JP2017220587A - シリコンウェーハの高感度欠陥評価方法およびシリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
シリコンウェーハの高感度欠陥評価方法およびシリコン単結晶の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
前記シリコンウェーハに熱処理を施して二次欠陥を形成した後、該熱処理を施したシリコンウェーハの表面を研磨し、該研磨したシリコンウェーハをLLS検査装置で検査することによって、前記シリコンウェーハの結晶欠陥の評価を行うことを特徴とするシリコンウェーハの高感度欠陥評価方法を提供する。
はじめに、CZ法で育成した単結晶インゴットをスライスして作製した方位<100>、直径300mmのシリコンウェーハを準備した。ドライ酸化雰囲気中で9時間、熱処理温度1000℃の処理を施した後、HF溶液によってシリコン酸化膜を除去した後、研磨を実施せずにそのままMAGICS M5640測定を実施した。
前述したV/Gが結晶の径方向と長さ方向で適切な範囲に入るように制御して、Nv領域又はNi領域から成る直径300mmシリコンウェーハを製造可能な引上げ機を用いて、故意にV/Gを変えるため、結晶成長中に引上げ速度を高速から低速に漸減させて結晶引上げを実施し、Voidが発生するV−rich領域、OSF領域、Nv領域、Ni領域、転位クラスタが発生するI−rich領域から成るPWをそれぞれ製造し、Nv領域およびI−rich領域のPWを評価サンプルとした。
実施例2と同様の方法で製造した、Nv領域、I-rich領域から成る各PWウェーハに対して、それぞれドライ酸化雰囲気中で900℃にて、1時間、2時間、4時間、6時間、及び、9時間の各熱処理を施した。その後、HF溶液によってシリコン酸化膜を除去した後、シリコンウェーハの表面を片側3.5μm研磨し、SP5で測定を実施した。Nv領域から成るサンプルについての測定結果を図6に、I−rich領域から成るサンプルについての測定結果を図7に示す。
実施例2と同様の方法で製造した、Nv領域、I-rich領域から成るPWウェーハに対して、それぞれ900℃で、ドライ酸化雰囲気及びウェット酸化雰囲気で、4時間、6時間、9時間の各熱処理を施した。その後、HF溶液によってシリコン酸化膜を除去した後、シリコンウェーハの表面を片側3.5μm研磨し、SP5で測定を実施した。Nv領域から成るサンプルについての測定結果を図8に、I−rich領域から成るサンプルについての測定結果を図9に示す。
実施例2と同様の方法で製造した、Nv領域、I−rich領域から成るPWウェーハに対して、ウェット酸化雰囲気で900℃、9時間の熱処理を施したサンプル、及び、ウェット酸化雰囲気での900℃、9時間の熱処理に加えて、1100℃、16時間の熱処理を施したサンプルを用い、HF溶液によってシリコン酸化膜を除去した後、シリコンウェーハの表面を片側3.5μm研磨し、SP5で測定を実施した。Nv領域から成るサンプルについての測定結果を図10に、I−rich領域から成るサンプルについての測定結果を図11に示す。
CZ法で作製した直径300mmのシリコンウェーハを準備した。ドライ酸化雰囲気中で9時間、熱処理温度1000℃の処理を施した後、HF溶液によってシリコン酸化膜を除去した後、研磨を実施せずにそのままMAGICS M5640測定を実施した。その結果、シリコンウェーハの面荒れの影響で擬似欠陥が検出されて、検出オーバーフロー(100000個以上)となってしまい、高感度測定を実施することはできなかった。
実施例2において製造したNv領域及びI−rich領域から成るPWに対して、熱処理を実施せず、また、研磨も実施せず、M5640及びSP5で測定を実施した。その結果については、図2〜図11の左側部分に比較例2として示した。いずれの図に示された評価結果においても、実施例の方が比較例2に比べ欠陥密度指数が大きくなっていた。
Claims (10)
- シリコンウェーハの欠陥評価方法であって、
前記シリコンウェーハに熱処理を施して二次欠陥を形成した後、該熱処理を施したシリコンウェーハの表面を研磨し、該研磨したシリコンウェーハをLLS検査装置で検査することによって、前記シリコンウェーハの結晶欠陥の評価を行うことを特徴とするシリコンウェーハの高感度欠陥評価方法。 - 前記熱処理は酸化熱処理であり、該酸化熱処理によって前記シリコンウェーハの表面に形成されたシリコン酸化膜をフッ酸を用いて除去した後、前記シリコンウェーハの表面を研磨することを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェーハの高感度欠陥評価方法。
- 前記熱処理の温度を800℃以上1100℃以下とすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のシリコンウェーハの高感度欠陥評価方法。
- 前記熱処理の温度を900±50℃の範囲とすることを特徴とする請求項3に記載のシリコンウェーハの高感度欠陥評価方法。
- 前記熱処理後の研磨による前記シリコンウェーハの取り代を、可視光を用いたLLS検査装置で検査するときは片側0.5μm以上とし、遠紫外光を用いたLLS検査装置で検査するときは片側2μm以上とすることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの高感度欠陥評価方法。
- 前記熱処理の時間を、4時間以上とすることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの高感度欠陥評価方法。
- 前記熱処理の時間を、9時間以上とすることを特徴とする請求項6に記載のシリコンウェーハの高感度欠陥評価方法。
- 前記熱処理の雰囲気をドライ酸化雰囲気、又は、ウェット酸化雰囲気とすることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの高感度欠陥評価方法。
- 前記熱処理を前段熱処理と後段熱処理による二段熱処理とし、前記後段熱処理の温度を前記前段熱処理の温度に対して、100℃以上300℃以下の範囲で高くすることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの高感度欠陥評価方法。
- 請求項1から請求項9に記載のシリコンウェーハの高感度欠陥評価方法を用いて、シリコンウェーハを評価し、該評価結果を使用してシリコンの結晶品質を制御、管理、又は改善することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
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