JP2017221862A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. 長手軸に沿って設けられ、かつ、少なくとも一部が前記長手軸に沿って延びる磁場を発生させるように構成される１つ又は複数の磁石；
   前記長手軸へ向かうように放射線ビームを案内するように構成される線形粒子加速器（ライナック）；及び、
   前記磁場から前記ライナックを遮蔽するように構成される遮蔽体；
   を有するシステムであって、
   前記遮蔽体は少なくとも第１シェルと第２シェルを有し、
   前記第２シェルは、前記第１シェルの内部に位置し、かつ、前記第１シェルより高い透磁率を有し、
   前記第１シェルと前記第２シェルは少なくとも部分的に前記ライナックを取り囲む、
   システム。
2. 前記第２シェルは、前記第１シェルより低い飽和磁束密度を有する、請求項１に記載のシステム。
3. 前記第２シェルは、ミューメタルを含む、請求項１に記載のシステム。
4. 前記第１シェル及び前記第２シェルは、異なる鋼から形成される、請求項１に記載のシステム。
5. 前記第１シェルが少なくとも部分的に前記ライナックと前記第2シェルを取り囲む、請求項１に記載のシステム。
6. 前記ライナックによって発生するＲＦ放射から前記１つ又は複数の磁石を遮蔽するように構成されるＲＦ遮蔽体をさらに有し、前記ＲＦ遮蔽体は、前記ライナックのいくつか又は全ての構成要素を少なくとも部分的に取り囲み、前記ＲＦ遮蔽体は、ＲＦ吸収材料及び／又はＲＦ反射材料の１つ又は複数の層を有する、請求項１に記載のシステム。
7. 磁場を発生させるように構成される磁気共鳴撮像システム；
   線形加速器；
   前記磁場から前記線形加速器を遮蔽するように構成される外側磁気遮蔽体；及び
   前記外側磁気遮蔽体の少なくとも部分的に内側の内側磁気遮蔽体；
   を有するシステムであって、
   前記内側磁気遮蔽体は、前記外側磁気遮蔽体より高い透磁率を有する、
   システム。
8. 前記内側磁気遮蔽体は、前記外側磁気遮蔽体より低い飽和磁束密度を有する、請求項７に記載のシステム。
9. 前記内側磁気遮蔽体は、ミューメタルを含む、請求項７に記載のシステム。
10. 前記外側磁気遮蔽体及び前記内側磁気遮蔽体は、異なる鋼から形成される、請求項７に記載のシステム。
11. 前記外側磁気遮蔽体が少なくとも部分的に前記線形加速器と前記内側磁気遮蔽体を取り囲む、請求項７に記載のシステム。
12. 前記線形加速器によって発生するＲＦ放射から前記磁気共鳴撮像システムを遮蔽するように構成されるＲＦ遮蔽体をさらに有し、前記ＲＦ遮蔽体は、前記線形加速器のいくつか又は全ての構成要素を少なくとも部分的に取り囲み、前記ＲＦ遮蔽体は、ＲＦ吸収材料及び／又はＲＦ反射材料の１つ又は複数の層を有する、請求項７に記載のシステム。
13. 長手軸に沿って設けられ、かつ、少なくとも一部が前記長手軸に沿って延びる磁場を発生させるように構成される１つ又は複数の磁石；
    前記長手軸へ向かうように放射線ビームを案内するように構成される線形粒子加速器（ライナック）；
    前記磁場から前記ライナックを遮蔽するように構成される遮蔽体であって、前記遮蔽体は少なくとも第１シェルと第２シェルを有し、前記第２シェルは、前記第１シェルの内部に位置し、前記第１シェルと前記第２シェルは少なくとも部分的に前記ライナックを取り囲む、遮蔽体；及び
    前記ライナックによって発生するＲＦ放射から前記１つ又は複数の磁石を遮蔽するように構成されるＲＦ遮蔽体であって、前記ＲＦ遮蔽体は、前記ライナックのいくつか又は全ての構成要素を少なくとも部分的に取り囲む、ＲＦ遮蔽体；
    を有する、システム。
14. 前記ＲＦ遮蔽体は、ＲＦ吸収材料及びＲＦ反射材料のうちの少なくとも一で形成される層を有する、請求項１３に記載のシステム。
15. 前記ＲＦ遮蔽体は、ＲＦ反射材料の少なくとも１つの層とＲＦ吸収材料の１つの層とを有する、請求項１３に記載のシステム。
16. 前記ＲＦ遮蔽体は、銅ホイル、アルミニウムホイル、又は炭素ファイバーを含む、請求項１３に記載のシステム。
17. 前記ＲＦ遮蔽体は、前記ＲＦ遮蔽体を通って延びる１つ又は複数のスロットを有する、請求項１３に記載のシステム。