JP2018002517A - 種結晶保持ジグ及びこれを用いた結晶育成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】単結晶の育成から育成終了時の単結晶と原料融液を切離すまでの引き上げ軸の引き上げ過程において、炉内温度変動を生じさせず、結晶育成装置の引き上げ可動範囲が有効に使用でき、単結晶の長尺化が可能となる種結晶保持ジグ及びこれを用いた結晶育成装置の提供。【解決手段】種結晶１６０を保持するための種結晶保持部９１と同一の断面形状を有し、種結晶保持部９１と合わせた全長が引き上げ軸の上下移動のストロークの距離よりも長くなるように構成された延伸部９２を有する種結晶保持ジグ９０。【選択図】図３

Description

本発明は、種結晶保持ジグ及びこれを用いた結晶育成装置に関する。

従来から知られている単結晶を製造する方法として、チョクラルスキー法（以下、「Ｃｚ法」という。）に代表される引き上げ法が用いられており、例えば、シリコンやサファイアなどの多くの結晶がこの引き上げ法により製造されている。

チョクラルスキー法の場合、単結晶用原料を溶融した原料融液に、種結晶を接触させた後、種結晶を回転させながら徐々に引き上げることで単結晶を育成することができる。そして、種結晶は、単結晶育成装置内で移動させるため、通常は種結晶保持ジグにより保持されている。

そして、種結晶を保持するジグは各種検討がなされている。例えば、特許文献1では、シードチャック及びシード押え部材を用い、シードをシードチャックとシード押え部材で挟み保持する方式が開示されている。

特開昭６３−２９５４９４号公報

ところで、近年、単結晶のコストダウンの要求が強く、これに伴い現状の単結晶育成装置を使用し、最大限の結晶の大型化、長尺化の開発が進められてきている。特に長尺化については、育成装置の引き上げ可動範囲を最大限利用し進められてきている。

しかしながら、長尺化を図るべく、可動範囲を最大限利用し結晶育成を行ったが、単結晶の引き上げ中、及び単結晶育成が終了した後に単結晶と原料融液を切離す際等、引き上げ軸を上方に移動させる過程において、結晶育成装置の引き上げ可動範囲内であるにもかかわらず、炉内の温度が急激に変動する現象が見られた。単結晶育成においては、精密な温度制御を行うことで結晶の形状制御を実施するため、炉内で急激な温度変動が生じると、結晶形状や品質に重大な不具合が発生する場合がある。また、冷却中においても、炉内温度変動による育成単結晶の再融解や、急激な温度変動による育成単結晶の割れ発生などの不具合が生じる可能性がある。

そこで、本発明は、上述の従来技術が有する問題に鑑み、結晶育成装置において、単結晶の引き上げ工程などで急激な炉内温度変動が生じず、結晶育成装置の引き上げ可動範囲を有効に使用し、単結晶の長尺化が可能な種結晶保持ジグ及びこれを用いた結晶育成装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る種結晶保持ジグは、結晶育成装置の結晶引き上げの際に用いられる種結晶を保持するための種結晶保持ジグであって、
前記種結晶の断面を包含する断面形状を有し、前記結晶引き上げの際の引き上げストロークよりも長い距離において前記断面形状が一定である部分を有する。

本発明によれば、結晶育成装置において、結晶引き上げ工程等で炉内の温度変化を低減させることができる。

本発明の実施形態に係る結晶育成装置の構成例を示した断面図である。 従来の種結晶保持部の一例を示した図である。 本発明の実施形態に係る種結晶保持ジグの一例を示した図である。

以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。

図１は、本発明の実施形態に係る結晶育成装置の構成例を示した断面図である。特に、図１は、結晶育成装置の内部に配置した坩堝の中心軸を通る面での断面図を模式的に示したものである。

本実施形態に係る結晶育成装置は、チャンバー（又は炉体）７０と、チャンバー７０の内部に設置された断熱材５０と、を有する。

断熱材５０で囲まれた断熱空間の中には、単結晶の育成方法に応じて必要な部材を配置することができる。結晶育成装置では、Ｃｚ法を用いた単結晶育成装置の構成例を示す。

結晶育成装置の断熱空間の中には、育成する単結晶の原料である単結晶用原料を充填して保持した坩堝１０を配置する。坩堝１０は、例えば、坩堝支持軸２０上に載置してもよい。

そして、坩堝１０内に充填した単結晶用原料１５０を加熱するための加熱体を坩堝１０の周囲に配置することができる。加熱体として例えば坩堝１０の側面に対向するように側面ヒータ３０を配置することができる。なお、加熱体としては側面ヒータ３０だけではなく、坩堝１０の底面と対向するように配置した底面ヒータ４０等を設けることもできる。また、発熱方式として高周波誘導加熱方式を用いる場合には、加熱体が坩堝１０となり、高周波誘導コイルを坩堝１０の周囲に設けることができる。その場合には、側面ヒータ３０を高周波誘導コイルとして構成すればよい。

坩堝１０内に充填した単結晶用原料を加熱することにより融解し、原料融液１５０を形成することができる。また、必要に応じて原料融液１５０等からの輻射熱を原料融液１５０に戻すための多層型の熱遮蔽板６０を坩堝１０の上方に配置してもよい。

断熱材５０は、坩堝１０の周囲を覆うが、坩堝１０の中心の上方及び下方には、開口５１、５２を各々有する。断熱材５０の上面の坩堝１０の中心上に設けられた開口５１は、種結晶保持ジグ９０を貫通させるために設けられ、断熱材５０の下面の坩堝１０の中心上に設けられた開口５２は、坩堝支持軸２０を貫通させるために設けられる。炉体７０の上面の坩堝１０の中心の上方、つまり断熱材５０の開口５１と重なる位置にも、開口７１が設けられる。開口７１は、種結晶保持ジグ９０及び引き上げ軸８０を貫通させるために設けられる。

また、坩堝１０の上方には、坩堝１０側の先端に種結晶１６０を固定して保持できるように構成された種結晶保持ジグ９０と、さらに上方に引き上げ軸８０を配置することができる。引き上げ軸８０は、断熱材５０よりも上方にある。また、引き上げ軸８０は、更に炉体７０よりも上方にあってもよい。引き上げ軸８０の下端部には、種結晶保持ジグ９０が設けられる。種結晶保持ジグ９０は、引き上げ軸８０が単結晶１４０を引き上げる際、断熱材５０の開口５１との間の間隔を一定に保つべく、引き上げの際のストロークの距離よりも長く、断面形状が一定の部分を有する。同様に、種結晶保持ジグ９０は、熱遮蔽板６０が断熱材５０内に設けられている場合には、熱遮蔽板６０の開口６１も貫通するため、単結晶１４０の引き上げの際、開口６１との間隔を一定に保つ役割も果たす。このように、種結晶保持ジグ９０は、断面形状が一定の部分を、単結晶１４０の引き上げの際のストロークの距離よりも長く有することにより、単結晶１４０の引き上げの際、開口５１、６１付近で単結晶１４０の温度変化を低減する役割を果たす。よって、図１に示される通り、種結晶保持ジグ９０は、種結晶１６０を単に保持するのに必要な長さよりも大幅に長い長さを有する形状となっている。なお、種結晶保持ジグ９０の構成の詳細については後述する。

なお、種結晶保持ジグ９０は、炉体７０の開口７１までは必ずしも到達する必要は無く、炉体７０の開口７１は引き上げ軸８０が通過する構成としてもよいし、種結晶保持ジグ９０が炉体７０の開口７１まで到達する長さを有する構成としてもよい。

結晶育成装置は、引き上げ軸駆動モータ１００と、坩堝軸駆動モータ１１０と、重量測定部１２０とを有する。引き上げ軸駆動モータ１００は、引き上げ軸８０を引き上げる駆動力を生み出すモータであり、単結晶１４０の引き上げの際には、引き上げ軸８０を回転させながら上方に引き上げる。坩堝軸駆動モータ１１０は、坩堝軸２０を回転させるためのモータである。また、重量測定部１２０は、引き上げた単結晶１４０の重量を測定するための重量測定手段である。

結晶育成装置は、更に、制御部１３０を備える。制御部１３０は、結晶育成装置の制御を行うための手段であり、例えば、側面ヒータ３０及び底面ヒータ４０の加熱温度や、引き上げ軸駆動モータ１００及び坩堝軸駆動モータ１１０の駆動を制御する。また、制御部１３０は、重量測定部１２０からの測定重量に基づき、フィードバック制御等を行ってもよい。制御部１３０は、このような制御を行うための演算処理手段として構成されていればよく、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit、中央処理装置）、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等の記憶手段を備え、プログラムにより動作するマイクロコンピュータ（マイクロプロセッサ）から構成されてもよいし、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）等の特定の用途向けに複数機能の回路を１つにまとめた集積回路として構成されてもよい。

結晶育成装置には、図１に示した部材以外にも単結晶の育成に必要な各種部材を設けることができる。例えば、炉体（チャンバー）７０内の雰囲気を制御するため、気体供給手段や、排気手段、圧力測定手段等を設けることができる。また、加熱体による出力等を制御するため、炉体７０内の任意の場所に温度測定手段を設けることや、炉体７０内の原料融液１５０や、種結晶１６０の状態を確認するための観察窓等を設けることもできる。

以上のような構成を有する結晶育成装置により単結晶１４０を育成する場合、まず、坩堝１０内に充填した単結晶用原料を加熱体である側面ヒータ３０により加熱して融解し、原料融液１５０とする。次いで、引き上げ軸８０を下げ、引き上げ軸８０の先端（下端）に設けられた種結晶保持ジグ９０に固定した種結晶１６０を原料融液１５０に接触させるシーディングを実施できる。そして、引き上げ軸８０を操作して種結晶１６０を回転させながら上昇させることで、単結晶１４０を育成することができる。単結晶１４０の育成が終了した後は、原料融液１５０と育成した単結晶１４０とを切り離した後、冷却し、炉体７０内から育成した単結晶１４０を取出すことができる。

その際、上述のように、種結晶保持ジグ９０は、引き上げ軸８０により引き上げられるが、断面形状が一定の部分が引き上げのストロークよりも長いので、断熱材５０の開口５１との隙間の距離及び熱遮蔽板６０の開口６１との隙間の距離を引き上げ中一定にすることができ、単結晶１４０の温度変化を抑制することができる。

次に、本発明の特徴である種結晶保持ジグ９０について、より詳細に説明する。本発明の実施形態に係る種結晶保持ジグ９０は、融液面に対して水平方向外形が略一定であること、つまり断面形状が略一定であることを特徴としている。

これは、前述したように、従来の結晶育成装置を使用し単結晶１４０の長尺化を図った際、結晶育成装置の引き上げ可動範囲で使用したにもかかわらず、単結晶１４０の引き上げ中、及び単結晶育成が終了した後に単結晶１４０と原料融液１５０とを切離す際に、引き上げ軸８０を上方に移動させる過程において、断熱材５０内の温度が変動する現象が見られた。断熱材５０内の温度が変動すると、単結晶１４０の温度も変動し、均一な品質を有する単結晶１４０の引き上げが困難となってしまう。

そこで、本発明者らは、かかる問題点を解決するために鋭意研究を重ね、単結晶１４０を引き上げている際に発生する温度変動の原因を調査した。その結果、単結晶１４０の引き上げ及び単結晶１４０と原料融液１５０を切離す際に、種結晶保持部の位置が変動し、種結晶保持部自身が種結晶１６０を融液表面へ到達するために設けられた断熱材５０や熱遮蔽板６０の貫通孔（開口）５１、６１を閉塞することで、断熱材５０内の熱のバランスが崩れ、温度変動を生じさせている事を突き止めた。

単結晶１４０の引き上げの際、結晶育成装置の引き上げ軸８０を上下に移動させるが、従来はある程度余裕をもって移動させていたため、種結晶保持部が断熱材５０又は熱遮蔽板６０の貫通孔（開口）５１、６１に到達することはなかった。しかし、単結晶１４０の長尺化のため、可動範囲を有効に活用した場合、種結晶保持部が断熱材５０又は熱遮蔽板６０の貫通孔に到達する事態が発生した。

引き上げ可動部の構成は、大きく分けて２つの部分に分かれている。１つ目は、種結晶１６０自身を保持するための種結晶保持ジグ部である。２つ目は、種結晶保持ジグ部と単結晶育成装置の上下駆動部を連結するための引き上げ軸部である。

図２は、従来の種結晶保持部１９０の一例を示した図である。種結晶保持部１９０は、種結晶１６０を保持するための筒状のものであり、種結晶１６０を挿入するための穴１９１と固定するためのピン１９２挿入の機構で構成されている。そのため、種結晶１６０よりも断面積が大きい構成となっている。一方で、種結晶保持部１９０の上方に設けられた引き上げ軸部１８０は、種結晶保持部１９０と断面積が異なる構成が一般的である。

そのため、種結晶１９０と融液を接触させた後に引き上げながら単結晶１４０を育成及び、又は単結晶１４０と原料融液１５０を切離す際に、種結晶保持部１９０が上方へ移動する。断熱材５０又は熱遮蔽板６０の貫通孔（開口）５１、６１において、引き上げ軸部１８０から種結晶保持部１９０に切り替わる時、種結晶保持部１９０の断面積が大きくなるため、貫通孔５１、６１を閉塞し貫通孔５１、６１の開口面積が小さくなる。このため、断熱材５０で囲まれた領域からの熱の流出が小さくなり、温度が上昇する。

単結晶育成中に断熱材５０で囲まれた領域の温度が上昇した場合には、育成した単結晶１４０の再融解や成長速度の変化による形状制御の不安定が生じる。また、種結晶１６０が融解した場合には、育成した単結晶１４０が落下することがある。また、切り離し操作時に断熱材５０で囲まれた領域の温度が上昇した場合には、育成した単結晶１４０の再融解が生じる等、不具合が発生する。

また、逆に引き上げ軸部１８０の断面積が大きい場合は、断熱材５０に囲まれた領域の温度が急激に降下する。結晶育成中に、この現象が発生すると、単結晶１４０が急成長し、急成長部分で多結晶化してしまい単結晶としては使用できない。また、結晶切離し時に、この現象が発生した場合には、急激な温度低下により育成結晶が割れることがある。

そこで、本発明では、種結晶１６０と原料融液１５０が接触する単結晶育成開始時から、育成した単結晶１４０と原料融液１５０を切り離して冷却を実施する単結晶育成終了までの間に、断熱材５０又は熱遮蔽板６０の開口５１、６１を通過する種結晶保持ジグ９０の断面形状及び断面積が一定である種結晶保持ジグ９０を見出した。

図３は、本発明の実施形態に係る種結晶保持ジグ９０の一例を示した図である。種結晶保持ジグ９０は、種結晶保持部９１と、延伸部９２と、連結部９３と、溝９４と、貫通穴９５と、ピン９６を有する。

種結晶保持部９１は、種結晶１６０を保持する部分であり、種結晶１６０の上端及び側面を覆うことができる溝９４を有する。延伸部９１は、種結晶保持部９１と同一の外形を有し、種結晶保持部９１と合わせた全長が引き上げ軸８０の上下移動のストロークの距離よりも長くなるように構成された部分である。なお、引き上げ軸８０の上下に移動のストロークの距離は、種結晶１６０を原料融液１５０の接触させた位置から育成した単結晶１４０と原料融液１５０を切り離して冷却を実施する単結晶育成終了までに引き上げ軸８０が移動する距離である。種結晶保持部９１は、種結晶１６０を保持するため、種結晶１６０と係合する溝９４が必要であるが、延伸部９１は、同一の断面形状を有して延伸していればよいので、中空であってもよいし、中実であってもよい。水平断面の断面形状の外形が種結晶保持部９１と同一であれば、内部構造は用途に応じて種々の構造とすることができる。

連結部９３は、引き上げ軸８０と連結するための部分である。なお、連結部９３は、必ずしも設ける必要は無く、延伸部９２の上面を直接引き上げ軸８０に連結するような構成としてもよい。また、連結部９３と引き上げ軸８０との連結、又は連結部９３が存在しない場合における延伸部９２と引き上げ軸８０の連結については、引き上げ軸部と一体加工、ネジ等による螺合連結、嵌合部材を用いた連結等、用途に応じて種々の連結構造を採用することができる。

種結晶１６０の形状は、加工の容易性や結晶の方向等の要因から、一般的に正方形の断面形状を有する直方体である。この種結晶１６０を保持する種結晶保持ジグ９０は、種結晶１６０の形状に合わせた形状とすることが好ましい。一般的には、種結晶１６０は正方形の端面を有する直方体なので、水平方向の断面形状は正方形である。しかし、特に種結晶保持ジグ９０の断面形状は限定されない。例えば、直方体の種結晶１６０に対して種結晶保持ジグ９０の断面形状が円形でも良い。ただし、引き上げ軸８０の垂直方向中心軸に対して対称性があることが好ましい。対称性が無い場合には、重量バランスにより引き上げ軸８０の垂直方向中心軸に沿って種結晶１６０が上下動できない恐れがある。種結晶保持ジグ９０の長さは、種結晶１６０と原料融液１５０が接触する単結晶育成開始時から、育成した単結晶１４０と原料融液１５０を切離して冷却を実施する単結晶育成終了までの引き上げるストロークの長さ以上に設定する。これにより、断熱材５０又は熱遮蔽板６０の開口（貫通孔）５１、６１を通過する種結晶保持ジグ９０の断面積が一定となり、炉体７０内の温度は安定する。種結晶１６０を種結晶保持ジグ９０に固定する方法は、特に限定はないが、種結晶保持ジグ９０の外形を変更しない形状とする。一般的には、図３に示すように、種結晶保持ジグ９０の側面に貫通穴９５が形成され、貫通穴９５にピン９６等を挿入して固定する。なお、このようなピン９６を用いて種結晶１６０を種結晶保持ジグ９０に固定する場合、種結晶１６０に予め貫通孔１６１を形成しておき、容易にピン９６を挿入できるように種結晶１６０を加工しておくことが好ましい。

種結晶保持ジグ９０の上方にある引き上げ軸８０は、断熱材５０の上面よりも上方で上下動し、開口５１を通過せず、種結晶保持ジグ９０のように制約は受けないため、自由な形状に設定できるが、結晶１４０を引き上げながら回転させるため、水平断面は円形が一般的である。

本発明の実施形態に係る種結晶保持ジグ９０を使用することにより、結晶育成装置の引き上げ可動範囲を有効に活用し、炉体７０内の温度を安定させ、単結晶１４０の長尺化を図ることが可能なる。なお、本発明の実施形態に係る種結晶保持ジグ９０は、単結晶育成装置であれば単結晶の種類を選ばず、種々の単結晶１４０の育成に用いることができる。また、種結晶１６０が円柱形状等の場合であっても、種結晶保持ジグ９０の溝９４及び種結晶保持部９１及び延伸部９２の形状を、種結晶１６０の形状に合わせ、例えば円柱形状とすることにより、種々の形状の種結晶１６０に適用可能である。
［実施例］

以下に具体的な実施例、比較例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、理解の容易のため、上述の実施形態で説明した構成要素と同様の構成要素には、同一の参照符号を付して説明する。

図１に示した結晶育成装置を用いてサファイア単結晶の育成を実施した。坩堝１０中に酸化アルミニウム原料を投入し、側面及び底面ヒータ３０、４０を作動させて原料融液１５０を作製した。

種結晶１６０は１０ｍｍ角の角柱とし、種結晶保持部９１及び延伸部９２の外形は２０ｍｍ角とした。種結晶保持部９１と同じ２０ｍｍ角の部分（延伸部９２を合せた部分）が、種結晶保持部９１から断熱材５０の開口５１の高さまでの長さを有する種結晶保持ジグ９０を用いた。種結晶保持ジグ９０の上端、つまり連結部９３で引き上げ軸８０と連結した。この構成により、シーディングから切離し操作まで、熱遮蔽板６０及び断熱材５０の開口６１、５１の開口面積（種結晶保持ジグ９０に塞がれていない開口６１、５１の隙間面積）は一定となった。

この種結晶保持ジグ９０を用いて原料融液１５０と種結晶１６０とを接触させサファイア単結晶１４０の育成を実施したところ、シーディングから切離し操作まで、結晶育成を行うために制御部１３０により実施した以外の温度変動は見られず、サファイア単結晶１４０が得られた。
［比較例１］

サファイア単結晶育成において、種結晶保持ジグ９０の寸法を以下のように変更したこと以外は、実施例と同様の操作を行った。

種結晶保持部９１と同じ２０ｍｍ角の延伸部９２を合せた部分が断熱材５０の開口５１よりも５０ｍｍ下方までとし、それよりも上方は直径１０ｍｍの丸棒とした。丸棒部と引き上げ軸８０とを連結し、単結晶育成を行った。

その結果、シーディングから５０ｍｍ引き上げたところ、断熱材５０で囲まれた領域の温度が上昇し、種結晶１６０が融解したことにより育成した単結晶が落下した。
［比較例２］

サファイア単結晶育成において、種結晶保持ジグ９０の寸法を以下のように変更したこと以外は、実施例と同様の操作を行った。

種結晶保持部９１と同じ２０ｍｍ角の部分が断熱材５０の開口５１よりも５０ｍｍ下方までとし、それよりも上方は２５ｍｍ角とした。２５ｍｍ角の部分と引き上げ軸８０とを連結し、単結晶育成を行った。

その結果、シーディングから５０ｍｍ引き上げたところ、断熱材５０で囲まれた領域の温度が急激に低下し、結晶１４０が急成長した。結晶１４０を取り出したところ、急成長部分で多結晶化している事が分かった。

このように、本実施例に係る種結晶保持ジグ９０は、延伸部の長さを十分に有しない比較例１、２に係る種結晶保持ジグと比較して、単結晶１４０及び炉体７０内の温度変化を低減でき、均一な単結晶１４０を育成できることが示された。

以上、本発明の好ましい実施形態及び実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施形態及び実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施形態及び実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。

１０ 坩堝
２０ 坩堝支持軸
３０ 側面ヒータ
４０ 底面ヒータ
５０ 断熱材
５１、６１、７１ 開口
６０ 熱遮蔽板
７０ 炉体
８０ 引き上げ軸
９０ 種結晶保持ジグ
９１ 種結晶保持部
９２ 延伸部
９３ 連結部
９４ 溝
９５ 貫通穴
９６ ピン
１００ 引き上げ軸駆動モータ
１１０ ルツボ軸駆動モータ
１２０ 重量測定部
１３０ 制御部
１４０ 単結晶
１５０ 原料融液
１６０ 種結晶
１６１ 貫通孔

Claims (8)

1. 結晶育成装置の結晶引き上げの際に用いられる種結晶を保持するための種結晶保持ジグであって、
   前記種結晶の断面を包含する断面形状を有し、前記結晶引き上げの際の引き上げストロークよりも長い距離において前記断面形状が一定である部分を有する種結晶保持ジグ。
2. 前記断面形状は、前記種結晶の断面の形状に沿った形状である請求項１に記載の種結晶保持ジグ。
3. 前記断面形状は、正方形である請求項１又は２に記載の種結晶保持ジグ。
4. 前記種結晶保持ジグの下端部には、前記種結晶の上端及び側面を覆うことが可能な溝が設けられている請求項１乃至３のいずれか一項に記載の種結晶保持ジグ。
5. 前記種結晶保持ジグの下端部の側面には、前記種結晶を固定するためのピンを挿入可能な穴が設けられている請求項４に記載の種結晶保持ジグ。
6. 前記断面形状が一定である部分の上端面には、前記結晶育成装置の前記結晶引き上げの際に用いられる引き上げ軸と同形の連結部が設けられた請求項１乃至５のいずれか一項に記載の種結晶保持ジグ。
7. 結晶原料を保持可能な坩堝と、
   該坩堝の周囲に設けられ、該坩堝を加熱可能なヒータと、
   該ヒータ及び前記坩堝を覆うように設けられ、前記坩堝の中心の上方に開口が設けられた断熱材と、
   該断熱材の上方であって、前記開口に包含される水平位置に設けられ、上下動により結晶を引き上げる引き上げ軸と、
   種結晶を保持するために前記引き上げ軸の下端に連結され、前記開口を貫通して設けられた前記種結晶の断面を包含する断面形状を有し、結晶引き上げの際の前記引き上げ軸の引き上げストロークよりも長い距離において前記断面形状が一定である部分を有する種結晶保持ジグと、を有する結晶育成装置。
8. 前記断熱材の上面と前記坩堝との間には、前記断熱材の前記開口と重なる位置に第２の開口を有する熱遮蔽板を有し、
   前記種結晶保持ジグは、前記第２の開口を貫通する請求項７に記載の結晶育成装置。

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