JP2017531409A - 損失性媒体上での誘導表面波モードの励起および使用 - Google Patents
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Abstract
Description
本PCT出願は、2014年9月10日に出願され、「Excitation and Use of Guided Surface Wave Modes on Lossy Media」と題された、同時係属中の米国特許出願第14/483,089号の優先権および利益を主張する。この文献は、その全体が、参照することにより本明細書に組み込まれる。
(1)
(2)
(4)
(5)
(6)
(7)
が与えられ、領域1において
(8)
が与えられる。
径方向の伝播定数γは、
(9)
によって与えられる。この式は、nが、以下の式で与えられる複素屈折率である、複素数表現である。
(10)
上述の方程式すべてにおいて、
(11)
かつ
(12)
である。ここで、μ0は、自由空間の透磁性を含んでおり、εrは、領域1の相対誘電率を含んでいる。したがって、発生した表面波は、界面に平行に伝播し、界面に垂直に、指数関数的に減衰する。このことは、消散として知られている。
方程式(13)は、方程式(1)〜(3)に特定された電場および磁界が、境界面に沿っての径方向表面電流密度になる場合があることを示している。そのような径方向表面電流密度は、以下の式によって特定される。
(14)
ここで、Aは定数である。
さらに、誘導表面導波路プローブ(ρ<<λに関する)の近傍では、上の方程式(14)が以下のような振る舞いを示すことに留意されたい。
(15)
マイナス記号は、電源電流(I0)が、垂直方向に上方に流れる場合、必要とされる「近傍の(close−in)」接地電流が径方向内側に流れることを意味している。Hφの「近傍」に場を整合させることにより、方程式(1)〜(6)および(14)から
(16)
が求められる。したがって、方程式(14)の径方向表面電流密度は、以下のように言い換えることができる。
(17)
方程式(1)〜(6)および(17)によって表される場は、地上波の伝播に関連付けられたような放射場ではなく、損失性界面に束縛された伝達線モードの性質を有している。Barlow,H.M.,およびBrown,J.,Radio Surface Waves,Oxford University Press,1962,pp.1−5を参照されたい。
(18)
および
(19)
これら関数は、径方向内側に伝播する円筒状の波(Hn (1))と、径方向外側に伝播する円筒状の波(Hn (2))とをそれぞれ示している。この規定は、e±jx=cosx±jsinxの関係に相似している。たとえば、Harrington,R.F.,Time−Harmonic Fields,McGraw−Hill,1961,pp.460−463を参照されたい。
(20a)
となり、この式は、ejωtで乗算すると、空間的変位を1/√ρとしたej(ωt−kρ)の形式の、外側に伝播する円筒状の波である。一次(n=1)の解は、方程式(20a)から導かれ、以下の式を得る。
(20b)
誘導表面導波路プローブ(ρ<<λにに関する)の近傍では、第2種の1次ハンケル関数が以下のように振舞う。
(21)
これら漸近的表現は複素数であることに留意されたい。xが実数である場合、方程式(20b)および(21)は、位相が、45度、または等価的にはλ/8の、余分な位相進行または「位相の増大(phase boost)」に対応する√jだけ異なる。第2種の一次ハンケル関数の近傍または遠方漸近線は、距離ρ=Rxにおいて大きさが等しくなるハンケル「交差点」または遷移点を有している。ハンケル交差点までの距離は、方程式(20b)および(21)を等式で結び、これをRxについて解くことにより得ることができる。x=σ/ωε0では、遠方および近傍ハンケル関数漸近線が周波数に依存しており、ハンケル交差点が、周波数が低下するに従い、外側に移動することを見て取ることができる。ハンケル関数の漸近線は、損失性導電性媒体の導電性(σ)が変化するのに応じても変化する場合があることにも留意されたい。たとえば、土の導電性は、天候条件の変化に応じて変化し得る。
(22)
幾何学的に、図3Aに示すものは、電場ベクトルEは以下によって与えられ得ることを示唆している。
(23a)
および
(23b)
このことは、場の比が以下であることを意味している。
(24)
(25)
として記述することができ、直角表面インピーダンスは、
(26)
として記述することができる。
「ウェーブチルト」と呼ばれる、一般化されたパラメータWは、本明細書において、以下によって与えられる、垂直電場成分に対する、水平電場成分の比として示されている。
(27)
これらは、複素数であり、大きさと位相との両方を有している。
(28a)
また、二重項または双極に関しては、以下のようになる。
(28b)
これらの表現は、2の因数によって異なっているが、この理由は、双極の物理的長さ2hpが、単極の物理的高さhpの2倍であるためである。この表現は、発生源の分布の大きさおよび位相に基づくため、有効高さ(または長さ)は、通常は複素数である。単極アンテナ構造の分布電流I(z)の積分が、構造の物理的高さ(hp)にわたって実施され、構造の基底(または入力)を通って上方に流れる接地電流(I0)に正規化される。構造に沿って分布する電流は、以下によって示すことができる。
(29)
ここで、β0は、自由空間の伝播因子である。図4の誘導表面導波路プローブ400aの場合では、ICが、垂直構造に沿って分布する電流である。
(30)
である。ここで、Vfは構造上の速度因子、λ0は供給周波数における波長、λpは任意の速度因子Vfからの伝播波長であり、構造上の位相遅れはθc=βplcであり、物理構造の底部からコイルの頂部に供給される電流は
(31)
である。位相Φは、接地(杭)の電流I0に対して測定される。結果として、図4の誘導表面導波路プローブ400aの電気的に有効な高さは、以下によって近似され得る。
(32)
これは、物理的高さがhp<<λ0で、供給周波数の波長の場合に関する。双極アンテナ構造は、同様の方式で評価することができる。Φの角度における単極の複素有効高さheff=hp(または双極に関する複素有効長さheff=2hpejΦ)は、供給される場を誘導表面導波モードに整合させるとともに、誘導表面波が損失性導電性媒体403上で発せられるように、調整することができる。
(33)
である。ここで、方程式(12)に示したように、
(34)
および
(35)
である。損失性導電性媒体では、波面に直角の面が、領域1と領域2との間の境界面においてではなく、z=−d/2において導電性の像地面415の接線に平行である。
近傍(ρ<λ/8):
(36)
遠方(ρ>>λ/8):
(37)
である。ここで、αとβとはそれぞれ、遠方の径方向表面電流密度の減衰と伝播位相とに関する。図4に示すように、I1は、上昇した帯電端子T1に電荷Q1を供給する導電電流であり、I2は、下方の補償端子T2に電荷Q2を供給する導電電流である。
(38)
ここで、球の直径は2aであり、また、M=a/2hである。
(39)
および
(40)
伝達モード(TM)で発せられた誘導表面波の特定の場合に関して、ウェーブチルトの場の比は、(x→∞):Hn (2)(x)→jnH0 (2)(x)の場合、以下によって与えられる。
(41)
方程式(40)を誘導表面波に適用すると、以下の式が与えられる。
(42)
複素ブルースター角(θi、B)に等しい入射角では、反射係数は、以下に示すようにゼロになる。
(43)
複素数の場の比を調整することにより、反射が低減されるか除去される複素角で入射するように入射場を合成することができる。光学系のように、入射電場の反射を最小化することにより、損失性導電性媒体403の誘導表面導波モードに結合したエネルギーを増大および/または最大化することができる。反射がより大きければ、誘導表面波が発せられることを妨げ、かつ/または防止することができる。この比をn=√(εr−jx)として確立することにより、複素ブルースター角で入射する結果となり反射はゼロになる。
(44)
この式は、端子の電圧における、位置を上げて配置した帯電端子の静電容量の絶縁された要素の自由電荷に線形的に比例している、qfree=Cfree×VT。位置を上げて配置した帯電端子T1の高さH1(図4)は、帯電端子T1の自由電荷の量に影響する。帯電端子T1が像地面415に近い場合(図4)、端子上の電荷Q1の多くは、その鏡像電荷に対して「拘束」されている。帯電端子T1が位置を上げて配置されているため、拘束された電荷は、帯電端子T1が、絶縁された電荷のほぼすべてが自由になる高さに達するまで低減される。
(45)
電気的に、幾何学的パラメータは、以下により、帯電端子T1の電気的に有効な高さ(heff)によって関連付けられる。
(46)
ここで、ψi、B=(π/2)−θi、Bは、損失性導電性媒体の表面から測定されたブルースター角である。誘導表面導波モードに結合するために、ハンケル交差距離における電場のウェーブチルトは、電気的に有効な高さとハンケル交差距離との比として表され得る。
(47)
物理的高さ(hp)とハンケル交差距離(Rx)との両方が実量であるため、ハンケル交差距離(WRx)における所望の誘導表面のウェーブチルトの角度は、複素有効高さ(heff)の位相(Φ)に等しい。このことは、コイルの供給点における位相、そしてひいては、方程式(32)の位相シフトを変化させることにより、複素有効高さが操作され得、ハンケル交差点509において、ウェーブチルトが、誘導表面導波モードに合成的に整合するように調整されることを暗示している。
(48)
ここで、ΦUは、上方の帯電端子T1に印加される位相遅れ、ΦLは、下方の補償端子T2に印加される位相遅れ、β=2π/λpは、方程式(30)からの伝播因子である。追加のリード長さを考慮する場合、それら長さは、以下に示すように、帯電端子のリード長さzを帯電端子T1の物理的高さhpに加えるとともに、補償端子のリード長さyを補償端子T2の物理的高さhdに加えることで対処され得る。
(49)
下方の有効高さは、総有効高さ(hTE)を図8Aの複素有効高さ(heff)と等しくなるように調整するために使用され得る。
(51)
このことは、ウェーブチルトWの規定である。最後に、所望のハンケル交差距離Rxの場合、hTEは、ハンケル交差点509において、入射電場のウェーブチルトを複素ブルースター角に整合させるように調整され得る。このことは、たとえばhp、ΦU、および/またはhdを調整することによって達成され得る。
(52)
ここで、ω=2πfとして、x=σ/ωε0であり、直角表面から測定される複素ブルースター角(θi、B)は、方程式(42)から
(53)
として判定され得るか、図8Aに示すように、
(54)
として表面から測定され得る。
ハンケル交差距離におけるウェーブチルトも、方程式(47)を使用して見出され得る。
(55)
方程式(55)から見て取ることができるように、複素有効高さ(heff)は、帯電端子T1の物理的高さ(hp)に関連付けられた大きさと、ハンケル交差距離におけるウェーブチルトの角度(Ψ)に関連付けられることになる位相(Φ)とを含んでいる。これら変数および選択された帯電端子T1の構成により、誘導表面導波路プローブ400の構成を判定することが可能である。
(56)
(または、35.21°において18.006)として与えられ、下方の複素有効高さは、
(57)
(または、−141.773°において10.950)として与えられる。総有効高さ(hTE)は、これら2つの値の重ね合わせであり、以下が与えられる。
(58)
見て取ることができるように、コイルの位相は、誘導表面ウェーブチルトWRxの計算された角度に整合する。誘導表面導波路プローブは、次いで、接地電流を最大化するように調整され得る。図9Aに関して前述したように、誘導表面導波モードの結合は、AC源912に関するタップ924の位置を、コイル909上の50Ωの点になるように繰返し調整することと、タップ918の位置を、電流計927を通る接地電流を最大化するように調整することとにより、向上され得る。
(59)
代替的実施形態では、補償端子T2は、高さhdに配置され得る。ここで、Im{ΦL}=0である。
(60)
ここで、Eincは、ボルト毎メートルでの、線形プローブ703上の電場の強度であり、dlは、線形プローブ703の方向に沿う積分の要素であり、heは、線形プローブ703の有効高さである。電気的負荷716は、インピーダンス整合ネットワーク719を通して出力端子713に結合されている。
磁気コイル709の断面エリアにわたって一様な入射磁界との最大の結合に適合したN巻の磁気コイル709に関して、磁気コイル709の出力端子729において表れる開回路に誘導された電圧は、以下のようになる。
(62)
ここで、変数は上述のように規定される。磁気コイル709は、可能性のあるケースとして、誘導表面波の周波数に、分配された共振器として、または、その出力端子729の両側のコンデンサと、同調され得、次いで、共役インピーダンス整合ネットワーク733を通して外部の電気的負荷736とインピーダンスが整合する。
(63)
を使用した周波数依存測定から判定される。ここで、C0は、空気中のプローブの、pFの静電容量である。
Claims (32)
- 誘導表面導波路プローブであって、
損失性導電性媒体上に上昇した帯電端子と、
励起源を前記帯電端子に結合するように構成された結合回路であって、前記誘導表面導波路プローブからのハンケル交差距離(Rx)における、複素ブルースター角(ψi、B)の正接で、前記損失性導電性媒体と交差するウェーブチルト(W)を有する電場を確立する前記帯電端子に、電圧を提供するように構成されている、結合回路と、を備えた誘導表面導波路プローブ。 - 前記結合回路が、前記励起源と前記帯電端子との間に結合したコイルを備えている、請求項1に記載の誘導表面導波路プローブ。
- 前記コイルが螺旋コイルである、請求項2に記載の誘導表面導波路プローブ。
- 前記励起源が、タップ接続を介してコイルに結合している、請求項2または請求項3に記載の誘導表面導波路プローブ。
- 前記タップ接続が、前記コイル上のインピーダンス整合点にある、請求項2〜請求項4のいずれか一項に記載の誘導表面導波路プローブ。
- インピーダンス整合ネットワークが、前記励起源と、前記コイル上の前記タップの接続部との間に結合されている、請求項2〜請求項5のいずれか一項に記載の誘導表面導波路プローブ。
- 前記励起源が前記コイルに磁気的に結合している、請求項2〜請求項6のいずれか一項に記載の誘導表面導波路プローブ。
- 前記帯電端子が、タップ接続を介して前記コイルに結合している、請求項2〜請求項7のいずれか一項に記載の誘導表面導波路プローブ。
- 前記帯電端子が、前記誘導表面導波路プローブの有効高さの大きさに対応する物理的高さ(hp)に配置され、ここで、前記有効高さは、ψi、B=(π/2)−θi、Bであり、Φが有効高さの位相である、heff=Rxtanψi、B=hpejΦによって与えられる、請求項1〜請求項8のいずれか一項に記載の誘導表面導波路プローブ。
- 前記位相Φが、前記複素ブルースター角に対応する照射の前記ウェーブチルトの角度Ψにほぼ等しい、請求項9に記載の誘導表面導波路プローブ。
- 前記帯電端子が有効な球の直径を有し、前記帯電端子が、前記有効な球の直径の少なくとも4倍の高さに位置している、請求項1〜請求項10のいずれか一項に記載の誘導表面導波路プローブ。
- 前記帯電端子が、前記球状の端子の直径に等しい前記有効な球の直径を有する球状の端子である、請求項11に記載の誘導表面導波路プローブ。
- 前記帯電端子の高さが、前記誘導表面導波路プローブの有効高さの大きさに対応する物理的高さ(hp)より大であり、ここで、前記有効高さは、ψi、B=(π/2)−θi、Bとして、heff=Rxtanψi、B=hpejΦによって与えられる、請求項11または請求項12に記載の誘導表面導波路プローブ。
- 前記帯電端子の下方に位置する補償端子をさらに備え、前記補償端子が前記結合回路に結合している、請求項11〜請求項13のいずれか一項に記載の誘導表面導波路プローブ。
- 前記補償端子が、前記物理的高さ(hp)に等しい距離において、前記帯電端子の下方に配置されている、請求項11〜請求項14のいずれか一項に記載の誘導表面導波路プローブ。
- Φが、前記補償端子と前記帯電端子との間の複素位相差である、請求項11〜請求項15のいずれか一項に記載の誘導表面導波路プローブ。
- 前記損失性導電性媒体が、陸上の媒体である、請求項1〜請求項16のいずれか一項に記載の誘導表面導波路プローブ。
- 誘導表面導波路プローブであって、
損失性導電性媒体上に上昇した帯電端子と、
前記誘導表面導波路プローブからのハンケル交差距離(Rx)における、複素ブルースター角(ψi、B)の正接で、前記損失性導電性媒体と交差するウェーブチルト(W)を有する電場を確立する、前記帯電端子に電圧を提供するように構成された結合回路と、
を含む誘導表面導波路プローブと、
前記結合回路を介して前記帯電端子に結合された励起源と、を備えたシステム。 - 前記損失性導電性媒体の特性に少なくとも部分的に基づき、前記誘導表面導波路プローブを調整するように構成されたプローブ制御システムをさらに備えた、請求項18に記載のシステム。
- 前記損失性導電性媒体が、陸上の媒体である、請求項18または請求項19に記載の誘導表面導波路プローブ。
- 前記結合回路が、前記励起源と前記帯電端子との間に結合したコイルを備え、前記帯電端子が可変タップを介して前記コイルに結合している、請求項18〜請求項20のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記コイルが螺旋コイルである、請求項21に記載のシステム。
- 前記プローブ制御システムが、前記損失性導電性媒体の前記特性の変化に応じて前記可変タップの位置を調整する、請求項21または請求項22に記載のシステム。
- 前記可変タップの前記位置の前記調整により、前記ハンケル交差距離(Rx)における前記複素ブルースター角(ψi、B)において前記損失性導電性媒体と交差する波の照射に対応するように、前記電場の前記ウェーブチルトを調整する、請求項21〜請求項23のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記誘導表面導波路プローブが、前記帯電端子の下方に位置する補償端子をさらに備え、前記補償端子が前記結合回路に結合している、請求項21〜請求項24のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記補償端子が、前記誘導表面導波路プローブの有効高さの大きさに対応する物理的高さ(hp)に等しい距離において前記帯電端子の下に配置され、ここで、前記有効高さは、ψi、B=(π/2)−θi、Bとして、heff=Rxtanψi、B=hpejΦによって与えられ、Φが、前記補償端子と前記帯電端子との間の複素位相差である、請求項21〜請求項25のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記プローブ制御システムが、前記損失性導電性媒体の前記特性の変化に応じて前記補償端子の位置を調整する、請求項21〜請求項26のいずれか一項に記載のシステム。
- 損失性導電性媒体上の規定の高さに帯電端子を配置することと、
前記帯電端子の下方に補償端子を配置することであって、前記補償端子は、規定の距離だけ分離している、補償端子を配置することと、
複素位相差を有する励起電圧で前記帯電端子と前記補償端子を励起することであって、前記励起電圧により、前記帯電端子および前記補償端子からのハンケル交差距離(Rx)における複素ブルースター角(ψi、B)において、前記損失性導電性媒体を照射する波に対応するウェーブチルト(W)を有する電場を確立する、前記帯電端子と前記補償端子を励起することと、を含む、方法。 - 前記帯電端子が有効な球の直径を有し、前記帯電端子が、前記有効な球の直径の少なくとも4倍の前記規定の高さに位置している、請求項28に記載の方法。
- 前記規定された距離が、前記帯電端子の有効高さの大きさに対応する物理的高さ(hp)に等しく、ここで、前記有効高さは、ψi、B=(π/2)−θi、Bとして、heff=Rxtanψi、B=hpejΦによって与えられ、Φが、前記補償端子と前記帯電端子との間の複素位相差である、請求項28または請求項29に記載の方法。
- 前記帯電端子と前記補償端子とが、コイルを介して励起源に結合されており、前記帯電端子が、可変タップを介して前記コイルに結合されている、請求項28〜請求項30のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ハンケル交差距離(Rx)における前記複素ブルースター角(ψi、B)において前記損失性導電性媒体と交差する前記ウェーブチルトを有する前記電場を確立するように、前記可変タップの位置を調整することをさらに含む、請求項31に記載のシステム。
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