JP2003077888A - ＳｉＧｅ膜のエッチング方法 - Google Patents
ＳｉＧｅ膜のエッチング方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＳｉＧｅ膜をＳｉ膜およびＳｉＯ2膜あるい
はＳｉ3Ｎ4膜に対して十分に大きい選択比をもって除去
でき、エッチングレートも十分に小さくしてエッチング
の制御性を向上させる。 【解決手段】 基板のマスクに覆われていない部分のＳ
ｉＧｅ膜を除去するＳｉＧｅ膜のエッチング方法におい
て、反応性ガスとして、水素原子と弗素原子が結合した
ガスをアルゴンガスおよび酸素ガスと混合した混合ガス
を用いて、ＳｉＧｅ膜をドライエッチングする。反応性
ガスに混合する「水素原子と弗素原子が結合したガス」
は、ＨＦが好適である。反応性ガスは、ＳｉＧｅ膜のエ
ッチングレートを１０〜１００ｎｍ／ｍｉｎ、ＳｉＧｅ
膜のＳｉ膜およびＳｉＯ4膜に対するエッチングの選択
比をそれぞれ１０以上および５０以上とするように設定
することにより、ＳｉＧｅ膜をＳｉ膜およびＳｉＯ4膜
に対して選択的にエッチングするのに好適なものとな
る。
はＳｉ3Ｎ4膜に対して十分に大きい選択比をもって除去
でき、エッチングレートも十分に小さくしてエッチング
の制御性を向上させる。 【解決手段】 基板のマスクに覆われていない部分のＳ
ｉＧｅ膜を除去するＳｉＧｅ膜のエッチング方法におい
て、反応性ガスとして、水素原子と弗素原子が結合した
ガスをアルゴンガスおよび酸素ガスと混合した混合ガス
を用いて、ＳｉＧｅ膜をドライエッチングする。反応性
ガスに混合する「水素原子と弗素原子が結合したガス」
は、ＨＦが好適である。反応性ガスは、ＳｉＧｅ膜のエ
ッチングレートを１０〜１００ｎｍ／ｍｉｎ、ＳｉＧｅ
膜のＳｉ膜およびＳｉＯ4膜に対するエッチングの選択
比をそれぞれ１０以上および５０以上とするように設定
することにより、ＳｉＧｅ膜をＳｉ膜およびＳｉＯ4膜
に対して選択的にエッチングするのに好適なものとな
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＳｉＧｅ膜のエッ
チング方法に係わり、特に基板のマスクに覆われていな
い部分のＳｉＧｅ膜をシリコン膜および酸化シリコン膜
に対して選択的に除去することを可能にするＳｉＧｅ膜
のエッチング方法に関する。
チング方法に係わり、特に基板のマスクに覆われていな
い部分のＳｉＧｅ膜をシリコン膜および酸化シリコン膜
に対して選択的に除去することを可能にするＳｉＧｅ膜
のエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＭＯＳ−ＦＥＴの高速性を改善するため
に、Ｓｉ結晶などに応力を加えたひずみ結晶を用いるこ
とが提案されている。このようなひずみ結晶では、バン
ド構造の変化などに起因する電子およびホールの移動度
の向上が図れることが分かっているためである。
に、Ｓｉ結晶などに応力を加えたひずみ結晶を用いるこ
とが提案されている。このようなひずみ結晶では、バン
ド構造の変化などに起因する電子およびホールの移動度
の向上が図れることが分かっているためである。
【０００３】ひずみＳｉ結晶を得るために、Ｓｉ結晶よ
り格子定数がわずかに大きい結晶を基板とし、その上に
薄膜Ｓｉ層を積層する方法が考えられている。例えばＧ
ｅ原子を数％〜３０％程度混ぜたＳｉＧｅ結晶層をＳｉ
結晶基板上に数μｍ程度積層し、これを仮想の基板とす
るものである。
り格子定数がわずかに大きい結晶を基板とし、その上に
薄膜Ｓｉ層を積層する方法が考えられている。例えばＧ
ｅ原子を数％〜３０％程度混ぜたＳｉＧｅ結晶層をＳｉ
結晶基板上に数μｍ程度積層し、これを仮想の基板とす
るものである。
【０００４】このような表面にＳｉＧｅ層を形成したＳ
ｉウェハ基板を用いる場合には、Ｓｉウェハ基板からか
ら不用なＳｉＧｅ膜を除去することが必要になることが
ある。不用なＳｉＧｅ膜を除去するためには、従来はＣ
Ｆ4とＯ2ガスを反応性ガスとして用いるケミカルドライ
エッチング法を用いている。
ｉウェハ基板を用いる場合には、Ｓｉウェハ基板からか
ら不用なＳｉＧｅ膜を除去することが必要になることが
ある。不用なＳｉＧｅ膜を除去するためには、従来はＣ
Ｆ4とＯ2ガスを反応性ガスとして用いるケミカルドライ
エッチング法を用いている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】一方基板上には、導電
層などとなるシリコン（Ｓｉ）膜や絶縁層となる酸化シ
リコン（ＳｉＯ2）などが形成されるから、これらを除
去することなくＳｉＧｅ膜だけを選択的に除去すること
が必要になることがある。またシリコン窒化膜（Ｓｉ3
Ｎ4）に対してＳｉＧｅ膜だけを選択エッチングするこ
とが必要になることもある。しかし従来のＣＦ4とＯ2を
反応性ガスとして用いる方法は、ＳｉＧｅ膜の選択エッ
チング性が悪く、同時に除去されるＳｉ膜やＳｉＯ2膜
あるいはＳｉ3Ｎ4膜の量も多くなるという問題がある。
層などとなるシリコン（Ｓｉ）膜や絶縁層となる酸化シ
リコン（ＳｉＯ2）などが形成されるから、これらを除
去することなくＳｉＧｅ膜だけを選択的に除去すること
が必要になることがある。またシリコン窒化膜（Ｓｉ3
Ｎ4）に対してＳｉＧｅ膜だけを選択エッチングするこ
とが必要になることもある。しかし従来のＣＦ4とＯ2を
反応性ガスとして用いる方法は、ＳｉＧｅ膜の選択エッ
チング性が悪く、同時に除去されるＳｉ膜やＳｉＯ2膜
あるいはＳｉ3Ｎ4膜の量も多くなるという問題がある。
【０００６】例えば前記のＣＦ4とＯ2の反応性ガスを用
いる場合、ＳｉＧｅ膜のＳｉ膜に対するエッチングの選
択比は５〜１０程度であり、ＳｉＧｅ膜のエッチングレ
ートは１０００ｎｍ／ｍｉｎ以上と非常に大きくなる。
ここにエッチングの選択比はエッチングされ易さの比を
意味し、ＳｉＧｅ膜のエッチングがＳｉ膜に対して５〜
１０倍速く進行することを意味する。
いる場合、ＳｉＧｅ膜のＳｉ膜に対するエッチングの選
択比は５〜１０程度であり、ＳｉＧｅ膜のエッチングレ
ートは１０００ｎｍ／ｍｉｎ以上と非常に大きくなる。
ここにエッチングの選択比はエッチングされ易さの比を
意味し、ＳｉＧｅ膜のエッチングがＳｉ膜に対して５〜
１０倍速く進行することを意味する。
【０００７】しかしこの程度の選択比ではＳｉＧｅ膜の
エッチング時に他のＳｉ膜やＳｉＯ 2膜やＳｉ3Ｎ4膜の
エッチングも相当に進むことになり望ましくない。また
ＳｉＧｅ膜のエッチングレートが高すぎるため、エッチ
ングの制御が極めて困難であり、不用なＳｉＧｅ膜だけ
を選択的に正確に除去することが困難であった。
エッチング時に他のＳｉ膜やＳｉＯ 2膜やＳｉ3Ｎ4膜の
エッチングも相当に進むことになり望ましくない。また
ＳｉＧｅ膜のエッチングレートが高すぎるため、エッチ
ングの制御が極めて困難であり、不用なＳｉＧｅ膜だけ
を選択的に正確に除去することが困難であった。
【０００８】この発明はこのような事情に鑑みなされた
ものであり、ＳｉＧｅ膜をＳｉ膜およびＳｉＯ2膜ある
いはＳｉ3Ｎ4膜に対して十分に大きい選択比をもって除
去することができ、エッチングレートも十分に小さくし
てエッチングの制御性を向上させることができるＳｉＧ
ｅ膜のエッチング方法を提供することを目的とする。
ものであり、ＳｉＧｅ膜をＳｉ膜およびＳｉＯ2膜ある
いはＳｉ3Ｎ4膜に対して十分に大きい選択比をもって除
去することができ、エッチングレートも十分に小さくし
てエッチングの制御性を向上させることができるＳｉＧ
ｅ膜のエッチング方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明によればこの目
的は、基板のマスクに覆われていない部分のＳｉＧｅ膜
を除去するＳｉＧｅ膜のエッチング方法において、反応
性ガスとして、水素原子と弗素原子が結合したガスをア
ルゴンガスおよび酸素ガスと混合した混合ガスを用い
て、ＳｉＧｅ膜をドライエッチングすることを特徴とす
るＳｉＧｅ膜のエッチング方法、により達成される。
的は、基板のマスクに覆われていない部分のＳｉＧｅ膜
を除去するＳｉＧｅ膜のエッチング方法において、反応
性ガスとして、水素原子と弗素原子が結合したガスをア
ルゴンガスおよび酸素ガスと混合した混合ガスを用い
て、ＳｉＧｅ膜をドライエッチングすることを特徴とす
るＳｉＧｅ膜のエッチング方法、により達成される。
【００１０】反応性ガスに混合する「水素原子と弗素原
子が結合したガス」は、ＨＦが好適である。反応性ガス
は、ＳｉＧｅ膜のエッチングレートを１０〜１００ｎｍ
／ｍｉｎ、ＳｉＧｅ膜のＳｉ膜およびＳｉＯ4膜に対す
るエッチングの選択比をそれぞれ１０以上および５０以
上とするように設定することにより、ＳｉＧｅ膜をＳｉ
膜およびＳｉＯ4膜に対して選択的にエッチングするの
に好適なものとなる。この場合被エッチング材となるウ
ェハ基板は７０℃〜１０℃の範囲内で温度調節し、最適
な温度を決めるのが望ましい。
子が結合したガス」は、ＨＦが好適である。反応性ガス
は、ＳｉＧｅ膜のエッチングレートを１０〜１００ｎｍ
／ｍｉｎ、ＳｉＧｅ膜のＳｉ膜およびＳｉＯ4膜に対す
るエッチングの選択比をそれぞれ１０以上および５０以
上とするように設定することにより、ＳｉＧｅ膜をＳｉ
膜およびＳｉＯ4膜に対して選択的にエッチングするの
に好適なものとなる。この場合被エッチング材となるウ
ェハ基板は７０℃〜１０℃の範囲内で温度調節し、最適
な温度を決めるのが望ましい。
【００１１】エッチングは、放電分離型ケミカルドライ
エッチング法を用いるのが望ましい。反応性ガスは、水
素原子と弗素原子が結合したガスの混合比が５％（モル
比あるいは容積比）以上となるようにするのが望まし
く、特に１０％以上にするのが望ましい。
エッチング法を用いるのが望ましい。反応性ガスは、水
素原子と弗素原子が結合したガスの混合比が５％（モル
比あるいは容積比）以上となるようにするのが望まし
く、特に１０％以上にするのが望ましい。
【００１２】
【実施態様】以下、図面に基づいて本願発明の一実施態
様を説明する。図１は本発明の一実施態様を実施するた
めに用いる放電分離型ケミカルドライエッチング装置を
示す。図２は基板の断面図であり、（Ａ）はエッチング
前の状態を、（Ｂ）はエッチング後の状態を示す。
様を説明する。図１は本発明の一実施態様を実施するた
めに用いる放電分離型ケミカルドライエッチング装置を
示す。図２は基板の断面図であり、（Ａ）はエッチング
前の状態を、（Ｂ）はエッチング後の状態を示す。
【００１３】図１において符号１は真空容器を示し、こ
の真空容器１のエッチング室２内には、被処理物３を載
置する載置台４が設けられている。この載置台４は温度
調節機構を有しており、被処理物３の温度を制御できる
ようになっている。前記真空容器１の天壁には、ガス導
入管５が接続されており、その先には、放電管６が接続
されていて、ガス導入口７からガスが導入されている。
前記放電管６には、マイクロ波導波管８が接続されてい
る。
の真空容器１のエッチング室２内には、被処理物３を載
置する載置台４が設けられている。この載置台４は温度
調節機構を有しており、被処理物３の温度を制御できる
ようになっている。前記真空容器１の天壁には、ガス導
入管５が接続されており、その先には、放電管６が接続
されていて、ガス導入口７からガスが導入されている。
前記放電管６には、マイクロ波導波管８が接続されてい
る。
【００１４】ガス導入口７からは反応性ガスが導入さ
れ、マイクロ波導波管８よりマイクロ波（図示せず）が
印可されて放電管６内にプラズマが発生する。このプラ
ズマによってガスが活性化された後、被処理物３がセッ
トされているエッチング室２に導入され、被処理物３が
エッチングされる。被処理物３と反応した反応性ガスは
排気口９よりエッチング室２の外に排気される。
れ、マイクロ波導波管８よりマイクロ波（図示せず）が
印可されて放電管６内にプラズマが発生する。このプラ
ズマによってガスが活性化された後、被処理物３がセッ
トされているエッチング室２に導入され、被処理物３が
エッチングされる。被処理物３と反応した反応性ガスは
排気口９よりエッチング室２の外に排気される。
【００１５】ここにガス導入口７から導入される反応性
ガスは、水素原子と弗素原子とが結合したガスであるＨ
Ｆ（弗化水素）にアルゴンガス（Ａｒ）および酸素ガス
（Ｏ 2）を混合したものである。すなわちＨＦおよびＯ2
の混合比を調整してＡｒガスで希釈したものである。Ｈ
Ｆの混合比は反応性ガス全体の１０％（モル％、容積
％）以上とする。
ガスは、水素原子と弗素原子とが結合したガスであるＨ
Ｆ（弗化水素）にアルゴンガス（Ａｒ）および酸素ガス
（Ｏ 2）を混合したものである。すなわちＨＦおよびＯ2
の混合比を調整してＡｒガスで希釈したものである。Ｈ
Ｆの混合比は反応性ガス全体の１０％（モル％、容積
％）以上とする。
【００１６】また載置台４の温度やガス圧は適切に決め
ることが必要である。例えばＳｉＧｅ膜のエッチングレ
ートを１０〜１００ｎｍ／ｍｉｎ、ＳｉＧｅ膜のＳｉ膜
およびＳｉＯ4膜に対するエッチング選択比をそれぞれ
１０以上および５０以上にするためには、前記のように
ＨＦの混合比を１０％以上とし、載置台４の温度を７０
〜１０°とし、ガス圧を例えば２００Ｐａ程度にする。
ることが必要である。例えばＳｉＧｅ膜のエッチングレ
ートを１０〜１００ｎｍ／ｍｉｎ、ＳｉＧｅ膜のＳｉ膜
およびＳｉＯ4膜に対するエッチング選択比をそれぞれ
１０以上および５０以上にするためには、前記のように
ＨＦの混合比を１０％以上とし、載置台４の温度を７０
〜１０°とし、ガス圧を例えば２００Ｐａ程度にする。
【００１７】被処理物３は図２の（Ａ）に示すように、
Ｓｉ基板１０の表面にＳｉＧｅ膜１２を形成し、この上
にマスク１４となる酸化膜あるいはレジストのパターン
を形成したものである。この被処理物３を真空容器１内
の載置台３に載せ、エッチング室２内を減圧する。そし
て載置台３によって被処理物３を所定温度に保持した
後、反応性ガスをガス導入口７より導入しつつマイクロ
波導波管８から導いたマイクロ波でガスをプラズマ化す
る。
Ｓｉ基板１０の表面にＳｉＧｅ膜１２を形成し、この上
にマスク１４となる酸化膜あるいはレジストのパターン
を形成したものである。この被処理物３を真空容器１内
の載置台３に載せ、エッチング室２内を減圧する。そし
て載置台３によって被処理物３を所定温度に保持した
後、反応性ガスをガス導入口７より導入しつつマイクロ
波導波管８から導いたマイクロ波でガスをプラズマ化す
る。
【００１８】このプラズマにより活性化されたガスは、
排気口９からの排気に伴ってエッチング室２に流入し、
被処理物３に導かれてエッチングを行う。すなわちＳｉ
Ｇｅ膜１２をＳｉ基板１０やマスク１４などに比べて高
いエッチングレートで選択的にエッチングする。この結
果図２の（Ｂ）に示すようにＳｉ基板１０を残してＳｉ
Ｇｅ膜１２のみを選択的に除去することができる。また
エッチングレートが小さいので、例えばエッチング中の
ガス混合比や被処理物３の温度や圧力などを制御するこ
とによりエッチングの制御が可能になる。
排気口９からの排気に伴ってエッチング室２に流入し、
被処理物３に導かれてエッチングを行う。すなわちＳｉ
Ｇｅ膜１２をＳｉ基板１０やマスク１４などに比べて高
いエッチングレートで選択的にエッチングする。この結
果図２の（Ｂ）に示すようにＳｉ基板１０を残してＳｉ
Ｇｅ膜１２のみを選択的に除去することができる。また
エッチングレートが小さいので、例えばエッチング中の
ガス混合比や被処理物３の温度や圧力などを制御するこ
とによりエッチングの制御が可能になる。
【００１９】図３はこの方法によるエッチングの実験デ
ータを示すグラフである。このグラフは反応性ガスとし
てＨＦの混合比（流量比）であるＨＦ流量％を横軸にと
り、縦軸にＳｉＧｅエッチングレート（ｎｍ／ｍｉｎ）
および対Ｓｉ選択比（ＳｉＧｅのＳｉに対する選択比）
をとって実験データを示すものである。またマイクロ波
パワーを７００Ｗ、ガス圧を２００Ｐａ、載置台４の温
度を２５℃とした。
ータを示すグラフである。このグラフは反応性ガスとし
てＨＦの混合比（流量比）であるＨＦ流量％を横軸にと
り、縦軸にＳｉＧｅエッチングレート（ｎｍ／ｍｉｎ）
および対Ｓｉ選択比（ＳｉＧｅのＳｉに対する選択比）
をとって実験データを示すものである。またマイクロ波
パワーを７００Ｗ、ガス圧を２００Ｐａ、載置台４の温
度を２５℃とした。
【００２０】この図３から、ＨＦ流量％を１０％以上に
することにより、ＳｉＧｅのエッチングレートを約８ｎ
ｍ／ｍｉｎ以上とすることができ、対Ｓｉ選択比を約１
５以上にできることが解る。なお図３は対Ｓｉ選択比の
みを示し、ＳｉＯ2に対するＳｉＧｅの選択比について
は示していないが、他の実験データなどから、ＳｉＯ 2
に対しては選択比が約４０以上になることが解ってい
る。また図３は、載置台４の温度は２５℃の場合を示す
が、７０℃〜１０℃の範囲であれば、前記したエッチン
グレートと選択比を得ることが可能であることが他の実
験などから解っている。
することにより、ＳｉＧｅのエッチングレートを約８ｎ
ｍ／ｍｉｎ以上とすることができ、対Ｓｉ選択比を約１
５以上にできることが解る。なお図３は対Ｓｉ選択比の
みを示し、ＳｉＯ2に対するＳｉＧｅの選択比について
は示していないが、他の実験データなどから、ＳｉＯ 2
に対しては選択比が約４０以上になることが解ってい
る。また図３は、載置台４の温度は２５℃の場合を示す
が、７０℃〜１０℃の範囲であれば、前記したエッチン
グレートと選択比を得ることが可能であることが他の実
験などから解っている。
【００２１】図４は本発明によるＳｉＧｅのエッチング
効果を示す蒸気圧のグラフである。ＳｉＧｅが反応性ガ
スのＨＦと反応した時にはＧｅＨ4ができるが、ＨＦだ
けではＳｉと反応せず、Ｈ−がＧｅと反応してガスとな
って飛び易いので、ＳｉＧｅは本プロセスによってＳｉ
との十分な選択比をもってエッチングされ得る。このＧ
ｅＨ4はガスでありその蒸気圧は図４に示すように高
い。すなわちＧｅＢｒ4、ＧｅＣｌ4、ＧｅＩ4などのガ
スの蒸気圧は図４に示すようにＧｅＨ4の蒸気圧に比べ
て著しく小さい。このことからもＧｅとＨとの反応が進
み易く、ＧｅＨ4が気化し易いことが解る。すなわちＳ
ｉＧｅがエッチングされ易いことが解る。
効果を示す蒸気圧のグラフである。ＳｉＧｅが反応性ガ
スのＨＦと反応した時にはＧｅＨ4ができるが、ＨＦだ
けではＳｉと反応せず、Ｈ−がＧｅと反応してガスとな
って飛び易いので、ＳｉＧｅは本プロセスによってＳｉ
との十分な選択比をもってエッチングされ得る。このＧ
ｅＨ4はガスでありその蒸気圧は図４に示すように高
い。すなわちＧｅＢｒ4、ＧｅＣｌ4、ＧｅＩ4などのガ
スの蒸気圧は図４に示すようにＧｅＨ4の蒸気圧に比べ
て著しく小さい。このことからもＧｅとＨとの反応が進
み易く、ＧｅＨ4が気化し易いことが解る。すなわちＳ
ｉＧｅがエッチングされ易いことが解る。
【００２２】以上の説明した実施態様は、図１に示した
放電分離型ケミカルドライエッチング法を用いたもので
あるが、この発明はこの方法に限定されるものではな
い。自己バイアス効果が少ない他のドライエッチング法
であれば使用できる。例えばＥＣＲ（Electron Cyclotr
on Resonance、電子サイクロトロン共鳴プラズマ）、Ｉ
ＰＣ（Inductively Coupled Plasma、誘導結合プラズ
マ）などの高密度プラズマを用いることができる。
放電分離型ケミカルドライエッチング法を用いたもので
あるが、この発明はこの方法に限定されるものではな
い。自己バイアス効果が少ない他のドライエッチング法
であれば使用できる。例えばＥＣＲ（Electron Cyclotr
on Resonance、電子サイクロトロン共鳴プラズマ）、Ｉ
ＰＣ（Inductively Coupled Plasma、誘導結合プラズ
マ）などの高密度プラズマを用いることができる。
【００２３】以上の実施態様では、ＳｉＧｅをＳｉおよ
びＳｉＯ2に対して選択的にエッチングする場合を説明
しているが、この発明はシリコン窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）に
対してＳｉＧｅを選択的にエッチングする場合にも有効
であることが解っている。
びＳｉＯ2に対して選択的にエッチングする場合を説明
しているが、この発明はシリコン窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）に
対してＳｉＧｅを選択的にエッチングする場合にも有効
であることが解っている。
【００２４】
【発明の効果】この発明は以上のように、水素原子と弗
系原子とが結合したガスをアルゴンガスおよび酸素ガス
と混合した反応性ガスを用いてＳｉＧｅ膜をドライエッ
チングするものであるから、ＳｉＧｅ膜をＳｉ膜やＳｉ
Ｏ2膜に対して十分に大きな選択比をもって選択的にエ
ッチングすることができる。この場合にＳｉＧｅ膜に対
するエッチングレートは十分に小さくすることができる
のでエッチングの制御が可能になる。
系原子とが結合したガスをアルゴンガスおよび酸素ガス
と混合した反応性ガスを用いてＳｉＧｅ膜をドライエッ
チングするものであるから、ＳｉＧｅ膜をＳｉ膜やＳｉ
Ｏ2膜に対して十分に大きな選択比をもって選択的にエ
ッチングすることができる。この場合にＳｉＧｅ膜に対
するエッチングレートは十分に小さくすることができる
のでエッチングの制御が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施態様を実施するために用いる放
電分離型ケミカルドライエッチング装置を示す図
電分離型ケミカルドライエッチング装置を示す図
【図２】基板の断面図であり、（Ａ）はエッチング前の
状態を示す図、（Ｂ）はエッチング後の状態を示す図
状態を示す図、（Ｂ）はエッチング後の状態を示す図
【図３】エッチングの実験データを示すグラフ
【図４】本発明によるＳｉＧｅのエッチング効果を示す
蒸気圧のグラフ
蒸気圧のグラフ
１０ Ｓｉ基板
１２ ＳｉＧｅ膜
１４ マスク
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5F004 AA05 BA03 BB18 CA02 DA20
DA23 DA26 DB19 EA06 EA07
EB08
Claims (5)
- 【請求項１】 基板のマスクに覆われていない部分のＳ
ｉＧｅ膜を除去するＳｉＧｅ膜のエッチング方法におい
て、反応性ガスとして、水素原子と弗素原子が結合した
ガスをアルゴンガスおよび酸素ガスと混合した混合ガス
を用いて、ＳｉＧｅ膜をドライエッチングすることを特
徴とするＳｉＧｅ膜のエッチング方法。 - 【請求項２】 前記水素原子と弗素原子が結合したガス
は、ＨＦであることを特徴とする請求項１のＳｉＧｅ膜
のエッチング方法。 - 【請求項３】 ＳｉＧｅ膜のエッチングレートを１０〜
１００ｎｍ／ｍｉｎ、ＳｉＧｅのシリコン膜および酸化
シリコン膜に対するエッチングの選択比をそれぞれ１０
以上および５０以上として、ＳｉＧｅ膜をシリコン膜お
よび酸化シリコン膜に対し選択的にエッチングすること
を特徴とする請求項１または２のＳｉＧｅ膜のエッチン
グ方法。 - 【請求項４】 エッチングする方法として放電分離型ケ
ミカルドライエッチング法を用いることを特徴とする請
求項１〜３のいずれかのＳｉＧｅ膜のエッチング方法。 - 【請求項５】 前記反応性ガスは、水素原子と弗素原子
が結合したガスの混合比が１０％以上となるようにした
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかのＳｉＧｅ膜
のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001264010A JP3974356B2 (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | ＳｉＧｅ膜のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001264010A JP3974356B2 (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | ＳｉＧｅ膜のエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003077888A true JP2003077888A (ja) | 2003-03-14 |
| JP3974356B2 JP3974356B2 (ja) | 2007-09-12 |
Family
ID=19090678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001264010A Expired - Fee Related JP3974356B2 (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | ＳｉＧｅ膜のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3974356B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015076459A (ja) * | 2013-10-08 | 2015-04-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ドライエッチング方法 |
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