JP2017508887A - Substrate carrier for mounting each substrate on two opposite main surfaces - Google Patents

Substrate carrier for mounting each substrate on two opposite main surfaces Download PDF

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Abstract

本発明は基板キャリア及び基板キャリアと協働的に機能するＣＶＤ反応炉に関し、基板キャリアは、特にカーボンナノチューブ又はグラフェンの堆積のためのＣＶＤ又はＰＶＤ反応炉（２０）として構成され、基板キャリアは、コーティングされる基板（６）を収容するための第１の主面（２）と、第１の主面（２）とは反対向きの第２の主面（３）を有する。カーボンナノチューブを堆積するための装置又はその一部を改良するために、本発明の第１の主面（２）及び第２の主面（３）の各々が、基板収容区画（４，５）を有し、その中に固定部材（１４，１４’、１５）が設けられ、それにより、基板（６）又は基板（６）の部分が、主面（２，３）に固定可能である。本発明はさらに、基板キャリア（１）を有するＣＶＤ反応炉に関する。【選択図】図８The present invention relates to a substrate carrier and a CVD reactor that works cooperatively with the substrate carrier, the substrate carrier being configured in particular as a CVD or PVD reactor (20) for the deposition of carbon nanotubes or graphene, It has a first main surface (2) for receiving a substrate (6) to be coated and a second main surface (3) facing away from the first main surface (2). In order to improve the apparatus for depositing carbon nanotubes or a part thereof, each of the first main surface (2) and the second main surface (3) of the present invention comprises a substrate receiving section (4, 5). And a fixing member (14, 14 ′, 15) is provided therein, whereby the substrate (6) or a portion of the substrate (6) can be fixed to the main surface (2, 3). The invention further relates to a CVD reactor having a substrate carrier (1). [Selection] Figure 8

Description

本発明は、基板キャリア及び、基板キャリアをその中に配置することができその基板キャリアと協働的に機能するＣＶＤ反応炉に関する。それは、特にカーボンナノチューブの堆積のためのＣＶＤ反応炉又はＰＶＤ反応炉を含む。その基板キャリアは、２つの互いに反対向きの主面を形成している。   The present invention relates to a substrate carrier and a CVD reactor in which the substrate carrier can be placed and function in cooperation with the substrate carrier. It includes in particular a CVD reactor or PVD reactor for the deposition of carbon nanotubes. The substrate carrier forms two opposite principal surfaces.

基板をコーティングするための装置は、特許文献１〜３に記載されている。基板は、部分的に基板キャリア上に載置される。基板はなお、２つの互いに対向するガス入口部材の間で部分的に自由でもある。特許文献４は、２つの主面を有する銅基板を開示している。   An apparatus for coating a substrate is described in Patent Documents 1 to 3. The substrate is partially placed on the substrate carrier. The substrate is still also partially free between two opposing gas inlet members. Patent document 4 is disclosing the copper substrate which has two main surfaces.

本発明は、カーボンナノチューブの堆積のための装置に関する。このために、ガス形態の開始物質がプロセスチャンバに導入される。これは、ガス入口部材を用いて行われる。プロセスチャンバの内部には、基板キャリアの上に配置された基板がある。プロセスチャンバ内に、例えばＣＨ４、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ２又はＣ６Ｈ６等の炭素質のプロセスガスが導入される。フレキシブル基板をコーティングするための装置は、例えば特許文献５又は６に記載されている。 The present invention relates to an apparatus for the deposition of carbon nanotubes. For this purpose, a starting material in gaseous form is introduced into the process chamber. This is done using a gas inlet member. Inside the process chamber is a substrate disposed on a substrate carrier. A carbonaceous process gas such as CH 4 , C 2 H 4 , C 2 H 2 or C 6 H 6 is introduced into the process chamber. An apparatus for coating a flexible substrate is described in Patent Document 5 or 6, for example.

２つの反対向きに配置された主面上に基板受容領域を有する基板キャリアが、特許文献７〜１０により公知である。   A substrate carrier having a substrate receiving area on two main surfaces arranged in opposite directions is known from US Pat.

独国特許出願公開第195 22 574 A1号公報German Patent Application Publication No. 195 22 574 A1 米国特許出願公開第2010/0319766 A1号公報US Patent Application Publication No. 2010/0319766 A1 米国特許出願公開第2013/0083235 A1号公報US Patent Application Publication No. 2013/0083235 A1 米国特許出願公開第2013/0089666 A1号公報US Patent Application Publication No. 2013/0089666 A1 英国特許第2 458 776 A号公報British Patent No. 2 458 776 A 特開2005-133165号公報JP 2005-133165 A 独国特許出願公開第41 25 334 A1号公報German Patent Application Publication No. 41 25 334 A1 独国実用新案第92 10 359 U1号公報German Utility Model No. 92 10 359 U1 独国実用新案第295 25 989 U1号公報German Utility Model No. 295 25 989 U1 独国特許出願公開第40 36 449 A1号公報German Patent Application Publication No. 40 36 449 A1

本発明は、カーボンナノチューブ、グラフェン等を堆積するための装置又は装置の一部を改良する目的に基づいたものである。   The present invention is based on the object of improving an apparatus or part of an apparatus for depositing carbon nanotubes, graphene and the like.

この目的は、特許請求の範囲に特定された本発明により実現される。   This object is achieved by the invention as specified in the claims.

本発明による基板キャリアは、２つの主面を有する。主面は互いに反対向きである。双方の主面の各々は、基板受容領域を有する。基板キャリアは、好適には平板状本体からなり、平板状本体は、その互いに反対向きの２つの主面の各々の上に基板受容領域を有する。基板受容領域は長方形の輪郭を有することができる。基板キャリアを形成する本体は石英から作製でき、最大１０mmの厚さを有する。その縁の長さは最小１００mmが好適である。基板受容領域は、本体の縁により規定することができる。
例えばアルミニウム、ニッケル又は銅からなることが適切であるフレキシブル基板の中央部のために、面取りされた縁が好適であり、それにより基板の２つの端部はそれぞれ２つの基板受容領域の一方の上にそれぞれ載置されることができる。
しかしながら、２つの互いに分離された基板を用いることもでき、その場合、一方の基板は、基板キャリアの２つの主面の一方に固定部材を用いて装着される。固定部材は、複数のピン、螺子又はその他の適切な部材から形成することができ、それにより、基板すなわち基板の一部を主面上に確実に固定することができる。
基板受容領域はさらに、上述した縁に対して垂直に延在する縁を有する。それらの縁により、結合領域を設けることができ、それらの縁において基板受容領域はサイド部分へと繋がっている。サイド部分は、好適には持ち手部を形成しており、それにより基板キャリアを掴んだり運んだりすることができる。持ち手部は、好適には窓を設けられている。窓は、長方形の輪郭を有することができる。それらの窓は、ガス通過窓とすることができる。しかしながら、それらは手動の持ち手として用いることもできる。よって、それらは持ち手窓を形成している。それらの窓は互いに異なる大きさとすることができる。
持ち手部には、さらに突出部も形成されることができる。これらの突出部は、基板受容領域の縁を超えて突出することができ、ＣＶＤ反応炉又はＰＶＤ反応炉内における基板キャリアの固定等のために用いられる。突出部は、面の延在方向に延在して縁部分を有しており、それに対して基板受容領域の縁は後退して延在している。従って、基板受容領域の２つの反対側にある縁の間の距離は、双方の持ち手部の２つの互いに反対側にある突出部の２つの反対側の縁の間の距離よりも短い。 The substrate carrier according to the invention has two main surfaces. The main surfaces are opposite to each other. Each of both major surfaces has a substrate receiving area. The substrate carrier preferably comprises a plate-like body, the plate-like body having a substrate receiving area on each of its two oppositely facing main surfaces. The substrate receiving area may have a rectangular outline. The body forming the substrate carrier can be made of quartz and has a maximum thickness of 10 mm. The edge length is preferably at least 100 mm. The substrate receiving area can be defined by the edge of the body.
A chamfered edge is preferred for the central part of a flexible substrate, for example made of aluminum, nickel or copper, so that the two edges of the substrate are respectively above one of the two substrate receiving areas. Respectively.
However, two separate substrates can also be used, in which case one substrate is mounted on one of the two main surfaces of the substrate carrier using a fixing member. The fixing member can be formed from a plurality of pins, screws or other suitable members, thereby ensuring that the substrate, ie a part of the substrate, is fixed on the main surface.
The substrate receiving region further has an edge extending perpendicular to the edge described above. These edges can provide a bonding region, at which the substrate receiving region is connected to the side portion. The side portion preferably forms a handle so that the substrate carrier can be grasped and carried. The handle is preferably provided with a window. The window can have a rectangular outline. The windows can be gas passage windows. However, they can also be used as manual handles. Thus, they form a handle window. The windows can be different sizes.
The handle portion can be further formed with a protruding portion. These protrusions can protrude beyond the edge of the substrate receiving area, and are used for fixing the substrate carrier in a CVD reactor or a PVD reactor. The protrusion has an edge portion extending in the direction in which the surface extends, whereas the edge of the substrate receiving region extends backward. Thus, the distance between the two opposite edges of the substrate receiving area is shorter than the distance between the two opposite edges of the two opposite protrusions of both handles.

反応炉又はプロセスチャンバは、案内部材を有することができ、それらは特に溝を具備し、その溝内に持ち手部の突出部が挿入される。従って、持ち手部の突出部は、案内部を形成する。その場合、その溝の深さは、基板受容領域の縁に対する突出部の突出程度よりも短い。この結果、基板受容領域の縁は、案内部材から離間して配置される。好適には、基板キャリアの４つの隅の各々に案内部が設けられ、それらは各々、基板受容領域の縁を越えて突出している。
ＣＶＤ反応炉は、搭載開口を有することができ、それは鉛直方向に延在している。鉛直方向の配置においては、一方の縁は上向きとなり他方の縁は下向きとなり、基板キャリアは、搭載開口を通して反応炉ハウジングのプロセスチャンバに押し込まれることができる。プロセスチャンバは、鉛直方向に延在して対向配置された、各々シャワーヘッドの形態でガス出口面を具備するガス入口部材を有し、ガス出口面は多数の均一に分布したガス出口開口を有する。２つの互いに対向するガス出口面を通して、上述したプロセスガスがプロセスチャンバに流入することができる。化学分解反応により、基板キャリアの２つの互いに反対向きの主面上、そこに載置されている基板上に、ナノチューブを形成する。約１，０００℃にて基板表面上で触媒反応が生じることが好適である。このようにして、基板の延在面に垂直に成長するカーボンからなるナノチューブ又はグラフェンが形成される。
本発明の実施形態は、以下に示す添付の図面を参照して説明される。 The reaction furnace or process chamber can have a guide member, which in particular comprises a groove into which the protrusion of the handle is inserted. Therefore, the protruding portion of the handle portion forms a guide portion. In that case, the depth of the groove is shorter than the protrusion of the protrusion with respect to the edge of the substrate receiving region. As a result, the edge of the substrate receiving region is disposed away from the guide member. Preferably, guides are provided at each of the four corners of the substrate carrier, each projecting beyond the edge of the substrate receiving area.
The CVD reactor can have a mounting opening that extends vertically. In the vertical orientation, one edge is up and the other edge is down, and the substrate carrier can be pushed through the mounting opening and into the process chamber of the reactor housing. The process chamber has a gas inlet member extending in the vertical direction and facing each other, each having a gas outlet surface in the form of a showerhead, the gas outlet surface having a number of uniformly distributed gas outlet openings. . The process gas described above can flow into the process chamber through two opposing gas outlet surfaces. By chemical decomposition reaction, nanotubes are formed on the two opposite major surfaces of the substrate carrier and on the substrate mounted thereon. It is preferred that the catalytic reaction occurs on the substrate surface at about 1,000 ° C. In this way, nanotubes or graphene made of carbon that grows perpendicular to the extending surface of the substrate is formed.
Embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings shown below.

図１は、基板キャリアの展開図である。FIG. 1 is a development view of a substrate carrier. 図２は、基板キャリアの広い主面の側面図である。FIG. 2 is a side view of the wide principal surface of the substrate carrier. 図３は、基板キャリアの狭い面の側面図である。FIG. 3 is a side view of the narrow surface of the substrate carrier. 図４は、図２のIV−IV線に沿った断面図であり、基板キャリアの２つの主面にそれぞれ基板６が配置されている。FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV in FIG. 2, and the substrates 6 are respectively disposed on the two main surfaces of the substrate carrier. 図５は、図４と同様の図であり、基板キャリア１がフレキシブル基板６を搭載し、それは縁１１上に延在している。FIG. 5 is a view similar to FIG. 4, in which the substrate carrier 1 carries the flexible substrate 6, which extends on the edge 11. 図６は、蓋４６が開いた反応炉ハウジング２０の側面図であり、その中に配置されたプロセスチャンバ１９が示されている。FIG. 6 is a side view of the reactor housing 20 with the lid 46 open, showing the process chamber 19 disposed therein. 図７は、蓋が閉じた反応炉ハウジング２０の正面図であり、その中に配置されたプロセスチャンバ１９が示されている。FIG. 7 is a front view of the reactor housing 20 with the lid closed, showing the process chamber 19 disposed therein. 図８は、図７のVIII−VIII線に沿った断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII in FIG. 図９は、図８のIX−IX線に沿った断面図であり、プロセスチャンバハウジング１９に配置された基板キャリア１を視た図である。FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line IX-IX in FIG. 8, and is a view of the substrate carrier 1 disposed in the process chamber housing 19. 図１０は、ガス出口２４を視た図８のX−X線に沿った断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line XX of FIG. 図１１は、プロセスチャンバハウジング１９の壁４８の内側のプロセスチャンバハウジングの内側を見た図８のXI−XI線に沿った断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view taken along line XI-XI in FIG. 8, looking inside the process chamber housing inside the wall 48 of the process chamber housing 19. 図１２は、図８のXII拡大断面図である。12 is an XII enlarged cross-sectional view of FIG.

本発明の実施形態の例について、添付の図面を参照して以下に説明する。
図面に示された反応炉ハウジングは、４つの側壁４４、４４’；４５、４５’を具備する直方体形状を有する。ハウジング上壁は、旋回可能な蓋４６を形成する。反応炉の動作中は、蓋４６が閉じられる。しかしながら、蓋は、作業目的のために開けることができる。 Examples of embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
The reactor housing shown in the drawing has a rectangular parallelepiped shape with four side walls 44, 44 '; 45, 45'. The housing top wall forms a pivotable lid 46. The lid 46 is closed during operation of the reactor. However, the lid can be opened for work purposes.

側壁４４、４４’；４５、４５’は、ダクト４７を有し、それらを通して側壁４４、４４’；４５、４５’をフラッシングするために冷却流体を流すことができる。   The side walls 44, 44 ′; 45, 45 ′ have a duct 47 through which cooling fluid can flow to flush the side walls 44, 44 ′; 45, 45 ′.

側壁４４の１つは、鉛直方向に延在する開口４３を有する。開口４３は、図示しないゲートバルブにより気密性をもって閉鎖することができる。それは搭載開口でも取出開口でもある。   One of the side walls 44 has an opening 43 extending in the vertical direction. The opening 43 can be closed airtight by a gate valve (not shown). It is both a loading opening and an extraction opening.

反応炉ハウジング２０の内部には、プロセスチャンバハウジング１９があり、それもまた、鉛直方向に延在する搭載・取出開口２３を有する。プロセスチャンバハウジング１９は、その中に下方案内部材２１と上方案内部材２２を有する。双方の案内部材２１、２２は帯状であり、互いに対向する溝２１’、２２’を有する。２つのガス入口部材２４、２５が、プロセスチャンバの鉛直両側の境界となっている。１枚の基板キャリア１を、鉛直方向の搭載開口２３、４３を通してプロセスチャンバに挿入することができる。ここで、基板キャリア１の突出部（案内領域）１２が、案内部材２１、２２の溝２１’、２２’と係合する。直方体の反応炉ハウジング２０の６つの全ての壁が、冷却ダクト４７を有してもよく、それらを通して反応炉壁を冷却したり加熱したりするための熱移動流体を流すことができる。   Inside the reactor housing 20 is a process chamber housing 19 which also has a loading and unloading opening 23 extending in the vertical direction. The process chamber housing 19 has a lower guide member 21 and an upper guide member 22 therein. Both guide members 21 and 22 are strip-shaped and have grooves 21 'and 22' facing each other. Two gas inlet members 24, 25 serve as boundaries on the vertical sides of the process chamber. One substrate carrier 1 can be inserted into the process chamber through the vertical mounting openings 23, 43. Here, the protruding portion (guide region) 12 of the substrate carrier 1 engages with the grooves 21 ′ and 22 ′ of the guide members 21 and 22. All six walls of the cuboid reactor housing 20 may have cooling ducts 47 through which heat transfer fluid can flow to cool and heat the reactor wall.

基板キャリア１は平板状本体からなり、略長方形の輪郭を有する。それは２つの互いに反対向きの主面２、３を有し、それらはそれぞれ基板受容領域を有する。互いに反対向きの基板受容領域４、５は、略長方形の輪郭を有する。   The substrate carrier 1 is composed of a flat body and has a substantially rectangular outline. It has two oppositely facing major surfaces 2, 3 which each have a substrate receiving area. The substrate receiving regions 4, 5 opposite to each other have a substantially rectangular outline.

図２は、基板受容領域４を具備する１つの主面２を示す。反対側に位置する主面３は、同様に基板受容領域５を形成されている。   FIG. 2 shows one main surface 2 with a substrate receiving area 4. The main surface 3 located on the opposite side is similarly provided with a substrate receiving region 5.

基板キャリア１を構成する平板状本体は、１０mm未満の材料厚さを有する。基板キャリア１の縁の長さは少なくとも１００mmである。   The flat main body constituting the substrate carrier 1 has a material thickness of less than 10 mm. The edge length of the substrate carrier 1 is at least 100 mm.

基板受容領域５と一致している基板受容領域４は、２つの第１の縁４’を有する。第１の縁４’は仮想的な線で示している。基板受容領域４はさらに第２の縁を有し、それらは基板キャリア１の縁１１から形成されている。縁１１は面取りされている。   The substrate receiving area 4 coinciding with the substrate receiving area 5 has two first edges 4 '. The first edge 4 'is indicated by an imaginary line. The substrate receiving area 4 further has a second edge, which is formed from the edge 11 of the substrate carrier 1. The edge 11 is chamfered.

基板受容領域４、５の隅領域には、固定部材１４がある。それらの固定部材１４は、ナット１４’をもつ螺子として例示されている。しかしながら固定部材１４、１４’は、クランプ部材でもよい。これらの固定部材１４、１４’により、略長方形の基板６が２つの基板受容領域４、５の１つに装着される。基板６が２つの主面２、３の１つの上にそれぞれ置かれることにより、２つの互いに反対向きの基板受容領域４、５が、略長方形の基板６をそれぞれ担持する。その場合、基板６は、固定部材１４、１４’により基板キャリア１上に固定される。基板は石英、アルミニウム又はニッケル基板とすることができ、それは、基板表面の延在面から垂直方向に成長するカーボンからなるナノチューブでコーティングされる。   Fixing members 14 are provided in the corner regions of the substrate receiving regions 4 and 5. These fixing members 14 are illustrated as screws having nuts 14 '. However, the fixing members 14, 14 'may be clamp members. By these fixing members 14, 14 ′, the substantially rectangular substrate 6 is attached to one of the two substrate receiving regions 4, 5. By placing the substrate 6 on one of the two main surfaces 2, 3, two mutually opposite substrate receiving regions 4, 5 respectively carry a substantially rectangular substrate 6. In that case, the substrate 6 is fixed on the substrate carrier 1 by the fixing members 14, 14 ′. The substrate can be a quartz, aluminum or nickel substrate, which is coated with nanotubes made of carbon that grows vertically from the extended surface of the substrate surface.

縁１１は、凹部１３を形成して突出部１２へと繋がっている。これらは、上述した案内突起のことである。これらは、基板キャリア１の縁部７の２つの端部により形成されている。縁部７は、２つの互いに反対側にある縁４’の各々にそれぞれ隣接し、縁部７はそれぞれ持ち手部を形成している。突出部１２は、基板キャリア１の延長面上に延在して端部を形成し、縁１１からは離間している。   The edge 11 forms a recess 13 and is connected to the protrusion 12. These are the guide protrusions described above. These are formed by the two ends of the edge 7 of the substrate carrier 1. The edge 7 is adjacent to each of the two opposite edges 4 ', each of which forms a handle. The protrusion 12 extends on the extended surface of the substrate carrier 1 to form an end, and is separated from the edge 11.

２つの同じ形状の持ち手部７は、基板受容領域４、５の縁１１の各々を超えて延びる突出部１２を有するのみでなく、窓状の孔８、９、１０も有する。３つの長方形の孔であり、それらを通ってガスが流れることができるが、手動のマニピュレータのためにも利用できる。このために、孔８、９、１０は、把持孔として利用される。中央の長方形の孔は、マニピュレータアームの把手により把持されることができる。   The two identically shaped handle portions 7 not only have protrusions 12 extending beyond each of the edges 11 of the substrate receiving areas 4, 5, but also have window-like holes 8, 9, 10. Three rectangular holes through which gas can flow, but can also be used for manual manipulators. For this purpose, the holes 8, 9, 10 are used as gripping holes. The central rectangular hole can be gripped by the handle of the manipulator arm.

図１に示すように、基板キャリア１は幾つかの孔１５、１６を有する。孔１６は、基板キャリア１に固定部材１４を固定するためのものである。孔１５もまた、固定部材のための装着孔として用いることができる。しかしながら孔１５は、ストッパ部材を備えることもできる。   As shown in FIG. 1, the substrate carrier 1 has several holes 15, 16. The holes 16 are for fixing the fixing member 14 to the substrate carrier 1. The hole 15 can also be used as a mounting hole for the fixing member. However, the hole 15 can also be provided with a stopper member.

図４は、基板キャリア１の第１の使用形態を示し、この場合、基板キャリア１はその互いに反対向きの主面２、３上にそれぞれ基板６を担持している。   FIG. 4 shows a first usage pattern of the substrate carrier 1, in which the substrate carrier 1 carries substrates 6 on the principal surfaces 2 and 3 opposite to each other.

図５は、基板キャリア１の第２の使用形態を示している。この場合、基板キャリア１により担持された基板６がフレキシブルである。この基板は２つの端部を具備し、それらが２つの基板受容領域４、５の各々に対応して配置され、そこで固定されている。基板６の中央部は、面取りされた縁１１上に密着している。それにより基板６は、縁１１の周りでＵ字状に折り曲げられている。   FIG. 5 shows a second usage pattern of the substrate carrier 1. In this case, the substrate 6 carried by the substrate carrier 1 is flexible. The substrate has two ends, which are arranged corresponding to each of the two substrate receiving areas 4, 5 and are fixed there. The central portion of the substrate 6 is in close contact with the chamfered edge 11. Thereby, the substrate 6 is bent in a U shape around the edge 11.

基板は、薄い銅、ニッケル又はアルミニウムの箔とすることができる。ガス入口部材２４により、プロセスガス（Ｈ２、ＮＨ３、Ａｒ、Ｎ２、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ２又はＣ６Ｈ６）がプロセスチャンバに導入される。化学反応、特に触媒反応により、炭化水素が炭素に分解する。その過程で、熱分解の表面反応を生じてもよい。基板上にはグラフェンが堆積するか又はそこにナノチューブが堆積する。 The substrate can be a thin copper, nickel or aluminum foil. A process gas (H 2 , NH 3 , Ar, N 2 , CH 4 , C 2 H 4 , C 2 H 2 or C 6 H 6 ) is introduced into the process chamber by the gas inlet member 24. Hydrocarbons decompose into carbon by chemical reactions, especially catalytic reactions. In the process, a thermal decomposition surface reaction may occur. Graphene is deposited on the substrate or nanotubes are deposited there.

反応炉ハウジング２０の内部は真空とされる。このために図示しない真空ポンプが動作する。   The inside of the reactor housing 20 is evacuated. For this purpose, a vacuum pump (not shown) operates.

プロセスチャンバハウジング１９は６つの壁を有し、反応炉ハウジング２０における対応する壁４４、４４’；４５、４５’と壁４８、３１、４９、５０が平行に延在している。プロセスチャンバハウジング１９の壁は、反応炉ハウジング２０の壁から離間している。   The process chamber housing 19 has six walls, and corresponding walls 44, 44 '; 45, 45' and walls 48, 31, 49, 50 in the reactor housing 20 extend in parallel. The wall of the process chamber housing 19 is spaced from the wall of the reactor housing 20.

プロセスチャンバハウジング１９の壁４８は、中空部２８を有する。これらの中空部２８は、ガス供給装置の一部である。中空部２８は、プロセスガスを外部から供給され、詳細については後述するが、プロセスガスは開口４０を通してプロセスチャンバハウジング１９内に流入することができる。２つの反対側にあるハウジング壁４８、４８’が設けられ、それらは複数の部品から構成されている。ハウジング壁４８’は、上述した搭載開口２３を有する。２つのハウジング壁４８、４８’は、それらのプロセスチャンバハウジング１９内に向いた側に、複数の互いに平行な、かつ鉛直方向に延在する保持凹部３４〜３８を有する。保持凹部３４〜３８はそれぞれ鉛直方向の溝から構成されている。保持凹部３４〜３８内に、プロセスチャンバハウジング１９の平板状部材２４、２５、２６、３０、３１の縁がある。中心面についてプロセスチャンバハウジング１９は面対称形状を有する。この中心面に、基板キャリア１が配置され、すなわち案内部材２１、２２及び３３が配置され、それらは基板キャリア１を保持するための溝２１’、２２’及び３３’を有する。   The wall 48 of the process chamber housing 19 has a hollow portion 28. These hollow portions 28 are part of the gas supply device. The hollow portion 28 is supplied with a process gas from the outside, and the process gas can flow into the process chamber housing 19 through the opening 40 as will be described in detail later. Two opposite housing walls 48, 48 'are provided and are composed of a plurality of parts. The housing wall 48 'has the mounting opening 23 described above. The two housing walls 48, 48 ′ have a plurality of mutually parallel and vertically extending holding recesses 34-38 on their side facing into the process chamber housing 19. Each of the holding recesses 34 to 38 is composed of a vertical groove. In the holding recesses 34 to 38, there are edges of the flat members 24, 25, 26, 30, 31 of the process chamber housing 19. The process chamber housing 19 has a plane symmetry shape with respect to the center plane. In this central plane, the substrate carrier 1 is arranged, that is to say the guide members 21, 22 and 33, which have grooves 21 ′, 22 ′ and 33 ′ for holding the substrate carrier 1.

基板キャリア１の２つの主面の各々の上に、ガス入口部材がシャワーヘッドの形態でそれぞれ設けられている。各シャワーヘッドは、石英で作製されたガス入口プレート２４から形成され、それは２つの互いに対向する縁部により保持凹部３４に挿入されている。ガス入口プレート２４は、ガス入口プレート２４の面上に均一に分布して配置された多数のガス出口開口３９を有し、それらは、搬送ガスにより移送されるプロセスガスが、２つの互いに反対側にあるガス入口プレート２４の間に設けられたプロセスチャンバへ出る出口のためのものである。   A gas inlet member is provided in the form of a shower head on each of the two main surfaces of the substrate carrier 1. Each showerhead is formed from a gas inlet plate 24 made of quartz, which is inserted into the holding recess 34 by two opposing edges. The gas inlet plate 24 has a number of gas outlet openings 39 that are uniformly distributed on the surface of the gas inlet plate 24, so that the process gas transferred by the carrier gas is two opposite to each other. For the exit to the process chamber provided between the gas inlet plates 24.

ガス入口プレート２４の背面側にプロセスチャンバが位置することで一定の容積が存在し、そこに、上述したガス供給開口４０からプロセスガス又は搬送ガスが供給され、ガス出口開口３９を通ってプロセスチャンバに流入することができる。   The process chamber is located on the back side of the gas inlet plate 24 so that a certain volume exists, and the process gas or the carrier gas is supplied from the gas supply opening 40 described above, and the process chamber passes through the gas outlet opening 39. Can flow into.

ガス入口プレート２４と平行に、ガス入口部材の後壁２５が延在している。後壁２５の側縁は、保持凹部３５に挿入されている。   A rear wall 25 of the gas inlet member extends in parallel with the gas inlet plate 24. A side edge of the rear wall 25 is inserted into the holding recess 35.

後壁２５の背面側には、別の石英プレート２６があり、その縁は保持凹部３６に挿入されている。   There is another quartz plate 26 on the back side of the rear wall 25, and the edge thereof is inserted into the holding recess 36.

石英プレート２６の背面側に抵抗ヒーター２７がある。曲がりくねった形状で通っている金属プレートを含み、それにより電流が流れることができ、ヒーター要素２７を加熱可能である。石英からなるガス入口プレート２４、後壁２５及びプレート２６が、ヒーター要素２７から発生した赤外放射に対して実質的に透明であり、それは基板６を約１０００℃の基板温度に加熱することができる。２つのヒーター要素２７を駆動するために接続端子が設けられる。   There is a resistance heater 27 on the back side of the quartz plate 26. It includes a metal plate running in a tortuous shape so that current can flow and the heater element 27 can be heated. The quartz gas inlet plate 24, the back wall 25 and the plate 26 are substantially transparent to the infrared radiation generated from the heater element 27, which can heat the substrate 6 to a substrate temperature of about 1000 ° C. it can. Connection terminals are provided for driving the two heater elements 27.

ヒーター要素２７の背面側にシールドプレート２９があり、それは反射板としても機能することができる。シールドプレート２９は、ヒーター要素２７のホルダ上に固定され、
ホルダは電源供給のためにも機能する。 There is a shield plate 29 on the back side of the heater element 27, which can also function as a reflector. The shield plate 29 is fixed on the holder of the heater element 27,
The holder also functions for power supply.

鉛直方向の縁に平行な壁４８、４８’に延在する保持凹部３７、３８には、反射板３０及び後壁３１の縁が挿入されている。   The edges of the reflector 30 and the rear wall 31 are inserted into the holding recesses 37 and 38 extending to the walls 48 and 48 ′ parallel to the vertical edge.

プロセスチャンバハウジング１９は、可動のカバー４９を有する。蓋が開いたときにカバー４９が動かされると、板２４、２５、２６、３０、３１をプロセスチャンバハウジング１９から上方に取り出すことができる。それらは、その後洗浄されるか交換される。同様に、板２４、２５、２６、３０、３１は、対応する保持凹部３４〜３８に再び容易に挿入される。   The process chamber housing 19 has a movable cover 49. If the cover 49 is moved when the lid is opened, the plates 24, 25, 26, 30, 31 can be removed upward from the process chamber housing 19. They are then washed or replaced. Similarly, the plates 24, 25, 26, 30, 31 are easily inserted again into the corresponding holding recesses 34-38.

底板５０はガス出口開口４１を有し、開口３９を通ってプロセスチャンバに流入したガスはそこからプロセスチャンバを出て行くことができる。ガス出口開口４２も設けられ、それはパージガスの出口のために機能し、パージガスは２つのシャワーヘッドの外側の、ヒーター要素２７が設けられた空間に供給される。   The bottom plate 50 has a gas outlet opening 41 from which gas flowing into the process chamber through the opening 39 can exit the process chamber. A gas outlet opening 42 is also provided, which serves for the outlet of the purge gas, which is supplied to a space outside the two showerheads, in which the heater element 27 is provided.

上述した案内部材２１、２２、３３はそれぞれ溝状凹部２１’、２２’、３３’を有し、それらは丸みのある口領域により基板キャリア１の縁のための引っ掛かり面を形成する。   The guide members 21, 22, 33 described above have groove-like recesses 21 ′, 22 ′, 33 ′, respectively, which form a catching surface for the edge of the substrate carrier 1 by a rounded mouth area.

図９から、縁１１が挿入状態で自由であることが見て取れる。それらは案内部材２１、２２との間に隙間を空けている。   From FIG. 9, it can be seen that the edge 11 is free in the inserted state. They have a gap between the guide members 21 and 22.

プロセスチャンバハウジング１９の搭載開口２３の前に、鉛直軸の周りで回転可能な反射板３２が設けられている。プロセスチャンバの稼働中、回転可能な反射板３２は、その反射面が搭載開口２３の前にある位置をとる。プロセスチャンバに搭載したり取り出したりするする場合、回転可能な反射板３２が旋回することにより、２つの互いに並んだ開口２３と４３は、基板キャリア１を通過させるために開放される。   In front of the mounting opening 23 of the process chamber housing 19, a reflecting plate 32 that is rotatable around a vertical axis is provided. During operation of the process chamber, the rotatable reflector 32 assumes a position where its reflecting surface is in front of the mounting opening 23. When loading and unloading from the process chamber, the two rotatable openings 23 and 43 are opened to allow the substrate carrier 1 to pass through as the rotatable reflector 32 pivots.

以下は、本願全体として把握される発明を説明するために示したものであり、以下の特性の組合せによっても個別によっても少なくとも従来技術を凌駕するものである。すなわち：   The following is shown for explaining the invention grasped as a whole of the present application, and at least exceeds the prior art by the combination of the following characteristics and individually. Ie:

装置は、第１の主面２及び第２の主面３の各々が基板受容領域４、５を有し、その基板受容領域内に固定部材１４、１４’、１５を設けられ、それらの固定部材を用いて基板６または基板６の一部をそれぞれ主面２、３上に固定可能であることを特徴とする。   In the apparatus, each of the first main surface 2 and the second main surface 3 has substrate receiving regions 4 and 5, and fixing members 14, 14 ′ and 15 are provided in the substrate receiving regions, and the fixing thereof is performed. The substrate 6 or a part of the substrate 6 can be fixed on the main surfaces 2 and 3 by using a member, respectively.

装置は、基板１が特に石英から形成された平板状本体からなり、基板受容領域４、５が略長方形の輪郭を有し、平板状本体が特に最大１０mmの厚さと、少なくとも１００mmの縁の長さを有することを特徴とする。   The apparatus comprises a plate-like body in which the substrate 1 is made in particular of quartz, the substrate receiving areas 4 and 5 have a substantially rectangular contour, the plate-like body in particular having a thickness of at most 10 mm and an edge length of at least 100 mm. It is characterized by having.

装置は、基板受容領域４、５が２つの互いに反対側にある縁４’を有し、それらの縁上にそれぞれ一体的に持ち手部７を結合されていることを特徴とする。   The device is characterized in that the substrate receiving areas 4, 5 have two opposite edges 4 ′, and the handle 7 is respectively joined integrally on these edges.

装置は、持ち手部７が窓状の、特に長方形の孔８、９、１０を有することを特徴とする。   The device is characterized in that the handle 7 has windows 8, in particular rectangular holes 8, 9, 10.

装置は、持ち手部７が突出部１２を有し、突出部は第１の縁４’に対して垂直に延在する基板受容領域４の第２の縁１１を超えて突出していることを特徴とする。   The apparatus is such that the handle 7 has a protrusion 12, which protrudes beyond the second edge 11 of the substrate receiving area 4 extending perpendicular to the first edge 4 '. Features.

装置は、基板受容領域４、５の第２の縁１１の少なくとも１つが基板キャリア１の特に面取りされた周囲縁であり、その周りに沿ってフレキシブル基板６を折り畳み可能であり、基板６は２つの部分により基板受容領域４、５の各々上に固定可能であることを特徴とする。   The apparatus is capable of folding a flexible substrate 6 along which at least one of the second edges 11 of the substrate receiving areas 4, 5 is a particularly chamfered peripheral edge of the substrate carrier 1. It is characterized in that it can be fixed on each of the substrate receiving areas 4, 5 by one part.

装置は、第２の縁１１が、第２の縁１１に対して略平行に延在する突出部１２の周囲縁よりも後退位置にあることを特徴とする。   The device is characterized in that the second edge 11 is in a retracted position relative to the peripheral edge of the protrusion 12 that extends substantially parallel to the second edge 11.

装置は、反応炉ハウジング２０が案内部材２１、２２、３３を有し、それらの案内部材に沿って基板キャリア１がその突出部１２によりスライド可能であり、特に突出部１２のみが案内部材２１、２２から形成される溝２１’、２２’、３３’内に係合されるように構成されていることを特徴とする。  In the apparatus, the reactor housing 20 has guide members 21, 22, and 33, and the substrate carrier 1 can be slid along the guide members by the protrusions 12. 22 is configured to be engaged in grooves 21 ′, 22 ′, 33 ′ formed from 22.

装置は、基板キャリア１が、鉛直方向に延在する搭載開口２３を通して反応炉ハウジング２０の２つのガス入口部材２４の間の介在空間に鉛直方向に挿入可能であることを特徴とする。   The apparatus is characterized in that the substrate carrier 1 can be vertically inserted into an intervening space between two gas inlet members 24 of the reactor housing 20 through a mounting opening 23 extending in the vertical direction.

全ての開示された特徴は、（それ自体についても、それらの互いの組合せについても）本発明において重要なものである。本願の開示には、関係する／添付の優先権書類の開示内容の全体が、本願の請求の範囲におけるこれらの書類の特徴を含める目的も合わせて、ここに含まれるものとする。従属項は、その特徴的構成により、従来技術に対する本発明の進展を独立して特徴付けるものであり、特に、これらの請求項に基づく分割出願を行うためのものである。   All the disclosed features are important in the present invention (both themselves and in combination with each other). The disclosure of this application is hereby incorporated by reference in its entirety, together with the purpose of including the features of these documents in the claims of this application. The dependent claims independently characterize the progress of the present invention over the prior art by virtue of its characteristic construction, and in particular for filing a divisional application under these claims.

１ 基板キャリア
２、３ 主面
４、５ 基板受容領域
４’、５’ 縁
６ 基板
７ 縁部／持ち手部
８、９、１０ 孔
１１ 縁
１２ 突出部／案内部
１３ 凹部
１４ 固定部材／螺子
１４’ 固定部材／ナット
１５、１６ 孔
１９ プロセスチャンバハウジング
２０ 反応炉ハウジング
２１ 案内部材
２１’ 溝、凹部
２２ 案内部材
２２’ 溝
２３ 搭載／取出開口
２４ ガス入口部材、ガス入口プレート
２５ 後壁
２６ 石英プレート
２７ ヒーター要素
２８ ガス供給装置／中空部
２９ 正面プレート
３０ 反射板
３１ 後壁
３２ 回転可能反射板
３３ 案内部材
３３’ 溝、凹部
３４、３５、３６、３７、３８ 保持凹部
３９ ガス出口開口
４０ ガス供給開口
４１、４２ ガス出口開口
４３ 搭載開口
４４、４４’、４５、４５’ 壁
４６ 壁、蓋
４７ 冷却ダクト
４８、４８’ ハウジング壁
４９ カバー
５０ 底板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate carrier 2, 3 Main surface 4, 5 Substrate receiving region 4 ', 5' Edge 6 Substrate 7 Edge / Handle portion 8, 9, 10 Hole 11 Edge 12 Projection / Guide 13 Recess 14 Fixing member / screw 14 'fixing member / nut 15, 16 hole 19 process chamber housing 20 reactor housing 21 guide member 21' groove, recess 22 guide member 22 'groove 23 loading / extraction opening 24 gas inlet member, gas inlet plate 25 rear wall 26 quartz Plate 27 Heater element 28 Gas supply device / hollow part 29 Front plate 30 Reflector 31 Rear wall 32 Rotating reflector 33 Guide member 33 'Groove, recess 34, 35, 36, 37, 38 Holding recess 39 Gas outlet opening 40 Gas Supply opening 41, 42 Gas outlet opening 43 Mounting opening 44, 44 ', 45, 45' Wall 46 Wall, lid 47 Cooling duct 48, 8 'housing wall 49 cover 50 bottom plate

図１は、基板キャリアの展開図である。FIG. 1 is a development view of a substrate carrier. 図２は、基板キャリアの広い主面の側面図である。FIG. 2 is a side view of the wide principal surface of the substrate carrier. 図３は、基板キャリアの狭い面の側面図である。FIG. 3 is a side view of the narrow surface of the substrate carrier. 図４は、図２のIV−IV線に沿った断面図であり、基板キャリアの２つの主面にそれぞれ基板６が配置されている。FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV in FIG. 2, and the substrates 6 are respectively disposed on the two main surfaces of the substrate carrier. 図５は、図４と同様の図であり、基板キャリア１がフレキシブル基板６を搭載し、それは縁１１上に延在している。FIG. 5 is a view similar to FIG. 4, in which the substrate carrier 1 carries the flexible substrate 6, which extends on the edge 11. 図６は、蓋４６が開いた反応炉ハウジング２０の側面図であり、その中に配置されたプロセスチャンバ１９が示されている。FIG. 6 is a side view of the reactor housing 20 with the lid 46 open, showing the process chamber 19 disposed therein. 図７は、蓋が閉じた反応炉ハウジング２０の正面図であり、その中に配置されたプロセスチャンバ１９が示されている。FIG. 7 is a front view of the reactor housing 20 with the lid closed, showing the process chamber 19 disposed therein. 図８は、図７のVIII−VIII線に沿った断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII in FIG. 図９は、図８のIX−IX線に沿った断面図であり、プロセスチャンバハウジング１９に配置された基板キャリア１を視た図である。FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line IX-IX in FIG. 8, and is a view of the substrate carrier 1 disposed in the process chamber housing 19. 図１０は、ガス入口プレート２４を視た図８のX−X線に沿った断面図である。10 is a cross-sectional view taken along line XX of FIG. 8 when the gas inlet plate 24 is viewed. 図１１は、プロセスチャンバハウジング１９の壁４８の内側のプロセスチャンバハウジング内部を視た図８のXI−XI線に沿った断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view taken along line XI-XI in FIG. 8 as seen inside the process chamber housing inside the wall 48 of the process chamber housing 19. 図１２は、図８のXII拡大断面図である。12 is an XII enlarged cross-sectional view of FIG.

Claims (10)

ＣＶＤ反応炉又はＰＶＤ反応炉に配置するための基板キャリアであって、カーボンナノチューブ及びグラフェンの堆積のためのものを含み、コーティングされる基板（６）を受容するための第１の主面（２）と前記第１の主面（２）とは反対向きの第２の主面（３）とを有し、前記第１の主面（２）及び前記第２の主面（３）はそれぞれ基板受容領域（４、５）を有し、該基板受容領域内に固定部材（１４、１４’、１５）が設けられ、該固定部材の各々を用いて基板（６）又は基板（６）の一部を前記主面（２、３）上に固定可能である、基板キャリアにおいて、
前記基板キャリア（１）が平板状本体からなりかつ前記基板受容領域（４、５）が２つの互いに反対側にある第１の縁（４’）と、前記第１の縁（４’）に対して垂直に延在する第２の縁（１１）を有し、前記第１の縁（４’）の各々には突出部（１２）を有する持ち手部（７）が結合しており、前記突出部は前記第２の縁（１１）を超えて突出していることを特徴とする
基板キャリア。 A substrate carrier for placement in a CVD reactor or a PVD reactor, including for deposition of carbon nanotubes and graphene, a first major surface (2) for receiving a substrate (6) to be coated ) And a second main surface (3) opposite to the first main surface (2), and the first main surface (2) and the second main surface (3) are respectively A substrate receiving region (4, 5) is provided, and a fixing member (14, 14 ', 15) is provided in the substrate receiving region, and each of the fixing members is used for the substrate (6) or the substrate (6). In a substrate carrier, a part of which can be fixed on the main surface (2, 3),
The substrate carrier (1) comprises a flat body and the substrate receiving region (4, 5) has two opposite sides, a first edge (4 ′) and a first edge (4 ′). A handle portion (7) having a second edge (11) extending perpendicularly to the first edge (4 ′) and having a protrusion (12), The substrate carrier, wherein the protruding portion protrudes beyond the second edge (11). 前記基板キャリア（１）が石英からなることを特徴とする請求項１に記載の基板キャリア。   The substrate carrier according to claim 1, wherein the substrate carrier is made of quartz. 前記基板受容領域（４、５）が略長方形の輪郭を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の基板キャリア。   3. The substrate carrier according to claim 1, wherein the substrate receiving area (4, 5) has a substantially rectangular outline. 前記平板状本体が、最大１０mmの厚さと、少なくとも１００mmの縁の長さを有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板キャリア。   4. A substrate carrier according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the flat body has a maximum thickness of 10 mm and an edge length of at least 100 mm. 前記持ち手部（７）が、窓状の、長方形の孔（８、９、１０）を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板キャリア。   5. The substrate carrier according to claim 1, wherein the handle (7) has a window-like, rectangular hole (8, 9, 10). 前記基板受容領域（４、５）の第２の縁（１１）の少なくとも１つが、前記基板キャリア（１）の面取りされた周囲縁であり、その周りに沿ってフレキシブル基板（６）を折り畳み可能であり、前記基板（６）は２つの部分により基板受容領域（４、５）の各々の上に固定可能であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板キャリア。   At least one of the second edges (11) of the substrate receiving area (4, 5) is a chamfered peripheral edge of the substrate carrier (1), along which the flexible substrate (6) can be folded. 6. The substrate carrier according to claim 1, wherein the substrate (6) is fixable on each of the substrate receiving areas (4, 5) by two parts. 前記第２の縁（１１）は、該第２の縁（１１）に対して略平行に延在する突出部（１２）の周囲縁よりも後退位置にあることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板キャリア。   The second edge (11) is in a retracted position with respect to a peripheral edge of a protrusion (12) extending substantially parallel to the second edge (11). The substrate carrier according to any one of 6. 請求項１〜７のいずれかに記載の基板キャリア（１）と反応炉ハウジング（２０）とを備えたＣＶＤ反応炉であって、反応炉ハウジング（２０）が案内部材（２１、２２、３３）を有し、それらの案内部材に沿って基板キャリア（１）がその突出部１２によりスライド可能であり、突出部（１２）のみが、案内部材（２１、２２、３３）に形成された溝（２１’、２２’、３３’）に係合されるように構成されていることを特徴とするＣＶＤ反応炉。   A CVD reactor comprising the substrate carrier (1) according to any one of claims 1 to 7 and a reactor housing (20), wherein the reactor housing (20) is a guide member (21, 22, 33). The substrate carrier (1) can be slid along the guide members by the protrusions 12, and only the protrusions (12) are grooves (21, 22, 33) formed in the guide members (21, 22, 33). 21 ', 22', 33 '). A CVD reactor characterized by being configured to be engaged. 前記基板キャリア（１）が、鉛直方向に延在する搭載開口（２３）を通して反応炉ハウジング（２０）の２つのガス入口部材（２４）の間の介在空間に鉛直方向に挿入可能である請求項８に記載のＣＶＤ反応炉。   The substrate carrier (1) can be vertically inserted into an intervening space between two gas inlet members (24) of the reactor housing (20) through a mounting opening (23) extending in the vertical direction. 9. The CVD reactor according to 8. 請求項１〜９のいずれかの特徴を１又は複数有することを特徴とする基板キャリア又はＣＶＤ反応炉。   A substrate carrier or a CVD reactor having one or a plurality of features according to claim 1.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210101360A (en) 2020-02-07 2021-08-19 삼성디스플레이 주식회사 Manufacturing apparatus and manufacturing method using thereof
US11718526B2 (en) 2021-12-22 2023-08-08 General Graphene Corporation Systems and methods for high yield and high throughput production of graphene
WO2023121714A1 (en) * 2021-12-22 2023-06-29 General Graphene Corporation Novel systems and methods for high yield and high throughput production of graphene

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009094232A (en) * 2007-10-05 2009-04-30 Sumitomo Electric Ind Ltd Susceptor and vapor deposition device
JP2011046415A (en) * 2009-08-27 2011-03-10 Toppan Printing Co Ltd Board transfer pallet
CN201990721U (en) * 2011-03-04 2011-09-28 友威科技股份有限公司 Uniform temperature glass bearing tool device of vertical vacuum coating machine
WO2014038803A1 (en) * 2012-09-04 2014-03-13 Samsung Techwin Co., Ltd Catalyst metal film-supporting device and method and apparatus for synthesizing multiple graphene films
JP2015003813A (en) * 2013-06-21 2015-01-08 住友重機械工業株式会社 Transport jig

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3889446T2 (en) * 1988-02-29 1994-11-17 Nippon Kokan Kk Device for the production of thin films.
DE4036339C2 (en) * 1990-11-15 1993-10-21 Leybold Ag Device for the transport of substrates
DE4125334C2 (en) * 1991-07-31 1999-08-19 Leybold Ag Device for the transport of substrates
DE9210359U1 (en) * 1992-08-03 1992-09-24 Leybold AG, 6450 Hanau Device for coating substrates
DE59510000D1 (en) 1994-06-24 2002-02-21 Aixtron Gmbh REACTOR AND METHOD FOR COATING FLAT SUBSTRATES
DE29514989U1 (en) * 1995-09-19 1995-11-23 Leybold Ag, 63450 Hanau Device for fastening plate-shaped substrates to a substrate holder moved in a vertical position through the processing stations of a vacuum coating system
JP3747580B2 (en) * 1997-07-17 2006-02-22 株式会社カネカ Substrate transport tray
JP3386986B2 (en) * 1997-10-16 2003-03-17 シャープ株式会社 Plasma processing equipment
JP2005133165A (en) 2003-10-31 2005-05-26 Masahito Yonezawa Treatment device and treatment method for beltlike substrate
US7771538B2 (en) * 2004-01-20 2010-08-10 Jusung Engineering Co., Ltd. Substrate supporting means having wire and apparatus using the same
TW200716480A (en) * 2005-10-28 2007-05-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Method for fabrication of carbon nanotubes
GB0805837D0 (en) 2008-03-31 2008-06-04 Qinetiq Ltd Chemical Vapour Deposition Process
KR100958876B1 (en) * 2008-04-02 2010-05-20 삼성엔지니어링 주식회사 Ionic liquids miscible with various polar/non-polar solvents and method for preparing the same
KR20100135618A (en) 2009-06-17 2010-12-27 삼성전자주식회사 Solar cell and method for manufacturing the same
CN101882647B (en) * 2010-06-11 2012-01-25 深圳市创益科技发展有限公司 Movable holder for silicon-based film solar cells
KR101390462B1 (en) 2010-08-04 2014-04-29 아이신세이끼가부시끼가이샤 Carbon nanotube device, process for production of carbon nanotube, and device for production of carbon nanotube
KR101912798B1 (en) * 2011-01-31 2018-10-30 한화에어로스페이스 주식회사 Apparatus and method for manufacturing graphene
JP5727820B2 (en) * 2011-03-02 2015-06-03 株式会社アルバック Film forming apparatus and film forming method
CN202025731U (en) * 2011-04-11 2011-11-02 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 Fixing assembly for base
CN103460364B (en) * 2011-04-13 2016-08-17 英派尔科技开发有限公司 Graphene is made to comply with target base plate
KR101288129B1 (en) * 2011-07-13 2013-07-19 삼성디스플레이 주식회사 Vapor deposition apparatus, method for vapor deposition and method for manufacturing organic light emitting display apparatus
US10100402B2 (en) 2011-10-07 2018-10-16 International Business Machines Corporation Substrate holder for graphene film synthesis
US8534659B2 (en) * 2011-12-13 2013-09-17 United Microelectronics Corp. Substrate carrier and applications thereof
KR101355644B1 (en) * 2012-02-28 2014-01-29 (주)앤피에스 Substrate processing apparatus
SG11201509964UA (en) * 2013-06-06 2016-01-28 Centrotherm Photovoltaics Ag Retainer, method for producing same and use thereof
KR101431606B1 (en) * 2014-02-24 2014-08-22 (주)앤피에스 Substrate processing apparatus
WO2015192105A1 (en) * 2014-06-12 2015-12-17 Crystal Solar, Inc. Cvd epitaxial reactor chamber with resistive heating, three channel substrate carrier and gas preheat structure
TWI619826B (en) * 2014-07-31 2018-04-01 愛發科股份有限公司 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009094232A (en) * 2007-10-05 2009-04-30 Sumitomo Electric Ind Ltd Susceptor and vapor deposition device
JP2011046415A (en) * 2009-08-27 2011-03-10 Toppan Printing Co Ltd Board transfer pallet
CN201990721U (en) * 2011-03-04 2011-09-28 友威科技股份有限公司 Uniform temperature glass bearing tool device of vertical vacuum coating machine
WO2014038803A1 (en) * 2012-09-04 2014-03-13 Samsung Techwin Co., Ltd Catalyst metal film-supporting device and method and apparatus for synthesizing multiple graphene films
JP2015003813A (en) * 2013-06-21 2015-01-08 住友重機械工業株式会社 Transport jig

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