JP2017503335A - 電子デバイスのオンウェーハ動的検査のためのシステムおよび方法。 - Google Patents
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 181
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 275
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 65
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 20
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 20
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims description 20
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 claims description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 14
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000011236 particulate material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
- G01R31/2889—Interfaces, e.g. between probe and tester
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Abstract
Description
前記DUTの前記第一の側と電気的に接触するように構成されたプローブを含むプローブヘッドアセンブリと、
プローブ側の接触領域を含むプローブ側の接触構造体と、
前記基板を支持し、前記DUTの前記第二の側と電気的に接触するように構成される導電性の支持表面を含むチャックであって、前記プローブヘッドアセンブリおよび前記チャックは前記プローブと前記DUTとの間で電気的な接触を選択的に確立するために互いに対して選択的に並進移動するように構成される、チャックと、
チャック側の接触領域を含むチャック側の接触構造体であって、前記チャック側の接触構造体は、前記導電性の支持表面と電気的に通信し、さらに前記チャック側の接触構造体およびプローブ側の接触構造体は互いに対向し、かつチャック側の接触領域とプローブ側の接触領域との間で電気的な接触を選択的に確立するように構成される、チャック側の接触構造体と、
を有することを特徴とする検査システム。
チャックによって画定される導電性の支持表面の上に前記基板を配置するステップであって、該配置ステップは、前記DUTの前記第二の側を前記導電性の支持表面に電気的に接触させることを含む、ステップと、
前記DUTの前記第一の側をプローブヘッドアセンブリのプローブと電気的に接触させるステップと、
プローブ側の接触構造体をチャック側の接触構造体に電気的に接触させるステップであって、前記チャック側の接触構造体は前記導電性の支持表面と電気的に通信する、ステップと、
前記プローブおよび前記プローブ側の接触構造体のうちの一方に電流を供給するステップと、
前記前記プローブおよび前記プローブ側の接触構造体のうちの他方から電流を受給するステップと、
を含む、DUTの電気的検査方法。
(i)前記チャックおよび前記プローブヘッドアセンブリを互いに対して移動させるステップから独立する、
(ii)前記チャックおよび前記プローブヘッドアセンブリを互いに対して移動させるステップの前に実行される、および
(iii)前記チャックおよび前記プローブヘッドアセンブリを互いに対して移動させるステップの後に実行される、
のうち少なくとも1つである、段落B5に記載の方法。
Claims (21)
- 複数の検査対象デバイス(DUT)を含む基板の上に形成されるDUTを電気的に検査するための検査システムであって、前記DUTは第一の側および前記第一の側に対向する第二の側を画定し、前記検査システムは、
前記DUTの前記第一の側と電気的に接触するように構成されるプローブを含むプローブヘッドアセンブリと、
プローブ側の接触領域を含むプローブ側の接触構造体と、
前記基板を支持し、前記DUTの前記第二の側と電気的に接触するように構成される導電性の支持表面を含むチャックであって、前記プローブヘッドアセンブリおよび前記チャックは、前記プローブと前記DUTとの間に電気的な接触を選択的に確立するために互いに対して選択的に並進移動するように構成される、チャックと、
チャック側の接触領域を含むチャック側の接触構造体であって、前記チャック側の接触構造体は、前記導電性の支持表面と電気的に通信し、さらに前記チャック側の接触構造体およびプローブ側の接触構造体は互いに対向し、かつチャック側の接触領域とプローブ側の接触領域との間に電気的な通信を選択的に確立するように構成される、チャック側の接触構造体と、
を有することを特徴とする検査システム。 - 前記検査システムは、前記DUT、前記導電性の支持表面、および前記チャック側の接触構造体を介して、前記プローブと前記プローブ側の接触構造体との間に検査信号を伝達するように構成される、請求項1に記載の検査システム。
- 前記プローブ側の接触領域および前記チャック側の接触領域のうちの一方は平面状の接触表面を画定し、さらに前記プローブ側の接触領域および前記チャック側の接触領域のうちの他方は弾性導電部材により画定される、請求項1に記載の検査システム。
- 前記弾性導電部材は、可撓性の導電部材、バネ、ボールプランジャ、弾性材料により支えられる導電部材、バイアスローラーアセンブリ、およびバネ荷重ピンの少なくとも1つを含む、請求項3に記載の検査システム。
- 前記プローブ側の接触領域は、前記チャック側の接触領域に面する、請求項1に記載の検査システム。
- 前記プローブ側の接触領域は平面状の接触表面を含み、前記基板は、前記プローブヘッドアセンブリに面し、かつ第一の基板表面積を画定する第一の基板表面を画定し、前記平面状の接触表面は平面状の接触表面積を画定し、さらに、前記平面状の接触表面積は前記第一の基板表面積の25%以内の範囲に対する前記第一の基板表面積に整合される、請求項1に記載の検査システム。
- 前記プローブヘッドアセンブリは、前記プローブと第一の側および前記第一の側に対向する第二の側を画定するプラテンとを含むプローブヘッドを含み、前記プローブヘッドは前記プラテンの第一の側に動作的に取り付けられ、前記プラテンは前記プラテンの第一の側と前記プラテンの第二の側との間に延在する開口領域を画定し、前記プローブは前記開口領域を経て延在し、さらに、前記プローブ側の接触構造体は、(i)前記プラテンの前記第二の側に動作的に取り付けられる、および、(ii)前記プラテンの前記第二の側の一部を形成する、の少なくとも1つである、請求項1に記載の検査システム。
- 前記プローブ側の接触領域は、前記導電性の支持表面に平行な方向に、前記開口領域からオフセットされる、請求項7に記載の検査システム。
- 前記プローブは第一のプローブであり、前記検査システムはさらに第二のプローブを含んでおり、前記プローブ側の接触構造体は、第一のプローブ側の接触領域を画定する第一のプローブ側の接触構造体であり、前記検査システムは第二のプローブ側の接触領域を画定する第二のプローブ側の接触構造体をさらに含み、前記チャック側の接触構造体は第一のチャック側の接触領域を画定する第一のチャック側の接触構造体を含み、前記検査システムは第二のチャック側の接触領域を画定する第二のチャック側の接触構造体をさらに含む、請求項1に記載の検査システム。
- 前記検査システムは、前記DUTの電気的な検査中に、前記DUTと準ケルビン接続を確立するように構成される、請求項9に記載の検査システム。
- 前記検査システムは、前記第一のプローブ側の接触構造体、前記第一のチャック側の接触構造体、および前記導電性の支持表面を介して前記DUTにフォース信号を供給し、かつ前記第一のプローブを介して前記DUTから前記フォース信号を受給するように構成される、請求項9に記載の検査システム。
- 前記検査システムは、前記第二のチャック側の接触構造体および前記第二のプローブ側の接触構造体を介して、前記第二のプローブと前記導電性の支持表面との間の電圧を感知するように構成される、請求項9に記載の検査システム。
- 前記検査システムは、信号生成および分析アセンブリと前記プローブヘッドとの間に延在する伝送路をさらに含み、前記信号生成および分析アセンブリは、前記伝送路を介して、前記プローブおよび前記プローブ側の接触構造体のうち一方に電流を供給し、かつ前記伝送路を介して、前記プローブおよび前記プローブ側の接触構造体のうち他方から電流を受給するように構成される、請求項1に記載の検査システム。
- 前記検査システムは、前記信号生成および分析アセンブリを含む、請求項13に記載の検査システム。
- 前記検査システムは、電気的な接触が前記プローブと前記DUTとの間に選択的に確立されると、前記プローブ側の接触領域および前記チャック側の接触領域は互いに電気的に接触するように構成される、請求項1に記載の検査システム。
- 前記検査システムは、前記チャック側の接触領域と前記プローブ側の接触領域との間に電気的な通信を選択的に確立するように構成される接触エンジンをさらに含む、請求項1に記載の検査システム。
- 前記接触エンジンは、前記チャック側の接触領域と前記プローブおよび前記DUT間の接触から独立した前記プローブ側の接触領域との間に電気的な通信を確立するように構成される、請求項16に記載の検査システム。
- 複数の検査対象デバイス(DUT)を含む基板の上に形成されるDUTを電気的に検査する方法であって、前記DUTは、第一の側および前記第一の側に対向する第二の側を画定し、前記方法は、
チャックによって画定される導電性の支持表面の上に前記基板を配置するステップであって、該配置するステップは、前記DUTの前記第二の側を前記導電性の支持表面に電気的に接触させることを含む、ステップと、
前記DUTの前記第一の側をプローブヘッドアセンブリのプローブに電気的に接触させるステップと、
プローブ側の接触構造体をチャック側の接触構造体に電気的に接触させるステップであって、前記チャック側の接触構造体は前記導電性の支持表面と電気的に通信する、ステップと、
前記プローブおよび前記プローブ側の接触構造体のうち一方に電流を供給するステップと、
前記プローブおよび前記プローブ側の接触構造体のうち他方から電流を受給するステップと、
を含む、DUTの電気的検査方法。 - 前記電流を供給するステップは、前記電流を前記プローブ側の接触構造体に供給するステップを含み、さらに、前記電流を受給するステップは、前記電流を前記プローブ側の接触構造体から前記チャック側の接触構造体に、前記チャック側の接触構造体から前記導電性の支持表面に、前記導電性の支持表面から前記DUTに、および前記DUTから前記プローブに流すステップを含む、請求項18に記載の方法。
- 前記電流を供給するステップは、前記電流を前記プローブに供給するステップを含み、さらに、前記電流を受給するステップは、前記電流を前記プローブから前記DUTに、前記DUTから前記導電性の支持表面に、前記導電性の支持表面から前記チャック側の接触構造体に、および前記チャック側の接触構造体から前記プローブ側の接触構造体に流すステップを含む、請求項18に記載の方法。
- 前記電流を供給するステップは、少なくとも10アンペアの電流を供給するステップを含む、請求項18に記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201461944461P | 2014-02-25 | 2014-02-25 | |
US61/944,461 | 2014-02-25 | ||
US14/625,385 | 2015-02-18 | ||
US14/625,385 US10281518B2 (en) | 2014-02-25 | 2015-02-18 | Systems and methods for on-wafer dynamic testing of electronic devices |
PCT/US2015/016926 WO2015130573A1 (en) | 2014-02-25 | 2015-02-20 | Systems and methods for on-wafer dynamic testing of electronic devices |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017503335A true JP2017503335A (ja) | 2017-01-26 |
JP6209681B2 JP6209681B2 (ja) | 2017-10-04 |
Family
ID=53881969
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016530244A Active JP6209681B2 (ja) | 2014-02-25 | 2015-02-20 | 電子デバイスのオンウェーハ動的検査のためのシステムおよび方法。 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10281518B2 (ja) |
JP (1) | JP6209681B2 (ja) |
TW (1) | TWI575243B (ja) |
WO (1) | WO2015130573A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020515865A (ja) * | 2017-04-04 | 2020-05-28 | フォームファクター ビーバートン インコーポレイテッド | 電気接触検出を含むプローブシステム及びその利用方法 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2545496B (en) * | 2015-12-18 | 2020-06-03 | Teraview Ltd | A Test System |
US10180486B2 (en) | 2016-03-16 | 2019-01-15 | Formfactor Beaverton, Inc. | Test standards and methods for impedance calibration of a probe system, and probe systems that include the test standards or utilize the methods |
CN111492254A (zh) * | 2017-12-26 | 2020-08-04 | 日本电产理德股份有限公司 | 基板检查装置 |
US11346883B2 (en) * | 2019-11-05 | 2022-05-31 | Formfactor, Inc. | Probe systems and methods for testing a device under test |
US11959937B2 (en) * | 2019-12-06 | 2024-04-16 | Keithley Instruments, Llc | Triaxial power and control systems and methods |
TWI745982B (zh) * | 2020-05-27 | 2021-11-11 | 矽品精密工業股份有限公司 | 測試系統及其測試方法 |
EP4027150A1 (en) * | 2021-01-07 | 2022-07-13 | Afore Oy | Testing device and method for reducing vibration in a testing device |
CN115932518A (zh) * | 2021-10-01 | 2023-04-07 | 致茂电子(苏州)有限公司 | 晶圆检测方法与检测设备 |
IT202200006356A1 (it) * | 2022-03-31 | 2023-10-01 | Crea Collaudi Elettr Automatizzati S R L | Sistema di test per il test ad alta tensione ed alta corrente su una pluralità di dispositivi a semiconduttore di potenza compresi in un wafer, e sistema di contattazione |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011138865A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Micronics Japan Co Ltd | 半導体デバイスの検査装置 |
JP2012058225A (ja) * | 2010-03-12 | 2012-03-22 | Tokyo Electron Ltd | プローブ装置 |
WO2013018910A1 (ja) * | 2011-08-01 | 2013-02-07 | 東京エレクトロン株式会社 | パワーデバイス用のプローブカード |
Family Cites Families (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1337866A (en) | 1917-09-27 | 1920-04-20 | Griffiths Ethel Grace | System for protecting electric cables |
US2142625A (en) | 1932-07-06 | 1939-01-03 | Hollandsche Draad En Kabelfab | High tension cable |
US2197081A (en) | 1937-06-14 | 1940-04-16 | Transit Res Corp | Motor support |
US2376101A (en) | 1942-04-01 | 1945-05-15 | Ferris Instr Corp | Electrical energy transmission |
US2389668A (en) | 1943-03-04 | 1945-11-27 | Barnes Drill Co | Indexing mechanism for machine tables |
US2471697A (en) | 1946-11-08 | 1949-05-31 | Merck & Co Inc | Process for reducing carbonyl compounds to their corresponding methylene analogues |
US2812502A (en) | 1953-07-07 | 1957-11-05 | Bell Telephone Labor Inc | Transposed coaxial conductor system |
CH364040A (fr) | 1960-04-19 | 1962-08-31 | Ipa Anstalt | Dispositif de détection pour vérifier si un élément d'une installation électrique est sous tension |
US3185927A (en) | 1961-01-31 | 1965-05-25 | Kulicke & Soffa Mfg Co | Probe instrument for inspecting semiconductor wafers including means for marking defective zones |
US3193712A (en) | 1962-03-21 | 1965-07-06 | Clarence A Harris | High voltage cable |
US3230299A (en) | 1962-07-18 | 1966-01-18 | Gen Cable Corp | Electrical cable with chemically bonded rubber layers |
US3256484A (en) | 1962-09-10 | 1966-06-14 | Tektronix Inc | High voltage test probe containing a part gas, part liquid dielectric fluid under pressure and having a transparent housing section for viewing the presence of the liquid therein |
US3176091A (en) | 1962-11-07 | 1965-03-30 | Helmer C Hanson | Controlled multiple switching unit |
US3192844A (en) | 1963-03-05 | 1965-07-06 | Kulicke And Soffa Mfg Company | Mask alignment fixture |
US3201721A (en) | 1963-12-30 | 1965-08-17 | Western Electric Co | Coaxial line to strip line connector |
US3289046A (en) | 1964-05-19 | 1966-11-29 | Gen Electric | Component chip mounted on substrate with heater pads therebetween |
US3333274A (en) | 1965-04-21 | 1967-07-25 | Micro Tech Mfg Inc | Testing device |
US6127831A (en) | 1997-04-21 | 2000-10-03 | Motorola, Inc. | Method of testing a semiconductor device by automatically measuring probe tip parameters |
US6838890B2 (en) | 2000-02-25 | 2005-01-04 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
US7952373B2 (en) * | 2000-05-23 | 2011-05-31 | Verigy (Singapore) Pte. Ltd. | Construction structures and manufacturing processes for integrated circuit wafer probe card assemblies |
JP4592885B2 (ja) * | 2000-07-31 | 2010-12-08 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体基板試験装置 |
JP2002168906A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-14 | Ando Electric Co Ltd | テストヘッドの接続装置 |
TWI272392B (en) * | 2002-03-22 | 2007-02-01 | Electro Scient Ind Inc | Test probe alignment apparatus |
US7250779B2 (en) | 2002-11-25 | 2007-07-31 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station with low inductance path |
AU2002349395A1 (en) * | 2002-12-04 | 2004-06-23 | Advantest Corporation | Pressing member and electronic component handling device |
JP2004265895A (ja) * | 2003-01-20 | 2004-09-24 | Tokyo Electron Ltd | 光学的測長器を備えたプローブ装置及びプローブ検査方法 |
EP1604218A2 (en) * | 2003-03-14 | 2005-12-14 | Applied Precision, LLC | Method of mitigating effects of component deflection in a probe card analyzer |
US7221172B2 (en) * | 2003-05-06 | 2007-05-22 | Cascade Microtech, Inc. | Switched suspended conductor and connection |
US7492172B2 (en) * | 2003-05-23 | 2009-02-17 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
KR100586675B1 (ko) | 2004-09-22 | 2006-06-12 | 주식회사 파이컴 | 수직형 전기적 접촉체의 제조방법 및 이에 따른 수직형전기적 접촉체 |
US7869184B2 (en) | 2005-11-30 | 2011-01-11 | Lam Research Corporation | Method of determining a target mesa configuration of an electrostatic chuck |
US7629804B2 (en) * | 2006-08-04 | 2009-12-08 | Vertical Test Inc. | Probe head assembly for use in testing multiple wafer die |
US7573283B2 (en) | 2007-06-19 | 2009-08-11 | Suss Micro Tec Test Systems Gmbh | Method for measurement of a device under test |
JP2009276215A (ja) * | 2008-05-15 | 2009-11-26 | Tokyo Electron Ltd | プローブ装置及びコンタクト位置の補正方法 |
JP5406480B2 (ja) * | 2008-08-08 | 2014-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブ方法及びプローブ用プログラム |
US8222912B2 (en) * | 2009-03-12 | 2012-07-17 | Sv Probe Pte. Ltd. | Probe head structure for probe test cards |
US7977956B2 (en) * | 2009-04-28 | 2011-07-12 | Formfactor, Inc. | Method and apparatus for probe card alignment in a test system |
US8981809B2 (en) * | 2009-06-29 | 2015-03-17 | Hsio Technologies, Llc | Compliant printed circuit semiconductor tester interface |
US8587331B2 (en) | 2009-12-31 | 2013-11-19 | Tommie E. Berry | Test systems and methods for testing electronic devices |
TWI518339B (zh) * | 2010-01-18 | 2016-01-21 | 佛姆費克特股份有限公司 | 用以測試電子裝置之測試系統及方法 |
US8218334B2 (en) * | 2010-03-09 | 2012-07-10 | Oracle America, Inc. | Multi-chip module with multi-level interposer |
US8154119B2 (en) * | 2010-03-31 | 2012-04-10 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Compliant spring interposer for wafer level three dimensional (3D) integration and method of manufacturing |
US9007082B2 (en) * | 2010-09-07 | 2015-04-14 | Johnstech International Corporation | Electrically conductive pins for microcircuit tester |
FR2967815A1 (fr) * | 2010-11-22 | 2012-05-25 | St Microelectronics Sa | Procede de fabrication d'un dispositif a empilement de puces semiconductrices |
KR101682751B1 (ko) * | 2011-06-30 | 2016-12-05 | 주식회사 아도반테스토 | 웨이퍼의 스크라이브 라인들에 배치된 테스트 액세스 인터페이스에 전기적으로 결합되는 반도체 다이들에 접촉하기 위한 방법, 장치, 및 시스템들 |
US20130015871A1 (en) * | 2011-07-11 | 2013-01-17 | Cascade Microtech, Inc. | Systems, devices, and methods for two-sided testing of electronic devices |
TWI431291B (zh) * | 2011-07-14 | 2014-03-21 | Chroma Ate Inc | 發光二極體量測裝置 |
TW201310039A (zh) | 2011-08-26 | 2013-03-01 | Ganepi Optotech Inc | 探測頭及應用此探測頭之晶圓檢測裝置 |
JP5796870B2 (ja) * | 2011-12-05 | 2015-10-21 | 株式会社日本マイクロニクス | 半導体デバイスの検査装置とそれに用いるチャックステージ |
JP2013191737A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Tokyo Electron Ltd | ウエハ検査装置 |
JP5970218B2 (ja) * | 2012-03-26 | 2016-08-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブ装置 |
US9316685B2 (en) * | 2012-11-12 | 2016-04-19 | Mpi Corporation | Probe card of low power loss |
-
2015
- 2015-02-18 US US14/625,385 patent/US10281518B2/en active Active
- 2015-02-20 WO PCT/US2015/016926 patent/WO2015130573A1/en active Application Filing
- 2015-02-20 JP JP2016530244A patent/JP6209681B2/ja active Active
- 2015-02-25 TW TW104105962A patent/TWI575243B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011138865A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Micronics Japan Co Ltd | 半導体デバイスの検査装置 |
JP2012058225A (ja) * | 2010-03-12 | 2012-03-22 | Tokyo Electron Ltd | プローブ装置 |
WO2013018910A1 (ja) * | 2011-08-01 | 2013-02-07 | 東京エレクトロン株式会社 | パワーデバイス用のプローブカード |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020515865A (ja) * | 2017-04-04 | 2020-05-28 | フォームファクター ビーバートン インコーポレイテッド | 電気接触検出を含むプローブシステム及びその利用方法 |
JP7148541B2 (ja) | 2017-04-04 | 2022-10-05 | フォームファクター ビーバートン インコーポレイテッド | 電気接触検出を含むプローブシステム及びその利用方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2015130573A1 (en) | 2015-09-03 |
JP6209681B2 (ja) | 2017-10-04 |
TWI575243B (zh) | 2017-03-21 |
US20150241472A1 (en) | 2015-08-27 |
TW201539004A (zh) | 2015-10-16 |
US10281518B2 (en) | 2019-05-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20161221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A601 | Written request for extension of time |
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A521 | Request for written amendment filed |
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