JP2009249205A - シリコン単結晶ウエーハおよびシリコン単結晶の製造方法またはシリコン単結晶ウエーハの製造方法ならびに半導体デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウエーハにおいて、ウエーハ全面が熱酸化処理をした際にリング状に発生するOSFの外側のN領域であって、RIE法により検出される欠陥領域が存在しない。
【選択図】図4
Description
このN領域はVが優勢なNv領域とIが優勢なNi領域に分別される。
Nv領域では、熱処理した際に酸素析出物(以下BMD(Bulk Micro Defect)という)が多く発生し、Ni領域では酸素析出が殆ど無いことがわかっている。このように、Ni領域では熱処理しても酸素析出が殆ど発生しない、すなわちBMDの密度が小さく、デバイス工程中で汚染が生じた場合にその汚染をゲッタリングする能力が弱いという問題がある。
しかしながら、本発明のシリコン単結晶ウエーハのように、ウエーハ全面がOSFの外側のN領域であって、RIE法により検出される欠陥領域の存在しないものであれば、デバイスを作製しても、酸化膜の経時破壊特性が極めて劣化しにくい高品質のシリコン単結晶ウエーハとなる。
このように、急速熱処理が施されたものであれば、酸素析出が生じにくいNi領域にも、デバイス製造工程等での熱処理によりバルク中にBMDを発生させることが可能なものとなる。したがって、デバイスを作製しても酸化膜の経時破壊特性が劣化しにくいものであるとともに、ゲッタリング能力が高いものとなる。
このようなものであれば、OSFの外側のN領域であって、RIE法により検出される欠陥領域および酸素析出が生じにくいNi領域がウエーハ全面内に存在しないため、デバイスを作製しても酸化膜の経時破壊特性が劣化しにくいものであり、かつ熱処理によってバルク中にBMDが形成されやすく、ゲッタリング能力も高いものとなる。
この本発明のシリコン単結晶の製造方法によって製造されたシリコン単結晶から、OSFの外側のN領域であって、RIE法により検出される欠陥領域の存在しないシリコン単結晶ウエーハをより確実に安定して得ることができる。すなわち、デバイスを作製しても酸化膜の経時破壊特性が極めて劣化しにくい高品質のシリコン単結晶ウエーハを得ることができる。
このようなシリコン単結晶ウエーハの製造方法であれば、急速熱処理を施しているので、酸素析出しにくいNi領域にもバルク中においてBMDを発生させることが可能となり、デバイスを作製しても酸化膜の経時破壊特性が劣化しにくく、ゲッタリング能力も高いシリコン単結晶ウエーハを得ることができる。
このようなものであれば、酸化膜の経時破壊特性が優れた高品質の半導体デバイスとなる。
説明に先立ち、RIE法とCuデポジション法につき、予め解説しておく。
1)RIE法
半導体単結晶基板中の酸化珪素(以下SiOxという)を含有する微小な結晶欠陥を深さ方向の分解能を付与しつつ評価する方法として、例えば特許第3451955号公報に開示された方法が知られている。この方法は、基板の主表面に対して、反応性イオンエッチングなどの高選択性の異方性エッチングを一定厚さで施し、残ったエッチング残渣を検出することにより結晶欠陥の評価を行うものである。
この方法では、結晶欠陥が異方性エッチングによる突起部の形で強調され、微小な欠陥であっても容易に検出することができる。
図7(a)に示すシリコン単結晶ウエーハ100には、熱処理によってシリコン単結晶ウエーハ100中に過飽和に溶存していた酸素がSiOxとして析出した酸素析出物(BMD200)が形成されている。
このシリコン単結晶ウエーハ100をサンプルとし、上記RIE法によって、結晶欠陥の評価を行うとき、例えば市販のRIE装置を用いて、ハロゲン系混合ガス(例えばHBr/Cl2/He+O2)雰囲気中で、シリコン単結晶ウエーハ100内に含まれるBMD200に対して高選択比の異方性エッチングによってシリコン単結晶ウエーハ100の主表面からエッチングする。すると、図7(b)に示すように、BMD200に起因した円錐状突起物がエッチング残渣(ヒロック)300として形成される。このヒロック300に基づいて結晶欠陥を評価することができる。
例えば、得られたヒロック300の数を数えれば、エッチングした範囲のシリコン単結晶ウエーハ100中のBMD200の密度を求めることができる。
半導体ウエーハ表面上に酸化炉を用いて所定の厚さの絶縁膜(シリコンの場合はSiO2膜)を形成させ、前記ウエーハの表面近くに形成された欠陥部位の絶縁膜を破壊して、欠陥部位にCu等の電解物質を析出(デポジション)するものである。
つまり、まず、Cuイオンが溶存する液体中で、ウエーハ表面に形成した酸化膜に電圧を印加すると、酸化膜が欠陥等を有している部分は、欠陥の無い部分より電流が多く流れる。そしてその結果、CuイオンがCuとなって欠陥部位に析出する。Cuデポジション法はこのことを利用した評価方法である。
Cuが析出したウエーハの欠陥部分は、集光灯あるいは直接目視することにより分布と密度を評価することができる。さらに光学顕微鏡や走査型電子顕微鏡(SEM)等でも確認することができる。また透過電子顕微鏡(TEM)で断面観察をすることにより、Cuが深さ方向の析出位置、すなわち欠陥位置の同定も可能である。
後述する実験を行った結果、特許文献1に記載のような(Nv−Dn)+Ni領域には、TDDB特性に影響を与える領域があることを発見した。より具体的には、Nv領域の一部には、Cuデポジション法によって欠陥は検出されないものの、RIE法では欠陥が検出される領域が存在すること、そのRIE法による欠陥領域でTDDB特性が低下することを発見した。
(実験)
まず、図1に示すMCZ法単結晶引上げ装置(横磁場印加)を用いて直径12インチ(300mm)、方位<100>、導電型p型の単結晶を成長速度(引上げ速度)を漸減しながら引上げた。
この単結晶引上げ装置30は、引上げ室31と、引上げ室31中に設けられたルツボ32と、ルツボ32の周囲に配置されたヒータ34と、ルツボ32を回転させるルツボ保持軸33及びその回転機構(図示せず)と、シリコンの種結晶を保持するシードチャック41と、シードチャック41を引上げるワイヤ39と、ワイヤ39を回転又は巻き取る巻取機構(図示せず)を備えて構成されている。ルツボ32は、その内側のシリコン融液(湯)38を収容する側には石英ルツボが設けられ、その外側には黒鉛ルツボが設けられている。また、ヒータ34の外側周囲には断熱材35が配置されている。
さらに、冷却ガスを吹き付けたり、輻射熱を遮って単結晶を冷却する筒状の冷却装置を設けることも可能である。また、引上げ室31の水平方向の外側に、図示しない磁石を設置し、シリコン融液38に水平方向あるいは垂直方向等の磁場を印加することによって、融液の対流を抑制し、単結晶の安定成長をはかる、いわゆるMCZ法を用いることができる。
これらの装置の各部は、例えば従来と同様のものとすることができる。
そして、引上げたシリコン単結晶インゴットを結晶軸方向に縦割り切断して、複数の板状ブロックを作製した。
またOSF領域の測定に関しては、縦割りサンプルの1つをOSF熱処理後にセコエッチングしてOSFの分布状況を確認した。
さらに、Cuデポジション法による欠陥領域の測定として、メタノールの溶媒中にCu濃度を0.4〜30ppmに調節し、印加電圧5MV/cmで5分間Cuデポジションを行い、その後洗浄、乾燥し、目視で析出銅の分布を観察した。
これらのサンプルに施した処理の結果に基づいて、V領域、OSF領域、Nv領域、Ni領域、I領域、Dn領域を特定した。
V領域/OSF領域境界: 0.596mm/min
OSF消滅境界: 0.587mm/min
Cuデポジション欠陥消滅境界: 0.566mm/min
Nv領域/Ni領域境界: 0.526mm/min
Ni領域/I領域境界 : 0.510mm/min
まず、上記の結果特定されたNv領域を中心になるように直径8インチのウエーハ形状にくり抜き加工(図2参照)し、その後、切断、ラッピング、エッチング、ポリッシュ等の一連のポリッシュドウエーハを作製する工程に流してポリッシュドウエーハ(以下PWという)を作製し、評価用のサンプルウエーハとした。
2枚目の評価用サンプルウエーハはマグネトロンRIE装置(Applied Materials社製Precision 5000Etch)を用いてエッチングを行った。反応ガスはHBr/Cl2/He+O2混合ガスである。その後レーザー散乱方式の異物検査装置(KLA―Tencor社製 SP1)でエッチング後の残渣突起を計測した。
3枚目の評価用サンプルウエーハは、Cuデポジション法を行い欠陥発生領域を目視で観察した。測定条件は上記と同様である。
なお、RIE法による欠陥領域が消滅する成長速度は、
RIE法による欠陥消滅境界: 0.536mm/min
であった。上記のCuデポジション欠陥消滅境界とNv領域/Ni領域境界の成長速度の間になっている。
Nv(Dn)領域:Nv領域でかつCuデポジション法による欠陥検出領域
Nv(RIE―Dn)領域:Nv領域でかつRIE法による欠陥検出領域であって、Cuデポジション法により欠陥が検出されない領域
Super Nv領域(Nv−RIE領域):Nv領域でかつRIE法により欠陥が検出されない領域
なお、評価に用いたMOS構造はゲート酸化膜厚さ:25nm、電極面積:4mm2であり、初期不良(αモード)、偶発不良(βモード)、材料の限界を示す真性不良(γモード)の判定基準は、Qbd(Charge to Breakdown:絶縁破壊に至る電荷量)がそれぞれ0.01C/cm2未満、0.01C/cm2以上5C/cm2未満、5C/cm2以上である。
図4から明確なように、酸化膜の真性破壊であるγモードの発生率はSuper−Nv領域では100%となり優れた結果を示したのに対し、Nv(RIE−Dn)領域では88%、Nv(Dn)領域では65%であった。
すなわち、従来ではそのTZDB特性のために良好であるとされていた、Nv領域でCuデポジション法により欠陥が検出されない領域であっても、RIE法により欠陥が検出する領域(Nv(RIE―Dn)領域)であると、酸化膜の長期信頼性が良好でない。すなわち、特許文献1に開示されているシリコン単結晶ウエーハではTDDB特性が必ずしも良くはない。
しかしながら、本発明のSuper Nv領域のようにRIE法による欠陥が発生しない領域では、TZDB特性のみならず、TDDB特性も優れた高品質のシリコン単結晶ウエーハが得られる。
なお、TZDBのCモードの良品率は、それぞれ100%(Super Nv領域)、99%(Nv(RIE−Dn)領域)、92%(Nv(Dn)領域)であった。
この本発明のシリコン単結晶ウエーハ1は、例えば図5に示すように、シリコン単結晶のN−RIE領域から切り出されたものである。N−RIE領域とは、N領域でかつRIE法により欠陥が検出されない領域である。前述したように、RIE領域はCuデポジション法による欠陥領域Dnよりも広く、N−RIE領域にはDn領域は含まれない。
したがって、TZDB特性に加え、TDDB特性も優れている高品質のシリコン単結晶ウエーハとなる。
BMDの深さ方向における濃度分布は急速熱処理での処理条件によって変化させることができる。急速熱処理を行うことによって、空孔型点欠陥Vの注入や拡散による再分布、空孔型点欠陥Vと格子間シリコン型点欠陥であるインタースティシャルシリコンIとの再結合による消滅が起き、Vの濃度プロファイルを制御することができる。その後、酸素析出熱処理が施されると、そのVの濃度プロファイルに従って、バルク中にBMDを形成することが可能である。
すなわち、シリコン単結晶の成長速度(引上げ速度)をN−RIE領域の範囲内に制御し、その領域でシリコン単結晶を引上げる。
すなわち、シリコン単結晶の成長速度をSuper Nv領域(Nv−RIE領域)の範囲内に制御し、その領域でシリコン単結晶を引上げる。
ここで、上記例に基づき、シリコン単結晶の成長速度をN−RIE領域の範囲に制御して引上げるのであれば、0.536mm/min(RIE法による欠陥消滅境界)〜0.510mm/min(Ni領域/I領域境界)で引上げる。
また、Super Nv領域(Nv−RIE領域)の範囲に制御してシリコン単結晶を引上げるのであれば、0.536mm/min(RIE法による欠陥消滅境界)〜0.526mm/min(Nv領域/Ni領域境界)で引上げる。
このようにして、RIE法による欠陥領域を含まない、所望の欠陥領域の成長速度に制御し、シリコン単結晶を引上げ、それから切り出すことによって、本発明のシリコン単結晶ウエーハを得ることが可能である。
なお、このとき施す急速熱処理の条件は特に限定されず、後にデバイス工程等での熱処理が行われた際に、所望のBMDプロファイルが得られるように適宜設定することができる。急速熱処理するときに使用する装置も特に限定されず、例えば、従来と同様のものを用いることができる。
30…単結晶引上げ装置、 31…引上げ室、 32…ルツボ、
33…ルツボ保持軸、 34…ヒータ、 35…断熱材、
36…黒円筒、 37…結晶の固液界面、 38…シリコン融液、
39…ワイヤ、 40…シリコン単結晶、 41…シードチャック、
200…BMD、 300…ヒロック。
Claims (7)
- チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウエーハにおいて、ウエーハ全面が熱酸化処理をした際にリング状に発生するOSFの外側のN領域であって、RIE法により検出される欠陥領域が存在しないものであることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ。
- 前記シリコン単結晶ウエーハに急速熱処理が施されたものであることを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶ウエーハ。
- チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウエーハにおいて、ウエーハ全面が熱酸化処理をした際にリング状に発生するOSFの外側のN領域であって、RIE法により検出される欠陥領域および酸素析出が生じにくいNi領域がウエーハ全面内に存在しないものであることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ。
- チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成する場合において、引上げ中のシリコン単結晶の成長速度を漸減した場合、OSFリング消滅後に残存するRIE法により検出される欠陥領域が消滅する境界の成長速度と、さらに成長速度を漸減した場合に格子間転位ループが発生する境界の成長速度との間の成長速度に制御して結晶を育成することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
- 請求項4に記載のシリコン単結晶の製造方法によりシリコン単結晶を育成し、該シリコン単結晶からシリコン単結晶ウエーハを切り出し、該シリコン単結晶ウエーハに急速熱処理を施すことを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの製造方法。
- チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成する場合において、育成されたシリコン単結晶ウエーハに熱処理をした際にリング状に発生するOSFリングの外側のN領域であって、RIE法により検出される欠陥領域および酸素析出が生じにくいNi領域が存在しない領域内で結晶を成長させることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
- 請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のシリコン単結晶ウエーハ、請求項4または請求項6に記載のシリコン単結晶の製造方法により製造されたシリコン単結晶から切り出されたシリコン単結晶ウエーハ、請求項5に記載のシリコン単結晶ウエーハの製造方法により製造されたシリコン単結晶ウエーハのいずれかを用いた半導体デバイス。
Priority Applications (6)
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