JP4942606B2 - シリコンウェハおよびその作製方法 - Google Patents
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Description
(2)OSFシードは、成分特有の熱処理において成長して大きな析出物が形成される。これは転位ループの形成によってシリコンマトリクスを決定的に弱めてしまう。このことは、シリコンウェハの変形(「歪み」)を強めることにもなり、ひいてはCMOSプロセスにおいて使用されるホトリソグラフィステップの障害になる。それは、極めて重要な最小構造線幅がもはや達成されないからである。
(3)OSFシードによって発生する大きな酸素析出物は、一般的に除去することができないため、熱処理によってもBMDフリーゾーンが形成され、またこれらは能動構成部材ゾーンに欠陥として残るのである。このことは(すでにCOPに対して説明したように)、トレンチキャパシタメモリセルにおいて短絡を発生させるか、またはそのキャパシタンスを小さくしてしまうのである。
前者の方法では、フッ化水素酸(HF)に浸した後、シリコンウェハは、200ppmの白金溶液の液浸し槽において意図的に汚染され、引き続いてこの白金は、ふつう730℃で40分間にわたり、ウェハ内部に拡散される。つぎに一般的には20μmの侵食で、いわゆる鏡面エッチング(mirro etch)が行われる。空孔に富んだゾーンと格子間原子に富んだゾーンとで大きく異なる少数電荷の寿命(F. Quast, Dissertation: Untersuchung von Punktdefekten in Silicium mit Hilfe der Platindiffusion [Study of point defects in silicon with the aid of platinum diffusion], Erianger Berichte Mikroelektronik, Ed.: H. Ryssel, Vol. 1/2001, Shaker Verlag)は、引き続いてμPCD(microwave photoconductive decay)法により、例えばSemilab社製のライフタイムスキャナWT-84を使用して決定される。白金はもっぱらいわゆるFrank-Thurnballメカニズムによって拡散する(このためには空孔が必要である)ため、空孔に富んだゾーンにおいて白金が富化する。白金濃度の増大そのものは少数電荷のライフタイム減少に結び付き、このことはμPCDによって検出可能である。
HF(10ml/l HF)含むCuSO4水溶液(20g/l CuSO4)から、電解によってシリコンウェハまたはシリコンウェハの小片の裏面に銅がデポジットされる。これはG. Kissinger,G. Morgenstern,H. Richter,J. Mater,Res.,Vol. 8, No. 8 (1993)第1900頁に記載されている通りである。シリコンウェハまたはウェハの小片は、つぎに900〜1000℃の範囲の温度で5〜20分間、熱処理される。ウェハまたはウェハの小片にはつぎに10〜30分間、鏡面エッチング(HNO3:HF=5:1)が行われて表面層が侵食される。このウェハの欠陥はつぎに30分間のSeccoエッチング溶液による処理によって明らかにされる。
− 4.5・1017 cm-3〜5.8・1017cm-3の範囲の格子間酸素濃度[Oi]を有するシリコンウェハを準備し、ここでこのシリコンウェハの全体積において結晶格子空孔は、優勢な点欠陥タイプであり、またこのシリコンウェハは、その軸に関して回転対称でありかつシリコンウェハ半径の少なくとも80%の幅の領域を有しており、この領域は、少なくとも30nmの大きさを有しかつ密度が最大6・103cm-3である、結晶格子空孔の凝集体と、10nm〜30nmの大きさを有しかつ密度が1・105cm-3〜3・107cm-3である、結晶格子空孔の凝集体とを有しており、
− 不活性または還元性雰囲気中で上記のシリコンウェハを熱処理し、ここでこのシリコンウェハを、350℃〜750℃の負荷温度から開始して0.5K/min〜8K/minの加熱速度で1000℃の温度まで加熱し、さらに0.1K/min〜4K/minの加熱速度で1025℃〜1175℃の範囲の保持温度に達するまで加熱し、引き続きこの保持温度に1〜4時間に保ち、つぎにあらかじめ定めた冷却速度で非負荷温度まで冷却する。
図2には本発明によるものではない300mmウェハが示されており、これはMO6測定によれば、半径がウェハ半径の20%を上回るCOPディスクを有する。Cuデコレーション測定をウェハの第2の半分に対して行った。この測定によって示されたのは、COPディスクに隣接する円形ゾーンにおいて欠陥密度が極めて高いことである。これらは、MO6測定によってまたはUS5980720に記載した方法によって検出できなかったほど小さな直径を有するCOPである。
DE10047345A1(図16)には、空孔に富んだ領域内に完全に入ったウェハ(W31)が記載されている。比較のために図5には、本発明によって引き出された単結晶の、空孔が優勢なドメインおよび格子間原子が優勢なドメイン(実線)と、DE10047345A1によるその図16に示された相当のウェハ"W31"(破線)とが、増大する引き出し速度vについて線図で示されている。破線1は、単結晶の長手方向軸を表している。半径が50%を越えたところで違いが生じている。それは、リングヒータの使用によって、v/G境界が移動し、これによって中性のゾーンが曲がるからである(空孔点欠陥および格子間原子点欠陥の濃度は、各半径位置で等しい)。DE10047345A1に記載されているv/G線図において、W31ウェハは、ウェハエッジよりも中心において格段に高い空孔過飽和度を有している。それはこのウェハエッジが、中性ゾーンの近くにあるからである(図16)。しかしながらウェハの中心は、格段に高い空孔濃度を有し得る。それはこれがOSFバンドの隣接しているからである。利用可能でありかつ最も感度の高いCOP測定法を使用して、W31ウェハに存在し得るCOPを検出する。アンモニアを含む洗浄液(いわゆるSC1溶液)によってエッチングされたウェハを、粒子カウンタ(例えば米国KLA-Tencor社製のSp1)を使用して調査して、COPがエッチングされたことに起因して発生したエッチピットを求める。
いわゆるFZシリコン(「フロートゾーン」法で作製されるシリコン)は、酸素濃度が少なくとも2桁規模で小さい点がCZシリコンと異なる。このため、FZシリコンではBMDまたはOSFが形成されることはない。ここで使用されるFZ材料は、窒素の同時ドーピングが行われないことによって慣用のFZ材料とは異なる。COPは、空孔に富んだゾーンにおいて形成され、また格子間原子に富んだゾーンにおいてLPITが形成されることも知られている。
500〜700°C:5 K/min; 700〜900°C:4 K/min; 900〜1000°C:3.5 K/min; 1000〜1050°C:2 K/min; 1050〜1100°C:1 K/min。冷却速度は、対応する温度範囲について示した加熱速度に等しい。
Claims (16)
- シリコンウェハにおいて、
該シリコンウェハの全体積にて結晶格子空孔が優勢な点欠陥タイプであり、
該シリコンウェハは、その軸に関して回転対称でありかつシリコンウェハの半径の少なくとも80%の幅を有する領域を有しており、
該領域は、少なくとも30nmの大きさを有しかつ密度が最大6・103 cm-3である、結晶格子空孔の凝集体と、10nm〜30nmの大きさを有しかつ密度が1・105 cm-3〜3・107 cm-3である、結晶格子空孔の凝集体とを含んでおり、
前記シリコンウェハには0〜10 cm-2の密度のOSFシードが含まれており、
前記シリコンウェハの内部における平均BMD密度は、5・108 cm-3 〜5・109 cm-3であり、
該BMD密度は、前記シリコンウェハの全半径にわたって半径方向に最大で10倍変化し、
前記シリコンウェハの上面はBMDフリー層を有し、
該シリコンウェハにおいて、前記BMDフリー層の最小の厚さは5μm以上であり、かつ平均の厚さは8μm以上であることを特徴とする
シリコンウェハ。 - 窒素がドーピングされていない、
請求項1に記載のシリコンウェハ。 - 前記のシリコンウェハに存在するスリップの全長は1cmを上回らない、
請求項1または2に記載のシリコンウェハ。 - 前記の回転対称領域は、シリコンウェハの全表面をカバーする、
請求項1から3までのいずれか1項に記載のシリコンウェハ。 - シリコンウェハを作製する方法において、
− 4.5・1017 cm-3〜5.8・1017cm-3の範囲の格子間酸素濃度[Oi]を有するシリコンウェハを準備し、ここで当該シリコンウェハの全体積にて結晶格子空孔が優勢な点欠陥タイプであり、また該シリコンウェハは、その軸に関して回転対称でありかつシリコンウェハ半径の少なくとも80%の幅の領域を有しており、該領域は、少なくとも30nmの大きさを有しかつ密度が最大6・103cm-3である、結晶格子空孔の凝集体と、10nm〜30nmの大きさを有しかつ密度が1・105cm-3〜3・107cm-3である、結晶格子空孔の凝集体とを有しており、
− 不活性または還元性雰囲気中で前記シリコンウェハを熱処理し、ここで該シリコンウェハを、350℃〜750℃の負荷温度から開始して0.5K/min〜8K/minの加熱速度で1000℃の温度まで加熱し、さらに0.1K/min〜4K/minの加熱速度で1025℃〜1175℃の範囲の保持温度に達するまで加熱し、引き続きこの保持温度に1〜4時間に保ち、つぎにあらかじめ定めた冷却速度で非負荷温度まで冷却することを特徴とする、
請求項1に記載のシリコンウェハを作製する方法。 - 窒素がドーピングされていない、
請求項5に記載の方法。 - 前記のシリコンウェハは、前記熱処理の前、4.5・1017 cm-3〜5.5・1017 cm-3の範囲の格子間酸素濃度[Oi]を有する、
請求項5または6に記載の方法。 - 最大1000℃以下の温度範囲にて加熱速度が0.5 K/min〜5 K/minである、
請求項5から7までのいずれか1項に記載の方法。 - 保持温度が1025°C〜1125°Cの範囲である、
請求項5から8までのいずれか1項に記載の方法。 - 保持温度が1050°C〜1100°Cの範囲である、
請求項9に記載の方法。 - 前記のシリコンウェハは、2時間〜3時間の間、保持温度に保たれる、
請求項5から10までのいずれか1項に記載の方法。 - 前記の熱処理以外には、さらなる別の熱処理を含まない、
請求項5から11までのいずれか1項に記載の方法。 - 前記の熱処理をバッチオーブンにて複数のシリコンウェハに同時に行う、
請求項5から12までのいずれか1項に記載の方法。 - 0〜2cm-2のOSFシード密度を有する、
請求項1から4までのいずれか1項に記載のシリコンウェハ。 - 4.2・1017 cm-3〜5.5・1017 cm-3の範囲の格子間酸素濃度[Oi]を有する、
請求項1から請求項4および請求項14のいずれか1項に記載のシリコンウェハ。 - 4.2・1017 cm-3〜5.2・1017 cm-3の範囲の格子間酸素濃度[Oi]を有する、
請求項15に記載のシリコンウェハ。
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