JP6619703B2 - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6619703B2 JP6619703B2 JP2016127658A JP2016127658A JP6619703B2 JP 6619703 B2 JP6619703 B2 JP 6619703B2 JP 2016127658 A JP2016127658 A JP 2016127658A JP 2016127658 A JP2016127658 A JP 2016127658A JP 6619703 B2 JP6619703 B2 JP 6619703B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- layer
- substrate
- gas
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
図2(a)はプラズマエッチング装置1によりエッチングされる前の基板W1の断面構造を示している。すなわち、シリコン基板201の上面全面にはSiGe層202とSi層203とが交互に積層されている。また、SiGe層202とSi層203の積層体には最上層からシリコン基板201に達するようにトレンチ204が切削されている。これにより、SiGe層202とSi層203の各層の一部はトレンチ204の内部において外部に露出している。また、SiGe層202およびSi層203のトレンチ204に面する側の側面は連続した平坦面を形成している。
11 排気配管
12 真空ポンプ
13 APCバルブ
14 圧力センサー
15 基板ホルダー
16 加熱冷却機構
17 ガス分散板
18 プラズマ生成室
19 ガス導入部
20 誘導コイル
21 高周波電源
201 シリコン基板
202 SiGe層
203 Si層
204 トレンチ
301 シリコン基板
302 多結晶Si層
303 SiGe層
Claims (2)
- 各層の少なくとも一部が外部に露出したSi層とSiGe層とを備えた基板をエッチングするエッチング方法において、
フッ素系ガスと水蒸気又は水酸基含有化合物とを含む混合ガスを用いてプラズマを生成する工程と、
前記プラズマを基板に適用してSiGe層をSi層に対して選択的にエッチングする工程とを含み、
前記混合ガスにおける前記フッ素系ガスの含有割合は0vol.%より大きく、30vol.%以下であり、
前記フッ素系ガスが、CとFとを含む化合物又はCとHとFとを含む化合物のいずれかであることを特徴とするエッチング方法。 - 前記水酸基含有化合物が、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールのいずれかであることを特徴とする請求項1に記載のエッチング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016127658A JP6619703B2 (ja) | 2016-06-28 | 2016-06-28 | エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016127658A JP6619703B2 (ja) | 2016-06-28 | 2016-06-28 | エッチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018006405A JP2018006405A (ja) | 2018-01-11 |
JP6619703B2 true JP6619703B2 (ja) | 2019-12-11 |
Family
ID=60946568
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016127658A Expired - Fee Related JP6619703B2 (ja) | 2016-06-28 | 2016-06-28 | エッチング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6619703B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10923356B2 (en) * | 2018-07-20 | 2021-02-16 | Tokyo Electron Limited | Gas phase etch with controllable etch selectivity of silicon-germanium alloys |
JP7113711B2 (ja) * | 2018-09-25 | 2022-08-05 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、エッチング装置、および記憶媒体 |
CN114616650A (zh) * | 2019-10-29 | 2022-06-10 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理方法、基板处理装置和纳米线或纳米片的晶体管的制造方法 |
JP2022164197A (ja) * | 2021-04-16 | 2022-10-27 | 抗酸化食品株式会社 | 水蒸気プラズマ生成装置 |
CN115707347A (zh) * | 2021-06-17 | 2023-02-17 | 株式会社日立高新技术 | 等离子体处理方法及半导体装置的制造方法 |
JP2024083014A (ja) * | 2022-12-09 | 2024-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08264510A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Toshiba Corp | シリコン窒化膜のエッチング方法およびエッチング装置 |
JP3974356B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2007-09-12 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | SiGe膜のエッチング方法 |
JP4167544B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2008-10-15 | 積水化学工業株式会社 | プラズマエッチング方法及び装置 |
JP4738194B2 (ja) * | 2006-02-09 | 2011-08-03 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | エッチング方法及び半導体装置の製造方法 |
DE102006020825A1 (de) * | 2006-05-04 | 2007-11-08 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer Schichtenstruktur |
JP2010062433A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Sekisui Chem Co Ltd | シリコン含有膜のエッチング方法および装置 |
US8771539B2 (en) * | 2011-02-22 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Remotely-excited fluorine and water vapor etch |
JP6138653B2 (ja) * | 2013-10-08 | 2017-05-31 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ドライエッチング方法 |
US9236265B2 (en) * | 2013-11-04 | 2016-01-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon germanium processing |
JP2015228433A (ja) * | 2014-06-02 | 2015-12-17 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
JP6426489B2 (ja) * | 2015-02-03 | 2018-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
-
2016
- 2016-06-28 JP JP2016127658A patent/JP6619703B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018006405A (ja) | 2018-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6619703B2 (ja) | エッチング方法 | |
US9484406B1 (en) | Method for fabricating nanowires for horizontal gate all around devices for semiconductor applications | |
TWI773634B (zh) | 水平環繞式閘極元件的奈米線氣隙間隔之形成 | |
TWI774793B (zh) | 用於製造半導體應用的奈米線之選擇性氧化 | |
JP4554461B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI641022B (zh) | 於磊晶成長前預清潔基板表面之方法及設備 | |
US9054048B2 (en) | NH3 containing plasma nitridation of a layer on a substrate | |
US9831097B2 (en) | Methods for selective etching of a silicon material using HF gas without nitrogen etchants | |
US8481433B2 (en) | Methods and apparatus for forming nitrogen-containing layers | |
JP6469705B2 (ja) | エッチング後のインターフェースを安定化し、次の処理ステップ前のキュータイム問題を最小化する方法 | |
US20200161171A1 (en) | Scaled liner layer for isolation structure | |
TWI688997B (zh) | 閘極電極材料殘留物移除製程 | |
US9177787B2 (en) | NH3 containing plasma nitridation of a layer of a three dimensional structure on a substrate | |
TW201535517A (zh) | 蝕刻方法及電漿處理裝置 | |
KR20160132090A (ko) | 가스 분배 플레이트 열을 이용한 온도 램핑 | |
TW201517122A (zh) | 將用於離子植入製程之硬光罩層圖案化的方法 | |
WO2021187163A1 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
KR102092760B1 (ko) | 층간 폴리실리콘 유전체 캡 및 그것을 형성하는 방법 | |
KR101240818B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
KR102552613B1 (ko) | 반도체 애플리케이션들을 위한 수평 게이트 올 어라운드 디바이스들을 위한 나노와이어들을 제작하기 위한 방법 | |
TWI782981B (zh) | 子鰭片至絕緣體矽之轉換 | |
US9355820B2 (en) | Methods for removing carbon containing films |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190919 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191015 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20191018 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191030 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191112 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191115 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6619703 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |