JP2017508887A - 2つの互いに反対向きの主面上に各基板を搭載する基板キャリア - Google Patents
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Abstract
Description
例えばアルミニウム、ニッケル又は銅からなることが適切であるフレキシブル基板の中央部のために、面取りされた縁が好適であり、それにより基板の2つの端部はそれぞれ2つの基板受容領域の一方の上にそれぞれ載置されることができる。
しかしながら、2つの互いに分離された基板を用いることもでき、その場合、一方の基板は、基板キャリアの2つの主面の一方に固定部材を用いて装着される。固定部材は、複数のピン、螺子又はその他の適切な部材から形成することができ、それにより、基板すなわち基板の一部を主面上に確実に固定することができる。
基板受容領域はさらに、上述した縁に対して垂直に延在する縁を有する。それらの縁により、結合領域を設けることができ、それらの縁において基板受容領域はサイド部分へと繋がっている。サイド部分は、好適には持ち手部を形成しており、それにより基板キャリアを掴んだり運んだりすることができる。持ち手部は、好適には窓を設けられている。窓は、長方形の輪郭を有することができる。それらの窓は、ガス通過窓とすることができる。しかしながら、それらは手動の持ち手として用いることもできる。よって、それらは持ち手窓を形成している。それらの窓は互いに異なる大きさとすることができる。
持ち手部には、さらに突出部も形成されることができる。これらの突出部は、基板受容領域の縁を超えて突出することができ、CVD反応炉又はPVD反応炉内における基板キャリアの固定等のために用いられる。突出部は、面の延在方向に延在して縁部分を有しており、それに対して基板受容領域の縁は後退して延在している。従って、基板受容領域の2つの反対側にある縁の間の距離は、双方の持ち手部の2つの互いに反対側にある突出部の2つの反対側の縁の間の距離よりも短い。
CVD反応炉は、搭載開口を有することができ、それは鉛直方向に延在している。鉛直方向の配置においては、一方の縁は上向きとなり他方の縁は下向きとなり、基板キャリアは、搭載開口を通して反応炉ハウジングのプロセスチャンバに押し込まれることができる。プロセスチャンバは、鉛直方向に延在して対向配置された、各々シャワーヘッドの形態でガス出口面を具備するガス入口部材を有し、ガス出口面は多数の均一に分布したガス出口開口を有する。2つの互いに対向するガス出口面を通して、上述したプロセスガスがプロセスチャンバに流入することができる。化学分解反応により、基板キャリアの2つの互いに反対向きの主面上、そこに載置されている基板上に、ナノチューブを形成する。約1,000℃にて基板表面上で触媒反応が生じることが好適である。このようにして、基板の延在面に垂直に成長するカーボンからなるナノチューブ又はグラフェンが形成される。
本発明の実施形態は、以下に示す添付の図面を参照して説明される。
図面に示された反応炉ハウジングは、4つの側壁44、44’;45、45’を具備する直方体形状を有する。ハウジング上壁は、旋回可能な蓋46を形成する。反応炉の動作中は、蓋46が閉じられる。しかしながら、蓋は、作業目的のために開けることができる。
ホルダは電源供給のためにも機能する。
2、3 主面
4、5 基板受容領域
4’、5’ 縁
6 基板
7 縁部/持ち手部
8、9、10 孔
11 縁
12 突出部/案内部
13 凹部
14 固定部材/螺子
14’ 固定部材/ナット
15、16 孔
19 プロセスチャンバハウジング
20 反応炉ハウジング
21 案内部材
21’ 溝、凹部
22 案内部材
22’ 溝
23 搭載/取出開口
24 ガス入口部材、ガス入口プレート
25 後壁
26 石英プレート
27 ヒーター要素
28 ガス供給装置/中空部
29 正面プレート
30 反射板
31 後壁
32 回転可能反射板
33 案内部材
33’ 溝、凹部
34、35、36、37、38 保持凹部
39 ガス出口開口
40 ガス供給開口
41、42 ガス出口開口
43 搭載開口
44、44’、45、45’ 壁
46 壁、蓋
47 冷却ダクト
48、48’ ハウジング壁
49 カバー
50 底板
Claims (10)
- CVD反応炉又はPVD反応炉に配置するための基板キャリアであって、カーボンナノチューブ及びグラフェンの堆積のためのものを含み、コーティングされる基板(6)を受容するための第1の主面(2)と前記第1の主面(2)とは反対向きの第2の主面(3)とを有し、前記第1の主面(2)及び前記第2の主面(3)はそれぞれ基板受容領域(4、5)を有し、該基板受容領域内に固定部材(14、14’、15)が設けられ、該固定部材の各々を用いて基板(6)又は基板(6)の一部を前記主面(2、3)上に固定可能である、基板キャリアにおいて、
前記基板キャリア(1)が平板状本体からなりかつ前記基板受容領域(4、5)が2つの互いに反対側にある第1の縁(4’)と、前記第1の縁(4’)に対して垂直に延在する第2の縁(11)を有し、前記第1の縁(4’)の各々には突出部(12)を有する持ち手部(7)が結合しており、前記突出部は前記第2の縁(11)を超えて突出していることを特徴とする
基板キャリア。 - 前記基板キャリア(1)が石英からなることを特徴とする請求項1に記載の基板キャリア。
- 前記基板受容領域(4、5)が略長方形の輪郭を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の基板キャリア。
- 前記平板状本体が、最大10mmの厚さと、少なくとも100mmの縁の長さを有することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の基板キャリア。
- 前記持ち手部(7)が、窓状の、長方形の孔(8、9、10)を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の基板キャリア。
- 前記基板受容領域(4、5)の第2の縁(11)の少なくとも1つが、前記基板キャリア(1)の面取りされた周囲縁であり、その周りに沿ってフレキシブル基板(6)を折り畳み可能であり、前記基板(6)は2つの部分により基板受容領域(4、5)の各々の上に固定可能であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の基板キャリア。
- 前記第2の縁(11)は、該第2の縁(11)に対して略平行に延在する突出部(12)の周囲縁よりも後退位置にあることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の基板キャリア。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の基板キャリア(1)と反応炉ハウジング(20)とを備えたCVD反応炉であって、反応炉ハウジング(20)が案内部材(21、22、33)を有し、それらの案内部材に沿って基板キャリア(1)がその突出部12によりスライド可能であり、突出部(12)のみが、案内部材(21、22、33)に形成された溝(21’、22’、33’)に係合されるように構成されていることを特徴とするCVD反応炉。
- 前記基板キャリア(1)が、鉛直方向に延在する搭載開口(23)を通して反応炉ハウジング(20)の2つのガス入口部材(24)の間の介在空間に鉛直方向に挿入可能である請求項8に記載のCVD反応炉。
- 請求項1〜9のいずれかの特徴を1又は複数有することを特徴とする基板キャリア又はCVD反応炉。
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