JP2017216261A - パワーデバイス用冷却器の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
この発明に係る冷却器1は、図1ないし図4に示すように、互いに接合されて内部に冷媒流通空間4を形成するアルミニウム合金製の第1のケース1及び第2のケース2と、冷媒流通空間4内に配置され、隣接部間にそれぞれ冷媒流通路5を形成する複数のアルミニウム(アルミニウム合金を含む)製のフィン6とを具備し、第1及び第2のケース1,2とフィン6は、非腐食性フラックスとろう材を介して接合されている。この場合、第1及び第2のケース1,2のうちの第2のケース2の表面、すなわちパワーデバイス31が組み込まれた発熱体であるパワーモジュール30に接合される受熱面2Aには、Niメッキが施されている。
次に、冷却器の製造方法について、図7を参照して説明する。
(S−1)ろう付け前に、第1及び第2のケース1,2の表面にろう付け効果を有するSi粉末と不腐食性フラックスをアクリル系バインダーに混合したものを固着する。そして、第1及び第2のケース1,2とフィン6とを組み付けて炉内で所定の温度で加熱してろう付けする(ろう付け接合工程)。
2 第2のケース
2A 受熱面
3 冷却器本体
4 冷媒流通空間
5 冷媒流通路
6 フィン
7 メッキ皮膜層
30 パワーモジュール(発熱体)
31 パワーデバイス
Claims (4)
- 互いに接合されて内部に冷媒流通空間を形成するアルミニウム製の第1及び第2のケースと、上記冷媒流通空間内に配置され、隣接部間にそれぞれ冷媒流通路を形成する複数のアルミニウム製のフィンとを具備し、パワーデバイスが組み込まれた発熱体に接合されて上記パワーデバイスから発せられる熱を冷却するパワーデバイス用冷却器の製造方法であって、
上記第1及び第2のケースと上記フィンを非腐食性フラックスとろう材を介してろう付けするろう付け接合工程と、
上記ろう付け後に上記第1及び第2のケースの表面のフラックス残渣を除去するフラックス残渣除去工程とを含み、
上記フラックス残渣除去工程は、中心粒径が4〜250μmの多角形状のアルミナ粒子からなる研磨材と液体の混合物を圧縮空気によって上記第1及び第2のケースにおける上記発熱体に接合される受熱面に投射するウェットブラスト法によって行う、ことを特徴とするパワーデバイス用冷却器の製造方法。 - 互いに接合されて内部に冷媒流通空間を形成するアルミニウム製の第1及び第2のケースと、上記冷媒流通空間内に配置され、隣接部間にそれぞれ冷媒流通路を形成する複数のアルミニウム製のフィンとを具備し、パワーデバイスが組み込まれた発熱体に接合されて上記パワーデバイスから発せられる熱を冷却するパワーデバイス用冷却器の製造方法であって、
上記第1及び第2のケースと上記フィンを非腐食性フラックスとろう材を介してろう付けするろう付け接合工程と、
上記ろう付け後に上記第1及び第2のケースの表面のフラックス残渣を除去するフラックス残渣除去工程とを含み、
上記フラックス残渣除去工程は、中心粒径が4〜250μmの多角形状のアルミナ粒子からなる研磨材と液体の混合物を圧縮空気によって上記第1及び第2のケースの表面に投射するウェットブラスト法によって行う、ことを特徴とするパワーデバイス用冷却器の製造方法。 - 請求項1に記載のパワーデバイス用冷却器の製造方法において、
上記フラックス残渣が除去された上記受熱面にNiメッキを施すメッキ工程を更に含む、ことを特徴とするパワーデバイス用冷却器の製造方法。 - 請求項2に記載のパワーデバイス用冷却器の製造方法において、
上記フラックス残渣が除去された上記第1及び第2のケースの表面にNiメッキを施すメッキ工程を更に含む、ことを特徴とするパワーデバイス用冷却器の製造方法。
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---|---|---|---|---|
JP7118788B2 (ja) * | 2018-07-19 | 2022-08-16 | 株式会社フジクラ | コールドプレート及びコールドプレートの製造方法 |
US11614289B2 (en) * | 2020-01-21 | 2023-03-28 | Dana Canada Corporation | Aluminum heat exchanger with solderable outer surface layer |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1190828A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-06 | Showa Alum Corp | 熱交換器等の金属製ろう付品及びその製造方法 |
JP2010171033A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-08-05 | Toyota Motor Corp | ヒートシンクのろう付け方法 |
JP2012047179A (ja) * | 2011-09-28 | 2012-03-08 | Sanyo Denki Co Ltd | 電動ポンプ |
JP2012243889A (ja) * | 2011-05-18 | 2012-12-10 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2013197185A (ja) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | Mitsubishi Materials Corp | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法およびパワーモジュール用基板 |
JP2014192408A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Showa Denko Kk | 放熱装置のろう付方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3493476A (en) * | 1965-11-01 | 1970-02-03 | Avco Corp | Sulfidation and oxidation resistant coating |
US5182882A (en) * | 1991-12-30 | 1993-02-02 | Fedco Automotive Components Co., Inc. | Heater cores having exposed surfaces burnished by wet blasting |
JP2005064291A (ja) * | 2003-08-14 | 2005-03-10 | Nissan Motor Co Ltd | 絶縁シートおよびこの絶縁シートを用いた半導体装置組立体 |
CN201152507Y (zh) * | 2007-10-26 | 2008-11-19 | 齐瀚光电股份有限公司 | 发光二极管灯具 |
JP2011171569A (ja) | 2010-02-19 | 2011-09-01 | Denso Corp | 冷却器 |
CN201918430U (zh) * | 2011-01-27 | 2011-08-03 | 深圳市德泽能源科技有限公司 | 一种led基板整体式散热结构 |
JP6216964B2 (ja) * | 2011-08-09 | 2017-10-25 | 三菱アルミニウム株式会社 | 冷却器用クラッド材および発熱素子用冷却器 |
DE112013004552T8 (de) * | 2012-09-19 | 2015-07-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
CN103722301A (zh) * | 2013-11-25 | 2014-04-16 | 青岛盛嘉信息科技有限公司 | 一种铜散热器钎焊用锡铅钎料 |
JP6098758B2 (ja) * | 2014-03-14 | 2017-03-22 | 富士電機株式会社 | 冷却器および該冷却器を有する半導体装置 |
CN107073618B (zh) * | 2014-12-11 | 2019-05-28 | 株式会社Uacj | 钎焊方法 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1190828A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-06 | Showa Alum Corp | 熱交換器等の金属製ろう付品及びその製造方法 |
JP2010171033A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-08-05 | Toyota Motor Corp | ヒートシンクのろう付け方法 |
JP2012243889A (ja) * | 2011-05-18 | 2012-12-10 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2012047179A (ja) * | 2011-09-28 | 2012-03-08 | Sanyo Denki Co Ltd | 電動ポンプ |
JP2013197185A (ja) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | Mitsubishi Materials Corp | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法およびパワーモジュール用基板 |
JP2014192408A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Showa Denko Kk | 放熱装置のろう付方法 |
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