JP2017524274A - ラッチ及びdフリップ・フロップ - Google Patents
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Abstract
本発明の実施例は、ラッチ及びDフリップ・フロップを提供する。ラッチは、スイッチ、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ、ブリーダ回路及び電圧コンバータを含む。スイッチがオン状態であるとき、電圧コンバータは、ラッチの入力信号に従ってラッチの出力信号を出力するよう構成され、ここで、出力信号は入力信号と一致したままである。スイッチがオン状態からオフ状態に変わるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリは、スイッチがオフ状態にあるときのラッチの出力信号が、スイッチがオン状態にあるときのラッチの出力信号と一致したままになることを可能にするため、ブリーダ回路と一緒に動作し、これにより、不揮発性ラッチ機能を実現する。より少ないコンポーネントが本発明の実施例におけるラッチにおいて使用されるため、回路構造はシンプルであり、回路面積が減少し、既存の論理回路のインテグリティを向上させることができる。
Description
本発明の実施例は、デジタル回路技術と、特にラッチ及びDフリップ・フロップとに関する。
ラッチ(Latch)は、パルスレベルに反応する記憶ユニット回路であり、特定の入力パルスレベルのアクションの下で状態を変更可能である。ラッチ処理は、レベル状態を維持するため信号を一時的に記憶することを言う。ラッチの最も重要な機能はバッファリングである。典型的なラッチ論理回路は、Dフリップ・フロップ回路である。Dフリップ・フロップは、一般にマスタ・スレーブ構造を有する。フリップ・フロップの機能は、2つのラッチ(Latch)をカスケード化し、それから反対のクロック信号をこれら2つのラッチに印加することによって実現される。
既存のラッチは、相補型金属酸化膜半導体(Complementary Metal Oxide Semiconductor、略してCMOS)技術を利用することによって大部分は実現される。しかしながら、CMOS回路を利用することによって実現されるラッチは構造が複雑である。さらに、CMOS技術を利用することによって実現される回路は揮発性であり、従って、回路が電源オフされた後、回路の電源オフ前の動作状態は記憶できない。ラッチ及びDフリップ・フロップがより広く適用されるに従って、デバイスが電源オフされた後、ラッチがデバイスの電源オフ前の動作状態を依然として維持することができることが緊急である。従って、不揮発性のラッチ及びDフリップ・フロップに対する需要は徐々に増大している。
本発明の実施例は、電源オフのケースにおいて、回路の電源オフ前の動作状態が依然として維持できるように、ラッチ及びDフリップ・フロップを提供する。
本発明の第1の態様は、スイッチ、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ、ブリーダ回路及び電圧コンバータを有するラッチであって、
前記スイッチの第1のエンドは制御信号を入力するよう構成され、前記制御信号は、オン状態又はオフ状態になるよう前記スイッチを制御するのに利用され、
前記スイッチの第2のエンドは前記ラッチの入力エンドであり、
前記スイッチの第3のエンドは、前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリの正極、前記ブリーダ回路の第1のエンド及び前記電圧コンバータの入力エンドに接続され、
前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリの負極は制御電源に接続され、
前記ブリーダ回路の第2のエンドは接地され、
前記電圧コンバータの出力エンドは前記ラッチの出力エンドであり、
前記スイッチが前記オン状態にあるとき、前記電圧コンバータは、前記ラッチの入力信号に従って前記ラッチの出力信号を出力するよう構成され、前記ラッチの出力信号は前記ラッチの入力信号に一致したままであり、
前記スイッチが前記オン状態から前記オフ状態に変化するとき、前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリは、前記スイッチが前記オフ状態にあるときの前記ラッチの出力信号が前記スイッチが前記オン状態にあるときの前記ラッチの出力信号に一致したままになることを可能にするため、前記ブリーダ回路と一緒に動作するよう構成されるラッチを提供する。
前記スイッチの第1のエンドは制御信号を入力するよう構成され、前記制御信号は、オン状態又はオフ状態になるよう前記スイッチを制御するのに利用され、
前記スイッチの第2のエンドは前記ラッチの入力エンドであり、
前記スイッチの第3のエンドは、前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリの正極、前記ブリーダ回路の第1のエンド及び前記電圧コンバータの入力エンドに接続され、
前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリの負極は制御電源に接続され、
前記ブリーダ回路の第2のエンドは接地され、
前記電圧コンバータの出力エンドは前記ラッチの出力エンドであり、
前記スイッチが前記オン状態にあるとき、前記電圧コンバータは、前記ラッチの入力信号に従って前記ラッチの出力信号を出力するよう構成され、前記ラッチの出力信号は前記ラッチの入力信号に一致したままであり、
前記スイッチが前記オン状態から前記オフ状態に変化するとき、前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリは、前記スイッチが前記オフ状態にあるときの前記ラッチの出力信号が前記スイッチが前記オン状態にあるときの前記ラッチの出力信号に一致したままになることを可能にするため、前記ブリーダ回路と一緒に動作するよう構成されるラッチを提供する。
本発明の第1の態様によると、本発明の第1の態様の第1の可能な実現方式では、前記スイッチが前記オン状態にあるとき、前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリは、前記制御電源の電圧と前記ラッチの入力信号の電圧との間の差分に従って抵抗状態を提示するよう構成され、
前記スイッチが前記オン状態から前記オフ状態に変化するとき、前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリは更に、前記スイッチが前記オフ状態にあるときの前記ラッチの出力信号が前記スイッチが前記オン状態にあるときの前記ラッチの出力信号に一致したままになるように、前記ブリーダ回路の電圧が所定の条件を充足することを可能にするため前記抵抗状態を維持するよう構成される。
前記スイッチが前記オン状態から前記オフ状態に変化するとき、前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリは更に、前記スイッチが前記オフ状態にあるときの前記ラッチの出力信号が前記スイッチが前記オン状態にあるときの前記ラッチの出力信号に一致したままになるように、前記ブリーダ回路の電圧が所定の条件を充足することを可能にするため前記抵抗状態を維持するよう構成される。
本発明の第1の態様の第1の可能な実現方式を参照して、本発明の第1の態様の第2の可能な実現方式では、前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリが前記抵抗状態を維持するとき、前記ブリーダ回路の電圧は(R/(Rm+R))*Vmであり、Rは前記ブリーダ回路の抵抗値であり、Rmは前記第1の抵抗状態における前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリの抵抗値であり、Vmは前記制御電源の電圧であり、前記第1の抵抗状態は高抵抗状態又は低抵抗状態である。
本発明の第1の態様の第2の可能な実現方式を参照して、本発明の第1の態様の第3の可能な実現方式では、前記電圧コンバータは、前記ブリーダ回路の電圧が電圧変換閾値以上である場合、前記ブリーダ回路の電圧を高レベルに変換し、又は、前記ブリーダ回路の電圧が前記電圧変換閾値未満である場合、前記ブリーダ回路の電圧を低レベルに変換するよう構成され、
前記電圧変換閾値は、以下の条件、(R/(R+Rmh))Vm≦Vth≦(R/(R+Rml))Vmを充足し、Vthは前記電圧変換閾値であり、Rmlは前記低抵抗状態における前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリの抵抗値であり、Rmhは前記高抵抗状態における前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリの抵抗値である。
前記電圧変換閾値は、以下の条件、(R/(R+Rmh))Vm≦Vth≦(R/(R+Rml))Vmを充足し、Vthは前記電圧変換閾値であり、Rmlは前記低抵抗状態における前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリの抵抗値であり、Rmhは前記高抵抗状態における前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリの抵抗値である。
本発明の第1の態様及び第1の態様の第1から第3までの可能な実現方式を参照して、本発明の第1の態様の第4の可能な実現方式では、前記スイッチは電界効果トランジスタを有し、前記電界効果トランジスタのゲートは前記制御信号を入力するよう構成され、前記電界効果トランジスタのドレインは前記ラッチの入力エンドであり、前記電界効果トランジスタのソースは前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリの正極、前記ブリーダ回路の第1のエンド及び前記電圧コンバータの入力エンドに接続される。
本発明の第1の態様の第4の可能な実現方式を参照して、本発明の第1の態様の第5の可能な実現方式では、前記電界効果トランジスタは、P型電界効果トランジスタ又はN型電界効果トランジスタである。
本発明の第1の態様及び第1の態様の第1から第5までの可能な実現方式を参照して、本発明の第1の態様の第6の可能な実現方式では、前記ブリーダ回路はブリーダレジスタである。
本発明の第2の態様は、請求項1乃至7何れか一項記載の少なくとも2つのラッチを有するDフリップ・フロップであって、
前記少なくとも2つのラッチは、第1のラッチと第2のラッチとを有し、
前記第1のラッチの出力エンドは、前記第2のラッチの入力エンドであり、
前記第1のラッチのスイッチの第1のエンドと前記第2のラッチのスイッチの第1のエンドとは、制御信号を入力するよう構成され、前記第1のラッチのスイッチと前記第2のラッチのスイッチとは、前記制御信号の制御の下で同時にオン状態にならず、
前記第1のラッチのスイッチの第2のエンドは前記Dフリップ・フロップの入力エンドであり、
前記第2のラッチの電圧コンバータの出力エンドは、前記Dフリップ・フロップの出力エンドであるDフリップ・フロップを提供する。
前記少なくとも2つのラッチは、第1のラッチと第2のラッチとを有し、
前記第1のラッチの出力エンドは、前記第2のラッチの入力エンドであり、
前記第1のラッチのスイッチの第1のエンドと前記第2のラッチのスイッチの第1のエンドとは、制御信号を入力するよう構成され、前記第1のラッチのスイッチと前記第2のラッチのスイッチとは、前記制御信号の制御の下で同時にオン状態にならず、
前記第1のラッチのスイッチの第2のエンドは前記Dフリップ・フロップの入力エンドであり、
前記第2のラッチの電圧コンバータの出力エンドは、前記Dフリップ・フロップの出力エンドであるDフリップ・フロップを提供する。
本発明の第2の態様を参照して、本発明の第2の態様の第1の可能な実現方式では、前記第1のラッチのスイッチがP型電界効果トランジスタであるとき、前記第2のラッチのスイッチはN型電界効果トランジスタであるか、又は、
前記第1のラッチのスイッチがN型電界効果トランジスタであるとき、前記第2のラッチのスイッチはP型電界効果トランジスタである。
前記第1のラッチのスイッチがN型電界効果トランジスタであるとき、前記第2のラッチのスイッチはP型電界効果トランジスタである。
実施例はラッチ及びDフリップ・フロップを提供する。ラッチは、スイッチ、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ、ブリーダ回路及び電圧コンバータを含む。スイッチがオンであるとき、電圧コンバータは、ラッチの入力信号に従ってラッチの出力信号を出力してもよく、ここで、出力信号は入力信号と一致したままである。スイッチがオン状態からオフ状態に変わるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリは、スイッチがオフ状態にあるときのラッチの出力信号が、スイッチがオン状態にあるときのラッチの出力信号と一致したままになることを可能にするため、ブリーダ回路と一緒に動作する。従って、電源オフの場合、回路の電源オフ前の動作状態が依然として維持可能であり、これにより、不揮発性ラッチ機能を実現する。さらに、本発明の実施例において提供されるラッチによると、不揮発性が実現され、より少ないコンポーネントがラッチにおいて使用されるため、回路構造はシンプルであり、回路面積が減少し、ラッチは既存のCMOS技術と互換的であり、既存の論理回路のインテグリティを向上させることができる。
本発明の実施例又は従来技術における技術的解決策をより明確に説明するため、以下は、実施例又は従来技術を説明するのに必要な添付図面を簡単に紹介する。
図1は、抵抗型ランダム・アクセス・メモリのボルト・アンペア特性曲線の概略図である。
図2は、本発明の実施例によるラッチの回路構造の概略図である。
図3は、図2に示されるラッチのシーケンス図である。
図4は、本発明の実施例による他のラッチの回路構造の概略図である。
図5は、本発明の実施例による更なる他のラッチの回路構造の概略図である。
図6は、本発明の実施例によるDフリップ・フロップの回路構造の概略図である。
図7は、図6に示されるDフリップ・フロップのシーケンス図である。
図8は、本発明の実施例による他のDフリップ・フロップの回路構造の概略図である。
図9は、本発明の実施例による更なる他のDフリップ・フロップの回路構造の概略図である。
本発明の実施例の課題、技術的解決策及び効果をより明確にするため、以下は、本発明の実施例における添付図面を参照して、本発明の実施例の技術的解決策を明確且つ完全に説明する。明らかに、説明される実施例は、本発明の実施例の全てでなく一部である。
本発明の実施例における技術的解決策が紹介される前に、抵抗型ランダム・アクセス・メモリがまず紹介される。抵抗型ランダム・アクセス・メモリ(Resistive random−access memory、略してRRAM)はメモリであり、ここで、抵抗型ランダム・アクセス・メモリの物質の抵抗は、電流フローチャネルを開閉するため、抵抗型ランダム・アクセス・メモリに印加される異なる電圧に従って、高抵抗状態と低抵抗状態との間で相応に変化し、各種情報は当該性質を利用することによって記憶される。図1は、抵抗型ランダム・アクセス・メモリのボルト・アンペア特性曲線の概略図である。図1から、抵抗型ランダム・アクセス・メモリの2つのエンドに印加される順電圧が第1の抵抗変更閾値V1以上であるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリは、高抵抗状態から低抵抗状態に変化し、抵抗型ランダム・アクセス・メモリの2つのエンドに印加される負電圧が第2の抵抗変更閾値V2以下であるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリは、低抵抗状態から高抵抗状態に変化することが理解できる。第1の抵抗変更閾値V1の値は0Vより大きく、制御電源により提供される電圧Vm以下であり、第2の抵抗変更閾値V2の値は−Vm以上であり、0V未満であり、−Vm及びVmは電圧絶対値が等しいが、電圧極性が反対である。
抵抗型ランダム・アクセス・メモリの上記特性に基づき、本発明の実施例では、抵抗型ランダム・アクセス・メモリの2つのエンドにおける電圧は、抵抗型ランダム・アクセス・メモリの抵抗状態を制御する目的を実現するよう制御され、論理“0”及び“1”が抵抗型ランダム・アクセス・メモリの抵抗状態を変更することによって記憶される。例えば、抵抗型ランダム・アクセス・メモリが低抵抗状態にあるとき、ラッチは論理1を記憶し、抵抗型ランダム・アクセス・メモリが高抵抗状態にあるとき、ラッチは論理0を記憶する。おそらく、抵抗型ランダム・アクセス・メモリが低抵抗状態にあるとき、ラッチは論理0を記憶してもよく、抵抗型ランダム・アクセス・メモリが高抵抗状態にあるとき、ラッチは論理1を記憶してもよい。
図2は、本発明の実施例によるラッチの回路構造の概略図である。図2に示されるように、本実施例におけるラッチは、スイッチ11、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12、ブリーダ回路13及び電圧コンバータ14を有する。
スイッチ11の第1のエンドは制御信号を入力するよう構成される。スイッチ11の第2のエンドはラッチの入力エンドであり、入力信号(VIN)を入力するよう構成される。スイッチ11の第3のエンドは、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の正極、ブリーダ回路13の第1のエンド及び電圧コンバータ14の入力エンドに接続される。抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の負極は制御電源15に接続される。ブリーダ回路13の第2のエンドは接地される。電圧コンバータ14の出力エンドはラッチの出力エンドである。
スイッチがオン状態にあるとき、電圧コンバータ14は、ラッチの入力信号に従ってラッチの出力信号を出力するよう構成され、ここで、ラッチの出力信号はラッチの入力信号に一致したままである。
スイッチがオン状態からオフ状態に変化するとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12は、スイッチ11がオフ状態にあるときのラッチの出力信号が、スイッチ11がオン状態にあるときのラッチの出力信号に一致したままになることを可能にするため、ブリーダ回路13と一緒に動作するよう構成される。
本実施例では、スイッチ11のオン及びオフは電圧の値を利用することによって主として制御され、スイッチ11は何れか既存のスイッチであってもよい。例えば、スイッチ11は、電界効果トランジスタなどの電圧制御されたスイッチであってもよい。スイッチ11の実現形態は本実施例において限定されない。本発明の本実施例では、スイッチ11が電界効果トランジスタであるとき、電界効果トランジスタのゲートは制御信号を入力するよう構成されてもよく、電界効果トランジスタのドレインはラッチの入力エンドであってもよい。電界効果トランジスタのソースは抵抗型ランダム・アクセス・メモリMの正極、ブリーダ回路の第1のエンド及び電圧コンバータの入力エンドに接続される。電界効果トランジスタは、具体的には、P型電界効果トランジスタ又はN型電界効果トランジスタであってもよい。
あるケースにおいて、スイッチ11がオン状態にあるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12は、具体的には、制御電源15の電圧と入力信号の電圧との間の差分に従って抵抗状態を提示するよう構成される。スイッチ11がオン状態にある場合、電圧コンバータ14の入力エンドにおける電圧はラッチの入力信号であり、電圧コンバータ14は、ラッチの出力信号がラッチの入力信号に一致したままになるように、入力信号に従ってラッチの出力信号を出力してもよい。
他のケースでは、スイッチ11がオン状態からオフ状態に変化するとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12は更に、ラッチの出力信号がスイッチ11がオン状態にあるときの出力信号に一致したままになるように、ブリーダ回路13の電圧が所定の条件を充足することを可能にするために、スイッチがオン状態であるときの抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の抵抗状態を維持するよう構成される。
具体的には、本発明の本実施例では、スイッチ11がオン状態からオフ状態に変化するとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12は抵抗状態を維持する。抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12が抵抗状態を維持するとき、ブリーダ回路13の電圧は(R/(Rm+R))*Vmであり、ここで、Rはブリーダ回路13の抵抗値であり、Rmは第1の抵抗状態における抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の抵抗値であり、Vmは制御電源15の電圧であり、第1の抵抗状態は高抵抗状態又は低抵抗状態であってもよい。電圧コンバータ14は、ブリーダ回路13の電圧が電圧変換閾値以上である場合、ブリーダ回路13の電圧を高レベルに変換してもよい。電圧コンバータ14は、ブリーダ回路13の電圧が電圧変換閾値未満である場合、ブリーダ回路13の電圧を低レベルに変換してもよい。本発明の本実施例では、電圧変換閾値は、以下の条件、(R/(R+Rmh))Vm≦Vth≦(R/(R+Rml))Vmを充足する必要があり、ここで、Vthは電圧変換閾値であり、Rmlは低抵抗状態における抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の抵抗値であり、Rmhは高抵抗状態における抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の抵抗値である。
本発明の本実施例では、ブリーダ回路13の第1のエンドはスイッチ11の第3のエンドに接続され、ブリーダ回路13の第2のエンドは接地される。ブリーダ回路13はブリーダレジスタであってもよい。例えば、ブリーダ回路13は1つのブリーダレジスタであってもよいし、あるいは、直列に接続された複数のブリーダレジスタによって形成されてもよい。ブリーダ回路13の特定の実現形態が、本実施例において限定されるものでない。
本実施例では、電圧コンバータ14の特定の実現形態は何れにも限定されない。電圧コンバータ14は、入力電圧が所定の条件を充足するとき、入力電圧を標準的な高レベル又は低レベルに変換するよう構成される。例えば、電圧コンバータ14の高レベルが5Vであり、電圧コンバータ14の低レベルが0Vである場合、電圧コンバータ14は、入力電圧を高レベル5V又は低レベル0Vに変換してもよい。
本発明の本実施例では、制御電源15により提供される電圧Vmは、以下の条件、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の2つのエンドに印加される電圧が−Vmであるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12が高抵抗状態を提示することが可能とされ、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の2つのエンドに印加される電圧がVDD−Vmであるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12が低抵抗状態を提示することが可能とされる、ことを充足する必要があることが留意されるべきである。VDDはラッチの入力信号の電圧であり、ラッチの入力信号は回路電源によって提供されてもよい。おそらく、Vmは回路電源によって提供されてもよく、Vmが回路電源によって提供されるとき、回路電源はVDDをVmに変換し、それからVmを抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12に提供する。
制御電源15の電圧Vmが更に、以下の条件、制御信号が高レベルから低レベルに変わるとき、すなわち、スイッチ11がオン状態からオフ状態に変わるとき、電圧Vmは抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の抵抗状態が変わることを可能にしない、ことを充足する必要がある。すなわち、スイッチ11がオン状態からオフ状態に変わるとき、入力電圧Vmは、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12が高抵抗状態から低抵抗状態に変わることを可能にせず、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12が低抵抗状態から高抵抗状態に変わることも可能にしない。このようにして、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12は、スイッチ11がオンであるときに抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12により提示される抵抗状態を維持可能である。具体的には、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12により提示される抵抗状態が、スイッチ11がオン状態にあるときに低抵抗状態である場合、スイッチ11がオン状態からオフ状態に変わるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の2つのエンドにおける電圧はVlow=(Rml/(R+Rml))Vmであり、ここで、Rmlは低抵抗状態における抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の抵抗値であり、Rはブリーダ回路13の抵抗値であり、Vmは制御電源15の電圧である。Vlowの値は、以下の条件、Vlowの値は抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12が低抵抗状態から高抵抗状態に変わることを可能にしない、ことを充足すべきである。抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12により提示される抵抗状態が、スイッチ11がオン状態であるときに高抵抗状態である場合、スイッチ11がオン状態からオフ状態に変わるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12上の電圧は、Vhigh=(Rmh/(R+Rmh))Vmであり、ここで、Rmhは高抵抗状態における抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の抵抗値であり、Rはブリーダ回路13の抵抗値であり、Vmは制御電源15の電圧である。Vhighの値は、以下の条件、Vhighの値は、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12がラッチ処理において高抵抗状態から低抵抗状態に変わることを可能にしない、ことを充足する必要がある。
図3は、図2に示されるラッチのシーケンス図である。以下は、具体的には、図2及び図3を参照して、本実施例において提供されるラッチの動作原理を説明する。
本実施例では、ラッチのフォーリングエッジが有効である具体例が説明のために用いられる。制御信号が高レベルにあるとき、ここで、制御信号はクロック信号CLKであってもよく、すなわち、CLK=1であるとき、スイッチ11はオンであり、ラッチの入力信号が高レベルであり、すなわち、VIN=1であり、入力信号の電圧が、例えば、VDDによって表される場合、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の正極に印加される電圧はVDDであり、この場合、0.5VDDの電圧が、制御電源15を用いることによって抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の負極に印加される場合、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の2つのエンドに印加されるフォワードバイアスは0.5VDDである。
例えば、CLK=1かつVIN=1であり、VDD=5Vであり、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の第1の閾値V1がV1=1.5Vを充足すると仮定されるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の2つのエンドにおける電圧は2.5Vであり、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の2つのエンドに印加される電圧は、第1の抵抗変更閾値V1以上であり、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12は低抵抗状態に設定される。この場合、ブリーダ回路13の電圧は入力信号VINの電圧に等しく、ブリーダ回路13の電圧は高レベルにある。電圧コンバータ14の電圧変換閾値が、例えば、2Vである場合、電圧コンバータ14の入力電圧は電圧変換閾値より大きく、電圧コンバータ14は入力電圧を高レベルに変換してもよく、すなわち、高レベルがラッチに入力されるとき、ラッチは論理1を記憶する。
制御信号が高レベルから低レベルに変わるとき、すなわち、CLK=0かつVIN=1であるとき、ブリーダ回路13の電圧は(R/(Rm+R))*Vmであり、この場合、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12は低抵抗状態を維持し、Rmはかなり小さく、ブリーダ回路13の電圧は約Vmであり、ブリーダ回路13の電圧は電圧変換閾値以上であり、電圧コンバータ14はブリーダ回路13の電圧を高レベルに変換し、ラッチの出力信号は、スイッチ11がオン状態にあるときの出力と一致したままである。従って、スイッチ11がオン状態からオフ状態に変わるとき、ラッチは、スイッチ11がオン状態にあるときの出力信号を維持することが可能である。
CLK=1,VIN=0,VDD=5V及びV2=−1.5Vであるとき、すなわち、ラッチの入力信号が低レベルにあるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の2つのエンドに印加されるバイアスは−0.5VDDであり、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の2つのエンドにおけるバイアスは第2の抵抗変更閾値V2以下であり、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12は高抵抗状態に設定される。この場合、ブリーダ回路13の電圧は入力信号VINの電圧(0V)に等しい。このようにして、電圧コンバータ14の入力電圧がまた0Vであり、電圧コンバータ14の入力電圧は電圧変換閾値未満であり、電圧コンバータ14は入力電圧を低レベルに変換し、すなわち、VIN=0であるとき、ラッチは低レベルを出力する。低レベルがラッチに入力されるとき、ラッチは論理0を記憶することが、上記の説明から分かりうる。
制御信号が高レベルから低レベルに変わるとき、すなわち、CLK=0かつVIN=0であるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12が依然として高抵抗状態を維持しているため、ブリーダ回路13の電圧は(R/(Rm+R))*Vmであり、Rmはかなり大きく、ブリーダ回路13の電圧は約0であり、電圧コンバータ14の入力電圧は電圧変換閾値未満であり、電圧コンバータ14は低レベルであり、これにより、ラッチの出力信号は、スイッチ11がオン状態であるときの出力に一致したままである。このようにして、スイッチ11がオン状態からオフ状態に変わるとき、ラッチは、スイッチ11がオン状態であるときの出力信号を維持することができる。
CLK=0であるとき、ラッチは、スイッチ11がオン状態であるときの出力値を維持することが可能であり、すなわち、ラッチは保持状態を提示することが、上記の説明から分かりうる。図3に示されるように、第1のフォーリングエッジでは、CLKは高レベルであり、VIN=1であり、ラッチは高レベルを出力し、CLKが低レベルに変わった後、ラッチは、CLKが高レベルにあるときの出力値を維持し、すなわち、高レベルを維持する。同様に、第2のフォーリングエッジでは、VIN=0であり、ラッチは低レベルを出力し、CLKが低レベルに変わった後、ラッチは低レベルを維持する。第3のフォーリングエッジでは、VIN=0であり、ラッチは低レベルを出力し、CLKが低レベルに変わった後、ラッチは低レベルを維持する。第4のフォーリングエッジでは、VIN=1であり、ラッチは高レベルを出力し、CLKが低レベルに変わった後、ラッチは高レベルを維持する。
ラッチの上記の動作原理は、ラッチのフォーリングエッジが有効である具体例を用いることによって説明される。おそらく、ラッチのライジングエッジが有効であってもよく、ライジングエッジが有効であるときのラッチの動作原理は、フォーリングエッジが有効であるときのものと同様であり、ここでは繰り返して説明しない。さらに、ラッチの入力信号がVDDであり、制御電源の電圧が0.5VDDである具体例が、本実施例における説明のため用いられる。入力信号と制御電源との電圧が抵抗型ランダム・アクセス・メモリの抵抗状態の変更のための要件を充足する限り、入力信号はVDDでなくてもよく、制御電源の電圧も0.5VDDでなくてもよい。
本実施例におけるラッチは、スイッチ、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ、ブリーダ回路及び電圧コンバータを含む。スイッチがオンであるとき、電圧コンバータは、ラッチの入力信号に従ってラッチの出力信号を出力してもよく、ここで、出力信号は入力信号と一致したままである。スイッチがオン状態からオフ状態に変わるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリは、スイッチがオフ状態にあるときのラッチの出力信号が、スイッチがオン状態にあるときのラッチの出力信号と一致したままになることを可能にするため、ブリーダ回路と一緒に動作するよう構成され、これにより、不揮発性ラッチ機能を実現する。本実施例において提供されるラッチによると、不揮発性が実現され、より少ないコンポーネントがラッチにおいて使用されるため、回路構造はシンプルであり、回路面積が減少し、ラッチは既存のCMOS技術と良好に互換的となりうる。
図4は、本発明の実施例による他のラッチの回路構造の概略図である。本実施例と図2に示される実施例との相違は、本実施例では、スイッチ11が電界効果トランジスタを利用することによって実現され、ブリーダ回路13がレジスタを利用することによって実現される点である。図4に示されるように、本実施例において提供されるラッチは、電界効果トランジスタS、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM、ブリーダレジスタR及び電圧コンバータを含む。
電界効果トランジスタSのゲートは制御信号を入力するよう構成され、電界効果トランジスタSのドレインはラッチの入力エンドであり、電界効果トランジスタSのソースは抵抗型ランダム・アクセス・メモリMの正極、ブリーダレジスタRの第1のエンド及び電圧コンバータの入力エンドに接続される。抵抗型ランダム・アクセス・メモリMの負極は制御電源に接続される。ブリーダレジスタRの第2のエンドは接地される。電圧コンバータの出力エンドはラッチの出力エンドである。
本実施例において提供されるラッチの動作原理について、図2に示される実施例の説明が参照されてもよく、詳細はここでは再説明されない。本実施例におけるラッチは、1つの電界効果トランジスタ、1つの抵抗型ランダム・アクセス・メモリ、1つのレジスタ及び1つの電圧コンバータを含む。4つのコンポーネントしか使用されていないため、従来技術におけるラッチと比較して、本実施例におけるラッチは構造がよりシンプルであり、コストがより低く、回路面積がより小さく、ラッチは既存のCMOS技術と互換的であり、既存の論理回路のインテグリティが改善できる。
図5は、本発明の実施例による更なる他のラッチの回路構造の概略図である。本実施例と図4に示される実施例との相違は、本実施例では、電圧コンバータは2つの電界効果トランジスタを利用することによって実現される点である。図5を参照して、本実施例におけるラッチは、電界効果トランジスタS1、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM、ブリーダ回路R、電界効果トランジスタS2及び電界効果トランジスタS3を含む。電界効果トランジスタS2と電界効果トランジスタS3とは一緒に電圧コンバータを構成する。電界効果トランジスタS2と電界効果トランジスタS3とは極性が反対である。すなわち、電界効果トランジスタS2がN型電界効果トランジスタであるとき、電界効果トランジスタS3はP型電界効果トランジスタであるか、あるいは、電界効果トランジスタS2がP型電界効果トランジスタであるとき、電界効果トランジスタS3はN型電界効果トランジスタである。
電界効果トランジスタS1のゲートは制御信号を入力するよう構成され、電界効果トランジスタS1のドレインはラッチの入力エンドであり、電界効果トランジスタS1のソースは抵抗型ランダム・アクセス・メモリMの正極、ブリーダレジスタRの第1のエンド、電界効果トランジスタS2のゲート及び電界効果トランジスタS3のゲートに接続される。抵抗型ランダム・アクセス・メモリMの負極は制御電源に接続される。ブリーダレジスタRの第2のエンドは接地される。電界効果トランジスタS2のゲートは電界効果トランジスタS1のソースに接続され、電界効果トランジスタS2のソースは外部電源に接続され、電界効果トランジスタS2のドレインはラッチの出力エンドである。電界効果トランジスタS3のゲートは電界効果トランジスタS1のソースに接続され、電界効果トランジスタS3のソースは接地され、電界効果トランジスタS3のドレインはラッチの出力エンドである。
本実施例では、電圧コンバータの動作原理は、具体的には、CLK=1かつVIN=1であり、抵抗型ランダム・アクセス・メモリMが低抵抗状態を提示するとき、ブリーダ回路の電圧は入力信号の電圧VINに等しく、ブリーダ回路の電圧は電界効果トランジスタS2がオンであり、電界効果トランジスタS3がオフであり、ラッチが高レベルを出力することを可能にする、ということである。制御信号が高レベルから低レベルに変わるとき、すなわち、CLK=0かつVIN=1であるとき、ブリーダ回路の電圧は(R/(Rm+R))*Vmである。この場合、抵抗型ランダム・アクセス・メモリMは低抵抗状態を維持し、Rmはかなり小さく、ブリーダ回路の電圧は約Vmであり、ブリーダ回路の電圧は、電界効果トランジスタS2がオンであり、電界効果トランジスタS3がオフであり、ラッチが高レベルを依然として出力することを可能にする。
CLK=1かつVIN=0であるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリMは高抵抗状態を提示する。ブリーダ回路の電圧は、ラッチの入力電圧に等しく、すなわち、ブリーダ回路の電圧は0Vであり、ブリーダ回路の電圧は、電界効果トランジスタS2がオフであり、電界効果トランジスタS3がオンであり、ラッチが低レベルを出力することを可能にする。制御信号が高レベルから低レベルに変わるとき、すなわち、CLK=0かつVIN=0であるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリMは依然として高抵抗状態を維持するため、Rmはかなり大きく、ブリーダ回路の電圧は(R/(Rm+R))*Vmであって、約0であり、ブリーダ回路の電圧は、電界効果トランジスタS2がオフであり、電界効果トランジスタS3がオンであり、ラッチが低レベルを依然として出力することを可能にする。
本実施例において提供されるラッチの動作原理について、図2に示される実施例の説明が参照されてもよく、詳細はここでは再説明されない。本実施例におけるラッチは、3つの電界効果トランジスタ、1つの抵抗型ランダム・アクセス・メモリ及び1つのレジスタを含む。5つのコンポーネントしか使用されていないため、従来技術におけるラッチと比較して、本実施例におけるラッチは構造がよりシンプルであり、コストがより低い。
図6は、本発明の実施例によるDフリップ・フロップの回路構造の概略図である。本実施例において提供されるDフリップ・フロップは、マスタ・スレーブ構造において2つのラッチを直列的に接続することを含み、ラッチは図2に示されるラッチである。図6に示されるように、本実施例において提供されるDフリップ・フロップは、第1のラッチと第2のラッチとを含む。第1のラッチは、第1のスイッチ、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM1、第1のブリーダ回路及び第1の電圧コンバータを含む。第2のラッチは、第2のスイッチ、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM2、第2のブリーダ回路及び第2の電圧コンバータを含む。
本発明の本実施例では、第1のラッチの出力エンドは第2のラッチの入力エンドとして使用される。第1のラッチのスイッチの第1のエンドと第2のラッチのスイッチの第1のエンドとは、制御信号を入力するよう構成される。第1のラッチのスイッチと第2のラッチのスイッチとは、制御信号の制御の下で同時にはオン状態にはならず、すなわち、第1のラッチのスイッチがオンであるとき、第2のラッチのスイッチはオフであるか、あるいは、第1のラッチのスイッチがオフであるとき、第2のラッチのスイッチはオンである。
第1のラッチのスイッチの第2のエンドはDフリップ・フロップの入力エンドである。第2のラッチの電圧コンバータの出力エンドはDフリップ・フロップの出力エンドであり、すなわち、第2の電圧コンバータの出力エンドはDフリップ・フロップの出力エンドである。
図7は、図6に示されるDフリップ・フロップのシーケンス図である。以下は、具体的には、図6及び図7を参照して、本実施例において提供されるDフリップ・フロップの動作原理を説明する。本実施例では、Dフリップ・フロップのフォーリングエッジが有効である具体例が説明のため用いられる。説明の簡単化のため、本発明の本実施例では、第1のラッチのスイッチは第1のスイッチと呼ばれ、第2のラッチのスイッチは第2のスイッチと呼ばれる。
制御信号が高レベルにあるとき、ここで、制御信号はクロック信号であってもよく、すなわち、CLK=1であるとき、第1のスイッチはオンであり、Dフリップ・フロップの入力信号が高レベルであり、すなわち、VIN=1である場合、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM1は低抵抗状態に設定され、第1の電圧コンバータは高レベルを出力する。一方、第2のスイッチはオフであり、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM2が高抵抗状態に設定され、第2の電圧コンバータが低レベルを出力、すなわち、Dフリップ・フロップが低レベルを出力する。クロック信号が高レベルから低レベルに変わるとき、すなわち、CLK=0であるとき、第1のスイッチはオフであり、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM1は低抵抗状態を維持し、第1の電圧コンバータは高レベルを出力する。一方、第2のスイッチはオンであり、第2のラッチの入力信号は高レベルにあり、すなわち、VIN=1であり、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM2は低抵抗状態に設定され、第2の電圧コンバータは高レベルを出力する。すなわち、クロック信号が高レベルから低レベルに変わると、Dフリップ・フロップは高レベルの時間において入力信号を維持する。
制御信号が高レベルにあるとき、すなわち、CLK=1であるとき、第1のスイッチはオンであり、Dフリップ・フロップの入力信号が低レベルにあり、すなわち、VIN=0である場合、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM1は高抵抗状態に設定され、第1の電圧コンバータは低レベルを出力する。第2のスイッチはオフであるため、CLK=1であるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM2は高抵抗状態に設定され、第2の電圧コンバータは低レベルを出力し、すなわち、Dフリップ・フロップは低レベルを出力する。クロック信号が高レベルから低レベルに変わるとき、すなわち、CLK=0であるとき、第1のスイッチはオン状態からオフ状態に変わり、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM1は高抵抗状態を維持し、第1の電圧コンバータは低レベルを出力する。第2のスイッチがオンであるため、CLK=0であるとき、第2のラッチの入力信号は低レベルにあり、すなわち、VIN=0であり、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM2は高抵抗状態を維持し、第2の電圧コンバータは低レベルを出力する。すなわち、クロック信号が高レベルから低レベルに変わるとき、Dフリップ・フロップは高レベルの時間において入力信号を維持する。
図7に示されるように、第1のフォーリングエッジが到来すると、VIN=1であり、Dフリップ・フロップの出力は低レベルから高レベルに変わり、Dフリップ・フロップは高レベルを維持し、第2のフォーリングエッジが到来すると、VIN=1であり、従って、Dフリップ・フロップは高レベルを維持し続け、第3のフォーリングエッジが到来すると、VIN=0であり、Dフリップ・フロップは高レベルから低レベルに変わり、低レベルを維持し、第4のフォーリングエッジが到来すると、VIN=0であり、Dフリップ・フロップは低レベルを維持し続ける。
本実施例におけるDフリップフロップは、抵抗型ランダム・アクセス・メモリを利用することによって構成される2つのラッチをカスケード化することを含み、Dフリップ・フロップのラッチ機能は抵抗型ランダム・アクセス・メモリの間の抵抗状態の相違によって実現される。従来技術と比較して、本実施例における解決策によると、不揮発性が実現され、より少ないコンポーネントが解決策において使用されるため、回路構造はシンプルであり、回路面積が減少し、Dフリップ・フロップは既存のCMOS技術と互換的であり、既存の論理回路のインテグリティが改善できる。
図8は、本発明の実施例による他のDフリップ・フロップの回路構造の概略図である。本実施例と図6に示される実施例との間の相違は、本実施例における第1のラッチ及び第2のラッチでは、スイッチは1つの電界効果トランジスタを利用することによって実現され、ブリーダ回路はレジスタを利用することによって実現される点である。図8に示されるように、本実施例において提供されるDフリップ・フロップは、第1のラッチと第2のラッチとを含む。第1のラッチは、電界効果トランジスタS1、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM1、ブリーダレジスタR1及び第1の電圧コンバータを含む。第2のラッチは、電界効果トランジスタS2、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM2、ブリーダレジスタR2及び第2の電圧コンバータを含む。
電界効果トランジスタS1のゲートは制御信号を入力するよう構成され、電界効果トランジスタS1のドレインはDフリップ・フロップの入力エンドである。第1の電圧コンバータの出力エンドは、電界効果トランジスタS2のドレインに接続される。電界効果トランジスタS2のゲートは、制御信号を入力するよう構成される。第2の電圧コンバータはDフリップ・フロップの出力エンドである。本実施例では、電界効果トランジスタS1がP型電界効果トランジスタであるとき、電界効果トランジスタS2はN型電界効果トランジスタであるか、あるいは、電界効果トランジスタS1がN型電界効果トランジスタであるとき、電界効果トランジスタS2はP型電界効果トランジスタである。
本実施例において提供されるDフリップ・フロップの動作原理について、図6に示される実施例の説明が参照されてもよく、ここでは詳細は再説明されない。よる少ないコンポーネントが本実施例におけるDフリップ・フロップにおいて利用され、これにより、従来技術におけるDフリップ・フロップと比較して、本実施例におけるDフリップ・フロップは構造がよりシンプルであり、コストがより低い。
図9は、本発明の実施例による更なる他のDフリップ・フロップの回路構造の概略図である。本実施例と図8に示される実施例との間の相違は、本実施例では、第1の電圧コンバータと第2の電圧コンバータとはそれぞれ2つの電界効果トランジスタを利用することによって実現される点である。図9を参照して、本実施例におけるDフリップ・フロップは、第1のラッチと第2のラッチとを含む。第1のラッチは、電界効果トランジスタS1、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM1、ブリーダレジスタR1、電界効果トランジスタS2及び電界効果トランジスタS3を含む。電界効果トランジスタS2と電界効果トランジスタS3とは、第1の電圧コンバータを構成する。第2のラッチは、電界効果トランジスタS4、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM2、ブリーダレジスタR2、電界効果トランジスタS4及び電界効果トランジスタS5を含む。電界効果トランジスタS4と電界効果トランジスタS5とは第2の電圧コンバータを構成する。
電界効果トランジスタS1、電界効果トランジスタS2及び電界効果トランジスタS5はN型電界効果トランジスタであってもよく、電界効果トランジスタS3、電界効果トランジスタS4及び電界効果トランジスタS6はP型電界効果トランジスタである。あるいは、電界効果トランジスタS1、電界効果トランジスタS2及び電界効果トランジスタS5はP型電界効果トランジスタであってもよく、電界効果トランジスタS3、電界効果トランジスタS4及び電界効果トランジスタS6はN型電界効果トランジスタである。
本実施例において提供されるDフリップ・フロップの動作原理について、図6に示される実施例の説明が参照されてもよく、ここでは詳細は再説明されない。本実施例におけるDフリップ・フロップによると、不揮発性ラッチ機能が実現され、より少ないコンポーネントが利用され、これにより、従来技術におけるDフリップ・フロップと比較して、本実施例におけるDフリップ・フロップは構造がよりシンプルであり、コストがより低い。
本出願において提供される実施例は単なる例示であることが留意されるべきである。当業者は、便利かつ簡潔な説明のため、上記の実施例において、実施例の説明は各自の着目を有することを明確に理解しうる。実施例において詳細には説明されない部分について、他の実施例における関連する説明が参照されてもよい。本発明の実施例に開示される特徴、請求項又は添付図面は、独立して存在してもよいし、あるいは、組み合わされた方式で存在してもよく、ハードウェアの形式で本発明の実施例において説明される特徴は、ここに限定されず、ソフトウェアによって実行されてもよく、その反対であってもよい。
本発明の実施例は、デジタル回路技術と、特にラッチ及びDフリップ・フロップとに関する。
ラッチ(Latch)は、パルスレベルに反応する記憶ユニット回路であり、特定の入力パルスレベルのアクションの下で状態を変更可能である。ラッチ処理は、レベル状態を維持するため信号を一時的に記憶することを言う。ラッチの最も重要な機能はバッファリングである。典型的なラッチ論理回路は、Dフリップ・フロップ回路である。Dフリップ・フロップは、一般にマスタ・スレーブ構造を有する。フリップ・フロップの機能は、2つのラッチ(Latch)をカスケード化し、それから反対のクロック信号をこれら2つのラッチに印加することによって実現される。
既存のラッチは、相補型金属酸化膜半導体(Complementary Metal−Oxide−Semiconductor、略してCMOS)技術を利用することによって大部分は実現される。しかしながら、CMOS回路を利用することによって実現されるラッチは構造が複雑である。さらに、CMOS技術を利用することによって実現される回路は揮発性であり、従って、回路が電源オフされた後、回路の電源オフ前の動作状態は記憶できない。ラッチ及びDフリップ・フロップがより広く適用されるに従って、デバイスが電源オフされた後、ラッチがデバイスの電源オフ前の動作状態を依然として維持することができることが緊急である。従って、不揮発性のラッチ及びDフリップ・フロップに対する需要は徐々に増大している。
本発明の実施例は、電源オフのケースにおいて、回路の電源オフ前の動作状態が依然として維持できるように、ラッチ及びDフリップ・フロップを提供する。
本発明の第1の態様は、スイッチ、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ、ブリーダ回路及び電圧コンバータを有するラッチであって、
前記スイッチの第1のエンドは制御信号を入力するよう構成され、前記制御信号は、オン状態又はオフ状態になるよう前記スイッチを制御するのに利用され、
前記スイッチの第2のエンドは前記ラッチの入力エンドであり、
前記スイッチの第3のエンドは、前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリの正極、前記ブリーダ回路の第1のエンド及び前記電圧コンバータの入力エンドに接続され、
前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリの負極は制御電源に接続され、
前記ブリーダ回路の第2のエンドは接地され、
前記電圧コンバータの出力エンドは前記ラッチの出力エンドであり、
前記スイッチが前記オン状態にあるとき、前記電圧コンバータは、前記ラッチの入力信号に従って前記ラッチの出力信号を出力するよう構成され、前記ラッチの出力信号は前記ラッチの入力信号に一致したままであり、
前記スイッチが前記オン状態から前記オフ状態に変化するとき、前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリは、前記スイッチが前記オフ状態にあるときの前記ラッチの出力信号が前記スイッチが前記オン状態にあるときの前記ラッチの出力信号に一致したままになることを可能にするため、前記ブリーダ回路と一緒に動作するよう構成されるラッチを提供する。
前記スイッチの第1のエンドは制御信号を入力するよう構成され、前記制御信号は、オン状態又はオフ状態になるよう前記スイッチを制御するのに利用され、
前記スイッチの第2のエンドは前記ラッチの入力エンドであり、
前記スイッチの第3のエンドは、前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリの正極、前記ブリーダ回路の第1のエンド及び前記電圧コンバータの入力エンドに接続され、
前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリの負極は制御電源に接続され、
前記ブリーダ回路の第2のエンドは接地され、
前記電圧コンバータの出力エンドは前記ラッチの出力エンドであり、
前記スイッチが前記オン状態にあるとき、前記電圧コンバータは、前記ラッチの入力信号に従って前記ラッチの出力信号を出力するよう構成され、前記ラッチの出力信号は前記ラッチの入力信号に一致したままであり、
前記スイッチが前記オン状態から前記オフ状態に変化するとき、前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリは、前記スイッチが前記オフ状態にあるときの前記ラッチの出力信号が前記スイッチが前記オン状態にあるときの前記ラッチの出力信号に一致したままになることを可能にするため、前記ブリーダ回路と一緒に動作するよう構成されるラッチを提供する。
本発明の第1の態様によると、本発明の第1の態様の第1の可能な実現方式では、前記スイッチが前記オン状態にあるとき、前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリは、前記制御電源の電圧と前記ラッチの入力信号の電圧との間の差分に従って抵抗状態を提示するよう構成され、
前記スイッチが前記オン状態から前記オフ状態に変化するとき、前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリは更に、前記スイッチが前記オフ状態にあるときの前記ラッチの出力信号が前記スイッチが前記オン状態にあるときの前記ラッチの出力信号に一致したままになるように、前記ブリーダ回路の電圧が所定の条件を充足することを可能にするため前記抵抗状態を維持するよう構成される。
前記スイッチが前記オン状態から前記オフ状態に変化するとき、前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリは更に、前記スイッチが前記オフ状態にあるときの前記ラッチの出力信号が前記スイッチが前記オン状態にあるときの前記ラッチの出力信号に一致したままになるように、前記ブリーダ回路の電圧が所定の条件を充足することを可能にするため前記抵抗状態を維持するよう構成される。
本発明の第1の態様の第1の可能な実現方式を参照して、本発明の第1の態様の第2の可能な実現方式では、前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリが前記抵抗状態を維持するとき、前記ブリーダ回路の電圧は(R/(Rm+R))*Vmであり、Rは前記ブリーダ回路の抵抗値であり、Rmは前記第1の抵抗状態における前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリの抵抗値であり、Vmは前記制御電源の電圧であり、前記第1の抵抗状態は高抵抗状態又は低抵抗状態である。
本発明の第1の態様の第2の可能な実現方式を参照して、本発明の第1の態様の第3の可能な実現方式では、前記電圧コンバータは、前記ブリーダ回路の電圧が電圧変換閾値以上である場合、前記ブリーダ回路の電圧を高レベルに変換し、又は、前記ブリーダ回路の電圧が前記電圧変換閾値未満である場合、前記ブリーダ回路の電圧を低レベルに変換するよう構成され、
前記電圧変換閾値は、以下の条件、(R/(R+Rmh))Vm≦Vth≦(R/(R+Rml))Vmを充足し、Vthは前記電圧変換閾値であり、Rmlは前記低抵抗状態における前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリの抵抗値であり、Rmhは前記高抵抗状態における前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリの抵抗値である。
前記電圧変換閾値は、以下の条件、(R/(R+Rmh))Vm≦Vth≦(R/(R+Rml))Vmを充足し、Vthは前記電圧変換閾値であり、Rmlは前記低抵抗状態における前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリの抵抗値であり、Rmhは前記高抵抗状態における前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリの抵抗値である。
本発明の第1の態様及び第1の態様の第1から第3までの可能な実現方式を参照して、本発明の第1の態様の第4の可能な実現方式では、前記スイッチは電界効果トランジスタを有し、前記電界効果トランジスタのゲートは前記制御信号を入力するよう構成され、前記電界効果トランジスタのドレインは前記ラッチの入力エンドであり、前記電界効果トランジスタのソースは前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリの正極、前記ブリーダ回路の第1のエンド及び前記電圧コンバータの入力エンドに接続される。
本発明の第1の態様の第4の可能な実現方式を参照して、本発明の第1の態様の第5の可能な実現方式では、前記電界効果トランジスタは、P型電界効果トランジスタ又はN型電界効果トランジスタである。
本発明の第1の態様及び第1の態様の第1から第5までの可能な実現方式を参照して、本発明の第1の態様の第6の可能な実現方式では、前記ブリーダ回路はブリーダレジスタである。
本発明の第2の態様は、本発明の第1の態様又は第1の態様の何れか可能な実現方式による少なくとも2つのラッチを有するDフリップ・フロップであって、
前記少なくとも2つのラッチは、第1のラッチと第2のラッチとを有し、
前記第1のラッチの出力エンドは、前記第2のラッチの入力エンドとして利用され、
前記第1のラッチのスイッチの第1のエンドと前記第2のラッチのスイッチの第1のエンドとは、制御信号を入力するよう構成され、前記第1のラッチのスイッチと前記第2のラッチのスイッチとは、前記制御信号の制御の下で同時にオン状態にならず、
前記第1のラッチのスイッチの第2のエンドは前記Dフリップ・フロップの入力エンドであり、
前記第2のラッチの電圧コンバータの出力エンドは、前記Dフリップ・フロップの出力エンドであるDフリップ・フロップを提供する。
前記少なくとも2つのラッチは、第1のラッチと第2のラッチとを有し、
前記第1のラッチの出力エンドは、前記第2のラッチの入力エンドとして利用され、
前記第1のラッチのスイッチの第1のエンドと前記第2のラッチのスイッチの第1のエンドとは、制御信号を入力するよう構成され、前記第1のラッチのスイッチと前記第2のラッチのスイッチとは、前記制御信号の制御の下で同時にオン状態にならず、
前記第1のラッチのスイッチの第2のエンドは前記Dフリップ・フロップの入力エンドであり、
前記第2のラッチの電圧コンバータの出力エンドは、前記Dフリップ・フロップの出力エンドであるDフリップ・フロップを提供する。
本発明の第2の態様を参照して、本発明の第2の態様の第1の可能な実現方式では、前記第1のラッチのスイッチがP型電界効果トランジスタであるとき、前記第2のラッチのスイッチはN型電界効果トランジスタであるか、又は、
前記第1のラッチのスイッチがN型電界効果トランジスタであるとき、前記第2のラッチのスイッチはP型電界効果トランジスタである。
前記第1のラッチのスイッチがN型電界効果トランジスタであるとき、前記第2のラッチのスイッチはP型電界効果トランジスタである。
実施例はラッチ及びDフリップ・フロップを提供する。ラッチは、スイッチ、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ、ブリーダ回路及び電圧コンバータを含む。スイッチがオンであるとき、電圧コンバータは、ラッチの入力信号に従ってラッチの出力信号を出力してもよく、ここで、出力信号は入力信号と一致したままである。スイッチがオン状態からオフ状態に変わるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリは、スイッチがオフ状態にあるときのラッチの出力信号が、スイッチがオン状態にあるときのラッチの出力信号と一致したままになることを可能にするため、ブリーダ回路と一緒に動作する。従って、電源オフの場合、回路の電源オフ前の動作状態が依然として維持可能であり、これにより、不揮発性ラッチ機能を実現する。さらに、本発明の実施例において提供されるラッチによると、不揮発性が実現され、より少ないコンポーネントがラッチにおいて使用されるため、回路構造はシンプルであり、回路面積が減少し、ラッチは既存のCMOS技術と互換的であり、既存の論理回路のインテグリティを向上させることができる。
本発明の実施例又は従来技術における技術的解決策をより明確に説明するため、以下は、実施例又は従来技術を説明するのに必要な添付図面を簡単に紹介する。
図1は、抵抗型ランダム・アクセス・メモリのボルト・アンペア特性曲線の概略図である。
図2は、本発明の実施例によるラッチの回路構造の概略図である。
図3は、図2に示されるラッチのシーケンス図である。
図4は、本発明の実施例による他のラッチの回路構造の概略図である。
図5は、本発明の実施例による更なる他のラッチの回路構造の概略図である。
図6は、本発明の実施例によるDフリップ・フロップの回路構造の概略図である。
図7は、図6に示されるDフリップ・フロップのシーケンス図である。
図8は、本発明の実施例による他のDフリップ・フロップの回路構造の概略図である。
図9は、本発明の実施例による更なる他のDフリップ・フロップの回路構造の概略図である。
本発明の実施例の課題、技術的解決策及び効果をより明確にするため、以下は、本発明の実施例における添付図面を参照して、本発明の実施例の技術的解決策を明確且つ完全に説明する。明らかに、説明される実施例は、本発明の実施例の全てでなく一部である。
本発明の実施例における技術的解決策が紹介される前に、抵抗型ランダム・アクセス・メモリがまず紹介される。抵抗型ランダム・アクセス・メモリ(Resistive random−access memory、略してRRAM)はメモリであり、ここで、抵抗型ランダム・アクセス・メモリの物質の抵抗は、電流フローチャネルを開閉するため、抵抗型ランダム・アクセス・メモリに印加される異なる電圧に従って、高抵抗状態と低抵抗状態との間で相応に変化し、各種情報は当該性質を利用することによって記憶される。図1は、抵抗型ランダム・アクセス・メモリのボルト・アンペア特性曲線の概略図である。図1から、抵抗型ランダム・アクセス・メモリの2つのエンドに印加される順電圧が第1の抵抗変更閾値V1以上であるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリは、高抵抗状態から低抵抗状態に変化し、抵抗型ランダム・アクセス・メモリの2つのエンドに印加される負電圧が第2の抵抗変更閾値V2以下であるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリは、低抵抗状態から高抵抗状態に変化することが理解できる。第1の抵抗変更閾値V1の値は0Vより大きく、制御電源により提供される電圧Vm以下であり、第2の抵抗変更閾値V2の値は−Vm以上であり、0V未満であり、−Vm及びVmは電圧絶対値が等しいが、電圧極性が反対である。
抵抗型ランダム・アクセス・メモリの上記特性に基づき、本発明の実施例では、抵抗型ランダム・アクセス・メモリの2つのエンドにおける電圧は、抵抗型ランダム・アクセス・メモリの抵抗状態を制御する目的を実現するよう制御され、論理“0”及び“1”が抵抗型ランダム・アクセス・メモリの抵抗状態を変更することによって記憶される。例えば、抵抗型ランダム・アクセス・メモリが低抵抗状態にあるとき、ラッチは論理1を記憶し、抵抗型ランダム・アクセス・メモリが高抵抗状態にあるとき、ラッチは論理0を記憶する。おそらく、抵抗型ランダム・アクセス・メモリが低抵抗状態にあるとき、ラッチは論理0を記憶してもよく、抵抗型ランダム・アクセス・メモリが高抵抗状態にあるとき、ラッチは論理1を記憶してもよい。
図2は、本発明の実施例によるラッチの回路構造の概略図である。図2に示されるように、本実施例におけるラッチは、スイッチ11、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12、ブリーダ回路13及び電圧コンバータ14を有する。
スイッチ11の第1のエンドは制御信号を入力するよう構成される。スイッチ11の第2のエンドはラッチの入力エンドであり、入力信号(VIN)を入力するよう構成される。スイッチ11の第3のエンドは、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の正極、ブリーダ回路13の第1のエンド及び電圧コンバータ14の入力エンドに接続される。抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の負極は制御電源15に接続される。ブリーダ回路13の第2のエンドは接地される。電圧コンバータ14の出力エンドはラッチの出力エンドである。
スイッチがオン状態にあるとき、電圧コンバータ14は、ラッチの入力信号に従ってラッチの出力信号を出力するよう構成され、ここで、ラッチの出力信号はラッチの入力信号に一致したままである。
スイッチがオン状態からオフ状態に変化するとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12は、スイッチ11がオフ状態にあるときのラッチの出力信号が、スイッチ11がオン状態にあるときのラッチの出力信号に一致したままになることを可能にするため、ブリーダ回路13と一緒に動作するよう構成される。
本実施例では、スイッチ11のオン及びオフは電圧の値を利用することによって主として制御され、スイッチ11は何れか既存のスイッチであってもよい。例えば、スイッチ11は、電界効果トランジスタなどの電圧制御されたスイッチであってもよい。スイッチ11の実現形態は本実施例において限定されない。本発明の本実施例では、スイッチ11が電界効果トランジスタであるとき、電界効果トランジスタのゲートは制御信号を入力するよう構成されてもよく、電界効果トランジスタのドレインはラッチの入力エンドであってもよい。電界効果トランジスタのソースは抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の正極、ブリーダ回路の第1のエンド及び電圧コンバータの入力エンドに接続される。電界効果トランジスタは、具体的には、P型電界効果トランジスタ又はN型電界効果トランジスタであってもよい。
あるケースにおいて、スイッチ11がオン状態にあるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12は、具体的には、制御電源15の電圧と入力信号の電圧との間の差分に従って抵抗状態を提示するよう構成される。スイッチ11がオン状態にある場合、電圧コンバータ14の入力エンドにおける電圧はラッチの入力信号であり、電圧コンバータ14は、ラッチの出力信号がラッチの入力信号に一致したままになるように、入力信号に従ってラッチの出力信号を出力してもよい。
他のケースでは、スイッチ11がオン状態からオフ状態に変化するとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12は更に、ラッチの出力信号がスイッチ11がオン状態にあるときの出力信号に一致したままになるように、ブリーダ回路13の電圧が所定の条件を充足することを可能にするために、スイッチ11がオン状態であるときの抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の抵抗状態を維持するよう構成される。
具体的には、本発明の本実施例では、スイッチ11がオン状態からオフ状態に変化するとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12は抵抗状態を維持する。抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12が抵抗状態を維持するとき、ブリーダ回路13の電圧は(R/(Rm+R))*Vmであり、ここで、Rはブリーダ回路13の抵抗値であり、Rmは第1の抵抗状態における抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の抵抗値であり、Vmは制御電源15の電圧であり、第1の抵抗状態は高抵抗状態又は低抵抗状態であってもよい。電圧コンバータ14は、ブリーダ回路13の電圧が電圧変換閾値以上である場合、ブリーダ回路13の電圧を高レベルに変換してもよい。電圧コンバータ14は、ブリーダ回路13の電圧が電圧変換閾値未満である場合、ブリーダ回路13の電圧を低レベルに変換してもよい。本発明の本実施例では、電圧変換閾値は、以下の条件、(R/(R+Rmh))Vm≦Vth≦(R/(R+Rml))Vmを充足する必要があり、ここで、Vthは電圧変換閾値であり、Rmlは低抵抗状態における抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の抵抗値であり、Rmhは高抵抗状態における抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の抵抗値である。
本発明の本実施例では、ブリーダ回路13の第1のエンドはスイッチ11の第3のエンドに接続され、ブリーダ回路13の第2のエンドは接地される。ブリーダ回路13はブリーダレジスタであってもよい。例えば、ブリーダ回路13は1つのブリーダレジスタであってもよいし、あるいは、直列に接続された複数のブリーダレジスタによって形成されてもよい。ブリーダ回路13の特定の実現形態が、本実施例において限定されるものでない。
本実施例では、電圧コンバータ14の特定の実現形態は何れにも限定されない。電圧コンバータ14は、入力電圧が所定の条件を充足するとき、入力電圧を標準的な高レベル又は低レベルに変換するよう構成される。例えば、電圧コンバータ14の高レベルが5Vであり、電圧コンバータ14の低レベルが0Vである場合、電圧コンバータ14は、入力電圧を高レベル5V又は低レベル0Vに変換してもよい。
本発明の本実施例では、制御電源15により提供される電圧Vmは、以下の条件、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の2つのエンドに印加される電圧が−Vmであるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12が高抵抗状態を提示することが可能とされ、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の2つのエンドに印加される電圧がVDD−Vmであるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12が低抵抗状態を提示することが可能とされる、ことを充足する必要があることが留意されるべきである。VDDはラッチの入力信号の電圧であり、ラッチの入力信号は回路電源によって提供されてもよい。おそらく、Vmは回路電源によって提供されてもよく、Vmが回路電源によって提供されるとき、回路電源はVDDをVmに変換し、それからVmを抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12に提供する。
制御電源15の電圧Vmが更に、以下の条件、制御信号が高レベルから低レベルに変わるとき、すなわち、スイッチ11がオン状態からオフ状態に変わるとき、電圧Vmは抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の抵抗状態が変わることを可能にしない、ことを充足する必要がある。すなわち、スイッチ11がオン状態からオフ状態に変わるとき、入力電圧Vmは、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12が高抵抗状態から低抵抗状態に変わることを可能にせず、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12が低抵抗状態から高抵抗状態に変わることも可能にしない。このようにして、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12は、スイッチ11がオンであるときに抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12により提示される抵抗状態を維持可能である。具体的には、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12により提示される抵抗状態が、スイッチ11がオン状態にあるときに低抵抗状態である場合、スイッチ11がオン状態からオフ状態に変わるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の2つのエンドにおける電圧はVlow=(Rml/(R+Rml))Vmであり、ここで、Rmlは低抵抗状態における抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の抵抗値であり、Rはブリーダ回路13の抵抗値であり、Vmは制御電源15の電圧である。Vlowの値は、以下の条件、Vlowの値は抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12が低抵抗状態から高抵抗状態に変わることを可能にしない、ことを充足すべきである。抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12により提示される抵抗状態が、スイッチ11がオン状態であるときに高抵抗状態である場合、スイッチ11がオン状態からオフ状態に変わるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の2つのエンドにおける電圧は、Vhigh=(Rmh/(R+Rmh))Vmであり、ここで、Rmhは高抵抗状態における抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の抵抗値であり、Rはブリーダ回路13の抵抗値であり、Vmは制御電源15の電圧である。Vhighの値は、以下の条件、Vhighの値は、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12がラッチ処理において高抵抗状態から低抵抗状態に変わることを可能にしない、ことを充足する必要がある。
図3は、図2に示されるラッチのシーケンス図である。以下は、具体的には、図2及び図3を参照して、本実施例において提供されるラッチの動作原理を説明する。
本実施例では、ラッチのフォーリングエッジが有効である具体例が説明のために用いられる。制御信号が高レベルにあるとき、ここで、制御信号はクロック信号CLKであってもよく、すなわち、CLK=1であるとき、スイッチ11はオンであり、ラッチの入力信号が高レベルであり、すなわち、VIN=1であり、入力信号の電圧が、例えば、VDDによって表される場合、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の正極に印加される電圧はVDDであり、この場合、0.5VDDの電圧が、制御電源15を用いることによって抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の負極に印加される場合、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の2つのエンドに印加されるフォワードバイアスは0.5VDDである。
例えば、CLK=1かつVIN=1であり、VDD=5Vであり、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の第1の抵抗変更閾値V1がV1=1.5Vを充足すると仮定されるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の2つのエンドにおける電圧は2.5Vであり、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の2つのエンドに印加される電圧は、第1の抵抗変更閾値V1以上であり、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12は低抵抗状態に設定される。この場合、ブリーダ回路13の電圧は入力信号VINの電圧に等しく、ブリーダ回路13の電圧は高レベルにある。電圧コンバータ14の電圧変換閾値が、例えば、2Vである場合、電圧コンバータ14の入力電圧は電圧変換閾値より大きく、電圧コンバータ14は入力電圧を高レベルに変換してもよく、すなわち、高レベルがラッチに入力されるとき、ラッチは論理1を記憶する。
制御信号が高レベルから低レベルに変わるとき、すなわち、CLK=0かつVIN=1であるとき、ブリーダ回路13の電圧は(R/(Rm+R))*Vmであり、この場合、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12は低抵抗状態を維持し、Rmはかなり小さく、ブリーダ回路13の電圧は約Vmであり、ブリーダ回路13の電圧は電圧変換閾値以上であり、電圧コンバータ14はブリーダ回路13の電圧を高レベルに変換し、ラッチの出力信号は、スイッチ11がオン状態にあるときの出力信号と一致したままである。従って、スイッチ11がオン状態からオフ状態に変わるとき、ラッチは、スイッチ11がオン状態にあるときの出力信号を維持することが可能である。
CLK=1,VIN=0,VDD=5V及びV2=−1.5Vであるとき、すなわち、ラッチの入力信号が低レベルにあるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の2つのエンドに印加されるバイアスは−0.5VDDであり、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12の2つのエンドにおけるバイアスは第2の抵抗変更閾値V2以下であり、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12は高抵抗状態に設定される。この場合、ブリーダ回路13の電圧は入力信号VINの電圧(0V)に等しい。このようにして、電圧コンバータ14の入力電圧がまた0Vであり、電圧コンバータ14の入力電圧は電圧変換閾値未満であり、電圧コンバータ14は入力電圧を低レベルに変換し、すなわち、VIN=0であるとき、ラッチは低レベルを出力する。低レベルがラッチに入力されるとき、ラッチは論理0を記憶することが、上記の説明から分かりうる。
制御信号が高レベルから低レベルに変わるとき、すなわち、CLK=0かつVIN=0であるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ12が依然として高抵抗状態を維持しているため、ブリーダ回路13の電圧は(R/(Rm+R))*Vmであり、Rmはかなり大きく、ブリーダ回路13の電圧は約0であり、電圧コンバータ14の入力電圧は電圧変換閾値未満であり、電圧コンバータ14は低レベルであり、これにより、ラッチの出力信号は、スイッチ11がオン状態であるときの出力信号に一致したままである。このようにして、スイッチ11がオン状態からオフ状態に変わるとき、ラッチは、スイッチ11がオン状態であるときの出力信号を維持することができる。
CLK=0であるとき、ラッチは、スイッチ11がオン状態であるときの出力値を維持することが可能であり、すなわち、ラッチは保持状態を提示することが、上記の説明から分かりうる。図3に示されるように、第1のフォーリングエッジでは、CLKは高レベルであり、VIN=1であり、ラッチは高レベルを出力し、CLKが低レベルに変わった後、ラッチは、CLKが高レベルにあるときの出力値を維持し、すなわち、高レベルを維持する。同様に、第2のフォーリングエッジでは、VIN=0であり、ラッチは低レベルを出力し、CLKが低レベルに変わった後、ラッチは低レベルを維持する。第3のフォーリングエッジでは、VIN=0であり、ラッチは低レベルを出力し、CLKが低レベルに変わった後、ラッチは低レベルを維持する。第4のフォーリングエッジでは、VIN=1であり、ラッチは高レベルを出力し、CLKが低レベルに変わった後、ラッチは高レベルを維持する。
ラッチの上記の動作原理は、ラッチのフォーリングエッジが有効である具体例を用いることによって説明される。おそらく、ラッチのライジングエッジが有効であってもよく、ライジングエッジが有効であるときのラッチの動作原理は、フォーリングエッジが有効であるときのものと同様であり、ここでは繰り返して説明しない。さらに、ラッチの入力信号がVDDであり、制御電源の電圧が0.5VDDである具体例が、本実施例における説明のため用いられる。入力信号と制御電源との電圧が抵抗型ランダム・アクセス・メモリの抵抗状態の変更のための要件を充足する限り、入力信号はVDDでなくてもよく、制御電源の電圧も0.5VDDでなくてもよい。
本実施例におけるラッチは、スイッチ、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ、ブリーダ回路及び電圧コンバータを含む。スイッチがオンであるとき、電圧コンバータは、ラッチの入力信号に従ってラッチの出力信号を出力してもよく、ここで、出力信号は入力信号と一致したままである。スイッチがオン状態からオフ状態に変わるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリは、スイッチがオフ状態にあるときのラッチの出力信号が、スイッチがオン状態にあるときのラッチの出力信号と一致したままになることを可能にするため、ブリーダ回路と一緒に動作するよう構成され、これにより、不揮発性ラッチ機能を実現する。本実施例において提供されるラッチによると、不揮発性が実現され、より少ないコンポーネントがラッチにおいて使用されるため、回路構造はシンプルであり、回路面積が減少し、ラッチは既存のCMOS技術と良好に互換的となりうる。
図4は、本発明の実施例による他のラッチの回路構造の概略図である。本実施例と図2に示される実施例との相違は、本実施例では、スイッチ11が電界効果トランジスタを利用することによって実現され、ブリーダ回路13がレジスタを利用することによって実現される点である。図4に示されるように、本実施例において提供されるラッチは、電界効果トランジスタS、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM、ブリーダレジスタR及び電圧コンバータを含む。
電界効果トランジスタSのゲートは制御信号を入力するよう構成され、電界効果トランジスタSのドレインはラッチの入力エンドであり、電界効果トランジスタSのソースは抵抗型ランダム・アクセス・メモリMの正極、ブリーダレジスタRの第1のエンド及び電圧コンバータの入力エンドに接続される。抵抗型ランダム・アクセス・メモリMの負極は制御電源に接続される。ブリーダレジスタRの第2のエンドは接地される。電圧コンバータの出力エンドはラッチの出力エンドである。
本実施例において提供されるラッチの動作原理について、図2に示される実施例の説明が参照されてもよく、詳細はここでは再説明されない。本実施例におけるラッチは、1つの電界効果トランジスタ、1つの抵抗型ランダム・アクセス・メモリ、1つのレジスタ及び1つの電圧コンバータを含む。4つのコンポーネントしか使用されていないため、従来技術におけるラッチと比較して、本実施例におけるラッチは構造がよりシンプルであり、コストがより低く、回路面積がより小さく、ラッチは既存のCMOS技術と互換的であり、既存の論理回路のインテグリティが改善できる。
図5は、本発明の実施例による更なる他のラッチの回路構造の概略図である。本実施例と図4に示される実施例との相違は、本実施例では、電圧コンバータは2つの電界効果トランジスタを利用することによって実現される点である。図5を参照して、本実施例におけるラッチは、電界効果トランジスタS1、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM、ブリーダ回路R、電界効果トランジスタS2及び電界効果トランジスタS3を含む。電界効果トランジスタS2と電界効果トランジスタS3とは一緒に電圧コンバータを構成する。電界効果トランジスタS2と電界効果トランジスタS3とは極性が反対である。すなわち、電界効果トランジスタS2がN型電界効果トランジスタであるとき、電界効果トランジスタS3はP型電界効果トランジスタであるか、あるいは、電界効果トランジスタS2がP型電界効果トランジスタであるとき、電界効果トランジスタS3はN型電界効果トランジスタである。
電界効果トランジスタS1のゲートは制御信号を入力するよう構成され、電界効果トランジスタS1のドレインはラッチの入力エンドであり、電界効果トランジスタS1のソースは抵抗型ランダム・アクセス・メモリMの正極、ブリーダレジスタRの第1のエンド、電界効果トランジスタS2のゲート及び電界効果トランジスタS3のゲートに接続される。抵抗型ランダム・アクセス・メモリMの負極は制御電源に接続される。ブリーダレジスタRの第2のエンドは接地される。電界効果トランジスタS2のゲートは電界効果トランジスタS1のソースに接続され、電界効果トランジスタS2のソースは外部電源に接続され、電界効果トランジスタS2のドレインはラッチの出力エンドである。電界効果トランジスタS3のゲートは電界効果トランジスタS1のソースに接続され、電界効果トランジスタS3のソースは接地され、電界効果トランジスタS3のドレインはラッチの出力エンドである。
本実施例では、電圧コンバータの動作原理は、具体的には、CLK=1かつVIN=1であり、抵抗型ランダム・アクセス・メモリMが低抵抗状態を提示するとき、ブリーダレジスタRの電圧は入力信号の電圧VINに等しく、ブリーダレジスタRの電圧は電界効果トランジスタS2がオンであり、電界効果トランジスタS3がオフであり、ラッチが高レベルを出力することを可能にする、ということである。制御信号が高レベルから低レベルに変わるとき、すなわち、CLK=0かつVIN=1であるとき、ブリーダレジスタRの電圧は(R/(Rm+R))*Vmである。この場合、抵抗型ランダム・アクセス・メモリMは低抵抗状態を維持し、Rmはかなり小さく、ブリーダレジスタRの電圧は約Vmであり、ブリーダレジスタRの電圧は、電界効果トランジスタS2がオンであり、電界効果トランジスタS3がオフであり、ラッチが高レベルを依然として出力することを可能にする。
CLK=1かつVIN=0であるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリMは高抵抗状態を提示する。ブリーダレジスタRの電圧は、ラッチの入力電圧に等しく、すなわち、ブリーダレジスタRの電圧は0Vであり、ブリーダレジスタRの電圧は、電界効果トランジスタS2がオフであり、電界効果トランジスタS3がオンであり、ラッチが低レベルを出力することを可能にする。制御信号が高レベルから低レベルに変わるとき、すなわち、CLK=0かつVIN=0であるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリMは依然として高抵抗状態を維持するため、Rmはかなり大きく、ブリーダレジスタRの電圧は(R/(Rm+R))*Vmであって、約0であり、ブリーダレジスタRの電圧は、電界効果トランジスタS2がオフであり、電界効果トランジスタS3がオンであり、ラッチが低レベルを依然として出力することを可能にする。
本実施例において提供されるラッチの動作原理について、図2に示される実施例の説明が参照されてもよく、詳細はここでは再説明されない。本実施例におけるラッチは、3つの電界効果トランジスタ、1つの抵抗型ランダム・アクセス・メモリ及び1つのレジスタを含む。5つのコンポーネントしか使用されていないため、従来技術におけるラッチと比較して、本実施例におけるラッチは構造がよりシンプルであり、コストがより低い。
図6は、本発明の実施例によるDフリップ・フロップの回路構造の概略図である。本実施例において提供されるDフリップ・フロップは、マスタ・スレーブ構造において2つのラッチを直列的に接続することを含み、ラッチは図2に示されるラッチである。図6に示されるように、本実施例において提供されるDフリップ・フロップは、第1のラッチと第2のラッチとを含む。第1のラッチは、第1のスイッチ、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM1、第1のブリーダ回路及び第1の電圧コンバータを含む。第2のラッチは、第2のスイッチ、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM2、第2のブリーダ回路及び第2の電圧コンバータを含む。
本発明の本実施例では、第1のラッチの出力エンドは第2のラッチの入力エンドとして使用される。第1のスイッチの第1のエンドと第2のスイッチの第1のエンドとは、制御信号を入力するよう構成される。第1のスイッチと第2のスイッチとは、制御信号の制御の下で同時にはオン状態にはならず、すなわち、第1のスイッチがオンであるとき、第2のスイッチはオフであるか、あるいは、第1のスイッチがオフであるとき、第2のスイッチはオンである。
第1のスイッチの第2のエンドはDフリップ・フロップの入力エンドである。第2のラッチの第2の電圧コンバータの出力エンドはDフリップ・フロップの出力エンドであり、すなわち、第2の電圧コンバータの出力エンドはDフリップ・フロップの出力エンドである。
図7は、図6に示されるDフリップ・フロップのシーケンス図である。以下は、具体的には、図6及び図7を参照して、本実施例において提供されるDフリップ・フロップの動作原理を説明する。本実施例では、Dフリップ・フロップのフォーリングエッジが有効である具体例が説明のため用いられる。説明の簡単化のため、本発明の本実施例では、第1のラッチのスイッチは第1のスイッチと呼ばれ、第2のラッチのスイッチは第2のスイッチと呼ばれる。
制御信号が高レベルにあるとき、ここで、制御信号はクロック信号であってもよく、すなわち、CLK=1であるとき、第1のスイッチはオンであり、Dフリップ・フロップの入力信号が高レベルであり、すなわち、VIN=1である場合、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM1は低抵抗状態に設定され、第1の電圧コンバータは高レベルを出力する。一方、第2のスイッチはオフであり、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM2が高抵抗状態に設定され、第2の電圧コンバータが低レベルを出力、すなわち、Dフリップ・フロップが低レベルを出力する。クロック信号が高レベルから低レベルに変わるとき、すなわち、CLK=0であるとき、第1のスイッチはオフであり、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM1は低抵抗状態を維持し、第1の電圧コンバータは高レベルを出力する。一方、第2のスイッチはオンであり、第2のラッチの入力信号は高レベルにあり、すなわち、VIN=1であり、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM2は低抵抗状態に設定され、第2の電圧コンバータは高レベルを出力する。すなわち、クロック信号が高レベルから低レベルに変わると、Dフリップ・フロップはクロック信号が高レベルにあるときの入力信号を維持する。
制御信号が高レベルにあるとき、すなわち、CLK=1であるとき、第1のスイッチはオンであり、Dフリップ・フロップの入力信号が低レベルにあり、すなわち、VIN=0である場合、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM1は高抵抗状態に設定され、第1の電圧コンバータは低レベルを出力する。第2のスイッチはオフであるため、CLK=1であるとき、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM2は高抵抗状態に設定され、第2の電圧コンバータは低レベルを出力し、すなわち、Dフリップ・フロップは低レベルを出力する。クロック信号が高レベルから低レベルに変わるとき、すなわち、CLK=0であるとき、第1のスイッチはオン状態からオフ状態に変わり、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM1は高抵抗状態を維持し、第1の電圧コンバータは低レベルを出力する。第2のスイッチがオンであるため、CLK=0であるとき、第2のラッチの入力信号は低レベルにあり、すなわち、VIN=0であり、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM2は高抵抗状態を維持し、第2の電圧コンバータは低レベルを出力する。すなわち、クロック信号が高レベルから低レベルに変わるとき、Dフリップ・フロップはクロック信号が高レベルにあるときの入力信号を維持する。
図7に示されるように、第1のフォーリングエッジが到来すると、VIN=1であり、Dフリップ・フロップの出力は低レベルから高レベルに変わり、Dフリップ・フロップは高レベルを維持し、第2のフォーリングエッジが到来すると、VIN=1であり、従って、Dフリップ・フロップは高レベルを維持し続け、第3のフォーリングエッジが到来すると、VIN=0であり、Dフリップ・フロップは高レベルから低レベルに変わり、低レベルを維持し、第4のフォーリングエッジが到来すると、VIN=0であり、Dフリップ・フロップは低レベルを維持し続ける。
本実施例におけるDフリップフロップは、抵抗型ランダム・アクセス・メモリを利用することによって構成される2つのラッチをカスケード化することを含み、Dフリップ・フロップのラッチ機能は抵抗型ランダム・アクセス・メモリの間の抵抗状態の相違によって実現される。従来技術と比較して、本実施例における解決策によると、不揮発性が実現され、より少ないコンポーネントが解決策において使用されるため、回路構造はシンプルであり、回路面積が減少し、Dフリップ・フロップは既存のCMOS技術と互換的であり、既存の論理回路のインテグリティが改善できる。
図8は、本発明の実施例による他のDフリップ・フロップの回路構造の概略図である。本実施例と図6に示される実施例との間の相違は、本実施例における第1のラッチ及び第2のラッチでは、スイッチは1つの電界効果トランジスタを利用することによって実現され、ブリーダ回路はレジスタを利用することによって実現される点である。図8に示されるように、本実施例において提供されるDフリップ・フロップは、第1のラッチと第2のラッチとを含む。第1のラッチは、電界効果トランジスタS1、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM1、ブリーダレジスタR1及び第1の電圧コンバータを含む。第2のラッチは、電界効果トランジスタS2、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM2、ブリーダレジスタR2及び第2の電圧コンバータを含む。
電界効果トランジスタS1のゲートは制御信号を入力するよう構成され、電界効果トランジスタS1のドレインはDフリップ・フロップの入力エンドである。第1の電圧コンバータの出力エンドは、電界効果トランジスタS2のドレインに接続される。電界効果トランジスタS2のゲートは、制御信号を入力するよう構成される。第2の電圧コンバータの出力エンドはDフリップ・フロップの出力エンドである。本実施例では、電界効果トランジスタS1がP型電界効果トランジスタであるとき、電界効果トランジスタS2はN型電界効果トランジスタであるか、あるいは、電界効果トランジスタS1がN型電界効果トランジスタであるとき、電界効果トランジスタS2はP型電界効果トランジスタである。
本実施例において提供されるDフリップ・フロップの動作原理について、図6に示される実施例の説明が参照されてもよく、ここでは詳細は再説明されない。よる少ないコンポーネントが本実施例におけるDフリップ・フロップにおいて利用され、これにより、従来技術におけるDフリップ・フロップと比較して、本実施例におけるDフリップ・フロップは構造がよりシンプルであり、コストがより低い。
図9は、本発明の実施例による更なる他のDフリップ・フロップの回路構造の概略図である。本実施例と図8に示される実施例との間の相違は、本実施例では、第1の電圧コンバータと第2の電圧コンバータとはそれぞれ2つの電界効果トランジスタを利用することによって実現される点である。図9を参照して、本実施例におけるDフリップ・フロップは、第1のラッチと第2のラッチとを含む。第1のラッチは、電界効果トランジスタS1、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM1、ブリーダレジスタR1、電界効果トランジスタS2及び電界効果トランジスタS3を含む。電界効果トランジスタS2と電界効果トランジスタS3とは、第1の電圧コンバータを構成する。第2のラッチは、電界効果トランジスタS4、抵抗型ランダム・アクセス・メモリM2、ブリーダレジスタR2、電界効果トランジスタS5及び電界効果トランジスタS6を含む。電界効果トランジスタS5と電界効果トランジスタS6とは第2の電圧コンバータを構成する。
電界効果トランジスタS1、電界効果トランジスタS2及び電界効果トランジスタS5はN型電界効果トランジスタであってもよく、電界効果トランジスタS3、電界効果トランジスタS4及び電界効果トランジスタS6はP型電界効果トランジスタである。あるいは、電界効果トランジスタS1、電界効果トランジスタS2及び電界効果トランジスタS5はP型電界効果トランジスタであってもよく、電界効果トランジスタS3、電界効果トランジスタS4及び電界効果トランジスタS6はN型電界効果トランジスタである。
本実施例において提供されるDフリップ・フロップの動作原理について、図6に示される実施例の説明が参照されてもよく、ここでは詳細は再説明されない。本実施例におけるDフリップ・フロップによると、不揮発性ラッチ機能が実現され、より少ないコンポーネントが利用され、これにより、従来技術におけるDフリップ・フロップと比較して、本実施例におけるDフリップ・フロップは構造がよりシンプルであり、コストがより低い。
本出願において提供される実施例は単なる例示であることが留意されるべきである。当業者は、便利かつ簡潔な説明のため、上記の実施例において、実施例の説明は各自の着目を有することを明確に理解しうる。実施例において詳細には説明されない部分について、他の実施例における関連する説明が参照されてもよい。本発明の実施例に開示される特徴、請求項又は添付図面は、独立して存在してもよいし、あるいは、組み合わされた方式で存在してもよく、ハードウェアの形式で本発明の実施例において説明される特徴は、ここに限定されず、ソフトウェアによって実行されてもよく、その反対であってもよい。
Claims (9)
- スイッチ、抵抗型ランダム・アクセス・メモリ、ブリーダ回路及び電圧コンバータを有するラッチであって、
前記スイッチの第1のエンドは制御信号を入力するよう構成され、前記制御信号は、オン状態又はオフ状態になるよう前記スイッチを制御するのに利用され、
前記スイッチの第2のエンドは前記ラッチの入力エンドであり、
前記スイッチの第3のエンドは、前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリの正極、前記ブリーダ回路の第1のエンド及び前記電圧コンバータの入力エンドに接続され、
前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリの負極は制御電源に接続され、
前記ブリーダ回路の第2のエンドは接地され、
前記電圧コンバータの出力エンドは前記ラッチの出力エンドであり、
前記スイッチが前記オン状態にあるとき、前記電圧コンバータは、前記ラッチの入力信号に従って前記ラッチの出力信号を出力するよう構成され、前記ラッチの出力信号は前記ラッチの入力信号に一致したままであり、
前記スイッチが前記オン状態から前記オフ状態に変化するとき、前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリは、前記スイッチが前記オフ状態にあるときの前記ラッチの出力信号が前記スイッチが前記オン状態にあるときの前記ラッチの出力信号に一致したままになることを可能にするため、前記ブリーダ回路と一緒に動作するよう構成されるラッチ。 - 前記スイッチが前記オン状態にあるとき、前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリは、前記制御電源の電圧と前記ラッチの入力信号の電圧との間の差分に従って抵抗状態を提示するよう構成され、
前記スイッチが前記オン状態から前記オフ状態に変化するとき、前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリは更に、前記スイッチが前記オフ状態にあるときの前記ラッチの出力信号が前記スイッチが前記オン状態にあるときの前記ラッチの出力信号に一致したままになるように、前記ブリーダ回路の電圧が所定の条件を充足することを可能にするため前記抵抗状態を維持するよう構成される、請求項1記載のラッチ。 - 前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリが前記抵抗状態を維持するとき、前記ブリーダ回路の電圧は(R/(Rm+R))*Vmであり、Rは前記ブリーダ回路の抵抗値であり、Rmは前記第1の抵抗状態における前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリの抵抗値であり、Vmは前記制御電源の電圧であり、前記第1の抵抗状態は高抵抗状態又は低抵抗状態である、請求項2記載のラッチ。
- 前記電圧コンバータは、前記ブリーダ回路の電圧が電圧変換閾値以上である場合、前記ブリーダ回路の電圧を高レベルに変換し、又は、前記ブリーダ回路の電圧が前記電圧変換閾値未満である場合、前記ブリーダ回路の電圧を低レベルに変換するよう構成され、
前記電圧変換閾値は、以下の条件、(R/(R+Rmh))Vm≦Vth≦(R/(R+Rml))Vmを充足し、Vthは前記電圧変換閾値であり、Rmlは前記低抵抗状態における前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリの抵抗値であり、Rmhは前記高抵抗状態における前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリの抵抗値である、請求項3記載のラッチ。 - 前記スイッチは電界効果トランジスタを有し、前記電界効果トランジスタのゲートは前記制御信号を入力するよう構成され、前記電界効果トランジスタのドレインは前記ラッチの入力エンドであり、前記電界効果トランジスタのソースは前記抵抗型ランダム・アクセス・メモリの正極、前記ブリーダ回路の第1のエンド及び前記電圧コンバータの入力エンドに接続される、請求項1乃至4何れか一項記載のラッチ。
- 前記電界効果トランジスタは、P型電界効果トランジスタ又はN型電界効果トランジスタである、請求項5記載のラッチ。
- 前記ブリーダ回路はブリーダレジスタである、請求項1乃至6何れか一項記載のラッチ。
- 請求項1乃至7何れか一項記載の少なくとも2つのラッチを有するDフリップ・フロップであって、
前記少なくとも2つのラッチは、第1のラッチと第2のラッチとを有し、
前記第1のラッチの出力エンドは、前記第2のラッチの入力エンドとして利用され、
前記第1のラッチのスイッチの第1のエンドと前記第2のラッチのスイッチの第1のエンドとは、制御信号を入力するよう構成され、前記第1のラッチのスイッチと前記第2のラッチのスイッチとは、前記制御信号の制御の下で同時にオン状態にならず、
前記第1のラッチのスイッチの第2のエンドは前記Dフリップ・フロップの入力エンドであり、
前記第2のラッチの電圧コンバータの出力エンドは、前記Dフリップ・フロップの出力エンドであるDフリップ・フロップ。 - 前記第1のラッチのスイッチがP型電界効果トランジスタであるとき、前記第2のラッチのスイッチはN型電界効果トランジスタであるか、又は、
前記第1のラッチのスイッチがN型電界効果トランジスタであるとき、前記第2のラッチのスイッチはP型電界効果トランジスタである、請求項8記載のDフリップ・フロップ。
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