KR101355644B1

KR101355644B1 - Substrate processing apparatus

Info

Publication number: KR101355644B1
Application number: KR1020120020366A
Authority: KR
Inventors: 연강흠; 송대석
Original assignee: (주)앤피에스
Priority date: 2012-02-28
Filing date: 2012-02-28
Publication date: 2014-01-29
Also published as: KR20130098664A

Abstract

본 발명은 대면적의 기판을 용이하게 처리할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 내부공간이 형성되고 일측이 개방된 챔버 몸체와, 상기 챔버 몸체를 개폐하는 도어를 포함하는 챔버와; 상기 챔버 내부에 상하방향으로 구비되는 서셉터와; 상기 도어의 일측면에 연결되어 상기 서셉터와 평행하게 기판을 지지하는 지지부; 및 상기 챔버의 적어도 일면에 배치되고, 상기 서셉터를 가열하는 적어도 하나의 열원 유닛;을 포함하고, 기판의 두께가 얇은 경우에도 처짐 현상 없이 안정적으로 로딩할 수 있으며, 이에 따라 기판 전체에 걸친 균일한 처리가 가능해지고, 설치 공간도 줄일 수 있어 공간을 효과적으로 사용할 수 있으며, 설비 비용도 절감할 수 있다. The present invention relates to a substrate processing apparatus capable of easily processing a large-area substrate, comprising: a chamber including an chamber having an inner space formed therein and having one side opened, and a door opening and closing the chamber body; A susceptor provided in the chamber in a vertical direction; A support part connected to one side of the door to support the substrate in parallel with the susceptor; And at least one heat source unit disposed on at least one surface of the chamber and heating the susceptor, and may be stably loaded without sag even when the thickness of the substrate is thin, thereby providing uniformity throughout the substrate. The processing can be done, the installation space can be reduced, and the space can be effectively used, and the equipment cost can be reduced.

Description

[0001] Substrate processing apparatus [

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 대면적의 기판을 용이하게 처리할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that can easily process a large-area substrate.

최근 들어, 기판 등을 열처리하는 방법으로 급속열처리(rapid thermal processing; RTP) 방법이 많이 사용되고 있다. In recent years, a rapid thermal processing (RTP) method has been widely used as a method of heat-treating a substrate or the like.

급속열처리 방법은 텅스텐 램프 등의 열원에서 나오는 방사광(放射光)을 기판에 조사하여 기판을 가열 처리하는 방법이다. 이러한 급속열처리 방법은 퍼니스(furnace)를 이용한 기존의 기판 열처리 방법과 비교하여, 신속하게 기판을 가열하거나 냉각시킬 수 있으며, 압력 조건이나 온도 대역의 조절 제어가 용이하여, 기판의 열처리 품질을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.The rapid thermal processing method is a method of heating a substrate by irradiating the substrate with radiation (emitted light) emitted from a heat source such as a tungsten lamp. Such a rapid thermal annealing method can heat or cool the substrate quickly, and can easily control the pressure condition and the temperature band, thereby improving the heat treatment quality of the substrate, compared with the conventional substrate heat treatment method using a furnace There are advantages to be able to.

급속열처리 방법이 이용되었던 종래의 기판 처리 장치는, 주로 기판이 처리되는 공간을 제공하는 챔버와, 챔버 내부에서 기판을 지지하는 서셉터(susceptor)와, 기판을 가열하도록 방사광을 조사하는 열원과, 챔버에 연결되며 열원을 장착하기 위한 히팅 블록과, 히팅 블록과 챔버의 연결 부위에 배치되어 열원으로부터 조사된 방사광을 투과시키는 투과창을 포함하여 구성된다.A conventional substrate processing apparatus in which a rapid thermal processing method is used includes a chamber for providing a space in which a substrate is mainly processed, a susceptor for supporting the substrate inside the chamber, a heat source for irradiating the substrate with the radiation to heat the substrate, A heating block connected to the chamber for mounting a heat source and a transmission window disposed at a connection portion between the heating block and the chamber and transmitting the radiation emitted from the heat source.

그런데 기판이 대면적화됨에 따라 이를 처리하기 위한 기판 처리 장치의 부피도 급격하게 증가하게 되었다. 통상 기판은 챔버 내부에 수평방향으로 로딩되는데 이에 따라 기판이 처리되는 챔버의 크기도 커져 이를 설치하기 위해서는 넓은 공간이 요구된다. 이외에도 기판을 보관하기 위한 공간도 더 요구되기 때문에 이를 대처하기 위한 설비 비용이 증가하고 이와 같은 비용이 제품에 반영되어 가격 경쟁력이 저하되는 문제점이 있다. However, as the size of the substrate becomes larger, the volume of the substrate processing apparatus for processing the substrate is also increased sharply. In general, a substrate is horizontally loaded in a chamber, and accordingly, the size of a chamber in which a substrate is processed is increased, and a large space is required for installing the substrate. In addition, since a space for storing the substrate is further required, the equipment cost for coping with such a problem is increased, and the cost is reflected in the product, thereby reducing the price competitiveness.

또한, 대면적의 기판을 수평방향으로 로딩하게 되면 기판의 자체 하중에 의해 하부 방향으로 처지는 현상이 발생하여 기판 전체에 걸쳐 균일한 처리가 어려운 문제점도 있다. Further, when a large-area substrate is loaded in the horizontal direction, the substrate is sagged in a downward direction due to its own load, so that it is difficult to uniformly process the entire substrate.

한편, 그래핀(graphene)은 탄소원자들이 2차원 상에서 벌집 모양의 배열을 이루면서 원자 한 층의 두께를 가지는 전도성 물질로서, 다양한 저차원 나노 현상을 연구하는데 중요한 모델이 되어 왔다. 그리고 그래핀은 구조적, 화학적으로도 매우 안정할 뿐 아니라 매우 뛰어난 전도체로서, 실리콘에 비해 대략 100배 가량 빠르게 전자를 이동시킬 수 있으며, 구리에 비해 대략 100배 가량 더 많은 전자를 흐르게 할 수 있는 것으로 예측되었다.On the other hand, graphene has become an important model for studying various low-dimensional nano phenomena as a conductive material having a thickness of one layer of atoms while carbon atoms form a honeycomb arrangement in a two-dimensional phase. And graphene is not only very structurally and chemically stable, but also a very good conductor that can move electrons about 100 times faster than silicon and can flow about 100 times more electrons than copper Was predicted.

그래핀은 상대적으로 가벼운 원소인 탄소만으로 이루어져 1차원 혹은 2차원 나노패턴을 가공하기가 매우 용이하다는 장점이 있다. 특히 이러한 장점을 활용하면 반도체-도체 성질을 조절할 수 있을 뿐만 아니라, 탄소가 가지는 화학결함의 다양성을 이용해 센서, 메모리 등과 같은 광범위한 기능성 소자의 제작이 가능해 진다. Graphene is made up of carbon, which is a relatively light element, and it is very easy to fabricate 1D or 2D nanopatterns. Particularly, by utilizing these advantages, not only the semiconductor-conductor properties can be controlled, but also a wide variety of functional devices such as sensors, memories, and the like can be manufactured by utilizing the variety of the chemical defects of carbon.

다만, 상기에서 언급한 바와 같이 그래핀은 뛰어난 전기적/기계적/화학적 장점을 지니고 있음에도 불구하고, 아직까지도 실제 상용에 적용할 수 있는 현실적인 대량합성법이 소개되지 못하고 있다. 종래에는 주로 흑연을 기계적으로 분쇄하여 용액 상에 분산시킨 후 자기조립 현상을 이용해 박막으로 제조하는 방법이 알려져 있을 뿐, 이 경우 저 비용의 장점이 있으나 수많은 그래핀 조각들이 서로 겹치면서 연결된 구조로 이루어져 전기적, 기계적 성질은 기대에 미치지 못하였다. 또한, 최근 소개된 화학증기증착법에 의한 대면적 그래핀 합성 기술이 소개되면서 금속에 버금가는 전도성을 지닌 그래핀 박막을 제조하는 것이 가능하다고 알려진 바 있으나, 이 역시 고 비용이 요구되며, 상대적으로 높은 공정 온도가 요구되는 문제가 있었다.However, as mentioned above, although graphene has excellent electrical / mechanical / chemical advantages, a realistic mass synthesis method that can be applied to practical commercial applications is not yet introduced. Conventionally, a method of mechanically crushing graphite and dispersing it in a solution phase and then making it into a thin film by self-assembly phenomenon is known. In this case, although there is an advantage of low cost, many graphene pieces are stacked and connected to each other, , The mechanical properties did not meet expectations. Also, it is known that it is possible to manufacture a graphene thin film having a conductivity comparable to that of a metal by introducing a large area graphene thinning technique by a recently introduced chemical vapor deposition method. However, this is also required to have a high cost and a relatively high There is a problem that a process temperature is required.

KRKR 2010-01114472010-0111447 A1A1 KRKR 2011-01004282011-0100428 A1A1

본 발명은 대면적의 기판을 용이하게 처리할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus that can easily process a large area substrate.

본 발명은 그래핀을 박막 형태로 제조할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus that can produce graphene in a thin film form.

본 발명은 그래핀 박막의 상용화를 위하여 급속열처리 방식으로 그래핀을 대량 생산할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus capable of mass-producing graphene by rapid thermal processing for commercialization of a graphene thin film.

본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 내부공간이 형성되고 일측이 개방된 챔버 몸체와, 상기 챔버 몸체를 개폐하는 도어를 포함하는 챔버와; 상기 챔버 내부에 상하방향으로 구비되는 서셉터와; 상기 도어의 일측면에 연결되어 상기 서셉터와 평행하게 기판을 지지하는 지지부; 및 상기 챔버의 적어도 일면에 배치되고, 상기 서셉터를 가열하는 적어도 하나의 열원 유닛;을 포함하고, 상기 지지부는 서로 이격되어 평행하게 배치되고 복수의 고정공이 형성되는 한 쌍의 지지대와; 상기 고정공에 체결되어 기판을 고정하는 복수의 고정부재;를 포함한다.
상기 고정부재는, 상기 고정공에 삽입되는 볼트와; 상기 볼트에 체결되는 적어도 하나의 너트;를 포함할 수도 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 내부공간이 형성되고 일측이 개방된 챔버 몸체와, 상기 챔버 몸체를 개폐하는 도어를 포함하는 챔버와; 상기 챔버 내부에 상하방향으로 구비되는 서셉터와; 상기 도어의 일측면에 연결되어 상기 서셉터와 평행하게 기판을 지지하는 지지부; 및 상기 챔버의 적어도 일면에 배치되고, 상기 서셉터를 가열하는 적어도 하나의 열원 유닛;을 포함하고, 상기 지지부는 서로 이격되어 평행하게 배치되며 복수의 홈이 형성된 한 쌍의 지지대를 포함하고, 상기 기판의 적어도 서로 대향하는 양쪽 가장자리에는 프레임이 연결되며, 상기 프레임에는 상기 홈에 맞물려지는 고정돌기가 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 한 쌍의 지지대 사이에는 상기 한 쌍의 지지대 사이 간격을 유지하기 위한 적어도 하나의 지지바가 구비될 수도 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 내부공간이 형성되고 일측이 개방된 챔버 몸체와, 상기 챔버 몸체를 개폐하는 도어를 포함하는 챔버와; 상기 챔버 내부에 상하방향으로 구비되는 서셉터와; 상기 도어의 일측면에 연결되어 상기 서셉터와 평행하게 기판을 지지하는 지지부; 및 상기 챔버의 적어도 일면에 배치되고, 상기 서셉터를 가열하는 적어도 하나의 열원 유닛;을 포함하고, 상기 지지부는 서로 이격되어 평행하게 배치되며 서로 대향하는 면에 길이 방향을 따라 가이드홈이 한 쌍의 지지대를 포함하고, 상기 기판의 적어도 서로 대향하는 양쪽 가장자리에는 프레임이 연결되며, 상기 프레임은 상기 가이드홈에 슬라이딩방식으로 삽입되도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 서셉터는 상기 서셉터의 가장자리와 상기 챔버의 내벽을 부분적으로 연결하는 고정수단을 이용하여 상기 챔버의 내벽에 고정될 수도 있다.
상기 챔버는 일측에 공정가스를 주입하기 위한 가스주입구와, 상기 가스주입구에 대향하는 타측에 상기 챔버 내의 가스를 배출하기 위한 가스배출구를 포함할 수도 있다.
상기 챔버 몸체는 전면 및 적어도 일 측면이 개방된 중공의 하우징과, 상기 하우징의 개방되는 측면에 연결되는 커버를 포함하고, 상기 열원 유닛은 상기 커버에 배치될 수도 있다.
상기 하우징의 상하방향 길이는 상기 커버의 일측면에서 상기 하우징의 일측면까지의 길이보다 길 수도 있다.
상기 서셉터는 그라파이트(graphite) 또는 탄화규소(SiC)가 코팅된 그라파이트, 탄화규소(Silicon Carbide), 질화규소(Silicon nitride), 알루미나(Al2O3), 질화 알루미늄(Aluminium nitride) 및 석영(Quartz) 중 적어도 어느 하나로 형성될 수도 있다.
상기 지지대에는 상기 지지대를 관통하는 적어도 하나의 슬릿이 형성될 수도 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: a chamber including an chamber having an inner space and an open side, and a door configured to open and close the chamber body; A susceptor provided in the chamber in a vertical direction; A support part connected to one side of the door to support the substrate in parallel with the susceptor; And at least one heat source unit disposed on at least one surface of the chamber and heating the susceptor, wherein the support is spaced apart from each other, arranged in parallel, and a pair of supports formed therein; And a plurality of fixing members fastened to the fixing holes to fix the substrate.
The fixing member, the bolt is inserted into the fixing hole; It may also include; at least one nut fastened to the bolt.
According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: a chamber including an chamber having an inner space and an open side, and a door configured to open and close the chamber body; A susceptor provided in the chamber in a vertical direction; A support part connected to one side of the door to support the substrate in parallel with the susceptor; And at least one heat source unit disposed on at least one surface of the chamber and heating the susceptor, wherein the support portion includes a pair of supports disposed in parallel with each other and having a plurality of grooves formed therein. Frames are connected to both edges of the substrate facing each other, and the fixing protrusions are engaged with the grooves.
At least one support bar may be provided between the pair of supports to maintain a distance between the pair of supports.
According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: a chamber including an chamber having an inner space and an open side, and a door configured to open and close the chamber body; A susceptor provided in the chamber in a vertical direction; A support part connected to one side of the door to support the substrate in parallel with the susceptor; And at least one heat source unit disposed on at least one surface of the chamber and heating the susceptor, wherein the support is spaced apart from each other and arranged in parallel to each other and has a pair of guide grooves along a length direction on a surface facing each other. And a support of the frame, and a frame is connected to at least opposite edges of the substrate, and the frame is formed to be inserted into the guide groove in a sliding manner.
The susceptor may be fixed to the inner wall of the chamber using fixing means for partially connecting the edge of the susceptor and the inner wall of the chamber.
The chamber may include a gas inlet for injecting process gas into one side and a gas outlet for discharging gas in the chamber on the other side opposite to the gas inlet.
The chamber body may include a hollow housing having a front surface and at least one side open, and a cover connected to the open side of the housing, and the heat source unit may be disposed in the cover.
The vertical length of the housing may be longer than the length from one side of the cover to one side of the housing.
The susceptor is at least one of graphite or silicon carbide (SiC) coated graphite, silicon carbide, silicon nitride, alumina (Al 2 O 3), aluminum nitride and quartz (Quartz) It may be formed of either.
At least one slit penetrating the support may be formed in the support.

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본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 기판을 수직 방향으로 로딩하도록 구성되어 대면적의 기판을 용이하게 처리할 수 있다. 그리고 기판의 두께가 얇은 경우에도 처짐 현상 없이 안정적으로 로딩할 수 있으며, 이에 따라 기판 전체에 걸친 균일한 처리가 가능해진다. 설치 공간도 줄일 수 있어 공간을 효과적으로 사용할 수 있고, 이에 설비 비용도 절감할 수 있다. The substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention may be configured to load the substrate in a vertical direction to easily process a large area substrate. Even when the thickness of the substrate is thin, the substrate can be stably loaded without sagging phenomenon, and uniform processing over the entire substrate can be achieved. The installation space can be reduced, and the space can be effectively used, and the equipment cost can be reduced.

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 급속열처리(rapid thermal processing: RTP) 방식을 응용하여 공정 챔버 내에 수용된 기판을 가열하여 그래핀을 대량 생산해 낼 수 있다. 이로써, 전기적, 기계적, 화학적으로 많은 장점을 지니고 있는 그래핀의 상용화를 도모할 수 있다. In addition, the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention can mass-produce the graphene by heating a substrate accommodated in a process chamber by applying a rapid thermal processing (RTP) method. This makes it possible to commercialize graphene, which has many advantages in terms of electrical, mechanical and chemical properties.

특히, 공정 챔버와, 방사광을 조사하는 열원을 구비하고, 열원의 가열 작용에 의해 서셉터를 1차적으로 가열한 다음, 가열된 서셉터의 열전달(즉, 복사 또는 전도)에 의해 2차적으로 기판이 균일하게 가열됨에 따라 그래핀 박막을 용이하게 제조할 수 있다. Particularly, it is preferable that the susceptor is primarily heated by a heating action of a heat source, and a heat source for irradiating the synchrotron radiation is provided. The susceptor is primarily heated by heat transfer (i.e., radiation or conduction) It is possible to easily produce a graphene thin film.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 분리 사시도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 단면도.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 지지부의 사시도.
도 4는 도 3에 도시된 지지대에 기판을 장착하는 상태를 보여주는 도면.
도 5는 지지부의 변형 예를 보여주는 사시도.
도 6은 도 5에 도시된 지지부에 기판을 장착하기 위해 기판을 프레임에 고정하는 상태를 보여주는 도면.
도 7은 지지부의 또 다른 변형 예를 보여주는 사시도.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 그래핀을 제조할 때 기판이 가열되는 원리를 설명하기 위한 개념도. 1 is an exploded perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
2 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
3 is a perspective view of a support according to an embodiment of the present invention.
4 is a view showing a state in which a substrate is mounted on the support shown in FIG.
5 is a perspective view showing a modification of the support.
6 is a view showing a state in which the substrate is fixed to the frame to mount the substrate to the support shown in FIG.
7 is a perspective view showing another modified example of the support.
FIG. 8 is a conceptual view illustrating a principle of heating a substrate when manufacturing graphene using a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present disclosure. FIG.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. Wherein like reference numerals refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 분리 사시도이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다. FIG. 1 is an exploded perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 박막 제조장치는, 기판(S)이 처리되는 내부공간을 제공하는 몸체(102)와, 몸체(102) 일측에 개폐 가능하도록 배치되는 도어(110)를 포함하는 챔버(100)와, 챔버(100) 내부에 수직 방향으로 배치되는 서셉터(120)와, 도어(110)의 일측에 연결되어 서셉터(120)와 평행하도록 기판(S)을 지지하는 지지부(130) 및 챔버(100)의 양측에 배치되어 서셉터(120)를 가열하기 위한 방사광을 방출하는 적어도 하나의 열원 유닛(200)을 포함한다. 본 실시 예에서는 열원 유닛(200)이 챔버(100)의 양측에 배치된 예에 대해서 설명하지만, 열원 유닛(200)은 챔버(100)의 양측 중 어느 한쪽에만 배치될 수도 있다. 열원 유닛(200)의 배치에 따라 챔버(100)의 형태, 열원 유닛(200)의 연결 형태, 서셉터(120)의 개수 및 지지부(130)의 구조 등에 차이가 있을 수 있으나, 각 실시 예에 대한 구성 및 작용 효과는 동일하다. Referring to FIG. 1, the thin film manufacturing apparatus according to an exemplary embodiment of the present disclosure may include a body 102 providing an internal space in which the substrate S is processed, and a door 110 disposed to be opened and closed on one side of the body 102. A substrate 100 including a chamber 100, a susceptor 120 disposed in a vertical direction inside the chamber 100, and connected to one side of the door 110 so as to be parallel to the susceptor 120. At least one heat source unit 200 disposed on both sides of the support 130 and the chamber 100 to support and emit radiation light for heating the susceptor 120. In the present embodiment, an example in which the heat source unit 200 is disposed on both sides of the chamber 100 will be described. However, the heat source unit 200 may be disposed only on either side of the chamber 100. Depending on the arrangement of the heat source unit 200, there may be a difference in the shape of the chamber 100, the connection form of the heat source unit 200, the number of susceptors 120 and the structure of the support 130, but in each embodiment The composition and working effects are the same.

챔버(100)는 내부에 기판(S)을 수용하여 가열해주기 위한 공간, 즉 진공의 가열공간이 마련된 구성으로서, 대략적인 형상은 도시된 바와 같이 중공의 박스 형상 또는 블록 형상으로 이루어질 수 있다. 그리고 챔버(100)는 하나의 몸체로 일체 제작될 수도 있으나, 여러 부품이 연결 또는 결합된 조립 몸체를 지닐 수도 있는데, 이 경우 각 부품 간의 연결 부위에는 밀폐(sealing) 수단(미도시)이 부가적으로 구비될 수 있다. 이에 따라 기판(S)의 가열 또는 냉각 시 장치 내에 투입되는 에너지를 절감해 줄 수 있다. The chamber 100 is provided with a space for accommodating the substrate S and heating it, that is, a vacuum heating space. The rough shape of the chamber 100 may be a hollow box shape or a block shape as shown in the figure. In addition, the chamber 100 may be integrally formed with one body, but may include an assembled body in which various components are connected or combined. In this case, a sealing means (not shown) As shown in FIG. Accordingly, energy to be supplied into the apparatus when the substrate S is heated or cooled can be reduced.

도 1에 도시된 챔버(100)는 기판이 처리되는 내부공간을 제공하는 중공의 몸체(102)와, 몸체(102)의 전면에 개폐 가능하도록 배치되는 도어(110)를 포함한다. 몸체(102)는 양측면이 개방되고 전면(前面)에 게이트(105)가 형성되어 있는 중공의 하우징(104)과, 하우징(104)의 양측면에 각각 연결되는 커버(106a, 106b)를 포함할 수 있다. 커버(106a, 106b)에는 열원 유닛(200)이 장착되어 서셉터(120)를 가열하기 위한 히터 블록으로 사용될 수 있다. 커버(106a, 106b) 내부에는 열원 유닛(200)을 장착하기 위한 고정홈(109)이 형성될 수도 있다. 고정홈(109)은 열원 유닛(200)으로부터 방출되는 방사광이 서셉터(120) 측으로 집광되어 조사될 수 있도록 아치(arch)형으로 형성되는 것이 좋다. 또한, 고정홈(109)은 열원 유닛(200)보다 크게 형성하여 고정홈(109)의 표면과 열원 유닛(200)의 표면이 이격되어 형성될 수 있도록 함으로써 방사광이 효과적으로 집광될 수 있도록 하는 것이 좋다. The chamber 100 shown in FIG. 1 includes a hollow body 102 for providing an internal space in which a substrate is processed, and a door 110 disposed to be openable and closable on a front surface of the body 102. The body 102 may include a hollow housing 104 having both sides open and a gate 105 formed on the front side and covers 106a and 106b connected to opposite sides of the housing 104, have. The heat source unit 200 is mounted on the covers 106a and 106b and can be used as a heater block for heating the susceptor 120. [ A fixing groove 109 for mounting the heat source unit 200 may be formed in the covers 106a and 106b. The fixing groove 109 may be formed in an arch shape so that the radiation light emitted from the heat source unit 200 can be condensed and irradiated to the susceptor 120 side. The fixing groove 109 is formed to be larger than the heat source unit 200 so that the surface of the fixing groove 109 and the surface of the heat source unit 200 can be formed to be spaced apart from each other so that the radiation can be effectively condensed .

이러한 구성으로 형성되는 챔버(100)는 기판(S)을 수직방향, 즉 세로방향으로 로딩할 수 있도록 상하방향으로 긴 형태로 형성될 수 있다. 예컨대 하우징(104)의 상하방향 길이를 커버(106a)의 일측면에서 커버(106b)의 일측면까지의 길이보다 길게 형성하여 상하방향으로 긴 육면체 형태로 형성될 수도 있다. 챔버(100)를 상하방향으로 길게 형성하게 되면 챔버(100)를 수평방향으로 길게 형성할 때보다 설치 공간을 감소시킬 수 있다. 한편, 열원 유닛(200)을 챔버(100)의 일측면에만 배치하는 경우에는 하우징(104)의 상하방향 길이를 커버의 일측면에서부터 하우징의 일측면까지의 길이보다 길게 형성할 수 있음은 물론이다.The chamber 100 formed with such a structure may be formed in a long shape in the vertical direction so as to be able to load the substrate S in the vertical direction, i.e., in the vertical direction. For example, the vertical length of the housing 104 may be longer than the length from one side of the cover 106a to one side of the cover 106b, and thus may be formed in a hexahedral shape that is long in the vertical direction. If the chamber 100 is formed long in the vertical direction, the installation space can be reduced as compared with a case where the chamber 100 is formed long in the horizontal direction. When the heat source unit 200 is disposed only on one side of the chamber 100, the length of the housing 104 in the vertical direction may be longer than the length from one side of the cover to one side of the housing .

또한, 몸체(102), 즉 하우징(104)의 전면(前面)에 형성되어 있는 게이트(105)는 기판(S)을 반입 및 반출할 수 있을 정도의 크기로 형성되고, 도어(110)에 의해 개폐될 수 있으며, 게이트(105)가 폐쇄된 경우 챔버(100) 내부가 밀폐될 수 있도록 도어(110)와 게이트(105)의 연결부위에 밀폐부재(미도시)를 개재하는 것이 좋다. 그리고 도면에서는 몸체(102)와 도어(110)가 서로 분리되어 구성된 것으로 도시하고 있으나 도어(110)의 이동통로 및 구동수단 등을 구비하여 도어(110)를 자동으로 이동시켜 게이트(105)를 개폐하도록 구성될 수도 있다. The gate 105 formed on the body 102 or the front surface of the housing 104 is formed to a size large enough to carry and unload the substrate S, And a sealing member (not shown) may be interposed between the door 110 and the gate 105 so that the inside of the chamber 100 can be sealed when the gate 105 is closed. Although the body 102 and the door 110 are illustrated as being separated from each other in the figure, the door 110 is automatically moved by the moving passage of the door 110 and the driving means, .

챔버(100)의 외부에는 챔버(100)의 내부공간으로 공정가스를 공급하는 가스공급부(미도시)가 구비되고, 챔버(100)의 일측면에는 가스공급부로부터 공급되는 공정가스를 챔버(100) 내부로 주입하기 위한 가스주입구(103)가 형성되며 가스주입구(103)와 대향하는 챔버(100)의 타측면에는 챔버(100) 내부의 가스를 배출하기 위한 가스배출구(101)가 형성된다. 가스주입구(103)와 가스배출구(101)가 형성되는 위치는 기판(S)을 고정하는 지지부(130)의 구조에 따라 다양하게 변경될 수 있다. A gas supply unit (not shown) for supplying a process gas to the inner space of the chamber 100 is provided outside the chamber 100. A process gas supplied from the gas supply unit is supplied to one side of the chamber 100, And a gas outlet 101 for discharging the gas in the chamber 100 is formed on the other side of the chamber 100 facing the gas inlet 103. The position at which the gas inlet 103 and the gas outlet 101 are formed may be variously changed according to the structure of the support 130 fixing the substrate S. FIG.

가스배출구(101)를 통해 챔버(100) 내부의 가스를 보다 효과적으로 배출시키기 위해서는 가스배출구(101)와 연결되는 배기라인(미도시) 상에 펌프(미도시)를 장착할 수도 있다. 이와 같은 구성을 통해 챔버(100) 내부에 진공 형성과 같은 압력 제어도 수행할 수 있다. In order to more effectively discharge the gas inside the chamber 100 through the gas outlet 101, a pump (not shown) may be mounted on an exhaust line (not shown) connected to the gas outlet 101. Through such a configuration, pressure control such as vacuum formation may be performed in the chamber 100.

그리고 챔버(100)에는 열원 유닛(200) 및 서셉터(120)를 냉각시키기 위한 냉각 가스가 공급되는 냉각 라인(107)이 형성될 수도 있다. 예컨대 냉각 라인(107)은 하우징(104), 커버(106a, 106b) 및 도어(110)의 내부에서 분기되어 냉각가스를 서셉터(120)에 균일하게 분사하도록 형성될 수도 있다. 한편, 열원 유닛(200)이 챔버(100)의 어느 한 쪽 측면에 배치되는 경우에는 냉각 라인(107)은 열원 유닛(200)이 구비되는 쪽에만 형성될 수도 있으나, 필요에 따라서는 냉각 라인(107)을 여러 방향에 걸쳐 형성함으로써 냉각 효율을 향상시킬 수도 있다. In the chamber 100, a cooling line 107 may be formed to supply a cooling gas for cooling the heat source unit 200 and the susceptor 120. For example, the cooling line 107 may be formed to branch inside the housing 104, the covers 106a and 106b and the door 110 to uniformly inject the cooling gas into the susceptor 120. On the other hand, when the heat source unit 200 is disposed on either side of the chamber 100, the cooling line 107 may be formed only on the side where the heat source unit 200 is provided, if necessary, the cooling line ( It is also possible to improve the cooling efficiency by forming 107 in several directions.

챔버(100)의 내벽에는 라이너(미도시)가 형성될 수도 있다. 라이너는 챔버(100) 내부에서 공정 가스가 도달할 수 있는 모든 곳에 형성되어 공정 중 발생하는 오염물을 흡착시킨다. 이와 같이 라이너를 챔버(100) 내벽에 적용함으로써 장비 전체를 세정하지 않고 라이너만 교체하여 장비의 유지 보수 주기를 연장할 수 있다. 이때, 라이너는 그라파이트(graphite) 또는 탄화규소(SiC)가 코팅된 그라파이트, 탄화규소(Silicon Carbide), 질화규소(Silicon nitride), 알루미나(Al₂O₃), 질화 알루미늄(Aluminium nitride) 및 석영(Quartz) 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. A liner (not shown) may be formed on the inner wall of the chamber 100. The liner is formed anywhere within the chamber 100 where the process gas can reach to adsorb contaminants generated during the process. In this way, by applying the liner to the inner wall of the chamber 100, it is possible to extend the maintenance cycle of the equipment by replacing only the liner without cleaning the entire equipment. In this case, the liner is graphite or silicon carbide (SiC) coated graphite, silicon carbide, silicon nitride, alumina (Al ₂ O ₃ ), aluminum nitride and quartz (Quartz) It may be formed of at least one of).

서셉터(120)는 챔버(100) 내부에 수직방향으로 배치되며, 별도의 고정수단(122)을 이용하여 챔버(100) 내벽에 고정되어 열원 유닛(200)의 배열 방향과 평행하게 설치된다. 서셉터(120)는 챔버(100) 내벽으로부터 소정 거리 이격되도록 설치되는 것이 바람직하다. 다시 말해서 서셉터(120)를 챔버(100) 내벽으로부터 이격되도록 설치함으로써 서셉터(120) 가장자리와 챔버(100) 내벽 간에 형성되는 공간을 통해 기판 처리 시 챔버(100) 내부로 공급되는 공정가스가 챔버(100) 내부 전체에 걸쳐 신속하고 균일하게 확산될 수 있도록 하기 위함이다. 이를 위해 고정부재(122)는 서셉터(120)의 가장자리와 챔버(100)의 내벽을 부분적으로 연결할 수 있는 형태로 형성되는 것이 바람직하다. The susceptor 120 is disposed in the vertical direction inside the chamber 100, and is fixed to the inner wall of the chamber 100 by using a separate fixing means 122 and installed in parallel with the arrangement direction of the heat source unit 200. The susceptor 120 may be installed to be spaced apart from the inner wall of the chamber 100 by a predetermined distance. In other words, by installing the susceptor 120 to be spaced apart from the inner wall of the chamber 100, a process gas supplied into the chamber 100 during substrate processing is formed through a space formed between the edge of the susceptor 120 and the inner wall of the chamber 100. This is to diffuse quickly and uniformly throughout the chamber 100. To this end, the fixing member 122 is preferably formed in a form that can partially connect the edge of the susceptor 120 and the inner wall of the chamber 100.

서셉터(120)는 기판 처리 시 기판(S)이 열원 유닛(200)에서 조사되는 방사광에 직접 노출되는 것을 방지하는 역할을 한다. 즉, 본 실시 예에서는 기판으로서 니켈(Ni), 구리(Cu), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 은(Ag), 크롬(Cr), 망간(Mn), 티타늄(Ti) 및 텅스텐(W) 등의 금속 박판을 이용하는데, 이와 같은 금속 재질의 기판에 방사광을 직접 조사하면 방사광이 반사되어 기판(S)을 공정 온도까지 가열하는데 많은 시간과 전력이 소모될 수 있다. 따라서 본 발명에서는 방사광을 흡수하고 열전도도가 우수한 재질로 형성되는 서셉터(120)를 열원 유닛(200)과 기판(S) 사이에 배치함으로써 방사광에 의해 가열된 서셉터(120)를 통해 기판이 간접적으로 가열될 수 있도록 하였다. 서셉터(120)는 그라파이트(graphite) 또는 탄화규소(SiC)가 코팅된 그라파이트, 탄화규소(Silicon Carbide), 질화규소(Silicon nitride), 알루미나(Al₂O₃), 질화 알루미늄(Aluminium nitride) 및 석영(Quartz) 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 열원 유닛(200)이 챔버(100)의 양측면 중 어느 한쪽에만 배치되는 경우, 도 1 및 도 2에 도시된 것처럼 한 쌍의 서셉터(120)를 사용할 수도 있지만, 하나의 서셉터만 사용해도 무방하다. 이때, 기판이 서셉터(120)에 의해 간접적으로 가열될 수 있도록 서셉터(120)를 기판(S)과 열원 유닛(200) 사이에 배치되도록 하는 것이 중요하다. 여기에서 한 쌍의 서셉터(120)를 사용하는 경우 기판 처리, 예컨대 기판(S)을 열처리하거나 박막을 증착하는 동안 기판(S)을 일정한 온도로 유지하여 그래핀의 증착을 용이하게 할 수도 있다.The susceptor 120 serves to prevent the substrate S from being directly exposed to the radiation emitted from the heat source unit 200 during substrate processing. That is, in this embodiment, a substrate made of Ni, Cu, Co, Mo, Mg, Pt, Ag, Cr, Mn, titanium (Ti), and tungsten (W). When such a metal substrate is directly irradiated with the radiation, the amount of time and power required to heat the substrate S to the process temperature Can be consumed. Therefore, in the present invention, the substrate is disposed through the susceptor 120 heated by the radiation light by disposing the susceptor 120 formed between a heat absorbing unit 200 and the substrate S by absorbing the radiation light and having excellent thermal conductivity. It can be indirectly heated. The susceptor 120 includes graphite or silicon carbide (SiC) coated graphite, silicon carbide, silicon nitride, alumina (Al ₂ O ₃ ), aluminum nitride, and quartz It may be formed of at least one of (Quartz). When the heat source unit 200 is disposed only on either side of the chamber 100, a pair of susceptors 120 may be used as shown in FIGS. 1 and 2, but only one susceptor may be used. Do. At this time, it is important that the susceptor 120 is disposed between the substrate S and the heat source unit 200 so that the substrate can be indirectly heated by the susceptor 120. In the case where a pair of susceptors 120 are used, the deposition of graphene may be facilitated by maintaining the substrate S at a constant temperature during substrate treatment, for example, heat treatment of the substrate S or deposition of a thin film. .

상기 서셉터(120)에는 서셉터(120)의 온도를 측정하기 위한 온도 측정부(미도시)가 형성될 수 있다. 온도 측정부는 한 쌍의 서셉터(120) 중 적어도 어느 하나에 형성될 수 있으며, 플레이트 형상의 서셉터(120) 상에 일정한 간격마다 형성될 수도 있고, 중심부와 각 가장자리부에 형성될 수도 있으며, 그 형성 개수 및 형성 위치는 이에 한정되지 않는다. The susceptor 120 may be formed with a temperature measuring unit (not shown) for measuring the temperature of the susceptor 120. The temperature measuring unit may be formed on at least one of the pair of susceptors 120, may be formed on the plate-shaped susceptor 120 at regular intervals, may be formed in the center and each edge portion, The number of formation and the formation position are not limited to this.

열원 유닛(200)은 챔버(100)에 형성된 고정홈(109)에 설치되어 챔버(100) 내부에 설치된 서셉터(120)를 가열한다. 열원 유닛(200)은 방사광을 발생시키는 열원과, 열원을 감싸 보호하고 열원에서 발생되는 방사광을 외부로 투과시키는 윈도우를 포함한다. 열원은 텅스텐 할로겐 램프, 카본 램프 및 루비 램프 중 적어도 어느 한 가지가 사용될 수 있으며, 선형, 벌브(bulb) 형태 등 다양한 형태의 열원이 사용될 수 있다. The heat source unit 200 is installed in the fixing groove 109 formed in the chamber 100 to heat the susceptor 120 installed inside the chamber 100. The heat source unit 200 includes a heat source for generating radiation and a window for covering and protecting the heat source and transmitting the radiation emitted from the heat source to the outside. The heat source may be at least one of a tungsten halogen lamp, a carbon lamp, and a ruby lamp, and various types of heat sources such as a linear type and a bulb type may be used.

예컨대 선형의 열원을 사용하는 경우, 복수 개의 열원 유닛(200)을 일정한 간격으로 나란하게 배열하여 사용할 수도 있고, 복수 개의 열원 유닛(200)을 격자 형태로 배열하여 사용할 수도 있다. 이 경우, 열원 유닛(200)과 몸체(102)의 연결부위에는 오링 등의 밀폐부재(미도시)를 삽입하여 챔버(100) 내부를 밀폐시킴으로써 공정 중 챔버(100) 내의 공정가스가 외부로 유출되는 것을 방지할 수도 있다. 또한, 열원 유닛(200)을 고정홈(109)에 장착한 이후 열원 유닛(200)이 챔버(100) 내부공간에 노출되는 것을 방지하기 위하여 열원 유닛(200) 전면에 투과창(미도시)을 설치할 수도 있다. 이와 같은 구성을 통해 박막을 증착하는 과정에서 열원 유닛(200)에 박막 물질이 증착되는 것을 억제하여 열원 유닛(200)의 수명을 연장시킬 수 있다. For example, when a linear heat source is used, a plurality of heat source units 200 may be arranged in parallel at regular intervals, or a plurality of heat source units 200 may be arranged in a lattice form. In this case, a sealing member (not shown) such as an O-ring is inserted into the connection portion between the heat source unit 200 and the body 102 to seal the inside of the chamber 100, so that the process gas in the chamber 100 flows out . In order to prevent the heat source unit 200 from being exposed to the inner space of the chamber 100 after the heat source unit 200 is mounted in the fixing groove 109, a transmission window (not shown) is provided on the entire surface of the heat source unit 200 It can also be installed. With this structure, it is possible to prevent the thin film material from being deposited on the heat source unit 200 in the process of depositing the thin film, thereby extending the service life of the heat source unit 200.

열원의 표면 일부에는 반사막(미도시)이 형성될 수도 있다. 선형 열원의 경우 방사광이 방사상으로 방출되는데, 가열 대상인 서셉터(120)는 열원과 마주보도록 배치되기 때문에 열원으로부터 방출되는 방사광의 진행 방향을 제어하여 서셉터(120)의 가열 효율을 높일 필요가 있다. 따라서 열원의 표면 일부에 방사광을 서셉터(120) 측으로 반사시키기 위한 반사막(미도시)을 형성할 수도 있다. 반사막은 열원의 중심부로부터 20° 내지 300°범위의 외주면에 형성되는 것이 좋다. 반사막이 제시된 범위보다 넓은 범위에 형성되는 경우 방사광이 투과되는 영역이 매우 좁아져 서셉터(120)를 균일하게 가열하기 어렵고, 제시된 범위보다 좁은 범위에 형성되는 경우에는 반사막을 통해 방사광의 반사되는 정도가 감소하여 서셉터(120)를 효과적으로 가열하기 어려운 문제가 있다. 이와 같은 반사막은 반사율이 우수한 재질로 형성될 수 있으며, 세라믹이나 Ni 또는 Ni/Au 합금 등의 금속재질로 형성될 수 있다.A reflective film (not shown) may be formed on a part of the surface of the heat source. In the case of the linear heat source, the radiated light is radiated radially. Since the susceptor 120 to be heated is disposed to face the heat source, the heating efficiency of the susceptor 120 needs to be improved by controlling the traveling direction of the radiated light emitted from the heat source. . Therefore, a reflective film (not shown) may be formed on a portion of the surface of the heat source to reflect the emitted light toward the susceptor 120. It is preferable that the reflective film is formed on the outer peripheral surface in the range of 20 to 300 from the center of the heat source. If the reflecting film is formed in a wider range than the suggested range, the area through which the radiating light is transmitted becomes very narrow, so that it is difficult to uniformly heat the susceptor 120. There is a problem that is difficult to effectively heat the susceptor 120 is reduced. Such a reflective film may be formed of a material having a high reflectance, or may be formed of a metal such as ceramic, Ni, Ni / Au alloy, or the like.

한편, 반사막은 열원 유닛(200)이 설치되는 고정홈(109)의 표면에 형성될 수도 있다. 고정홈(109)은 열원에서 방출되는 방사광을 집광할 수 있도록 아치형으로 형성되기 때문에 고정홈(109)의 표면에 반사막을 형성하면 방사광이 고정홈(109)의 표면에서 반사되어 서셉터(120) 측으로 조사될 수 있다. 이를 통해 방사광의 집광 효율을 더욱 향상시킬 수 있어 보다 적은 전력을 이용해서 서셉터(120)를 효과적으로 가열할 수 있게 된다. On the other hand, the reflection film may be formed on the surface of the fixing groove 109 where the heat source unit 200 is installed. Since the fixing groove 109 is formed in an arcuate shape to collect the radiation light emitted from the heat source, when a reflective film is formed on the surface of the fixing groove 109, the radiation light is reflected from the surface of the fixing groove 109 so that the susceptor 120 is formed. Can be irradiated to the side. Through this, the light collecting efficiency of the radiation can be further improved, and thus the susceptor 120 can be efficiently heated using less power.

지지부(130)는 도어(110)의 일측면, 다시 말해서 챔버(100)의 전면에 대향하는 면에 연결되어 기판을 지지한다. 지지부(130)는 기판을 서셉터(120)와 평행한 방향으로 지지하며 챔버(100) 내부로 로딩 및 언로딩한다. The supporting portion 130 is connected to one surface of the door 110, that is, a surface facing the front surface of the chamber 100 to support the substrate. The support 130 supports the substrate in a direction parallel to the susceptor 120 and loads and unloads the chamber 100.

전술한 바와 같이 본 발명의 실시 예에서는 기판으로서 금속 박판을 이용하기 때문에 지지부(130)는 기판을 평평한 상태로 지지할 수 있도록 구성될 수 있다. As described above, in the embodiment of the present invention, since the metal thin plate is used as the substrate, the support 130 may be configured to support the substrate in a flat state.

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 도어(110) 및 지지부(130)의 사시도이고, 도 4는 도 3에 도시된 지지부(130)에 기판을 장착하는 상태를 보여주는 도면이다.3 is a perspective view of the door 110 and the support 130 according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a view showing a state in which the substrate is mounted on the support 130 shown in FIG.

도 3을 참조하면, 도어(110)의 일측면에는 기판을 지지하기 위한 지지부(130)가 연결된다. 지지부(130)는 도어(110) 일측면의 상부에 연결되는 제1지지대(132a)와, 도어(110) 일측면의 하부에 연결되는 제2지지대(132b) 및 기판(S)을 지지대(132a, 132b)에 고정하는 복수의 고정부재(134)를 포함한다. Referring to FIG. 3, the support 130 for supporting the substrate is connected to one side of the door 110. The supporting part 130 includes a first supporting part 132a connected to the upper part of one side of the door 110, a second supporting part 132b connected to the lower part of one side of the door 110, And 132b, respectively.

제1지지대(132a)와 제2지지대(132b)는 서로 이격되어 평행하게 배치되고, 지지대(132a, 132b)를 관통하는 복수의 고정공(133)이 형성된다. 도 3에는 도시되어 있지 않지만, 제1지지대(132a)와 제2지지대(132b) 사이에는 제1지지대(132a)와 제2지지대(132b) 사이의 간격을 유지하기 위한 지지바(미도시)가 배치될 수도 있다. 이 경우 지지바에도 고정공(미도시)이 형성될 수도 있다. 그리고 도어(110)의 일측면에 연결되는 제1지지대(132a) 및 제2지지대(132b)의 일측에는 기판(S)의 고정 위치를 용이하게 설정할 수 있도록 단턱(135)이 형성될 수도 있다. 고정공(133)은 기판(S)을 지지대(132a, 132b)의 양측면에 연결할 수 있도록 지지대(132a, 132b)의 길이 방향에 대해서 수직방향으로 형성된다. The first support base 132a and the second support base 132b are spaced apart from each other and parallel to each other and a plurality of fixing holes 133 passing through the support base 132a and 132b are formed. Although not shown in FIG. 3, a support bar (not shown) is provided between the first support 132a and the second support 132b to maintain a gap between the first support 132a and the second support 132b. It may be arranged. In this case, a fixing hole (not shown) may also be formed in the support bar. In addition, a step 135 may be formed at one side of the first support 132a and the second support 132b connected to one side of the door 110 to easily set the fixing position of the substrate S. The fixing holes 133 are formed in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the supports 132a and 132b so that the substrate S can be connected to both sides of the supports 132a and 132b.

고정부재(134)는 기판(S)을 제1 및 제2지지대(132a, 132b)에 고정할 수 있는 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 본 실시 예에서는 고정공(133)에 삽입되는 볼트(134a)와, 볼트(134a)에 체결되는 너트(134b)를 사용하였다. The fixing member 134 may be formed in various forms to fix the substrate S to the first and second support members 132a and 132b. In this embodiment, the fixing member 134 is a bolt 134a inserted into the fixing hole 133. ) And a nut 134b fastened to the bolt 134a were used.

2개의 기판을 지지대(132a, 132b)에 고정하는 경우, 도 3에 도시된 것처럼 지지대(132a, 132b)를 사이에 두고 기판(S)을 지지대(132a, 132b)의 양측면에 각각 배치하고, 볼트(134a)를 고정공(133)과 기판(S)을 관통시킨 후 볼트(134a)의 단부에 너트(134b)를 체결하여 기판(S)을 지지대(132a, 132b)에 고정시킬 수 있다. 이때, 기판(S)을 지지대(132a, 132b)에 용이하게 고정하기 위하여 기판(S)의 가장자리부분에서 고정공(133)에 대응하는 위치에 관통공(SH)을 미리 형성할 수도 있다. 기판(S)은 상부 및 하부 가장자리가 제1지지대(132a) 및 제2지지대(132b)에 각각 고정되어 평평한 상태를 유지할 수 있다. 따라서 대면적의 기판(S)도 챔버(100) 내에 세로방향으로 용이하게 로딩할 수 있고, 이에 기판(S)의 하중에 의한 처짐 현상 등의 발생도 억제할 수 있다. 또한, 제1지지대(132a) 및 제2지지대(132b)는 기판(S) 사이에 개재되어 기판(S)의 상부 및 하부를 이격시키는 역할을 하기 때문에 공정 수행 시 기판(S) 사이에 공정 가스의 유입을 원활하게 함으로써 기판(S) 전체에 걸친 균일한 처리를 가능하게 한다. 그러나 기판(S)의 상부 및 하부 가장자리는 지지대(132a, 132b)에 직접 접촉되어 고정되기 때문에 기판(S) 사이가 지지대(132a, 132b)에 의해 폐쇄되어 기판(S1)의 상하부방향을 따라 공정가스가 원활하게 흐르지 못하는 문제가 발생하게 된다. 따라서 이 경우 가스주입구(103) 및 가스배출구(101)를 지지대(132a, 132b)의 배치방향과 평행한 방향, 예컨대 도어(110)와 도어(110)에 대향하는 방향에 형성하는 것이 좋다. 다만, 지지대(132a, 132b)에 기판(S) 사이로 공정가스를 유입 및 배출시킬 수 있는 슬릿(131)을 형성하는 경우에는 가스주입구(103)와 가스배출구(101)를 어느 위치에 형성하여도 무방하다. When fixing two substrates to the supports 132a and 132b, the substrate S is disposed on both sides of the supports 132a and 132b, respectively, with the supports 132a and 132b interposed therebetween as shown in FIG. After passing through the fixing hole 133 and the substrate S, the nut 134b may be fastened to the ends of the bolts 134a to fix the substrate S to the supports 132a and 132b. In this case, in order to easily fix the substrate S to the supports 132a and 132b, the through hole SH may be previously formed at a position corresponding to the fixing hole 133 at the edge portion of the substrate S. FIG. The upper and lower edges of the substrate S may be fixed to the first support 132a and the second support 132b to maintain a flat state. Therefore, the substrate S having a large area can be easily loaded in the chamber 100 in the longitudinal direction, and the occurrence of sagging due to the load of the substrate S can be suppressed. In addition, the first support 132a and the second support 132b are interposed between the substrate S and serve to separate the upper and lower portions of the substrate S, so that the process gas is between the substrates S during the process. By smoothly flowing in, the uniform treatment is possible over the entire substrate S. FIG. However, since the upper and lower edges of the substrate S are fixed by being in direct contact with the supports 132a and 132b, the process between the substrates S is closed by the supports 132a and 132b so that the process is performed along the upper and lower directions of the substrate S1. There is a problem that the gas does not flow smoothly. Therefore, in this case, it is preferable to form the gas inlet 103 and the gas outlet 101 in a direction parallel to the arrangement direction of the support bases 132a and 132b, for example, in a direction opposite to the door 110 and the door 110. However, when the slits 131 are formed on the supports 132a and 132b to allow the process gas to flow in and out between the substrates S, the gas inlet 103 and the gas outlet 101 may be formed at any position. It's okay.

또한, 2개 이상의 기판, 예컨대 4개의 기판(S1, S2, S3, S4)을 지지대(132a, 132b)에 고정하는 경우에는 도 4의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이 기판과 기판 사이마다 너트(134b)를 개재할 수도 있다. 이와 같은 방법으로 기판(S)을 지지대(132a, 132b)에 고정하게 되면 너트(134b)가 기판(S)을 지지대(132a, 132b)에 견고하게 고정시키는 역할도 하지만, 기판(S2, S3, S4) 사이를 이격시키는 스페이서로도 사용되므로 공정 시 공정가스가 기판(S2, S3, S4) 사이사이마다 균일하게 흐를 수 있으므로 모든 기판(S1, S2, S3, S4)에 걸쳐 균일한 처리가 가능해진다.
In addition, when fixing two or more substrates, for example, four substrates S1, S2, S3, and S4 to the supports 132a and 132b, the substrate and the substrate as shown in FIGS. 4A and 4B are illustrated. The nut 134b may be interposed between them. When the substrate S is fixed to the supports 132a and 132b in this manner, the nut 134b also firmly fixes the substrate S to the supports 132a and 132b, but the substrates S2, S3, It is also used as a spacer to separate the S4), so that the process gas can flow evenly between the substrates (S2, S3, S4) during the process, uniform processing across all the substrates (S1, S2, S3, S4) Become.

지지부(130)는 다음과 같이 형성될 수도 있다. The support 130 may be formed as follows.

도 5는 지지부(130)의 변형 예를 보여주는 사시도이고, 도 6은 도 5에 도시된 지지부에 기판을 장착하기 위해 기판을 프레임에 고정하는 상태를 보여주는 도면이다.5 is a perspective view illustrating a modified example of the support 130, and FIG. 6 is a view illustrating a state in which the substrate is fixed to the frame to mount the substrate to the support illustrated in FIG. 5.

도 5를 참조하면, 지지부(130)는 일측이 도어(110)의 일측면에 연결되고 복수의 홈(143a, 143b)이 형성된 한 쌍의 지지대(142a, 142b)를 포함한다. 이때 한 쌍의 지지대(142a, 142b) 사이에는 지지대(142a, 142b) 사이의 간격을 유지하기 위한 지지바(미도시)가 배치될 수도 있다. Referring to FIG. 5, the support 130 includes a pair of supports 142a and 142b, one side of which is connected to one side of the door 110 and a plurality of grooves 143a and 143b. In this case, a support bar (not shown) may be disposed between the pair of supports 142a and 142b to maintain a gap between the supports 142a and 142b.

지지대(142a, 142b)는 바형상으로 형성되고, 도어(110)의 일측면 상부에 연결되는 제1지지대(142a)와, 도어(110)의 일측면 하부에 연결되는 제2지지대(142b)를 포함한다. 제1 및 제2지지대(142a, 142b)는 서로 이격되어 평행하게 구비되며, 단부는 챔버(100) 내부를 향한다. 홈(143a, 143b)은 제1 및 제2지지대(142a, 142b)의 상부면에 형성될 수 있으며, 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 기판(S)은 도 6에 도시된 바와 같이 프레임(150)에 고정된 상태로 제1 및 제2지지대(142a, 142b)에 고정되는데, 이때, 프레임(150)에는 제1 및 제2지지대(142a, 142b)에 형성된 홈(143a, 143b)에 대응하는 형상의 고정돌기(153)가 형성되어 있다. 또한, 기판(S)을 프레임(150)에 고정하는 과정에서 사용되는 고정부재(152)가 프레임(150) 표면으로부터 돌출되기 때문에 제1 및 제2지지대(142a, 142b)에는 이를 수용하기 위한 홈(143a, 143b)도 형성된다. 또한, 제1 및 제2지지대(142a, 142b)에는 몸체를 관통하는 슬릿(145)이 형성될 수도 있다. 슬릿(145)은 공정 과정에서 챔버(100) 내부로 공급되는 공정가스의 이동통로로 사용될 수 있다. The supports 142a and 142b are formed in a bar shape, and include a first support 142a connected to an upper side of one side of the door 110 and a second support 142b connected to a lower side of one side of the door 110. Include. The first and second supports 142a and 142b are spaced apart from each other and provided in parallel, and an end portion thereof faces the inside of the chamber 100. The grooves 143a and 143b may be formed on the upper surfaces of the first and second supports 142a and 142b and may be formed in various shapes. As shown in FIG. 6, the substrate S is fixed to the first and second supports 142a and 142b in a state of being fixed to the frame 150. In this case, the substrate 150 has a first and a second support ( Fixing protrusions 153 having a shape corresponding to the grooves 143a and 143b formed in the 142a and 142b are formed. In addition, since the fixing member 152 used in the process of fixing the substrate S to the frame 150 protrudes from the surface of the frame 150, the first and second supports 142a and 142b have grooves for accommodating them. 143a and 143b are also formed. In addition, the slit 145 penetrating the body may be formed in the first and second supports 142a and 142b. The slit 145 may be used as a movement path of the process gas supplied into the chamber 100 during the process.

도 6에 도시된 바와 같이, 기판은 고정부재(152)를 통해 프레임(150)에 고정된다. 이때, 프레임(150)은 세라믹 재질로 형성될 수 있으며, 그 형상은 기판(S)의 형상에 따라 다양하게 변형될 수 있다. 기판(S)을 프레임(150)에 고정시킬 때 기판(S)의 일면 가장자리는 기판(S)과 유사한 형태, 예컨대 사각형태의 프레임(150)에 접촉시키고 고정부재(152)를 이용하여 기판(S)을 프레임(150)에 고정할 수 있는데, 기판(S)의 타면 가장자리에 프레임(150)과 동일한 보조프레임(미도시)이나 기판(S)의 일부 가장자리를 지지할 수 있는 보조프레임(151)을 덧대어 고정할 수도 있다. 도면에는 고정부재(152)가 기판(S)의 가장자리부분을 관통시키면서 기판(S)을 프레임(150)에 고정하는 것으로 나타나 있지만, 고정부재는 기판(S)의 가장자리부분을 프레임(150)에 압착시키는 형태로 형성되는 등 다양한 형태로 변경 가능하다. As shown in FIG. 6, the substrate is fixed to the frame 150 through the fixing member 152. At this time, the frame 150 may be formed of a ceramic material, the shape of which may be variously modified according to the shape of the substrate (S). When fixing the substrate S to the frame 150, one surface edge of the substrate S is in contact with the frame 150 similar to the substrate S, for example, a quadrangular frame 150 and using the fixing member 152. S) may be fixed to the frame 150, and an auxiliary frame (not shown) identical to the frame 150 or an auxiliary frame 151 capable of supporting some edges of the substrate S on the other surface edge of the substrate S. FIG. It can also be fixed by padding). Although the drawing shows that the fixing member 152 fixes the substrate S to the frame 150 while penetrating the edge portion of the substrate S, the fixing member attaches the edge portion of the substrate S to the frame 150. It can be changed into various forms such as formed in the form of pressing.

프레임(150)에는 다양한 형상의 고정돌기(153)가 형성되는데, 고정돌기(153)는 지지대(142a, 142b)에 형성된 홈(143a, 143b)과 맞물려지도록 홈(143a, 143b)에 대응하는 형상으로 형성될 수 있다. 도 5에서는 고정돌기(153)가 홈(143a, 143b)에 얹혀져 맞물려지는 형태로, 프레임(150)의 상부는 제1지지대(142a)에, 프레임(150)의 하부는 제2지지대(142b)에 각각 얹혀진 상태로 고정된다.
The fixing protrusions 153 of various shapes are formed in the frame 150, and the fixing protrusions 153 correspond to the grooves 143a and 143b so as to be engaged with the grooves 143a and 143b formed in the supports 142a and 142b. It can be formed as. In FIG. 5, the fixing protrusion 153 is mounted on the grooves 143a and 143b so that the fixing protrusion 153 is engaged with the upper portion of the frame 150 to the first support 142a and the lower portion of the frame 150 to the second support 142b. It is fixed in the state put on each.

도 7은 지지부(130)의 또 다른 변형 예를 보여주는 사시도이다.7 is a perspective view illustrating another modified example of the support 130.

도 7을 참조하면, 제1지지대(146a)의 하부면과 제2지지대(146b)의 상부면에 길이 방향을 따라 가이드홈(147)을 형성한 후 기판(S)이 고정된 프레임(155)을 가이드홈(147)에 슬라이드방식으로 삽입하여 기판(S)을 고정할 수도 있다. Referring to FIG. 7, after the guide groove 147 is formed along the length direction of the lower surface of the first support 146a and the upper surface of the second support 146b, the frame 155 to which the substrate S is fixed is formed. It may be inserted into the guide groove 147 by the slide method to fix the substrate (S).

이외에도 지지부(130)의 구성을 다양하게 변형하여 기판(S)을 고정할 수 있음은 물론이다.
In addition, the configuration of the support 130 may be variously modified to fix the substrate S.

이와 같은 구성을 통해 기판을 지지대에 수직방향으로 고정하여 챔버 내부로 로딩할 수 있다. 이때, 기판의 가장자리부분은 프레임에 고정되기 때문에 두께가 얇은 형태의 기판도 수직방향, 즉 세로방향으로의 로딩이 가능하게 되고, 공정 과정에서 기판이 변형되는 현상도 억제할 수 있다.
Through such a configuration, the substrate may be fixed to the support in a vertical direction and loaded into the chamber. At this time, since the edge portion of the substrate is fixed to the frame, the substrate having a thin thickness can be loaded in a vertical direction, that is, in a vertical direction, and a phenomenon in which the substrate is deformed during the process can be suppressed.

이와 같은 구성을 갖는 기판 처리 장치를 이용하여 기판 상에 그래핀을 증착하는 방법에 대해서 설명한다. A method of depositing graphene on a substrate using the substrate processing apparatus having such a structure will be described.

도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 그래핀을 제조할 때 기판이 가열되는 원리를 설명하기 위한 도면이다. 여기에서는 기판을 도 3에 도시된 지지대에 고정한 경우에 대해서 설명한다. 8 is a view for explaining the principle that the substrate is heated when manufacturing the graphene using the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Here, the case where the board | substrate is fixed to the support shown in FIG. 3 is demonstrated.

먼저, 기판(S)을 도어(110)에 연결되어 있는 지지대(132a, 132b)에 상하방향으로 고정한다. 기판(S)은 그 상부 및 하부의 가장자리부분이 지지대(132a, 132b)에 고정되기 때문에 평평한 상태를 유지할 수 있다. 이때, 기판(S)은 니켈(Ni), 구리(Cu), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 은(Ag), 크롬(Cr), 망간(Mn), 티타늄(Ti) 및 텅스텐(W) 중 적어도 어느 한 가지가 사용될 수 있으며, 박판 형태로 형성될 수도 있다. First, the substrate S is fixed up and down on the supports 132a and 132b connected to the door 110. [ Since the upper and lower edge portions of the substrate S are fixed to the supports 132a and 132b, a flat state can be maintained. The substrate S may be at least one selected from the group consisting of nickel (Ni), copper (Cu), cobalt (Co), molybdenum (Mo), magnesium (Mg), platinum (Pt), silver (Ag), chromium (Cr) ), Titanium (Ti), and tungsten (W) may be used, or may be formed in the form of a thin plate.

지지대(132a, 132b)에 기판(S)이 고정되면, 도어(110)를 이동시켜 기판(S)을 챔버(100) 내부로 로딩한다. 이때, 도어(110)에 의해 게이트(105)가 폐쇄되며, 기판(S)은 챔버(100) 내에 수직방향으로 설치되어 있는 서셉터(120) 사이로 배치된다. When the substrate S is fixed to the supports 132a and 132b, the door 110 is moved to load the substrate S into the chamber 100. [ In this case, the gate 105 is closed by the door 110, and the substrate S is disposed between the susceptors 120 installed in the vertical direction in the chamber 100.

이후, 챔버(100) 내의 가스를 배출시켜 챔버(100)의 내부 압력을 진공 상태로 만든다. 이때, 챔버(100)의 내부 압력은 0.01 내지 50torr 범위로 제어될 수 있다. Thereafter, the gas in the chamber 100 is discharged to make the internal pressure of the chamber 100 into a vacuum state. At this time, the internal pressure of the chamber 100 can be controlled in the range of 0.01 to 50 torr.

이어서 열원 유닛(200)을 작동시켜 서셉터(120)를 가열하면서 가스주입구(104)를 통해 공정가스를 공급하여 기판(S) 상에 그래핀을 증착한다. 이때, 서셉터(120)는 800 내지 1050℃ 정도까지 가열될 수 있으며, 공정가스로는 CH₄, C₂H₆, C₂H₂, C₆H₆ 등과 같이 탄소를 함유하는 가스가 사용될 수 있다. 기판(S) 상에 그래핀이 증착되는 동안 가스주입구(104)를 통해 공정가스가 공급되는 동시에 미반응 가스 및 잔류물 등이 가스배출구(105)를 통해 배출된다. Subsequently, the heat source unit 200 is operated to supply the process gas through the gas inlet 104 while heating the susceptor 120 to deposit graphene on the substrate S. At this time, the susceptor 120 may be heated to about 800 to 1050 ℃, the process gas may be a gas containing carbon, such as CH ₄ , C ₂ H ₆ , C ₂ H ₂ , C ₆ H ₆ . . While the graphene is deposited on the substrate S, process gas is supplied through the gas inlet 104, and unreacted gas and residues are discharged through the gas outlet 105.

도 8을 참조하면, 그래핀이 기판(S) 상에 증착되는 과정에서 열원으로부터 조사된 방사광은 윈도우를 투과한 후, 서셉터(120)로 조사된다. 이에 서셉터(120)는 열원으로부터 조사되는 방사광에 의해 미리 설정된 온도까지 가열되고, 서셉터(120) 상에 장착된 기판(S)은 가열된 서셉터(120)에 의해 간접적으로 가열된다. 이때, 기판(S)은 가열된 서셉터(120)의 열전달(즉, 복사 또는 전도)에 의해 균일하게 가열되기 때문에 고온에 의해 직접 가열됨으로써 발생할 수 있는 기판(S)의 손상을 방지할 수 있다. 또한, 한 쌍의 서셉터(120)가 단열구조를 형성하고 있기 때문에 그래핀이 증착되는 동안 기판(S)의 온도를 일정하게 유지할 수 있으므로 그래핀 박막을 균일하게 증착할 수 있다.Referring to FIG. 8, the radiation emitted from the heat source in the process of depositing the graphene on the substrate S passes through the window and is then irradiated onto the susceptor 120. Accordingly, the susceptor 120 is heated to a preset temperature by radiation light emitted from the heat source, and the substrate S mounted on the susceptor 120 is indirectly heated by the heated susceptor 120. In this case, since the substrate S is uniformly heated by heat transfer (ie, radiation or conduction) of the heated susceptor 120, damage to the substrate S that may be caused by direct heating by high temperature may be prevented. . In addition, since the pair of susceptors 120 form a heat insulating structure, the temperature of the substrate S may be kept constant while graphene is deposited, and thus the graphene thin film may be uniformly deposited.

이후, 기판(S) 상에 원하는 두께의 그래핀 박막이 증착되면 열원 유닛(200)의 작동을 정지시키고, 열원 유닛(200) 및 기판(S)을 냉각시킨다. 이때, 챔버(100) 내부에는 냉각 라인(107)을 통해 질소(N), 아르곤(Ar) 및 헬륨(He) 중 적어도 어느 한 가지의 냉각 가스가 공급될 수 있다. 냉각 가스는 챔버(100)의 상부 및 하부 중 적어도 어느 한 쪽 방향을 통해 챔버(100) 내부로 공급되어 서셉터(120)에 분사된다. 서셉터(120)가 냉각됨에 따라 서셉터(120) 사이에 장착된 기판(S)도 함께 냉각된다. 이와 같이 서셉터(120)의 냉각을 이용하여 기판(S)을 냉각시킴으로써 기판(S) 및 기판(S) 상에 증착된 그래핀 박막의 변형이나 특성 저하를 억제할 수 있다. Thereafter, when a graphene thin film having a desired thickness is deposited on the substrate S, the operation of the heat source unit 200 is stopped, and the heat source unit 200 and the substrate S are cooled. In this case, at least one cooling gas of nitrogen (N), argon (Ar), and helium (He) may be supplied to the chamber 100 through the cooling line 107. The cooling gas is supplied into the susceptor 120 by being supplied into the chamber 100 through at least one of the upper and lower portions of the chamber 100. As the susceptor 120 is cooled, the substrate S mounted between the susceptors 120 is also cooled. As described above, by cooling the substrate S by using the cooling of the susceptor 120, deformation and deterioration of the graphene thin film deposited on the substrate S and the substrate S can be suppressed.

이렇게 기판(S) 상에 그래핀 박막을 증착한 다음, 그래핀 박막을 기판(S)으로부터 분리하여 원하는 형태의 도전성 소자를 제조할 수 있다.
After depositing the graphene thin film on the substrate S as described above, the graphene thin film may be separated from the substrate S to manufacture a conductive device having a desired shape.

상술한 바와 같이 본 발명의 실시 예에 따르면, 두께가 얇은 대면적의 기판을 챔버 내부에 수직방향으로 용이하게 로딩할 수 있다. 즉, 기판을 지지부에 수직방향으로 고정시킨 상태로 챔버 내부로 로딩하기 때문에 기판을 로딩하는 과정이나 공정 수행 중 기판이 변형되는 것을 방지할 수 있다. As described above, according to the exemplary embodiment of the present invention, a large-sized thin substrate can be easily loaded in the chamber in the vertical direction. That is, since the substrate is loaded into the chamber in a state in which the substrate is fixed in the vertical direction to the support part, the substrate may be prevented from being deformed during the process of loading the substrate or performing the process.

또한, 본 발명의 실시 예에 따르면 그래핀을 급속 열처리(rapid thermal processing: RTP) 방식을 응용하여 공정 챔버 내에 수용된 기판을 가열하여 그래핀을 대량 생성해 낼 수 있다. 이로써, 전기적, 기계적, 화학적으로 많은 장점을 지니고 있는 그래핀의 상용화를 도모할 수 있다. In addition, according to an embodiment of the present invention by applying a rapid thermal processing (RTP) method to the graphene can be produced a large amount of graphene by heating the substrate accommodated in the process chamber. This makes it possible to commercialize graphene, which has many advantages in terms of electrical, mechanical and chemical properties.

특히, 공정 챔버와, 방사광을 조사하는 열원을 구비하고, 열원의 가열 작용에 의해 1차적으로 서셉터를 가열한 다음, 가열된 서셉터의 열전달(즉, 복사 또는 전도)에 의해 2차적으로 기판이 가열됨에 따라 그래핀 박막을 용이하게 증착할 수 있다.
In particular, it comprises a process chamber and a heat source for irradiating radiant light, heats the susceptor primarily by the heating action of the heat source, and then secondarily the substrate by heat transfer (ie, radiation or conduction) of the heated susceptor. As it is heated, the graphene thin film can be easily deposited.

본 발명을 첨부 도면과 전술된 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 그에 한정되지 않으며, 후술되는 특허청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 후술되는 특허청구범위의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변형 및 수정할 수 있다.Although the present invention has been described with reference to the accompanying drawings and the preferred embodiments described above, the present invention is not limited thereto but is limited by the following claims. Accordingly, those skilled in the art will appreciate that various modifications and changes may be made thereto without departing from the spirit of the following claims.

S: 기판
100 : 챔버 102 : 몸체
120 : 서셉터 130 : 지지부
150 : 프레임 200 : 열원 유닛S: substrate
100: chamber 102: body
120: susceptor 130: support
150: frame 200: heat source unit

Claims

A chamber including a chamber body formed with an inner space and opened at one side, and a door for opening and closing the chamber body;
A susceptor provided in the chamber in a vertical direction;
A support part connected to one side of the door to support the substrate in parallel with the susceptor; And
At least one heat source unit disposed on at least one surface of the chamber and heating the susceptor;
The support
A pair of supports arranged parallel and spaced apart from each other and having a plurality of fixing holes;
A plurality of fixing members fastened to the fixing holes to fix the substrate;
Lt; / RTI >
Wherein:
A bolt inserted into the fixing hole;
At least one nut fastened to the bolt;
And the substrate processing apparatus.

delete

A chamber including a chamber body formed with an inner space and opened at one side, and a door for opening and closing the chamber body;
A susceptor provided in the chamber in a vertical direction;
A support part connected to one side of the door to support the substrate in parallel with the susceptor; And
At least one heat source unit disposed on at least one surface of the chamber and heating the susceptor;
The support part is spaced apart from each other in parallel and includes a pair of supports formed with a plurality of grooves,
Frames are connected to at least opposite edges of the substrate,
The frame processing apparatus is formed in the frame is a fixing projection to be engaged with the groove.

The method according to claim 3,
And at least one support bar between the pair of supports for maintaining a distance between the pair of supports.

A chamber including a chamber body formed with an inner space and opened at one side, and a door for opening and closing the chamber body;
A susceptor provided in the chamber in a vertical direction;
A support part connected to one side of the door to support the substrate in parallel with the susceptor; And
At least one heat source unit disposed on at least one surface of the chamber and heating the susceptor;
The support portion is spaced apart from each other and arranged in parallel and the guide groove along the longitudinal direction on the surface facing each other, and includes a pair of supports,
A frame is connected to both edges of the substrate facing each other, and the frame is formed to be inserted into the guide groove in a sliding manner.

The method according to any one of claims 1, 3 and 5,
And the susceptor is fixed to the inner wall of the chamber using fixing means for partially connecting the edge of the susceptor and the inner wall of the chamber.

The method according to any one of claims 1, 3 and 5,
The chamber
A gas inlet for injecting a process gas into one side,
And a gas outlet for discharging the gas in the chamber to the other side opposite to the gas inlet.

The method according to any one of claims 1, 3 and 5,
Wherein the chamber body includes a hollow housing having a front side and at least one side opened, and a cover connected to an open side of the housing,
Wherein the heat source unit is disposed on the cover.

The method according to claim 8,
The vertical length of the housing is longer than the length from one side of the cover to one side of the housing.

The method according to any one of claims 1, 3 and 5,
The susceptor is graphite, graphite coated with silicon carbide (SiC), silicon carbide, silicon nitride, silicon nitride, alumina (Al ₂ O ₃ ), aluminum nitride, and quartz (Quartz). A substrate processing apparatus formed with at least any one of).

delete

The method according to any one of claims 1, 3 and 5,
Wherein at least one slit is formed in the support through the support.