JP2017528399A5 - - Google Patents
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Description
図３は、本発明による上記の例１、２及び３の各々について投影図（左）及び断面図（右）を示している。
本発明の代表的な態様としては、以下を挙げることができる：
《態様１》
少なくとも下記の工程を含む、発光デバイスのための積層基材の作製方法：
（ａ）５５０ｎｍでの屈折率が１．４５と１．６５の間であるガラス基材（１）を用意する工程、
（ｂ）前記ガラス基材の１つの面を金属酸化物層（２）で被覆する工程、
（ｃ）前記金属酸化物層（２）を、５５０ｎｍでの屈折率が少なくとも１．７でありＢｉ ２ Ｏ ３ を少なくとも３０重量％含むガラスフリット（３）で被覆する工程、
（ｄ）得られた被覆したガラス基材を５３０℃と６２０℃の間に含まれる温度で焼成して、金属酸化物を、溶融しているガラスフリットと反応させ、そしてガラス基材との界面付近のエナメル層の下方部分に埋め込まれた複数の球状空隙（５）を含む高屈折率エナメル層（４）を形成する工程。
《態様２》
前記金属酸化物層の厚さが５ｎｍと８０ｎｍの間であり、好ましくは１０ｎｍと４０ｎｍの間、より好ましくは１５ｎｍと３０ｎｍの間である、態様１記載の方法。
《態様３》
前記金属酸化物を、ＴｉＯ ２ 、Ａｌ ２ Ｏ ３ 、ＺｒＯ ２ 、Ｎｂ ２ Ｏ ５ 、ＨｆＯ ２ 、Ｔａ ２ Ｏ ５ 、ＷＯ ３ 、Ｇａ ２ Ｏ ３ 、Ｉｎ ２ Ｏ ３ 及びＳｎＯ ２ 、並びにそれらの混合物からなる群より選ぶ、態様１又は２記載の方法。
《態様４》
前記ガラスフリットの屈折率が１．７０と２．２０の間、好ましくは１．８０と２．１０の間に含まれる、態様１〜３のいずれか１つに記載の方法。
《態様５》
前記ガラスフリットが少なくとも５０重量％、好ましくは少なくとも６０重量％のＢｉ ２ Ｏ ３ を含む、態様１〜４のいずれか１つに記載の方法。
《態様６》
前記高屈折率ガラスフリットの溶融を５４０℃と６００℃の間に含まれる温度で行う、態様１〜５のいずれか１つに記載の方法。
《態様７》
（ｅ）前記高屈折率エナメル層（４）を透明導電性層（ＴＣＬ）で被覆すること，
をさらに含む、態様１〜６のいずれか１つに記載の方法。
《態様８》
態様１〜７のいずれか１つに記載の方法により得ることができる積層基材であり、
（ｉ）屈折率が１．４５と１．６５の間であるガラス基材（１）、
（ｉｉ）少なくとも３０重量％のＢｉ ２ Ｏ ３ を含み、５５０ｎｍでの屈折率が少なくとも１．７である、高屈折率ガラスエナメル層（４）、
を含む積層基材であって、
高屈折率エナメル層と下にあるガラス基材との界面付近において該エナメル層中に複数の球状空隙（５）が埋め込まれており、球状空隙の少なくとも９５％、好ましくは少なくとも９９％、より好ましくは本質的にすべてが、該エナメル層の厚さの半分よりも有意に小さい直径を有し、且つ下にあるガラス基材（１）との界面（７）の付近において該高屈折率エナメル層の下方半分に位置していることを特徴とする積層基材。
《態様９》
前記球状空隙の平均相当球径が０．２μｍと８μｍの間であり、好ましくは０．４μｍと４μｍの間、より好ましくは０．５μｍと３μｍの間である、態様８記載の積層基材。
《態様１０》
前記高屈折率エナメル層の厚さが３μｍと２５μｍの間に含まれ、好ましくは４μｍと２０μｍの間、より好ましくは５μｍと１５μｍの間に含まれる、態様８又は９記載の積層基材。
《態様１１》
前記球状空隙が下にあるガラス基材と接触している、態様８〜１０のいずれか１つに記載の積層基材。
《態様１２》
前記球状空隙が下にあるガラス基材（１）と接触している個別の空隙の単層を形成している、態様８〜１１のいずれか１つに記載の積層基材。
《態様１３》
（ｉｉｉ）前記高屈折率エナメル層（４）上の透明導電性層（６）、をさらに含む、態様８〜１２のいずれか１つに記載の積層基材。
本発明の代表的な態様としては、以下を挙げることができる：
《態様１》
少なくとも下記の工程を含む、発光デバイスのための積層基材の作製方法：
（ａ）５５０ｎｍでの屈折率が１．４５と１．６５の間であるガラス基材（１）を用意する工程、
（ｂ）前記ガラス基材の１つの面を金属酸化物層（２）で被覆する工程、
（ｃ）前記金属酸化物層（２）を、５５０ｎｍでの屈折率が少なくとも１．７でありＢｉ ２ Ｏ ３ を少なくとも３０重量％含むガラスフリット（３）で被覆する工程、
（ｄ）得られた被覆したガラス基材を５３０℃と６２０℃の間に含まれる温度で焼成して、金属酸化物を、溶融しているガラスフリットと反応させ、そしてガラス基材との界面付近のエナメル層の下方部分に埋め込まれた複数の球状空隙（５）を含む高屈折率エナメル層（４）を形成する工程。
《態様２》
前記金属酸化物層の厚さが５ｎｍと８０ｎｍの間であり、好ましくは１０ｎｍと４０ｎｍの間、より好ましくは１５ｎｍと３０ｎｍの間である、態様１記載の方法。
《態様３》
前記金属酸化物を、ＴｉＯ ２ 、Ａｌ ２ Ｏ ３ 、ＺｒＯ ２ 、Ｎｂ ２ Ｏ ５ 、ＨｆＯ ２ 、Ｔａ ２ Ｏ ５ 、ＷＯ ３ 、Ｇａ ２ Ｏ ３ 、Ｉｎ ２ Ｏ ３ 及びＳｎＯ ２ 、並びにそれらの混合物からなる群より選ぶ、態様１又は２記載の方法。
《態様４》
前記ガラスフリットの屈折率が１．７０と２．２０の間、好ましくは１．８０と２．１０の間に含まれる、態様１〜３のいずれか１つに記載の方法。
《態様５》
前記ガラスフリットが少なくとも５０重量％、好ましくは少なくとも６０重量％のＢｉ ２ Ｏ ３ を含む、態様１〜４のいずれか１つに記載の方法。
《態様６》
前記高屈折率ガラスフリットの溶融を５４０℃と６００℃の間に含まれる温度で行う、態様１〜５のいずれか１つに記載の方法。
《態様７》
（ｅ）前記高屈折率エナメル層（４）を透明導電性層（ＴＣＬ）で被覆すること，
をさらに含む、態様１〜６のいずれか１つに記載の方法。
《態様８》
態様１〜７のいずれか１つに記載の方法により得ることができる積層基材であり、
（ｉ）屈折率が１．４５と１．６５の間であるガラス基材（１）、
（ｉｉ）少なくとも３０重量％のＢｉ ２ Ｏ ３ を含み、５５０ｎｍでの屈折率が少なくとも１．７である、高屈折率ガラスエナメル層（４）、
を含む積層基材であって、
高屈折率エナメル層と下にあるガラス基材との界面付近において該エナメル層中に複数の球状空隙（５）が埋め込まれており、球状空隙の少なくとも９５％、好ましくは少なくとも９９％、より好ましくは本質的にすべてが、該エナメル層の厚さの半分よりも有意に小さい直径を有し、且つ下にあるガラス基材（１）との界面（７）の付近において該高屈折率エナメル層の下方半分に位置していることを特徴とする積層基材。
《態様９》
前記球状空隙の平均相当球径が０．２μｍと８μｍの間であり、好ましくは０．４μｍと４μｍの間、より好ましくは０．５μｍと３μｍの間である、態様８記載の積層基材。
《態様１０》
前記高屈折率エナメル層の厚さが３μｍと２５μｍの間に含まれ、好ましくは４μｍと２０μｍの間、より好ましくは５μｍと１５μｍの間に含まれる、態様８又は９記載の積層基材。
《態様１１》
前記球状空隙が下にあるガラス基材と接触している、態様８〜１０のいずれか１つに記載の積層基材。
《態様１２》
前記球状空隙が下にあるガラス基材（１）と接触している個別の空隙の単層を形成している、態様８〜１１のいずれか１つに記載の積層基材。
《態様１３》
（ｉｉｉ）前記高屈折率エナメル層（４）上の透明導電性層（６）、をさらに含む、態様８〜１２のいずれか１つに記載の積層基材。
Claims (13)
- 少なくとも下記の工程を含む、発光デバイスのための積層基材の作製方法：
（ａ）５５０ｎｍでの屈折率が１．４５と１．６５の間であるガラス基材（１）を用意する工程、
（ｂ）前記ガラス基材の１つの面を金属酸化物層（２）で被覆する工程、
（ｃ）前記金属酸化物層（２）を、５５０ｎｍでの屈折率が少なくとも１．７でありＢｉ２Ｏ３を少なくとも３０重量％含むガラスフリット（３）で被覆する工程、
（ｄ）得られた被覆したガラス基材を５３０℃と６２０℃の間に含まれる温度で焼成して、金属酸化物を、溶融しているガラスフリットと反応させ、そしてガラス基材との界面付近のエナメル層の下方部分に埋め込まれた複数の球状空隙（５）を含む高屈折率エナメル層（４）を形成する工程。 - 前記金属酸化物層の厚さが５ｎｍと８０ｎｍの間である、請求項１記載の方法。
- 前記金属酸化物を、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＨｆＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３及びＳｎＯ２、並びにそれらの混合物からなる群より選ぶ、請求項１又は２記載の方法。
- 前記ガラスフリットの屈折率が１．７０と２．２０の間に含まれる、請求項１〜３のいずれか１項記載の方法。
- 前記ガラスフリットが少なくとも５０重量％のＢｉ２Ｏ３を含む、請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。
- 前記高屈折率ガラスフリットの溶融を５４０℃と６００℃の間に含まれる温度で行う、請求項１〜５のいずれか１項記載の方法。
- （ｅ）前記高屈折率エナメル層（４）を透明導電性層（ＴＣＬ）で被覆すること，
をさらに含む、請求項１〜６のいずれか１項記載の方法。 - 次のものを含む積層基材、すなわち、
（ｉ）屈折率が１．４５と１．６５の間であるガラス基材（１）、
（ｉｉ）少なくとも３０重量％のＢｉ２Ｏ３を含み、５５０ｎｍでの屈折率が少なくとも１．７である、高屈折率ガラスエナメル層（４）、
を含む積層基材であって、
高屈折率エナメル層と下にあるガラス基材との界面付近において該エナメル層中に複数の球状空隙（５）が埋め込まれており、球状空隙の少なくとも９５％が、該エナメル層の厚さの半分よりも有意に小さい直径を有し、且つ下にあるガラス基材（１）との界面（７）の付近において該高屈折率エナメル層の下方半分に位置していることを特徴とする積層基材。 - 前記球状空隙の平均相当球径が０．２μｍと８μｍの間である、請求項８記載の積層基材。
- 前記高屈折率エナメル層の厚さが３μｍと２５μｍの間に含まれる、請求項８又は９記載の積層基材。
- 前記球状空隙が下にあるガラス基材と接触している、請求項８〜１０のいずれか１項記載の積層基材。
- 前記球状空隙が下にあるガラス基材（１）と接触している個別の空隙の単層を形成している、請求項８〜１１のいずれか１項記載の積層基材。
- （ｉｉｉ）前記高屈折率エナメル層（４）上の透明導電性層（６）、をさらに含む、請求項８〜１２のいずれか１項記載の積層基材。
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