JP2018006405A - エッチング方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図2(a)はプラズマエッチング装置1によりエッチングされる前の基板W1の断面構造を示している。すなわち、シリコン基板201の上面全面にはSiGe層202とSi層203とが交互に積層されている。また、SiGe層202とSi層203の積層体には最上層からシリコン基板201に達するようにトレンチ204が切削されている。これにより、SiGe層202とSi層203の各層の一部はトレンチ204の内部において外部に露出している。また、SiGe層202およびSi層203のトレンチ204に面する側の側面は連続した平坦面を形成している。
11 排気配管
12 真空ポンプ
13 APCバルブ
14 圧力センサー
15 基板ホルダー
16 加熱冷却機構
17 ガス分散板
18 プラズマ生成室
19 ガス導入部
20 誘導コイル
21 高周波電源
201 シリコン基板
202 SiGe層
203 Si層
204 トレンチ
301 シリコン基板
302 多結晶Si層
303 SiGe層
Claims (3)
- 各層の少なくとも一部が外部に露出したSi層とSiGe層とを備えた基板をエッチングするエッチング方法において、
フッ素系ガスと水蒸気又は水酸基含有化合物とを含む混合ガスを用いてプラズマを生成する工程と、
前記プラズマを基板に適用してSiGe層をSi層に対して選択的にエッチングする工程とを含み、
前記混合ガスにおける前記フッ素系ガスの含有割合は0vol.%より大きく、30vol.%以下であることを特徴とするエッチング方法。 - 前記フッ素系ガスが、CとFとを含む化合物又はCとHとFとを含む化合物のいずれかであることを特徴とする請求項1に記載のエッチング方法。
- 前記水酸基含有化合物が、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールのいずれかであることを特徴とする請求項1ないし2に記載のエッチング方法。
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