JP2017514279A5 - - Google Patents

Description

これらの欠陥（図２と同倍率）は当初の気泡よりもかなり大きくなっている。
本発明の代表的な態様としては、以下を挙げることができる：
《態様１》
ＯＬＥＤ用の被支持透明電極であって、
（ｉ）無機ガラス製の透明基材、
（ｉｉ）少なくとも３０重量％のＢｉ ₂ Ｏ ₃ を含む高屈折率エナメルから形成された散乱層、
（ｉｉｉ）ＡＬＤにより被着された、Ａｌ ₂ Ｏ ₃ 、ＴｉＯ ₂ 、ＺｒＯ ₂ 及びＨｆＯ ₂ からなる群より選ばれた少なくとも１種の誘電性金属酸化物のバリア層、及び、
（ｉｖ）透明導電性酸化物（ＴＣＯ）の層、
を連続して含む、ＯＬＥＤ用の被支持透明電極。
《態様２》
ＡＬＤにより被着されたバリア層が複数のＡｌ ₂ Ｏ ₃ 層を、ＴｉＯ ₂ 、ＺｒＯ ₂ 及びＨｆＯ ₂ から選ばれるより高い屈折率（ｎ＞２）の酸化物の層と交互に含むことを特徴とする、態様１記載の電極。
《態様３》
ＴＣＯ層の下又は上にあり、それと直接接触している金属グリッドをさらに含むことを特徴とする、態様１又は２記載の電極。
《態様４》
ＡＬＤにより被着されたバリア層の厚さが５ｎｍと２００ｎｍの間、好ましくは１０ｎｍと１００ｎｍの間であることを特徴とする、態様１〜３のいずれか１つに記載の電極。
《態様５》
散乱層を形成する高屈折率エナメルが、層の厚さを通して分散されている光を散乱する要素を含むことを特徴とする、態様１〜４のいずれか１つに記載の電極。
《態様６》
高屈折率エナメルとより低屈折率の下層の媒体との界面が、算術平均偏差Ｒ _a が少なくとも０．１μｍであり、好ましくは０．２μｍと５μｍの間、特に０．３μｍと３μｍの間である粗さプロファイルを有することを特徴とする、態様１〜５のいずれか１つに記載の電極。
《態様７》
態様１〜６のいずれか１つに記載の電極を含むＯＬＥＤ。
《態様８》
態様１〜６のいずれか１つに記載のＯＬＥＤ用被支持透明電極の製造方法であって、下記の一連の工程、すなわち、
（ａ）少なくとも３０重量％のＢｉ ₂ Ｏ ₃ を含む高屈折率エナメルから形成された散乱層を一方の面上で支持する透明基材を提供する工程、
（ｂ）原子層堆積（ＡＬＤ）により、前記高屈折率エナメル上にそれと直接接触させて、Ａｌ ₂ Ｏ ₃ 、ＴｉＯ ₂ 、ＺｒＯ ₂ 及びＨｆＯ ₂ からなる群より選ばれる少なくとも１種の誘電性金属酸化物のバリア層を形成する工程、及び、
（ｃ）前記誘電性金属酸化物層（ｂ）の上に透明導電性酸化物（ＴＣＯ）の層を形成する工程、
を含む、ＯＬＥＤ用被支持透明電極の製造方法。
《態様９》
前記透明導電性酸化物の層と直接接触する金属グリッドを形成する工程（ｄ）であって、少なくとも１つの酸エッチングの工程を含む工程（ｄ）をさらに含むことを特徴とする、態様８記載の方法。
《態様１０》
工程（ｄ）を工程（ｂ）の後でかつ工程（ｃ）の前に行って、金属グリッドが誘電性金属酸化物バリア層とＴＣＯ層の両方に接触するようにすることを特徴とする、態様９記載の方法。
《態様１１》
工程（ｄ）を工程（ｃ）の後に行って、金属グリッドがＴＣＯ層と接触するが金属酸化物バリア層とは接触しないようにすることを特徴とする、態様９記載の方法。

Claims (11)

1. ＯＬＥＤ用の被支持透明電極であって、
   （ｉ）無機ガラス製の透明基材、
   （ｉｉ）少なくとも３０重量％のＢｉ₂Ｏ₃を含む高屈折率エナメルから形成された散乱層、
   （ｉｉｉ）ＡＬＤにより被着された、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂及びＨｆＯ₂からなる群より選ばれた少なくとも１種の誘電性金属酸化物のバリア層、及び、
   （ｉｖ）透明導電性酸化物（ＴＣＯ）の層、
   を連続して含む、ＯＬＥＤ用の被支持透明電極。
2. ＡＬＤにより被着されたバリア層が複数のＡｌ₂Ｏ₃層を、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂及びＨｆＯ₂から選ばれるより高い屈折率（ｎ＞２）の酸化物の層と交互に含むことを特徴とする、請求項１記載の電極。
3. ＴＣＯ層の下又は上にあり、それと直接接触している金属グリッドをさらに含むことを特徴とする、請求項１又は２記載の電極。
4. ＡＬＤにより被着されたバリア層の厚さが５ｎｍと２００ｎｍの間であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項記載の電極。
5. 散乱層を形成する高屈折率エナメルが、層の厚さを通して分散されている光を散乱する要素を含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項記載の電極。
6. 高屈折率エナメルとより低屈折率の下層の媒体との界面が、算術平均偏差Ｒ_aが少なくとも０．１μｍである粗さプロファイルを有することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項記載の電極。
7. 請求項１〜６のいずれか１項記載の電極を含むＯＬＥＤ。
8. 請求項１〜６のいずれか１項記載のＯＬＥＤ用被支持透明電極の製造方法であって、下記の一連の工程、すなわち、
   （ａ）少なくとも３０重量％のＢｉ₂Ｏ₃を含む高屈折率エナメルから形成された散乱層を一方の面上で支持する透明基材を提供する工程、
   （ｂ）原子層堆積（ＡＬＤ）により、前記高屈折率エナメル上にそれと直接接触させて、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂及びＨｆＯ₂からなる群より選ばれる少なくとも１種の誘電性金属酸化物のバリア層を形成する工程、及び、
   （ｃ）前記誘電性金属酸化物層（ｂ）の上に透明導電性酸化物（ＴＣＯ）の層を形成する工程、
   を含む、ＯＬＥＤ用被支持透明電極の製造方法。
9. 前記透明導電性酸化物の層と直接接触する金属グリッドを形成する工程（ｄ）であって、少なくとも１つの酸エッチングの工程を含む工程（ｄ）をさらに含むことを特徴とする、請求項８記載の方法。
10. 工程（ｄ）を工程（ｂ）の後でかつ工程（ｃ）の前に行って、金属グリッドが誘電性金属酸化物バリア層とＴＣＯ層の両方に接触するようにすることを特徴とする、請求項９記載の方法。
11. 工程（ｄ）を工程（ｃ）の後に行って、金属グリッドがＴＣＯ層と接触するが金属酸化物バリア層とは接触しないようにすることを特徴とする、請求項９記載の方法。