JP2013545215A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2013545215A5
JP2013545215A5 JP2013527306A JP2013527306A JP2013545215A5 JP 2013545215 A5 JP2013545215 A5 JP 2013545215A5 JP 2013527306 A JP2013527306 A JP 2013527306A JP 2013527306 A JP2013527306 A JP 2013527306A JP 2013545215 A5 JP2013545215 A5 JP 2013545215A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
paste
microns
range
size
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013527306A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013545215A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/US2011/050145 external-priority patent/WO2012031078A1/en
Publication of JP2013545215A publication Critical patent/JP2013545215A/ja
Publication of JP2013545215A5 publication Critical patent/JP2013545215A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Claims (44)

  1. a: 電導性ペーストの全重量に対して65−90重量%の銀粉末と、
    b: 電導性ペーストの全重量に対して0.1−10重量%の少なくとも1種類のガラス・フリットと、
    c: ジルコニウム、ビスマス、アルミニウム、及びそれらの組み合わせで構成される群から選択される金属の少なくとも1つの酸化物あるいは粘土の分離されて区別される部分と、そして
    d: バリウム、カルシウム、マグネシウム、シリコン、及びそれらの組み合わせで構成される群から選択される金属の少なくとも1つの酸化物あるいは粘土の分離されて区別 される部分
    とで構成される電導性ペースト。
  2. 前記銀粉末が第1のD50平均粒子サイズと第2のD50平均粒子サイズを有する少なくとも二様の粒子サイズ分布を有していることを特徴とする、請求項1記載のペースト。
  3. 前記銀粉末が第1のD50平均粒子サイズを有する銀の第1の部分と、第2のD50平均粒子サイズを有する銀の第2の部分と、第3のD50平均粒子サイズを有する銀の第3の部分を有する少なくとも三様の粒子サイズ分布を有していることを特徴とする、請求項1記載のペースト。
  4. 前記第1のD50サイズが0.5−5ミクロンの範囲であり、前記第2のD50サイズが0.5−2.5ミクロンの範囲であり、前記第3のD50サイズが0.1−1.5ミクロンの範囲であり、これらD50サイズが相互に少なくとも0.1ミクロンは違っていることを特徴とする、請求項3記載のペースト。
  5. 前記第1のD50サイズが1−4.5ミクロンの範囲であり、前記第2のD50サイズが0.75−2.25ミクロンの範囲であり、前記第3のD50サイズが0.3−1.3ミクロンの範囲であることを特徴とする、請求項4記載のペースト。
  6. 前記第1のD50サイズが1.5−3.5ミクロンの範囲であり、前記第2のD50サイズが1−2ミクロンの範囲であり、前記第3のD50サイズが0.5−1.0ミクロンの範囲であることを特徴とする、請求項5記載のペースト。
  7. 前記第1のD50サイズが2−3ミクロンの範囲であり、前記第2のD50サイズが1.25−1.75ミクロンの範囲であり、前記第3のD50サイズが0.6−0.9ミクロンの範囲であることを特徴とする請求項6記載のペースト。
  8. 前記銀粉末が20−50重量%の第1の部分と、30−50重量%の第2の部分と、0.1−10重量%の第3の部分を含んでいることを特徴とする、請求項4〜7のいずれか1項記載のペースト。
  9. 前記銀粉末が25−45重量%の第1の部分と、35−45重量%の第2の部分と、2−8重量%の第3の部分を含んでいることを特徴とする、請求項4〜7のいずれか1項記載のペースト。
  10. 前記銀粉末が30−40重量%の第1の部分と、30−40重量%の第2の部分と、3−7重量%の第3の部分を含んでいることを特徴とする、請求項4〜7のいずれか1項記載のペースト。
  11. 前記第1のD50サイズが2−20ミクロンの範囲であり、前記第2のD50サイズが0.5−2.5ミクロンの範囲であり、前記第3のD50サイズが0.1−1.5ミクロンの範囲であり、これらD50サイズが相互に少なくとも0.1ミクロンは違っていることを特徴とする、請求項3記載のペースト。
  12. 前記第1のD50サイズが3−15ミクロンの範囲であり、前記第2のD50サイズが0.75−2.25ミクロンの範囲であり、前記第3のD50サイズが0.3−1.3ミクロンの範囲であることを特徴とする、請求項11記載のペースト。
  13. 前記第1のD50サイズが4−10ミクロンの範囲であり、前記第2のD50サイズが1−2ミクロンの範囲であり、前記第3のD50サイズが0.5−1.0ミクロンの範囲であることを特徴とする、請求項11記載のペースト。
  14. 前記第1のD50サイズが5−9ミクロンの範囲であり、前記第2のD50サイズが1.25−1.75ミクロンの範囲であり、前記第3のD50サイズが0.6−0.9ミクロンの範囲であることを特徴とする、請求項11記載のペースト。
  15. 前記銀粉末が40−70重量%の第1の部分と、5−25重量%の第2の部分と、1−20重量%の第3の部分を含んでいることを特徴とする、請求項11〜14のいずれか1項記載のペースト。
  16. 前記銀粉末が45−65重量%の第1の部分と、10−20重量%の第2の部分と、5−15重量%の第3の部分を含んでいることを特徴とする、請求項11〜14のいずれか1項記載のペースト。
  17. 前記銀粉末が50−60重量%の第1の部分と、12−18重量%の第2の部分と、6−10重量%の第3の部分を含んでいることを特徴とする、請求項11〜14のいずれか1項記載のペースト。
  18. 前記銀粉末が3−15ミクロンの範囲の第1のD50平均粒子サイズと、0.7−1.5ミクロンの範囲の第2のD50平均粒子サイズと、1−3ミクロンの範囲の第1のD 平均粒子サイズとを有していることを特徴とする、請求項3記載のペースト。
  19. (c)及び(d)の合計がペーストの0.01−10重量%を構成していることを特徴とする、請求項1記載のペースト。
  20. (c)の前記粘土または酸化物が前記ペーストの0.1−5重量%を構成していることを特徴とする、請求項1記載のペースト。
  21. (d)の前記粘土または酸化物が前記ペーストの0.01−2重量%を構成していることを特徴とする、請求項1記載のペースト。
  22. (c)構成成分の前記粘土または酸化物が、ジルコニウム、ビスマス、アルミニウム、及びそれらの組み合わせで構成される群から選択される金属の単純な酸化物であることを特徴とする、請求項1記載のペースト。
  23. (d)構成成分の前記粘土または酸化物が、バリウム、カルシウム、マグネシウム、シリコン、及びそれらの組み合わせで構成される群から選択される金属の粘土であることを特徴とする、請求項1記載のペースト。
  24. (c)構成成分の前記粘土または酸化物がジルコニアを含んでいることを特徴とする、請求項5記載のペースト。
  25. (c)構成成分の前記粘土または酸化物がさらにアルミナを含んでいることを特徴とする請求項24記載のペースト。
  26. (c)構成成分の前記粘土または酸化物がBiを含んでいることを特徴とする、請求項24記載のペースト。
  27. (c)構成成分の粘土あるいは酸化物がさらにベントナイトを含んでいることを特徴とする、請求項24記載のペースト。
  28. (d)の前記粘土または酸化物がさらにベントナイトを含んでいることを特徴とする、請求項27記載のペースト。
  29. (c)の前記粘土または酸化物がBiを含んでいることを特徴とする、請求項11記載のペースト。
  30. 前記ペーストが電導性ペーストの全重量に対して74−87重量%の銀粉末を含んでいることを特徴とする、請求項1記載のペースト。
  31. 少なくとも1種類のガラス・フリットがPbO、P、V、ZrO、SiO、Al、ZnO及びTaで構成される群から選択される少なくとも1つの酸化物で構成されることを特徴とする、請求項1記載のペースト。
  32. 前記少なくとも1種類のガラス・フリットがPbO、P、及びVを含んでいることを特徴とする、請求項1記載のペースト。
  33. 前記ガラス・フリットが20−40重量%のPbO、5−20重量%のP、及び45−70重量%のVを含んでいることを特徴とする、請求項32記載のペースト。
  34. 少なくとも1種類のガラス・フリットがPbO、ZnO、SiO、Al及びTaを含んでいることを特徴とする、請求項1記載のペースト。
  35. 前記少なくとも1種類のガラス・フリットが45−70重量%のPbO、10−30重量%のZnO、5−25重量%のSiO、1−15重量%のAl及び1−10重量%のTaを含んでいることを特徴とする、請求項34記載のペースト。
  36. 前記少なくとも1種類のガラス・フリットが250−650℃の範囲の軟化温度を有していることを特徴とする、請求項1記載のペースト。
  37. 前記少なくとも1種類のガラス・フリットのTgが300−550℃の範囲であることを特徴とする、請求項1記載のペースト。
  38. 前記少なくとも1種類のガラス・フリットが加熱すると少なくとも部分的に結晶化することを特徴とする、請求項1記載のペースト。
  39. 太陽光装置で用いるためのビアフィル材に用いられる、請求項1〜38のいずれか一項 記載のペースト。
  40. 第1の主表面と第2の主表面と、そして前記第1の主表面から前記第2の主表面に延びる側壁を有するビアを含んでおり、前記ビアが前記第1の主表面と前記第2の主表面間で電気を伝導することができる熱処理された電導性物質によって満たされており、前記電導性物質が前記電導性物質の熱処理中に形成される絶縁層によって前記ビアの側壁から電気的に絶縁されていることを特徴とし、
    前記電導性物質が請求項1〜39のいずれか一項記載のペーストを含む、電子装置。
  41. a: 第1の面とそれに向き合った第2の面と前記第1の面と第2の面との間に延びているビアを有する基板を設けるステップで、前記ビアが前記基板に沿って形成される側壁を有しているステップと、
    b: 前記ビアに電導性の充填材を塗布するステップと、そして
    c: 前記基板を熱処理して、前記電導性充填材が前記電導性充填材と前記側壁との間に絶縁層を形成し、さらに、前記第1の表面から前記第2の面に延びる電導性経路を形成するステップ
    を含み、
    前記電導性充填材が請求項1〜39のいずれか一項記載のペーストを含む、電子装置を製造する方法。
  42. 前記電導性の充填材が熱処理中に前記側壁とは反応しないことを特徴とする、請求項 記載の方法。
  43. a: 電導性ペーストの全重量に対して65−90重量%の銀粉末と、
    b: 電導性ペーストの全重量に対して0.1−10重量%の少なくとも1種類のガラス・フリットと、
    c: ジルコニウム、ビスマス、アルミニウム、及びそれらの組み合わせで構成される群から選択される金属の少なくとも1つの酸化物あるいは粘土の分離されて区別される部分と
    で構成される電導性ペースト。
  44. 太陽光装置で用いるためのビアフィル材に用いられる、請求項43記載のペースト。
JP2013527306A 2010-09-01 2011-09-01 太陽光装置用のビアフィル材 Pending JP2013545215A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US37895910P 2010-09-01 2010-09-01
US61/378,959 2010-09-01
PCT/US2011/050145 WO2012031078A1 (en) 2010-09-01 2011-09-01 Via fill material for solar applications

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013545215A JP2013545215A (ja) 2013-12-19
JP2013545215A5 true JP2013545215A5 (ja) 2016-01-14

Family

ID=45773271

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013527306A Pending JP2013545215A (ja) 2010-09-01 2011-09-01 太陽光装置用のビアフィル材

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20140332067A1 (ja)
EP (1) EP2612331A4 (ja)
JP (1) JP2013545215A (ja)
KR (1) KR20130124482A (ja)
CN (1) CN103430240A (ja)
BR (1) BR112013004884A2 (ja)
SG (1) SG188359A1 (ja)
WO (1) WO2012031078A1 (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2754185A4 (en) * 2011-09-09 2015-06-03 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc SOLAR CELL CONTACTS WITH SILVER PASTILLE
US9374892B1 (en) * 2011-11-01 2016-06-21 Triton Microtechnologies Filling materials and methods of filling through holes for improved adhesion and hermeticity in glass substrates and other electronic components
WO2013109561A1 (en) * 2012-01-18 2013-07-25 Ferro Corporation Solar cell metallizations containing organozinc compound
US20130319496A1 (en) * 2012-06-01 2013-12-05 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc Low-metal content electroconductive paste composition
EP2891158A1 (en) * 2012-08-31 2015-07-08 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG An electro-conductive paste comprising ag nano-particles and spherical ag micro-particles in the preparation of electrodes
US9763317B2 (en) * 2013-03-14 2017-09-12 Cisco Technology, Inc. Method and apparatus for providing a ground and a heat transfer interface on a printed circuit board
EP2787510B1 (en) * 2013-04-02 2018-05-30 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Particles comprising Al, Si and Mg in electro-conductive pastes and solar cell preparation
EP2824672B1 (en) * 2013-07-09 2017-08-30 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG An electro-conductive paste comprising Ag particles with a multimodal diameter distribution in the preparation of electrodes in MWT solar cells
CN105849895B (zh) * 2013-12-25 2018-12-21 三菱综合材料株式会社 功率模块用基板、及其制造方法和功率模块
CN103824613A (zh) * 2014-03-18 2014-05-28 山西盛驰科技有限公司 一种高性能晶体硅太阳能电池背场的浆料
US20170271535A1 (en) * 2014-05-19 2017-09-21 Sun Chemical Corporation A silver paste containing bismuth oxide and its use in solar cells
JP6164256B2 (ja) * 2015-07-08 2017-07-19 住友ベークライト株式会社 熱伝導性組成物、半導体装置、半導体装置の製造方法、および放熱板の接着方法
CN105097070B (zh) * 2015-07-22 2017-05-31 深圳市春仰科技有限公司 太阳能电池正面导电银浆及其制备方法
WO2018058181A1 (en) * 2016-09-30 2018-04-05 Dyesol Ltd A solar module and a method of fabricating a solar module
US11251109B2 (en) * 2016-11-18 2022-02-15 Samtec, Inc. Filling materials and methods of filling through holes of a substrate
EP4148748A1 (en) * 2018-07-06 2023-03-15 Senju Metal Industry Co., Ltd. Electrically conductive paste and sintered body
CN109659067A (zh) * 2018-12-06 2019-04-19 中国科学院山西煤炭化学研究所 用于perc晶体硅太阳能电池的正银浆料及制法
DE102021000640A1 (de) 2021-02-09 2022-08-11 Azur Space Solar Power Gmbh Verfahren zur Strukturierung einer Isolationsschicht auf einer Halbleiterscheibe

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1012045A (ja) * 1996-06-25 1998-01-16 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 低温焼成用導電ペースト
US5874197A (en) * 1997-09-18 1999-02-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thermal assisted photosensitive composition and method thereof
US6384473B1 (en) * 2000-05-16 2002-05-07 Sandia Corporation Microelectronic device package with an integral window
KR101087202B1 (ko) * 2003-11-27 2011-11-29 쿄세라 코포레이션 태양 전지 모듈
JP4805621B2 (ja) * 2005-07-07 2011-11-02 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 導電性ペースト
WO2007125879A1 (ja) * 2006-04-25 2007-11-08 Sharp Corporation 太陽電池電極用導電性ペースト
JP4714633B2 (ja) * 2006-04-25 2011-06-29 シャープ株式会社 太陽電池電極用導電性ペースト
US20100163101A1 (en) * 2007-04-25 2010-07-01 Ferro Corporation Thick Film Conductor Formulations Comprising Silver And Nickel Or Silver And Nickel Alloys And Solar Cells Made Therefrom
US8309844B2 (en) * 2007-08-29 2012-11-13 Ferro Corporation Thick film pastes for fire through applications in solar cells
CN101609849B (zh) * 2009-07-13 2010-11-03 中南大学 太阳能电池正面电极用银导体浆料及其制备工艺

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013545215A5 (ja)
US7569505B2 (en) Method for producing an electronic component passivated by lead free glass
JP5915527B2 (ja) ガラスセラミックス組成物、発光素子用基板、および発光装置
US20150380330A1 (en) Package substrate, package, and electronic device
CN104216263B (zh) 定影装置用加热器
TW200829530A (en) Glass plate with glass frit structure
TW200839901A (en) Method for producing an electronic component passivated by lead free glass
JP2012527782A5 (ja)
TW201133962A (en) Substrate for light-emitting element and light-emitting device
JP2012527780A5 (ja)
JP2001143910A (ja) 積層チップバリスタの製造方法および積層チップバリスタ
TW201250946A (en) Airtight member and method for producing same
EP3341345B1 (en) Thick-film paste mediated ceramics bonded with metal or metal hybrid foils
JPS63181400A (ja) セラミツク多層基板
JPWO2012036219A1 (ja) 発光素子用基板および発光装置
WO2015045815A1 (ja) セラミック配線基板、セラミック配線基板用セラミックグリーンシート及びセラミック配線基板用ガラスセラミックス粉末
TW201141809A (en) Low-melting-point glass composition, and electrically conductive paste material produced using same
JP2017528399A5 (ja)
TWI422547B (zh) A conductive paste and a solar cell element using the conductive paste
JP7241261B2 (ja) チップ抵抗器
JP4623036B2 (ja) 電子部品の製造方法及び電子部品
JP4549028B2 (ja) ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体、ガラスセラミック焼結体の製造方法、および配線基板
JPH02226787A (ja) 混成回路
JP2004256347A (ja) ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体とその製造方法、並びにそれを用いた配線基板とその実装構造
JPH06199541A (ja) ガラスセラミックス組成物