시스템(MES: Manufacturing Execution System)의 네트워크여도 좋다. 또한, 통신 네트워크는, 예컨대 인터넷, 인트라넷, 공중 전화 회선망이어도 좋다.
장치 컨트롤러(10A, 10B, 10C)는, 동일한 구성이어도 좋고, 상이한 구성이어도 좋으나, 동일한 구성인 경우를 예로 들어 설명한다. 이하에서는, 동일한 구성을 갖는 장치 컨트롤러(10A, 10B, 10C) 중 장치 컨트롤러(10A)에 대해 설명하고, 장치 컨트롤러(10B, 10C)에 대한 설명을 생략한다.
(장치 컨트롤러)
장치 컨트롤러(10A)의 하드웨어 구성의 일례에 대해 설명한다. 도 2는 장치 컨트롤러(10A)의 하드웨어 구성의 일례를 도시한 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 장치 컨트롤러(10A)는, 버스(17)를 통해 상호 접속된 CPU(Central Processing Unit)(11), ROM(Read Only Memory)(12), RAM(Random Access Memory)(13), HDD(Hard Disk Drive)(14), 접속 I/F(Interface)(15) 및 통신 I/F(16)를 갖는다.
CPU(11)는, RAM(13)을 워크 에어리어로 하여 ROM(12) 또는 HDD(14) 등에 저장된 프로그램을 실행함으로써, 반도체 제조 장치(1A) 전체의 동작을 제어한다. 접속 I/F(15)에는, 반도체 제조 장치(1A)의 각부가 접속된다. 통신 I/F(16)는, 유선 또는 무선의 통신에 의해 다른 장치 컨트롤러(10B, 10C)와 통신을 행하기 위한 인터페이스이다.
장치 컨트롤러(10A)에는, 피처리체에 미리 정해진 반도체 프로세스를 실행시키기 위한 프로그램이 미리 인스톨된다. 그리고, 공정 관리자들은, 프로그램이 인스톨된 반도체 제조 장치(1A)에 대해, 장치 컨트롤러(10A)를 통해 각종의 기판 처리를 실행시키는 조작을 행한다.
장치 컨트롤러(10A)의 기능 구성의 일례에 대해 설명한다. 도 3은 장치 컨트롤러(10A)의 기능 구성의 일례를 도시한 블록도이다. 이하에 나타내는 장치 컨트롤러(10A)의 기능은, 전술한 CPU(11)에 있어서 미리 정해진 프로그램이 실행됨으로써 실현된다. 프로그램은, 기록 매체를 경유하여 취득되는 것이어도 좋고, 통신 네트워크를 경유하여 취득되는 것이어도 좋으며, ROM(12)에 편입되어 있어도 좋다.
도 3에 도시된 바와 같이, 장치 컨트롤러(10A)는, 취득부(101)와, 기억부(102)와, 통신부(103)와, 해석부(104)와, 정보 생성부(105)와, 표시부(106)와, 입력 접수부(107)와, 클러스터 관리부(108)를 갖는다.
취득부(101)는, 반도체 제조 장치(1A)에 관한 정보를 취득하는 기능을 갖고 있다. 반도체 제조 장치(1A)에 관한 정보는, 파라미터, 이력 데이터, 설치 환경 데이터 등을 들 수 있다.
파라미터는, 반도체 제조 장치의 각부의 동작을 제어할 때에 사용하는 설정값이나 조정값이며, 예컨대 히터, 진공계, 유량 제어기의 제로점을 들 수 있다. 복수의 반도체 제조 장치에 있어서의 파라미터를 비교함으로써, 장치 구성 등의 차이를 파악할 수 있다.
이력 데이터는, 반도체 제조 장치에 미리 정해진 동작을 실행시켰을 때의 반도체 제조 장치의 각부의 상태의 로그이며, 예컨대 자동 압력 제어 기기(APC: Automatic Pressure Control) 밸브의 개방도나, 온도 센서, 압력 센서, 유량 센서 등의 센서에 의해 측정된 값을 들 수 있다. 또한, 이력 데이터는, APC 밸브의 개방도나 센서에 의해 측정된 값에 미리 정해진 연산을 행함으로써 산출되는 대표값화된 값, 예컨대 평균값, 표준 편차 등이어도 좋다. 미리 정해진 동작은, 이력 데이터의 종류 등에 따라 미리 정해진다. 복수의 반도체 제조 장치에 있어서의 이력 데이터를 비교함으로써, 각 반도체 제조 장치의 컨디션의 차나 기판 처리의 누적 상황 등의 차이를 파악할 수 있다.
설치 환경 데이터는, 반도체 제조 장치가 설치된 환경에 따라 변화하는 값이며, 예컨대 배기 컨덕턴스, 냉각수 공급 유량, 가스 공급 압력 등의 값을 들 수 있다. 동일 조건에 있어서의 복수의 반도체 제조 장치의 설치 환경 데이터를 비교함으로써, 각 반도체 제조 장치가 설치된 환경 등의 차이를 파악할 수 있다.
기억부(102)는, 취득부(101)가 취득한 반도체 제조 장치(1A)에 관한 정보를 기억하는 기능을 갖고 있다. 또한, 기억부(102)는, 반도체 제조 장치(1A)가 속하는 클러스터를 특정하는 클러스터 ID를 기억하는 기능을 갖고 있다. 클러스터 ID는, 예컨대 IP 어드레스, 통신 포트여도 좋다. 한편, 본 명세서에 있어서 클러스터란, 복수의 반도체 제조 장치를 그룹화한 시스템을 의미한다.
통신부(103)는, 기억부(102)에 기억된 반도체 제조 장치(1A)에 관한 정보 및 클러스터 ID를 다른 장치 컨트롤러, 예컨대 장치 컨트롤러(10B, 10C)에 송신하는 기능을 갖고 있다. 또한, 통신부(103)는, 다른 장치 컨트롤러, 예컨대 장치 컨트롤러(10B, 10C)로부터 송신되는 반도체 제조 장치(1B, 1C)에 관한 정보 및 클러스터 ID를 수신하는 기능을 갖고 있다. 한편, 통신부(103)가 수신한 반도체 제조 장치(1B, 1C)에 관한 정보 및 클러스터 ID는, 기억부(102)에 기억되어도 좋다.
해석부(104)는, 통신부(103)가 수신한 다른 반도체 제조 장치(1B, 1C)에 관한 정보와, 기억부(102)에 기억된 반도체 제조 장치(1A)에 관한 정보에 기초하여 반도체 제조 장치(1A)의 상태를 해석하는 기능을 갖고 있다. 예컨대, 해석부(104)는, 반도체 제조 장치(1A)에 관한 정보와 통신부(103)가 수신한 다른 반도체 제조 장치(1B)에 관한 정보를 비교하여, 반도체 제조 장치(1A)의 상태가 반도체 제조 장치(1B)의 상태와 동일한지의 여부를 판정한다. 구체적으로는, 예컨대 반도체 제조 장치(1A) 및 반도체 제조 장치(1B)에 동일한 동작을 실행시켰을 때의 반도체 제조 장치(1A)의 이력 데이터와 반도체 제조 장치(1B)의 이력 데이터의 차분이 미리 정해진 범위 내에 포함되어 있는 경우, 양자의 상태가 동일하다고 판정한다. 이에 대해, 반도체 제조 장치(1A) 및 반도체 제조 장치(1B)에 동일한 동작을 실행시켰을 때의 반도체 제조 장치(1A)의 이력 데이터와 반도체 제조 장치(1B)의 이력 데이터의 차분이 미리 정해진 범위 내에 포함되어 있지 않은 경우, 양자의 상태가 상이하다고 판정한다.
정보 생성부(105)는, 해석부(104)의 해석 결과에 기초하여 반도체 제조 장치(1A)의 상태를 가시화한 정보를 생성하는 기능을 갖고 있다. 예컨대, 해석부(104)에 의해 반도체 제조 장치(1A)의 상태가 반도체 제조 장치(1B)의 상태와 동일하다고 판정된 경우, 정보 생성부(105)는, 반도체 제조 장치(1A)와 반도체 제조 장치(1B)의 상태가 동일한 것을 나타내는 정보를 생성한다. 또한, 예컨대 해석부(104)에 의해 반도체 제조 장치(1A)의 상태가 반도체 제조 장치(1B)의 상태와 상이하다고 판정된 경우, 정보 생성부(105)는, 반도체 제조 장치(1A)의 상태와 반도체 제조 장치(1B)의 상태가 상이한 것을 나타내는 정보를 생성한다. 또한, 예컨대 해석부(104)에 의해 반도체 제조 장치(1A)의 상태가 반도체 제조 장치(1B)의 상태와 상이하다고 판정된 경우, 정보 생성부(105)는, 반도체 제조 장치(1A)에 의해 제조되는 반도체 장치의 특성을 반도체 제조 장치(1B)에 의해 제조되는 반도체 장치의 특성과 일치시키기 위한 보정값을 생성한다.
표시부(106)는, 정보 생성부(105)에 의해 생성된 정보를 표시하는 기능을 갖고 있다.
입력 접수부(107)는, 공정 관리자들의 조작 입력을 접수하는 기능을 갖고 있다.
클러스터 관리부(108)는, 하나의 반도체 제조 장치가 다른 반도체 제조 장치와 동일한 클러스터에 속해 있는지의 여부를 판정하는 기능을 갖고 있다. 예컨대, 반도체 제조 장치(1A)와 반도체 제조 장치(1B)가 동일한 클러스터에 속해 있는지의 여부를 판정하는 경우, 반도체 제조 장치(1A)의 기억부(102)에 기억되어 있는 클러스터 ID와 반도체 제조 장치(1B)의 기억부에 기억되어 있는 클러스터 ID를 비교한다. 반도체 제조 장치(1A)의 클러스터 ID와 반도체 제조 장치(1B)의 클러스터 ID가 일치하는 경우, 반도체 제조 장치(1A)와 반도체 제조 장치(1B)가 동일한 클러스터에 속해 있다고 판정한다. 한편, 예컨대 반도체 제조 장치(1A)를 새롭게 특정한 클러스터에 참가시키는 경우, 공정 관리자들이, 참가시키는 클러스터에 이미 속해 있는 장치의 네트워크 ID를 입력함으로써, 새로운 클러스터에 참가시키는 것이 가능해진다.
(동작)
본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 시스템에 의한 처리의 일례에 대해 설명한다. 이하에서는, 반도체 제조 장치(1B)의 상태를 참조하여, 반도체 제조 장치(1A)의 상태를 반도체 제조 장치(1B)의 상태에 맞추는 경우를 예로 들어 설명한다. 한편, 반도체 시스템에 의한 처리는, 복수의 반도체 제조 장치 사이에 있어서 반도체 제조 장치에 관한 정보를 직접 통신함으로써 공유하는 것이면 되고, 하나의 반도체 제조 장치의 상태를 다른 반도체 제조 장치의 상태에 맞추는 것에 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 하나의 반도체 제조 장치에 있어서 다른 반도체 제조 장치에 관한 정보를 참조하는 것이어도 좋고, 하나의 반도체 제조 장치에 다른 반도체 제조 장치에 관한 정보를 카피하는 것이어도 좋다.
도 4는 일 실시형태에 따른 반도체 시스템에 의한 처리의 일례를 도시한 흐름도이다.
공정 관리자들에 의해 반도체 제조 장치(1B)의 상태를 참조하여, 반도체 제조 장치(1A)의 상태를 반도체 제조 장치(1B)의 상태에 맞추는 조작 입력이 이루어지면, 취득부(101)는, 반도체 제조 장치(1A)에 관한 정보를 취득한다(단계 S1).
다음으로, 취득부(101)는, 취득한 반도체 제조 장치(1A)에 관한 정보를 기억부(102)에 기억한다(단계 S2).
다음으로, 통신부(103)는, 반도체 제조 장치(1B)에 관한 정보를 수신한다(단계 S3).
다음으로, 해석부(104)는, 기억부(102)에 기억된 반도체 제조 장치(1A)에 관한 정보와 통신부(103)가 수신한 반도체 제조 장치(1B)에 관한 정보에 기초하여, 반도체 제조 장치(1A)의 상태가 반도체 제조 장치(1B)의 상태와 동일한지의 여부를 판정한다(단계 S4).
단계 S4에 있어서, 해석부(104)가 반도체 제조 장치(1A)의 상태가 반도체 제조 장치(1B)의 상태와 동일하다고 판정한 경우, 정보 생성부(105)는, 양자의 상태가 동일한 것을 나타내는 정보(제1 정보)를 생성한다(단계 S5).
단계 S4에 있어서, 해석부(104)가 반도체 제조 장치(1A)의 상태가 반도체 제조 장치(1B)의 상태와 상이하다고 판정한 경우, 정보 생성부(105)는, 양자의 상태가 상이한 것을 나타내는 정보(제2 정보)를 생성한다(단계 S6). 또한, 정보 생성부(105)는, 반도체 제조 장치(1A)에 의해 제조되는 반도체 장치의 특성을 반도체 제조 장치(1B)에 의해 제조되는 반도체 장치의 특성과 일치시키기 위한 보정값을 생성한다(단계 S7).
다음으로, 표시부(106)는, 정보 생성부(105)가 생성한 정보를 표시하고(단계 S8), 처리를 종료한다. 즉, 단계 S4에 있어서 해석부(104)가 반도체 제조 장치(1A)의 상태가 반도체 제조 장치(1B)의 상태와 동일하다고 판정한 경우, 정보 생성부(105)에 의해 생성된 제1 정보를 표시한다. 단계 S4에 있어서 해석부(104)가 반도체 제조 장치(1A)의 상태가 반도체 제조 장치(1B)의 상태와 상이하다고 판정한 경우, 정보 생성부(105)에 의해 생성된 제2 정보 및 보정값을 표시한다.
이상, 일 실시형태에 따른 반도체 시스템에 의한 처리의 일례에 대해 설명하였으나, 반도체 시스템에 의한 처리를 이하와 같이 변경해도 좋다.
예컨대, 해석부(104)가 반도체 제조 장치(1A)의 상태가 반도체 제조 장치(1B)의 상태와 상이하다고 판정한 경우, 정보 생성부(105)가 보정값을 생성하는 단계(단계 S7)를 생략할 수도 있다. 이 경우, 단계 S8에 있어서, 표시부(106)는, 정보 생성부(105)에 의해 생성된 제2 정보만을 표시한다.
또한, 예컨대 정보 생성부(105)에 의해 생성된 제1 정보, 제2 정보 및 보정값을 기억부(102)에 기억하는 단계를 갖고 있어도 좋다.
또한, 예컨대 공정 관리자들에 의해 반도체 제조 장치(1B)의 상태를 참조하여 반도체 제조 장치(1A)의 상태를 반도체 제조 장치(1B)의 상태에 맞추는 조작 입력이 이루어진 경우, 단계 S1에 앞서, 반도체 제조 장치(1B)가 반도체 제조 장치(1A)와 동일한 클러스터에 속해 있는지의 여부를 클러스터 관리부(108)가 판정하는 단계를 갖고 있어도 좋다. 이 경우, 클러스터 관리부(108)에 의해 반도체 제조 장치(1B)가 반도체 제조 장치(1A)와 동일한 클러스터에 속해 있다고 판정된 경우, 단계 S1을 행한다.
다음으로, 반도체 시스템에 의한 처리의 구체적인 예에 대해 설명한다. 이하에서는, 반도체 제조 장치(1A)의 배기 프로파일과 반도체 제조 장치(1B)의 배기 프로파일을 비교하여, 보정값을 산출하는 경우를 예로 들어 설명한다. 배기 프로파일은, 반도체 제조 장치에 관한 정보의 일례이다.
먼저, 취득부(101)는, 반도체 제조 장치(1A)의 배기 프로파일을 취득한다(단계 S1). 반도체 제조 장치(1A)의 배기 프로파일은, 미리 준비해 둔 복수의 조건으로 반도체 제조 장치(1A)를 동작시켰을 때의 압력 변화이다. 도 5는 반도체 제조 장치(1A)의 배기 프로파일의 일례를 도시한 도면이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 반도체 제조 장치(1A)의 배기 프로파일은, APC 밸브의 개방도 및 N2 가스의 공급 유량을 각각 변화시켰을 때의 처리 용기 내의 압력 변화로 할 수 있다. 한편, 도 5에 있어서, APC 밸브의 개방도의 단위는 퍼센트(%)이고, N2 가스의 공급 유량의 단위는 리터(L)이며, 압력의 단위는 파스칼(㎩)이다. 일 실시형태에서는, 도 5에 도시된 바와 같이, APC 밸브의 개방도를 3.0(%), N2 가스의 공급 유량을 y(L)로 했을 때의 처리 용기 내의 압력은 3.8(㎩)이다. 또한, APC 밸브의 개방도를 4.0(%), N2 가스의 공급 유량을 y(L)로 했을 때의 처리 용기 내의 압력은 3.5(㎩)이다.
다음으로, 취득부(101)는, 취득한 정보를 기억부(102)에 기억한다(단계 S2).
다음으로, 통신부(103)는, 반도체 제조 장치(1B)의 장치 컨트롤러(10B)의 기억부에 기억되어 있는 반도체 제조 장치(1B)의 배기 프로파일을 취득한다(단계 S3). 반도체 제조 장치(1B)의 배기 프로파일은, 반도체 제조 장치(1A)의 경우와 마찬가지로, 미리 준비해 둔 복수의 조건으로 반도체 제조 장치(1B)를 동작시켰을 때의 압력 변화이다. 도 6은 반도체 제조 장치(1B)의 배기 프로파일의 일례를 도시한 도면이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 반도체 제조 장치(1B)의 배기 프로파일은, APC 밸브의 개방도 및 N2 가스의 공급 유량을 각각 변화시켰을 때의 처리 용기 내의 압력 변화로 할 수 있다. 한편, 도 6에 있어서, APC 밸브의 개방도의 단위는 퍼센트(%)이고, N2 가스의 공급 유량의 단위는 리터(L)이며, 압력의 단위는 파스칼(㎩)이다. 일 실시형태에서는, 도 6에 도시된 바와 같이, APC 밸브의 개방도를 3.0(%), N2 가스의 공급 유량을 y(L)로 했을 때의 처리 용기 내의 압력은 4.1(㎩)이다. 또한, APC 밸브의 개방도를 4.0(%), N2 가스의 공급 유량을 y(L)로 했을 때의 처리 용기 내의 압력은 3.7(㎩)이다.
다음으로, 해석부(104)는, 기억부(102)에 기억된 반도체 제조 장치(1A)의 배기 프로파일과 통신부(103)가 수신한 반도체 제조 장치(1B)의 배기 프로파일에 기초하여, 반도체 제조 장치(1A)의 상태가 반도체 제조 장치(1B)의 상태와 동일한지의 여부를 판정한다(단계 S4). 반도체 제조 장치(1A)의 상태가 반도체 제조 장치(1B)의 상태와 동일한지의 여부의 판정은, 예컨대 반도체 제조 장치(1A)의 배기 프로파일과 반도체 제조 장치(1B)의 배기 프로파일의 차분이 미리 정해진 범위 내에 포함되어 있는지의 여부에 기초하여 행할 수 있다. 일 실시형태에서는, 예컨대 반도체 제조 장치(1A)의 배기 프로파일과 반도체 제조 장치(1B)의 배기 프로파일의 차분이 0.1(㎩) 이하인 경우, 반도체 제조 장치(1A)의 상태가 반도체 제조 장치(1B)의 상태와 동일하다고 판정한다. 이에 대해, 반도체 제조 장치(1A)의 배기 프로파일과 반도체 제조 장치(1B)의 배기 프로파일의 차분이 0.1(㎩)보다 큰 경우, 반도체 제조 장치(1A)의 상태가 반도체 제조 장치(1B)의 상태와 상이하다고 판정할 수 있다. 일 실시형태에서는, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 동일한 APC 밸브의 개방도에 있어서의 반도체 제조 장치(1A)의 배기 프로파일과 반도체 제조 장치(1B)의 배기 프로파일의 차분이 0.1(㎩)보다 크기 때문에, 반도체 제조 장치(1A)의 상태가 반도체 제조 장치(1B)의 상태와 상이하다고 판정한다.
다음으로, 정보 생성부(105)는, 반도체 제조 장치(1A)의 상태와 반도체 제조 장치(1B)의 상태가 상이한 것을 나타내는 정보(제2 정보)를 생성한다(단계 S6). 또한, 정보 생성부(105)는, 반도체 제조 장치(1A)에 의해 제조되는 반도체 장치의 특성을 반도체 제조 장치(1B)에 의해 제조되는 반도체 장치의 특성과 일치시키기 위한 보정값을 생성한다(단계 S7). 도 7은 반도체 제조 장치(1A)의 배기 프로파일과 반도체 제조 장치(1B)의 배기 프로파일의 관계를 도시한 도면이다. 도 7에 있어서, 횡축은 APC 밸브의 개방도(%)를 나타내고, 종축은 반도체 제조 장치(1A, 1B)의 처리 용기 내의 압력(㎩)을 나타내고 있다. 정보 생성부(105)는, 예컨대 도 7에 도시된 바와 같이, 반도체 제조 장치(1A)의 APC 밸브의 개방도가 4.0(㎩)일 때의 처리 용기 내의 압력과 동일한 압력이 되는 반도체 제조 장치(1B)의 APC 밸브의 개방도를 산출한다. 그리고, 정보 생성부(105)는, 반도체 제조 장치(1A)의 APC 밸브의 개방도와 반도체 제조 장치(1B)의 APC 밸브의 개방도의 차분을 산출하여, 보정값으로서 생성한다. 도 7에 있어서는, 보정값은 X1(%)이다. 도 8은 보정값 테이블의 일례를 도시한 도면이다. 도 8에 도시된 바와 같이, APC 밸브의 개방도의 보정값은, 압력과 N2 가스의 공급 유량과 APC 밸브의 개방도의 3변량의 관계에 의존하기 때문에, N2 가스의 공급 유량마다 보정값을 산출하여, 프로세스 실행 시에 보정을 행하는 것이 가능해진다.
다음으로, 표시부(106)는, 정보 생성부(105)가 생성한 정보인 제2 정보 및 보정값을 표시하고(단계 S8), 처리를 종료한다.
한편, 상기한 실시형태에 있어서, 반도체 제조 장치(1B)는 제1 반도체 제조 장치의 일례이고, 반도체 제조 장치(1A)는 제2 반도체 제조 장치의 일례이다.
이상으로 설명한 바와 같이, 일 실시형태의 반도체 시스템에서는, 장치 컨트롤러(10A)가 공정 관리자들에 의한 조작 입력을 접수하면, 장치 컨트롤러(10A)는 반도체 제조 장치(1A)의 배기 프로파일과 반도체 제조 장치(1B)의 배기 프로파일을 비교한다. 그리고, 장치 컨트롤러(10A)는, 반도체 제조 장치(1A)의 상태와 반도체 제조 장치(1B)의 상태가 동일한지의 여부를 판정한다. 이 때문에, 반도체 제조 장치에 숙련된 엔지니어들이 각각의 반도체 제조 장치의 상태 등을 확인할 필요가 없고, 공정 관리자들이 용이하게 반도체 제조 장치(1A)의 조정을 행할 필요가 있는지의 여부를 판단할 수 있다.
또한, 일 실시형태의 반도체 시스템에서는, 장치 컨트롤러(10A)가 반도체 제조 장치(1A)의 배기 프로파일과 반도체 제조 장치(1B)의 배기 프로파일에 기초하여, 반도체 제조 장치(1A)의 상태가 반도체 제조 장치(1B)의 상태와 동등해지도록 보정값을 산출한다. 이 때문에, 반도체 제조 장치(1A)의 배기 프로파일과 반도체 제조 장치(1B)의 배기 프로파일이 상이한 경우라도, 공정 관리자들이 용이하게 반도체 제조 장치(1A)의 조정을 행할 수 있다. 그 결과, 복수의 반도체 제조 장치를 이용하여 반도체 장치를 제조하는 경우라도, 반도체 제조 장치의 품질에 변동이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 일 실시형태에 따른 반도체 시스템에서는, 공정 관리자들이 용이하게 반도체 제조 장치의 조정을 행할 필요가 있는지의 여부를 판단할 수 있고, 또한, 공정 관리자들이 용이하게 반도체 제조 장치의 조정을 행할 수 있다. 이에 의해, 반도체 공장에의 장치의 반입·시동 시의 시간을 단축할 수 있고, 또한, 장치의 유지 관리가 용이해진다.
이상, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해 설명하였으나, 상기 내용은 발명의 내용을 한정하는 것이 아니며, 본 발명의 범위 내에서 여러 가지의 변형 및 개량이 가능하다.
1A, 1B, 1C: 반도체 제조 장치 10A, 10B, 10C: 장치 컨트롤러
101: 취득부 102: 기억부
103: 통신부 104: 해석부
105: 정보 생성부 106: 표시부
107: 입력 접수부 108: 클러스터 관리부

Claims (7)

  1. 제1 반도체 제조 장치와 제2 반도체 제조 장치 사이에서 반도체 제조 장치에 관한 정보를 직접 통신함으로써 공유하는 반도체 시스템으로서,
    상기 제1 반도체 제조 장치는,
    상기 제1 반도체 제조 장치에 관한 제1 정보를 취득하는 제1 취득부와,
    상기 제1 취득부가 취득한 상기 제1 정보를 기억하는 제1 기억부와,
    상기 제1 기억부에 기억된 상기 제1 정보를 상기 제2 반도체 제조 장치에 송신하는 제1 통신부
    를 갖고,
    상기 제2 반도체 제조 장치는,
    상기 제1 반도체 제조 장치가 상기 제2 반도체 제조 장치와 동일한 클러스터에 속해 있는지 여부를 판정하는 클러스터 관리부와,
    상기 제2 반도체 제조 장치에 관한 제2 정보를 취득하는 제2 취득부와,
    상기 제2 취득부가 취득한 상기 제2 정보를 기억하는 제2 기억부와,
    상기 제1 반도체 제조 장치로부터 송신된 상기 제1 정보를 수신하는 제2 통신부와,
    상기 제2 통신부가 수신한 상기 제1 정보와 상기 제2 기억부에 기억된 상기 제2 정보에 기초하여 상기 제2 반도체 제조 장치의 상태를 해석하는 해석부와,
    상기 해석부의 해석 결과를 가시화한 정보를 생성하는 정보 생성부와,
    상기 정보 생성부에 의해 생성된 정보를 표시하는 표시부
    를 가지며,
    상기 해석부는, 상기 클러스터 관리부가 상기 제1 반도체 제조 장치가 상기 제2 반도체 제조 장치와 동일한 클러스터에 속해 있다고 판정한 경우, 상기 제1 정보와 상기 제2 정보에 기초하여 상기 제2 반도체 제조 장치의 상태를 분석하고,
    상기 해석부는, 상기 제2 취득부가 취득한 상기 제2 정보와 상기 제2 통신부가 수신한 상기 제1 정보를 비교하여, 상기 제2 반도체 제조 장치의 상태가 상기 제1 반도체 제조 장치의 상태와 동일한지의 여부를 판정하고,
    상기 해석부가 상기 제2 반도체 제조 장치의 상태가 상기 제1 반도체 제조 장치의 상태와 동일하다고 판정한 경우, 상기 정보 생성부는 상기 제1 반도체 제조 장치와 상기 제2 반도체 제조 장치의 상태가 동일한 것을 나타내는 정보를 표시하고,
    상기 해석부가 상기 제2 반도체 제조 장치의 상태가 상기 제1 반도체 제조 장치의 상태와 상이하다고 판정한 경우, 상기 정보 생성부는 상기 제1 반도체 제조 장치와 상기 제2 반도체 제조 장치의 상태가 상이한 것을 나타내는 정보를 생성하되, 상기 제2 반도체 제조 장치에 의해 제조되는 반도체 장치의 특성을 상기 제1 반도체 제조 장치에 의해 제조되는 반도체 장치의 특성과 일치시키기 위한 보정값을 생성하며, 상기 표시부는 상기 정보 생성부에서 생성된 상기 상이한 것을 나타내는 정보와 상기 보정값을 표시하고,
    상기 제1 정보는 상기 제1 반도체 제조 장치와 상기 제2 반도체 제조 장치 사이에서 1:1로 직접 송수신되는 것인 반도체 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 해석부는,
    상기 제1 반도체 제조 장치 및 상기 제2 반도체 제조 장치에 동일한 동작을 실행시켰을 때의 상기 제1 정보와 상기 제2 정보의 차분이 미리 정해진 범위 내에 포함되어 있는 경우, 상기 제2 반도체 제조 장치의 상태가 상기 제1 반도체 제조 장치의 상태와 동일하다고 판정하고,
    상기 제1 반도체 제조 장치 및 상기 제2 반도체 제조 장치에 동일한 동작을 실행시켰을 때의 상기 제1 정보와 상기 제2 정보의 차분이 미리 정해진 범위 내에 포함되어 있지 않은 경우, 상기 제2 반도체 제조 장치의 상태가 상기 제1 반도체 제조 장치의 상태와 상이하다고 판정하는 것인 반도체 시스템.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 정보 및 상기 제2 정보는, 각각 상기 제1 반도체 제조 장치 및 상기 제2 반도체 제조 장치의 각부의 동작을 제어할 때에 사용하는 설정값인 것인 반도체 시스템.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 정보 및 상기 제2 정보는, 각각 상기 제1 반도체 제조 장치 및 상기 제2 반도체 제조 장치에 미리 정해진 동작을 실행시켰을 때의 상기 제1 반도체 제조 장치 및 상기 제2 반도체 제조 장치의 각부의 상태의 로그인 것인 반도체 시스템.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 정보 및 상기 제2 정보는, 각각 상기 제1 반도체 제조 장치 및 상기 제2 반도체 제조 장치가 설치된 환경에 따라 변화하는 값인 것인 반도체 시스템.
  6. 삭제
  7. 삭제
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