JP2017220063A - 半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
Description
半導体集積回路内の同期回路のクロック分配機構を構成するトランジスタの加工精度によって生じる製造後の遅延時間のばらつき(以下、「製造ばらつき」)は、トランジスタの微細化に伴い無視できなくなってきている。微細化の進んだ半導体集積回路では、省電力化の目的で、閾値電圧やチャネル長や電源電圧の違う複数の種類のトランジスタを使い分けていることが多い。一方、複数の種類のトランジスタを使い分けることは、半導体集積回路を製造する際のある工程で異なる製法を使い分けることを意味する。複数の種類のトランジスタのそれぞれは独立な製造ばらつきを示すことから、そのような半導体集積回路では時間応答性のゆらぎの傾向が一様であるという前提が成り立たない。したがって、製造完了時の遅延ばらつきを現実的な時間幅に収めるために、設計段階においてタイミング条件が最も悲観的な状態を考慮しておく必要がある。
第1の比較例に係るタイミングマージンの増大を避けるために、同期回路のクロックツリーを単一の閾値電圧や駆動電圧を有するドライバにより構成することが考えられる。これを説明するため、本発明者が独自に想到した構成を第2の比較例として示し、この第2の比較例について検討する。図3は、第2の比較例に係る半導体集積回路900の構成を示す模式図である。半導体集積回路900は、第1回路ブロック801に対応する第1回路ブロック901と、第2回路ブロック802に対応する第2回路ブロック902と、それらの回路ブロック901、902にクロック信号を供給するクロック構成単位906と、を備える。クロック構成単位906は図1のクロック構成単位806の第2ドライバ811を全て第1ドライバ810で置き換えた構成を有する。すなわち、クロック構成単位906は第1ドライバ810のみから構成される。
そこで、以下に説明する実施の形態では、製造ばらつきが遅延時間に及ぼす影響を抑えつつ、異なる閾値電圧や電源電圧のドライバの混在を許容することで設計の自由度を高めることができる半導体集積回路を提供する。以降、配線のばらつきについては一様とし、ドライバの製造ばらつきが遅延時間に及ぼす影響を抑えるための半導体集積回路について述べる。
第2クロック分配回路104は第2回路ブロック102に含まれ、第2回路ブロック102においてクロック信号を分配する。第2クロック分配回路104は少なくともひとつ(図4の場合、5つ)の第2ドライバ811により構成され、ドライバの種類としては第2ドライバ811のみを有する。
第1の実施の形態では、第3クロック分配回路105の出力のタイミングにとくに制限を設けていないが、第2の実施の形態では、ツリー構造を有する第3クロック分配回路205のクロック信号の出力タイミングを揃えるための手段を用いる。
図9は、第2変形例に係るクロック構成単位406が半導体集積回路に配置された状態を示す配置図である。本変形例では、第3クロック分配回路405にクロックメッシュ、クロックリング、フィッシュボーンなどのマルチドライブ構造が採用されている。マルチドライブ構造が採用される場合、ほぼタイミングの同等な複数のドライバによって駆動されるクロックノードから、遅延時間の同等なクロック信号が複数の出力ノード421のそれぞれに分配される。
なお、第1クロック分配回路103にマルチドライブ構造を採用してもよいし、第2クロック分配回路104にHツリー構造やマルチドライブ構造を採用してもよい。
第4の実施の形態では、半導体集積回路500が第1回路ブロック101や第2回路ブロック102と同期関係の無い回路ブロックを含む場合を説明する。図10は、第3の実施の形態に係る半導体集積回路500の構成を示す模式図である。半導体集積回路500は、第1回路ブロック101と、第2回路ブロック102と、第3回路ブロック511と、それらの回路ブロック101、102、511にクロック信号を供給するクロック構成単位506と、を備える。
第4の実施の形態では、第1から第3の実施の形態のいずれかに係るクロック構成単位が複数あり、さらにこれら複数のクロック構成単位をまとめる上位の分配回路がある場合について説明する。
Claims (10)
- ツリー構造のクロック分配回路を備える半導体集積回路であって、前記クロック分配回路は第1セグメントと第2セグメントとを含み、
前記第1セグメントは前記半導体集積回路の回路ブロックにおいてクロック信号を分配する回路であり、
前記第2セグメントは、前記ツリー構造において、前記第1セグメントにクロック信号を送信する側にあり、
前記第1セグメントは、それぞれが第1特性を有するよう設計された少なくともひとつのドライバにより構成され、
前記第2セグメントは、それぞれが前記第1特性とは異なる第2特性を有するよう設計された少なくともひとつのドライバにより構成される半導体集積回路。 - 前記クロック分配回路はさらに第3セグメントを含み、
前記第3セグメントは、前記回路ブロックと同期して動作する別の回路ブロックにおいてクロック信号を分配する回路であり、
前記第2セグメントは、前記ツリー構造において、前記第3セグメントにクロック信号を送信する側にあり、
前記第3セグメントは、それぞれが前記第2特性とは異なる第3特性を有するよう設計された少なくともひとつのドライバにより構成される請求項1に記載の半導体集積回路。 - 前記第1特性と前記第3特性とは同等である請求項2に記載の半導体集積回路。
- 前記クロック分配回路はさらに第4セグメントを含み、
前記第4セグメントは、前記回路ブロック、前記別の回路ブロックのいずれとも同期しないさらに別の回路ブロックにおいてクロック信号を分配する回路であり、
前記第2セグメントは、前記ツリー構造において、前記第4セグメントにクロック信号を送信する側にあり、
前記第4セグメントは、それぞれが前記第1特性とは異なる第4特性を有するよう設計された少なくともひとつのドライバにより構成される請求項3に記載の半導体集積回路。 - 前記第2セグメントは複数の出力ノードを有し、
前記第2セグメントは、前記複数の出力ノードのそれぞれから出力されるクロック信号の遅延が前記複数の出力ノードの間で同等となるよう構成される請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体集積回路。 - 前記第2セグメントは、前記複数の出力ノードのうちのひとつの出力ノードと接続された位相調整回路を有し、
前記位相調整回路は、前記ひとつの出力ノードから出力されるクロック信号の位相を他の出力ノードから出力されるクロック信号の位相に揃えるよう構成される請求項5に記載の半導体集積回路。 - 前記第2セグメントはHツリー構造を有する請求項5に記載の半導体集積回路。
- 前記第2セグメントはマルチドライブ構造を有する請求項5に記載の半導体集積回路。
- ドライバの特性は閾値電圧および電源電圧のうちの少なくともひとつを含む請求項1から8のいずれか1項に記載の半導体集積回路。
- 前記クロック分配回路の構成に準じた構成を有する別のクロック分配回路と、
前記クロック分配回路および前記別のクロック分配回路の両方にクロック信号を送信する側にある上位クロック分配回路と、をさらに備え、
前記上位クロック分配回路は、それぞれが前記クロック分配回路、前記別のクロック分配回路のいずれとも無関係に選択された第5特性を有するよう設計された少なくともひとつのドライバにより構成される請求項1から9のいずれか1項に記載の半導体集積回路。
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