JP2017188551A - 電子部品用のロウ材および電子部品の製造法 - Google Patents
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Abstract
【課題】特性を劣化させ難くすることが可能な電子部品用のロウ材および電子部品の製造法を提供する。
【解決手段】電子部品1は、基板2とキャップ3との間に封止空間4が形成される。ここで、基板2とキャップ3とを封止するのが、金属層からなるロウ材5である。そして、ロウ材5が溶融し、基板2とキャップ3との封止が実現される。金属層は、基板2側から、ニッケル層,金層,インジウム層,錫層の順に積層されている。
【選択図】図2
【解決手段】電子部品1は、基板2とキャップ3との間に封止空間4が形成される。ここで、基板2とキャップ3とを封止するのが、金属層からなるロウ材5である。そして、ロウ材5が溶融し、基板2とキャップ3との封止が実現される。金属層は、基板2側から、ニッケル層,金層,インジウム層,錫層の順に積層されている。
【選択図】図2
Description
本発明は、電子部品用のロウ材および電子部品の製造法に関する。
水晶振動子の振動特性が劣化し難い水晶振動装置についての技術が開示されている。たとえば、水晶振動装置が、基板と、キャップと、接合材と、水晶振動子とを備える水晶振動装置についての技術である。まずキャップは、基板上に配されている。そしてキャップは、基板と共に封止空間を形成している。またキャップは、ドーム型である。ここで、接合材は、基板とキャップとを接合している。接合材は、熱硬化性樹脂の硬化物を含んでいる。水晶振動子は、封止空間内において、基板上に配置されている。接合材は、キャップの接合材と接合される部分の内壁よりも外側に位置している(特許文献1参照)。
特許文献1で提案されている水晶振動装置の技術は、基板とキャップとを接合する接合材として、熱硬化性樹脂を加熱して用いる技術である。しかしながら、熱硬化性樹脂を用いて基板とキャップとを接合すると、熱硬化性樹脂中に含まれるガス化成分が、封止空間内に放出されるおそれがある。
ここで、水晶振動子の表面にこのようなガス化成分が付着すると、水晶振動子の振動特性が劣化することがある。また、このような接合材は、ガス化成分を失うとその分の空隙が形成されるおそれがあり、そこから粒子などの微小異物が水晶振動子に付着することも懸念される。水晶振動子以外であっても、電子部品が有する素子は、このようなガス化成分および微小異物の付着を防ぐ必要がある場合が多い。
そこで本発明の目的は、特性を劣化させ難くすることが可能な電子部品用のロウ材および電子部品の製造法を提供することである。
上記目的を達成するため、本発明に係る、基板とキャップとの間に封止空間を形成する電子部品用のロウ材は、金属層からなり、金属層が、金と錫のそれぞれの金属層の間にインジウム、ビスマス、鉛、亜鉛、銀から選ばれる一つ以上の金属層を有するものであることを特徴とする。
ここで、インジウム、ビスマス、鉛、亜鉛、銀から選ばれる一つ以上の金属層は、厚みが0.1μm以上であることとしてもよい。
上記目的を達成するため、本発明に係る、基板とキャップとの間に封止空間が形成される電子部品の製造法は、基板とキャップとを封止するロウ材が、金と錫のそれぞれの金属層の間にインジウム、ビスマス、鉛、亜鉛、銀から選ばれる一つ以上の金属層を有するものであり、ロウ材が溶融することによって、基板とキャップとの封止を実現することを特徴とする。
本発明では、特性を劣化させ難くすることが可能な電子部品用のロウ材および電子部品の製造法を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態に係る電子部品用のロウ材および電子部品について、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の実施の形態に係る電子部品の平面図である。図2は、図1のA−A断面図である。
(本発明の実施の形態に係る電子部品の構成)
本発明の実施の形態に係る電子部品1(水晶デバイス)は、基板2とキャップ3との間に封止空間4が形成される。ここで、基板2とキャップ3とを封止するのが、ロウ材5である。ロウ材5は、図1に示すように基板2面の端部に沿ってリング状に配置されている。そしてロウ材5は、キャップ3の端部封止面3Aに接触している。
本発明の実施の形態に係る電子部品1(水晶デバイス)は、基板2とキャップ3との間に封止空間4が形成される。ここで、基板2とキャップ3とを封止するのが、ロウ材5である。ロウ材5は、図1に示すように基板2面の端部に沿ってリング状に配置されている。そしてロウ材5は、キャップ3の端部封止面3Aに接触している。
ここで、基板2はアルミナ製のセラミックからなる。そして、キャップ3はドーム状の形状をなす、いわゆる42アロイ製(ニッケル−鉄系合金で、ニッケルが42重量%である)のものである。封止空間4は、ほぼ真空である。封止空間4の中の水晶振動子6は、基板2の面上に固定された支持部材7に片持ち状態で振動が許容されるようにして固定されている。なお、水晶振動子6が配置されていない側の基板2の面には、水晶振動子6の外部端子が形成されている。しかし、水晶振動子6から外部端子までの導電経路は図示を省略している。
(本発明の実施の形態に係る電子部品用のロウ材の構成)
図3は、図2の領域Bの拡大図であって、後述する加熱工程前の本発明の実施の形態に係るロウ材5’の構成を示す図である。なお、加熱工程後には、ロウ材5’がロウ材5となる。本発明の実施の形態に係る、基板2とキャップ3との間に封止空間4を形成する電子部品用のロウ材5’は、メッキ層(金属層)からなる。メッキ層は、基板2側から、銅層11,金層12,インジウム層13,錫層14の順に積層されている。これらのうち、金層12,インジウム層13および錫層14がロウ材5’を構成する。
図3は、図2の領域Bの拡大図であって、後述する加熱工程前の本発明の実施の形態に係るロウ材5’の構成を示す図である。なお、加熱工程後には、ロウ材5’がロウ材5となる。本発明の実施の形態に係る、基板2とキャップ3との間に封止空間4を形成する電子部品用のロウ材5’は、メッキ層(金属層)からなる。メッキ層は、基板2側から、銅層11,金層12,インジウム層13,錫層14の順に積層されている。これらのうち、金層12,インジウム層13および錫層14がロウ材5’を構成する。
(本発明の実施の形態に係る電子部品用のロウ材の製造方法)
ロウ材5’を製造するには、まず大型の基板2のロウ材5’が配置される面に塩化第一錫水溶液を接触させる。次いで、塩化パラジウム水溶液を接触させて触媒付与処理を行う。その上で、その大型の基板2面に樹脂製のマスクでマスキングを施し、その大型の基板2面が縦横に並べられたほぼリング状のロウ材5’の形状に露出するようにする。この「ほぼリング状」という語は、リング状のロウ材5’の形状に加えて、全てのリング状のロウ材5’を導通させる導体部を含む語である。そして、そのほぼリング状ののロウ材5’の形状の露出面(導体部を含む)に無電解銅メッキを行う。そして、その無電解銅メッキ層に対して電解銅メッキ層を形成する。この無電解銅メッキ層および電解銅メッキ層が銅層11となる。銅層11は大型の基板2と殆ど隙間なく接合している。上述の導体部の銅層11は、後述する電解メッキを行う際に全てのリング状の露出面を導通させ電解メッキ層が被着し易いようにする役割を担う。
ロウ材5’を製造するには、まず大型の基板2のロウ材5’が配置される面に塩化第一錫水溶液を接触させる。次いで、塩化パラジウム水溶液を接触させて触媒付与処理を行う。その上で、その大型の基板2面に樹脂製のマスクでマスキングを施し、その大型の基板2面が縦横に並べられたほぼリング状のロウ材5’の形状に露出するようにする。この「ほぼリング状」という語は、リング状のロウ材5’の形状に加えて、全てのリング状のロウ材5’を導通させる導体部を含む語である。そして、そのほぼリング状ののロウ材5’の形状の露出面(導体部を含む)に無電解銅メッキを行う。そして、その無電解銅メッキ層に対して電解銅メッキ層を形成する。この無電解銅メッキ層および電解銅メッキ層が銅層11となる。銅層11は大型の基板2と殆ど隙間なく接合している。上述の導体部の銅層11は、後述する電解メッキを行う際に全てのリング状の露出面を導通させ電解メッキ層が被着し易いようにする役割を担う。
その銅層11に対して金を電解メッキにて形成し、厚み13.5μmの金層12を得る。その金層12に対してインジウムを電解メッキにて形成し、厚み2.5μmのインジウム層13を得る。そのインジウム層13に対して錫を電解メッキにて形成し、厚み4μmの錫層14を得る。以上で本発明の実施の形態に係る電子部品用のロウ材5’の製造が完了する。その後、マスクは、有機溶剤によって溶解除去する。その結果、大型の基板2面上には銅層11の上に金層12、インジウム層13、および錫層14がこの順にリング状に積層したロウ材5’が縦横に多数形成される。なお、個々の電子部品1にはロウ材5’が1つずつ必要となる。
(本発明の実施の形態に係る電子部品の製造法)
まず、本発明の実施の形態に係る電子部品用のロウ材5’が縦横に多数形成された大型の基板2を用意する。次にその大型の基板2の面上であって個々のリング状のロウ材5’の内側に支持部材7および水晶振動子6をそれぞれ配置する。次に、バネ力によって押圧できるピン部材を用いて、キャップ3の端部封止面3Aをそれぞれのロウ材5’に押しつけながら、ロウ材5’を溶融させた後に固化させることにより、多数のキャップ3と大型の基板2とをロウ材5により接合させる。このロウ材5’を溶融させる工程(以下、「加熱工程」という)は、圧力が10−3Pa〜10−4Pa程度の減圧雰囲気下において、280℃〜350℃程度の温度で、1分〜60分程度行う。加熱工程によって、図2に示す封止空間4は、ほぼ真空になる。
まず、本発明の実施の形態に係る電子部品用のロウ材5’が縦横に多数形成された大型の基板2を用意する。次にその大型の基板2の面上であって個々のリング状のロウ材5’の内側に支持部材7および水晶振動子6をそれぞれ配置する。次に、バネ力によって押圧できるピン部材を用いて、キャップ3の端部封止面3Aをそれぞれのロウ材5’に押しつけながら、ロウ材5’を溶融させた後に固化させることにより、多数のキャップ3と大型の基板2とをロウ材5により接合させる。このロウ材5’を溶融させる工程(以下、「加熱工程」という)は、圧力が10−3Pa〜10−4Pa程度の減圧雰囲気下において、280℃〜350℃程度の温度で、1分〜60分程度行う。加熱工程によって、図2に示す封止空間4は、ほぼ真空になる。
図4は、図2の領域Bの拡大図であって、加熱工程後の本発明の実施の形態に係るロウ材5の構成を図3と同様に示す図である。加熱工程によって、ロウ材5’が溶融してロウ材5となる。ロウ材5は、金層12とインジウム層13と錫層14が溶融したものであり、金と錫とインジウムの3元合金、もしくは金と錫の2元合金である。この2元合金が形成される場合には、インジウムが遊離している可能性がある。なお銅層11は、ロウ材5の中には実質的に溶融していない。
ロウ材5は、銅層11と金属結合により殆ど隙間なく接合し、またキャップ3の端部封止面3Aとも金属結合により殆ど隙間なく接合している。また、上述のように銅層11は大型の基板2と殆ど隙間なく接合している。このため、大型の基板2とキャップ3との封止が実現される。すなわち、ロウ材5’が溶融することによって、大型の基板2とキャップ3との封止が実現され、封止空間4が形成される。
これらの一連の製造工程の後、大型の基板2は、個々の電子部品1となるように、ロウ材5’を1つずつ含むように切り分けられ、個々の基板2となる。以上で本発明の実施の形態に係る電子部品1の製造が完了する。上述の導体部は、除去せず電子部品1に残ることがあり得る。その導体部は、図1および図2では図示を省略している。
(本発明の実施の形態によって得られる主な効果)
本発明の実施の形態に係る電子部品用のロウ材5’は、加熱工程を経てもガス化成分を発生させることが殆ど無いため、電子部品(水晶デバイス)の特性を劣化させ難くすることが可能である。このようなロウ材5’は、そのメッキ層の積層によって得られ、特別なメッキ技術等の技術を要せずに容易に製造できる。なお、加熱工程を経たロウ材5はキャップ3の端部封止面3Aおよび銅層11と殆ど隙間なく接合し、銅層11は基板2と殆ど隙間なく接合しているため、封止空間4の真空度を長期間高く維持できる。
本発明の実施の形態に係る電子部品用のロウ材5’は、加熱工程を経てもガス化成分を発生させることが殆ど無いため、電子部品(水晶デバイス)の特性を劣化させ難くすることが可能である。このようなロウ材5’は、そのメッキ層の積層によって得られ、特別なメッキ技術等の技術を要せずに容易に製造できる。なお、加熱工程を経たロウ材5はキャップ3の端部封止面3Aおよび銅層11と殆ど隙間なく接合し、銅層11は基板2と殆ど隙間なく接合しているため、封止空間4の真空度を長期間高く維持できる。
また、加熱工程後のロウ材5は、金と錫とインジウムの3元合金、もしくは金と錫の2元合金である。これらの合金は、長期間の耐酸化性等の耐久性に優れていることから、電子部品1の使用期間の長期化によって封止空間4の真空度が低くなることは殆どない。
基板2とキャップ3との封止を確実にするためには、ロウ材5’のうち金層12と錫層14とが合金化することがロウ材5の耐久性等の理由から理想的と考えられている。しかし、金層12と錫層14と接触配置することは、メッキ技術では困難であった。また、金と錫の合金を電解メッキする技術が存在するが、それは極めてコスト高の技術であり、工業的には実質的に利用できない。
そこで、金層12と錫層14の間にインジウム層13を介在させることで金層12と錫層14の近接したメッキ層を形成し、加熱工程を経ることで金層12と錫層14の合金化、または金層12とインジウム層13と錫層14との合金化を低コストで実現できた。仮に金層12とインジウム層13と錫層14とが合金化しているなら、その合金は金層12と錫層14の合金と同様に、基板2とキャップ3との封止を確実にするものである。その理由は、ロウ材5が、現実に基板2とキャップ3との封止をほぼ確実にしていることが実証されているためである。
(他の形態)
上述した本発明の実施の形態に係る電子部品用のロウ材5’および電子部品1の製造法は、本発明の好適な形態の一例ではあるが、これに限定されるものではなく本発明の要旨を変更しない範囲において種々の変形実施が可能である。
上述した本発明の実施の形態に係る電子部品用のロウ材5’および電子部品1の製造法は、本発明の好適な形態の一例ではあるが、これに限定されるものではなく本発明の要旨を変更しない範囲において種々の変形実施が可能である。
たとえば、電子部品1は水晶振動子6を用いた水晶デバイスであるが、これに限定されない。たとえば、圧電素子を基板2とキャップ3で封入する、いわゆるSAW(Surface Acoustic Wave)フィルタ、またはLED(light emitting diode)素子を基板2とキャップ3で封入する発光部品等にも、本発明の実施の形態に係る電子部品用のロウ材5’を使用することができる。
またロウ材5’は、メッキ層からなるものである。しかし、銅層11、金層12、インジウム層13または錫層14のうち一つ以上が、金属箔、スパッタリング法、蒸着法等で形成等した金属層であることとしても良い。
また、金層12,インジウム層13,錫層14の厚みは適宜変更できる。ただし、インジウム層13の厚みは、本発明者の検討により0.1μm以上さらには、1μm以上であることが好ましい。また、金層12と錫層14の厚みは、これらが合金化する際に共晶合金となり易い比率としての、金:錫=A:B(Aは80から85、Bは20から15、A+B=100)の範囲とすることが好ましい。
また、銅層11は、必須ではないため、省略できる。たとえば、基板2の露出面に塩化第一錫水溶液を接触させ、次いで塩化パラジウム水溶液を接触させて触媒付与処理を行った後に、その露出面に無電解金メッキまたは無電解錫メッキを行い、その後金層12とインジウム層13と錫層14をこの順に電解メッキにより形成することで銅層11の省略ができる。
また、銅層11は、それに代えてニッケルからなるメッキ層(金属層)等、他の金属からなる層を採用してもよい。ただし、銅は比較的柔らかい金属であるため、基板2との接合状態を良好に維持でき、容易に剥離等が起こらない。そのため、基板2と接合する層は、銅層11が好ましいと言える。また銅層11は、無電解銅メッキ層および電解銅メッキ層からなるものであるが、無電解銅メッキ層のみからなるものとしても良い。また、セラミックス製の基板2の表面をメタライズ法によって銅層11に代わる金属層を形成することとしても良い。メタライズ法による金属層には、たとえばタングステン、モリブデン、マンガン、ニッケルメッキ層等の金属層を数層形成するもの、またはモリブデン―マンガン法によるもの、融解チタンメタライズ法によるもの等を採用できる。
また、金層12と錫層14の積層位置は逆にすることができる。さらに、錫層14とキャップ3との間に別のメッキ層(金属層)を形成してもよい。さらに銅層11は、メッキ以外の方法(たとえば上述のメタライズ法等)で形成されていても良い。
また、インジウム層13に代えてインジウム、ビスマス、鉛、亜鉛、銀から選ばれる一つ以上のメッキ層(金属層)を採用してもよい。これら2つ以上の金属層をインジウム層13に代えて採用する場合は、その金属層の全ての厚みの和が0.1μm以上であることが好ましい。また、基板2に塩化第一錫水溶液を接触させる処理、および塩化パラジウム水溶液を接触させる触媒付与処理は、必須ではないため、省略できる。
また、キャップ3は42アロイ製のものであるが、他の材質のもの、たとえばコバール製(鉄にニッケル、コバルトを配合した合金)のものを採用してもよい。ただし、42アロイは基板2のアルミナとは熱膨張係数が近い。そのため、基板2とキャップ3の組み合わせにすることにより、電子部品1の製造過程における温度変化があっても、ロウ材5に与える熱応力を小さくすることができる。また、基板2はアルミナ製であるが、これも窒化アルミニウム等、他の材質のものを採用してもよい。
また、キャップ3をロウ材5’に押しつけながら、加熱工程にてロウ材5’を溶融させているが、このような押し付けをせずに、いわゆるリフロー炉等を用い、キャップ3の自重のみでキャップ3とロウ材5’の密着を実現しても良い。さらに、加熱工程は、圧力が10−3Pa〜10−4Pa程度の減圧雰囲気下で行っているが、この条件は適宜変更できる。
1 電子部品
2 基板
3 キャップ
4 封止空間
5,5’ ロウ材
6 水晶振動子
2 基板
3 キャップ
4 封止空間
5,5’ ロウ材
6 水晶振動子
Claims (3)
- 基板とキャップとの間に封止空間を形成する電子部品用のロウ材において、
上記ロウ材は、金属層からなり、
上記金属層が、金と錫のそれぞれの金属層の間にインジウム、ビスマス、鉛、亜鉛、銀から選ばれる一つ以上の金属層を有するものであることを特徴とする電子部品用のロウ材。 - 請求項1記載の電子部品用のロウ材において、
前記インジウム、ビスマス、鉛、亜鉛、銀から選ばれる一つ以上の金属層は、厚みが0.1μm以上であることを特徴とする電子部品用のロウ材。 - 基板とキャップとの間に封止空間が形成される電子部品の製造法において、
上記基板と上記キャップとを封止するロウ材が、金と錫のそれぞれの金属層の間にインジウム、ビスマス、鉛、亜鉛、銀から選ばれる一つ以上の金属層を有するものであり、
上記ロウ材が溶融することによって、上記基板と上記キャップとの封止を実現することを特徴とする電子部品の製造法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016075878A JP2017188551A (ja) | 2016-04-05 | 2016-04-05 | 電子部品用のロウ材および電子部品の製造法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019065218A1 (ja) | 2017-09-28 | 2019-04-04 | 株式会社小糸製作所 | センサシステム |
-
2016
- 2016-04-05 JP JP2016075878A patent/JP2017188551A/ja active Pending
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WO2019065218A1 (ja) | 2017-09-28 | 2019-04-04 | 株式会社小糸製作所 | センサシステム |
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