JP2017525081A - Eeprom機能を有するフラッシュメモリシステム - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (87)
- 不揮発性メモリ装置であって、
行及び列に配列されるメモリセルのアレイを備え、各行がワード線に対応し、各列がビット線に対応し、各メモリセルが、浮遊ゲートと、ビット線に接続するためのビット線端子と、ビット線に接続するためのワード線端子と、ソース線に接続するためのソース線端子と、を備え、
前記アレイ内の他のどのメモリセルも同時に消去されることなくメモリセルのバイトを消去することができる、不揮発性メモリ装置。 - 前記メモリセルのバイトへのワード線によるアクセスを制御するためのワード線選択線を更に備える、請求項1に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへのワード線によるアクセスを阻止するためのワード線選択除外線を更に備える、請求項2に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第1のソース線によるアクセスを制御するための第1のソース線選択線を更に備える、請求項1に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第1のソース線によるアクセスを制御するための第1のソース線選択線を更に備える、請求項2に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第1のソース線によるアクセスを制御するための第1のソース線選択線を更に備える、請求項3に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第2のソース線によるアクセスを制御するための第2のソース線選択線を更に備え、前記第1のソース線選択線が読み出し操作に使用され、前記第2のソース線選択線がプログラム操作に使用される、請求項4に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第2のソース線によるアクセスを制御するための第2のソース線選択線を更に備え、前記第1のソース線選択線が読み出し操作に使用され、前記第2のソース線選択線がプログラム操作に使用される、請求項5に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第2のソース線によるアクセスを制御するための第2のソース線選択線を更に備え、前記第1のソース線選択線が読み出し操作に使用され、前記第2のソース線選択線がプログラム操作に使用される、請求項6に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへのワード線によるアクセスを制御するためのワード線選択トランジスタを更に備える、請求項1に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへのワード線によるアクセスを阻止するためのワード線選択除外トランジスタを更に備える、請求項2に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第1のソース線によるアクセスを制御するための第1のソース線選択トランジスタを更に備える、請求項1に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第2のソース線によるアクセスを制御するための第2のソース線選択トランジスタを更に備え、前記第1のソース線選択線が読み出し操作に使用され、前記第2のソース線選択線がプログラム操作に使用される、請求項4に記載の装置。
- 前記バイト内で、前記バイト内のセルの数よりも少ないいくつかのセルの読み出し又はプログラムを行うことができる、請求項2に記載の装置。
- 前記バイト内の全てのセルが完了するまで前記読み出し又はプログラムが行われる、請求項14に記載の装置。
- 同じソース線を共有する単位セル対のために、相補ビット線と、ビット線バーと、を更に備える、請求項2に記載の装置。
- 前記相補ビット線が、読み出し操作中に前記選択されたビット線に対して前記ソース線を低電圧に引き下げるために使用される、請求項16に記載の装置。
- ビット線が、読み出し操作中に前記選択されたビット線に対して前記ソース線を低電圧に引き下げるために使用される、請求項1に記載の装置。
- 両方のバイトを同時に読み出すことを可能にする、メモリセルのバイトの対に連結されるソース線選択読み出し線を更に備える、請求項1に記載の装置。
- 前記ソース線選択読み出し線の使用を可能にするためのイネーブルソース線選択読み出し線を更に備える、請求項19に記載の装置。
- 2行のメモリセルにアクセスするためのワード線を更に備える、請求項1に記載の装置。
- 前記ワード線を有効にするためのワード線選択線を更に含む、請求項21に記載の装置。
- 前記ワード線を有効にするためのトランジスタを更に含む、請求項21に記載の装置。
- メモリセルのバイトの2つの対をプログラミングすることを可能にするためのトランジスタを更に含む、請求項21に記載の装置。
- メモリセルのバイトの2つの対を読み出すことを可能にするためのトランジスタを更に含む、請求項21に記載の装置。
- メモリセルのバイトの対をプログラミングすることを可能にするためのトランジスタを更に含む、請求項21に記載の装置。
- メモリセルのバイトの対を読み出すことを可能にするためのトランジスタを更に含む、請求項21に記載の装置。
- メモリセルの前記行のうちの半分が、前記装置の操作中に使用されない、請求項1に記載の装置。
- 前記行のうちの前記半分のための前記ワード線が、接地バイアスに接続される、請求項33に記載の装置。
- メモリセルの各列が2本のビット線に連結される、請求項1に記載の装置。
- 不揮発性メモリ装置であって、
行及び列に配列されるメモリセルのアレイを備え、各行がワード線に対応し、各列がビット線に対応し、各メモリセルが、浮遊ゲートと、制御ゲート線に接続するための制御ゲートと、ビット線に接続するためのビット線端子と、ビット線に接続するためのワード線端子と、ソース線に接続するためのソース線端子と、を備え、
前記アレイ内の他のどのメモリセルも同時に消去されることなくメモリセルのバイトを消去することができる、不揮発性メモリ装置。 - 前記メモリセルのバイト内の各メモリセルの前記制御ゲートへのワード線によるアクセスを制御するための制御ゲート選択線を更に備える、請求項31に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへのワード線によるアクセスを制御するためのワード線選択線を更に備える、請求項32に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへのワード線によるアクセスを阻止するためのワード線選択除外線を更に備える、請求項33に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第1のソース線によるアクセスを制御するための第1のソース線選択線を更に備える、請求項32に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第1のソース線によるアクセスを制御するための第1のソース線選択線を更に備える、請求項33に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第1のソース線によるアクセスを制御するための第1のソース線選択線を更に備える、請求項34に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第2のソース線によるアクセスを制御するための第2のソース線選択線を更に備え、前記第1のソース線選択線が読み出し操作に使用され、前記第2のソース線選択線がプログラム操作に使用される、請求項35に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第2のソース線によるアクセスを制御するための第2のソース線選択線を更に備え、前記第1のソース線選択線が読み出し操作に使用され、前記第2のソース線選択線がプログラム操作に使用される、請求項36に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第2のソース線によるアクセスを制御するための第2のソース線選択線を更に備え、前記第1のソース線選択線が読み出し操作に使用され、前記第2のソース線選択線がプログラム操作に使用される、請求項37に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへのワード線によるアクセスを制御するためのワード線選択トランジスタを更に備える、請求項32に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへのワード線によるアクセスを阻止するためのワード線選択除外トランジスタを更に備える、請求項41に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第1のソース線によるアクセスを制御するための第1のソース線選択トランジスタを更に備える、請求項32に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第1のソース線によるアクセスを制御するための第1のソース線選択トランジスタを更に備える、請求項41に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第1のソース線によるアクセスを制御するための第1のソース線選択トランジスタを更に備える、請求項42に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第2のソース線によるアクセスを制御するための第2のソース線選択トランジスタを更に備え、前記第1のソース線選択トランジスタが読み出し操作に使用され、前記第2のソース線選択トランジスタがプログラム操作に使用される、請求項43に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第2のソース線によるアクセスを制御するための第2のソース線選択トランジスタを更に備え、前記第1のソース線選択トランジスタが読み出し操作に使用され、前記第2のソース線選択トランジスタがプログラム操作に使用される、請求項44に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第2のソース線によるアクセスを制御するための第2のソース線選択トランジスタを更に備え、前記第1のソース線選択トランジスタが読み出し操作に使用され、前記第2のソース線選択トランジスタがプログラム操作に使用される、請求項45に記載の装置。
- 1本のソース線を共有する2つのバイトを更に含む、請求項32に記載の装置。
- 選択されていないバイトが、プログラミングの際に禁止CG電圧によって禁止される、請求項49に記載の装置。
- 前記バイト内で、前記バイト内のセルの数よりも少ないいくつかのセルの読み出し又はプログラムを行うことができる、請求項33に記載の装置。
- 前記バイト内の全てのセルが完了するまで前記読み出し又はプログラムが行われる、請求項51に記載の装置。
- 同じソース線を共有する単位セル対のために、相補ビット線と、ビット線バーと、を更に備える、請求項33に記載の装置。
- ビット線が、読み出し操作中に前記選択されたビット線に対して前記ソース線を低電圧に引き下げるために使用される、請求項31に記載の装置。
- 前記相補ビット線が、読み出し操作中に前記選択されたビット線に対して前記ソース線を低電圧に引き下げるために使用される、請求項53に記載の装置。
- 両方のバイトを同時に読み出すことを可能にする、メモリセルのバイトの対に連結されるソース線選択読み出し線を更に備える、請求項31に記載の装置。
- 前記ソース線選択読み出し線の使用を可能にするためのイネーブルソース線選択読み出し線を更に備える、請求項56に記載の装置。
- 第1の行内のメモリセルを選択することができ、かつ前記第1の行とソース線を共有する第2の行内のメモリセルを選択から除外することができるように、内部メモリセルワード線を選択から除外するためのトランジスタを更に含む、請求項56に記載の装置。
- 不揮発性メモリ装置であって、
行及び列に配列されるメモリセルのアレイを備え、各行がワード線に対応し、各列がビット線に対応し、各メモリセルが、浮遊ゲートと、制御ゲート線に接続するための制御ゲートと、消去ゲート線に接続するための消去ゲートと、ビット線に接続するためのビット線端子と、ビット線に接続するためのワード線端子と、ソース線に接続するためのソース線端子と、を備え、
前記アレイ内の他のどのメモリセルも同時に消去されることなくメモリセルのバイトを消去することができる、不揮発性メモリ装置。 - 前記メモリセルのバイト内の各メモリセルの前記制御ゲートへのワード線によるアクセスを制御するための制御ゲート選択線を更に備える、請求項59に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイト内の各メモリセルの前記消去ゲートへのワード線によるアクセスを制御するための消去ゲート選択線を更に備える、請求項60に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへのワード線によるアクセスを制御するためのワード線選択線を更に備える、請求項61に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへのワード線によるアクセスを阻止するためのワード線選択除外線を更に備える、請求項62に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第1のソース線によるアクセスを制御するための第1のソース線選択線を更に備える、請求項61に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第1のソース線によるアクセスを制御するための第1のソース線選択線を更に備える、請求項62に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第1のソース線によるアクセスを制御するための第1のソース線選択線を更に備える、請求項63に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第2のソース線によるアクセスを制御するための第2のソース線選択線を更に備え、前記第1のソース線選択線が読み出し操作に使用され、前記第2のソース線選択線がプログラム操作に使用される、請求項64に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第2のソース線によるアクセスを制御するための第2のソース線選択線を更に備え、前記第1のソース線選択線が読み出し操作に使用され、前記第2のソース線選択線がプログラム操作に使用される、請求項65に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第2のソース線によるアクセスを制御するための第2のソース線選択線を更に備え、前記第1のソース線選択線が読み出し操作に使用され、前記第2のソース線選択線がプログラム操作に使用される、請求項66に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイト内の各メモリセルの前記消去ゲートへのワード線によるアクセスを制御するための消去ゲート選択トランジスタを更に備える、請求項60に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへのワード線によるアクセスを制御するためのワード線選択トランジスタを更に備える、請求項70に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへのワード線によるアクセスを阻止するためのワード線選択除外トランジスタを更に備える、請求項71に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第1のソース線によるアクセスを制御するための第1のソース線選択トランジスタを更に備える、請求項70に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第1のソース線によるアクセスを制御するための第1のソース線選択トランジスタを更に備える、請求項71に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第1のソース線によるアクセスを制御するための第1のソース線選択トランジスタを更に備える、請求項72に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第2のソース線によるアクセスを制御するための第2のソース線選択トランジスタを更に備え、前記第1のソース線選択トランジスタが読み出し操作に使用され、前記第2のソース線選択トランジスタがプログラム操作に使用される、請求項73に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第2のソース線によるアクセスを制御するための第2のソース線選択トランジスタを更に備え、前記第1のソース線選択トランジスタが読み出し操作に使用され、前記第2のソース線選択トランジスタがプログラム操作に使用される、請求項74に記載の装置。
- 前記メモリセルのバイトへの第2のソース線によるアクセスを制御するための第2のソース線選択トランジスタを更に備え、前記第1のソース線選択トランジスタが読み出し操作に使用され、前記第2のソース線選択トランジスタがプログラム操作に使用される、請求項75に記載の装置。
- 1本のソース線を共有する2つのバイトを更に含む、請求項60に記載の装置。
- 前記選択されていないバイトが、プログラミング中に禁止CG電圧によって禁止される、請求項79に記載の装置。
- 前記バイト内で、前記バイト内のセルの数よりも少ないいくつかのセルの読み出し又はプログラムを行うことができる、請求項62に記載の装置。
- 前記バイト内の全てのセルが完了するまで前記読み出し又はプログラムが行われる、請求項81に記載の装置。
- 同じソース線を共有する単位セル対のために、相補ビット線と、ビット線バーと、を更に備える、請求項62に記載の装置。
- 前記相補ビット線が、読み出し操作中に前記選択されたビット線に対して前記ソース線を低電圧に引き下げるために使用される、請求項82に記載の装置。
- ビット線が、読み出し操作中に前記選択されたビット線に対して前記ソース線を低電圧に引き下げるために使用される、請求項59に記載の装置。
- 両方のバイトを同時に読み出すことを可能にする、メモリセルのバイトの対に連結されるソース線選択読み出し線を更に備える、請求項59に記載の装置。
- 前記ソース線選択読み出し線の使用を可能にするためのイネーブルソース線選択読み出し線を更に備える、請求項86に記載の装置。
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