KR102496718B1 - 복층구조를 가지는 금속기판 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 복층 구조를 가지는 금속기판 및 그 제조방법에 관한 것으로 베이스 금속기재의 양면에 각각 상기 베이스 금속기재의 열팽창률보다 작은 제1금속층과 제2금속층을 형성하여 특정 열팽창률 즉, 4 ~ 9ppm/℃의 열팽창률을 가지는 금속기판을 용이하게 제조하여 점차 다양하게 개발되고 있는 칩구조체를 실장함에 있어 칩구조체의 작동 시 칩구조체와 금속기판 사이의 열팽창률 차이로 인한 내구성 저하를 방지하고 칩구조체의 내구성 및 작동 신뢰성을 향상시킨다.

Description

복층구조를 가지는 금속기판 및 그 제조방법{Metal PCB having multilayer structure and Manufacturing Method thereof}
본 발명은 복층 구조를 가지는 금속기판 및 그 제조방법에 관한 것으로 더 상세하게는 특정한 범위의 열팽창률과 열전도도를 가지는 금속기판을 용이하게 제조할 수 있도록 한 복층 구조를 가지는 금속기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체칩, IC칩 또는 이미지 센서 등의 칩구조체가 실장되는 기판은 해당 용도에 맞는 특정한 범위의 열팽창률과 열전도도를 가지도록 제조되고 있다.
IC칩 또는 이미지 센서 등의 칩구조체의 실장을 위한 기판으로 양면에 금속층이 구비되는 세라믹 기판 또는 복층 구조를 가지는 금속기판이 사용되고 있다.
칩구조체의 열팽창률과 칩구조체가 실장되는 기판의 열팽창률이 다른 경우 칩구조체의 발열에 의해 칩구조체의 실장부분의 신뢰성이 저하되는 문제가 있어 칩구조체의 열팽창률이 유사한 기판 상에 실장하는 것이 요구된다.
상기 세라믹 기판의 경우 열전도도가 낮아 칩구조체에서 발생되는 열을 충분히 발열하지 못해 근래에 들어 복층 구조를 가지는 금속기판의 사용이 증대되고 있는 추세이다.
또한, 복층구조의 상기 금속기판은 기본적으로 IC칩 또는 이미지 센서 등의 칩구조체가 작동 중 발생되는 열을 방출하기 위해 일정 이상의 열전도도를 만족해야만 한다.
도 1을 참고하면, 복층구조의 상기 금속기판의 일 예로 몰리브덴 기재(100a)의 상, 하면에 동박(100b)이 각각 접합된 CMC(Cu-Mo-Cu) 기판(100)이 있고, 상기 CMC 기판(100)은 주로 통신용 고주파 반도체용 기판으로 사용되고 있다.
전자부품의 다양화로 IC칩 또는 이미지 센서 등의 칩구조체가 다양하게 개발되고 기판에 요구되는 열팽창률도 다양해지고 있다.
그러나, 몰리브덴 기재(100a)의 상, 하면에 동박(100b)이 각각 접합된 CMC(Cu-Mo-Cu) 기판(100)은 가운데에 열팽창률 및 열전도도가 낮은 금속기재 즉, 몰리브덴 기재(100a)의 상면에 열팽창률과 열전도도가 높은 금속층 즉, 동박(100b)을 배치하는 것으로 특정 열팽창률을 가지는 칩구조체를 실장시키는 데 한계가 있었다.
또한, 상기 CMC(Cu-Mo-Cu) 기판(100)은 몰리브덴 기재(100a)의 양면에 동박(100b)을 적층/접합시키는 구조로 제조비용이 많이 소요되고, 제조과정이 복잡한 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 점을 감안하여 안출한 것으로, 특정 열팽창률을 만족하는 복층 구조의 금속기판을 용이하게 제조할 수 있는 복층구조를 가지는 금속기판 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 의한 복층구조를 가지는 금속기판은, 베이스 금속기재, 상기 베이스 금속기재의 일면에 구비되는 제1금속층 및 상기 베이스 금속기재의 타면에 구비되는 제2금속층을 포함하며, 상기 제1금속층과 상기 제2금속층의 열팽창률은 상기 베이스 금속기재의 열팽창률보다 작은 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 의한 복층구조를 가지는 금속기판은 4 ~ 9ppm/℃의 열팽창률을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 복층구조를 가지는 금속기판은 140 ~ 240W/m·K의 열전도도를 가질 수 있다.
본 발명에서 상기 베이스 금속기재의 재질은 구리(Cu)이고, 상기 제1금속층과 상기 제2금속층의 재질은 몰리브덴(Mo), SUS, CuMo 중 어느 하나일 수 있다.
본 발명에서 상기 제1금속층과 상기 제2금속층은 제1금속박과 제2금속박으로 각각 형성되고, 상기 제1금속박에서 상기 베이스 금속기재 상에 접합되는 접합면에는 브레이징 접합을 위한 제1접합용 증착층이 각각 구비되고 상기 제2금속박에서 상기 베이스 금속기재 상에 접합되는 접합면에는 브레이징 접합을 위한 제2접합용 증착층이 각각 구비되며, 상기 베이스 금속기재의 양면에는 각각 상기 제1금속박과 상기 제2금속박을 브레이징 접합시키기 위한 브레이징 필러층이 구비될 수 있다.
본 발명에서 상기 제1금속층과 상기 제2금속층은 용융된 금속 용융액을 상기 베이스 금속기재 상에 도포한 후 냉각 및 경화시켜 형성될 수 있다.
본 발명에서 상기 제1금속층과 상기 제2금속층은 금속이 멜팅된 후 다시 경화된 멜팅조직을 가질 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 의한 복층구조를 가지는 금속기판 제조방법은, 베이스 금속기재를 준비하는 기재 준비단계 및 상기 베이스 금속기재의 양면에 각각 제1금속층과 제2금속층을 형성하는 금속층 형성단계를 포함하며, 상기 제1금속층과 상기 제2금속층의 열팽창률은 상기 베이스 금속기재의 열팽창률보다 작은 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 의한 복층구조를 가지는 금속기판 제조방법은 4 ~ 9ppm/℃의 열팽창률을 가지는 금속기판을 제조할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 복층구조를 가지는 금속기판 제조방법은 140 ~ 240W/m·K의 열전도도를 가지는 금속기판을 제조할 수 있다.
본 발명에서 상기 베이스 금속기재의 재질은 구리(Cu)이고, 상기 제1금속층과 상기 제2금속층의 재질은 몰리브덴(Mo), SUS, CuMo 중 어느 하나일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 복층구조를 가지는 금속기판 제조방법은 상기 베이스 금속기재보다 열팽창률이 작은 금속재질의 제1금속박과 제2금속박을 준비하고 상기 제1금속박의 일면과 상기 제2금속박의 일면에 각각 브레이징 접합을 위한 상기 제1접합용 증착층과 상기 제2접합용 증착층을 각각 형성하는 증착단계를 더 포함할 수 있고, 상기 금속층 형성단계는 상기 베이스 금속기재의 양면에 각각 브레이징 필러층을 형성하는 과정 및 상기 베이스 금속기재의 양면에 상기 제1금속박과 상기 제2금속박을 적층하고 브레이징하는 과정을 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 금속층 형성단계는 용융된 금속 용융액 내부에 상기 베이스 금속기재를 침지시키는 과정 및 금속 용융액에서 상기 베이스 금속기재를 인출하고 경화시키는 과정을 포함할 수 있다.
본 발명은 특정 열팽창률 즉, 4 ~ 9ppm/℃의 열팽창률을 가지는 금속기판을 용이하게 제조하여 점차 다양하게 개발되고 있는 칩구조체를 실장함에 있어 칩구조체의 작동 시 칩구조체와 금속기판 사이의 열팽창률 차이로 인한 내구성 저하를 방지하고 칩구조체의 내구성 및 작동 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 열전도도가 우수하여 칩구조체의 내구성 및 작동 신뢰성을 더 향상시키는 효과가 있다.
본 발명은 제조 과정이 단순하고, 제조원가가 저렴하여 가격 경쟁력을 향상시키는 효과가 있다.
도 1은 종래의 복층구조를 가지는 금속기판을 도시한 사시도.
도 2는 본 발명에 따른 복층구조를 가지는 금속기판을 도시한 사시도.
도 3은 본 발명에 따른 복층구조를 가지는 금속기판의 일 실시예를 도시한 분해 사시도.
도 4는 본 발명에 따른 복층구조를 가지는 금속기판의 일 실시예를 도시한 확대 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 복층구조를 가지는 금속기판의 다른 실시예를 도시한 확대 단면도.
도 6은 본 발명에 따른 복층구조를 가지는 금속기판의 제조방법의 일 실시예를 도시한 공정도.
도 7은 본 발명에 따른 복층구조를 가지는 금속기판의 제조방법의 다른 실시예를 도시한 공정도.
본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 여기서, 반복되는 설명, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능, 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다. 본 발명의 실시형태는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 복층구조를 가지는 금속기판을 도시한 사시도로써 본 발명에 따른 복층구조를 가지는 금속기판은 베이스 금속기재(10), 상기 베이스 금속기재(10)의 일면에 구비되는 제1금속층(20); 및 상기 베이스 금속기재(10)의 타면에 구비되는 제2금속층(30)을 포함한다.
또한, 상기 제1금속층(20)과 상기 제2금속층(30)의 열팽창률은 상기 베이스 금속기재(10)의 열팽창률보다 작다.
또한, 상기 제1금속층(20)과 상기 제2금속층(30)의 열전도도는 상기 베이스 금속기재(10)의 열전도도보다 작다.
즉, 상기 제1금속층(20)과 상기 제2금속층(30)은 열팽창률과 열전도도가 상기 베이스 금속기재(10)의 열팽창률과 열전도도보다 작은 금속으로 상기 베이스 금속기재(10)의 양면에 각각 적층되어 형성되는 것이다.
본 발명에 따른 복층구조를 가지는 금속기판은 특정 팽창율을 만족시키기 위한 금속기판으로 4 ~ 9ppm/℃의 열팽창률을 가지는 금속기판인 것을 일 예로 한다.
또한, 본 발명에 따른 복층구조를 가지는 금속기판은 특정 팽창율과 더불어 특정 열전도도를 만족시키기 위한 금속기판으로 140 ~ 240W/m·K의 열전도도를 가지는 금속기판인 것을 일 예로 한다.
상기 베이스 금속기재(10)의 재질은 구리(Cu)인 것을 일 예로 하고, 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au) 등으로 열전도도와 열팽창률이 다른 금속들에 비해 상대적으로 높은 금속으로 다양하게 변형 실시될 수 있다.
또한, 상기 베이스 금속기재(10)의 재질은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au) 중 어느 하나를 포함한 합금일 수도 있다.
본 발명에서 4 ~ 9ppm/℃의 열팽창률과 140 ~ 240W/m·K의 열전도도를 동시에 만족시키기 위하여 상기 베이스 금속기재(10)의 재질인 구리(Cu)인 것이 바람직하다.
또한, 상기 제1금속층(20)과 상기 제2금속층(30)은 동일한 금속재질로 형성되는 것을 일 예로 한다. 즉, 상기 제1금속층(20)과 상기 제2금속층(30)은 상기 베이스 금속기재(10)보다 열전도도와 열팽창률이 작고 동일한 금속 재질로 형성된다.
상기 제1금속층(20)과 상기 제2금속층(30)의 재질은 몰리브덴(Mo)인 것을 일 예로 하고, SUS일 수도 있고, CuMo일 수도 있다. 상기 제1금속층(20)과 상기 제2금속층(30)은 상기 베이스 금속기재(10)보다 열전도도와 열팽창률이 작은 금속으로 상기 베이스 금속기재(10)의 양면에 각각 적층형성되어 상기 베이스 금속기재(10)를 포함한 금속기판의 전체 열팽창율이 4 ~ 9ppm/℃이고, 상기 베이스 금속기재(10)를 포함한 금속기판의 전체 열전도도가 140 ~ 240W/m·K가 되게 하는 어떠한 금속도 사용이 가능함을 밝혀둔다.
본 발명에서 4 ~ 9ppm/℃의 열팽창률과 140 ~ 240W/m·K의 열전도도를 동시에 만족시키기 위하여 상기 제1금속층(20)과 상기 제2금속층(30)의 재질은 몰리브덴(Mo) 또는 SUS인 것이 바람직하다.
상기 제1금속층(20)과 상기 제2금속층(30)은 금속박으로 형성되며 상기 베이스 금속기재(10) 상에 브레이징 접합되는 것을 일 예로 한다.
상기 제1금속층(20)과 상기 제2금속층(30)은 제1금속박(21)과 제2금속박(31)으로 각각 형성되고, 상기 제1금속박(21)에서 상기 베이스 금속기재(10) 상에 접합되는 접합면에는 브레이징 접합을 위한 제1접합용 증착층(21a)이 각각 구비되고 상기 제2금속박(31)에서 상기 베이스 금속기재(10) 상에 접합되는 접합면에는 브레이징 접합을 위한 제2접합용 증착층(31a)이 각각 구비되는 것이 바람직하다.
상기 제1접합용 증착층(21a)과 상기 제2접합용 증착층(31a)은 Cu 증착층 또는 Ti 증착층인 것을 일 예로 한다.
또한, 상기 베이스 금속기재(10)의 양면에는 각각 상기 제1금속박(21)과 상기 제2금속박(31)을 브레이징 접합시키기 위한 브레이징 필러층(40)이 구비된다.
도 4를 참고하면, 상기 제1금속박(21)과 상기 베이스 금속기재(10) 사이에는 상기 제1접합용 증착층(21a)과 상기 브레이징 필러층(40)이 개재되고, 상기 제2금속박(31)과 상기 베이스 금속기재(10) 사이에는 상기 제2접합용 증착층(31a)과 상기 브레이징 필러층(40)이 개재된다.
상기 브레이징 필러층(40)은 제1Ag필러층(41), Cu필러층(42), 제2Ag필러층(43)이 차례로 적층된 것을 일 예로 한다.
상기 브레이징 필러층(40)은 상기 제1금속박(21)과 상기 제2금속박(31)을 각각 상기 베이스 금속기재(10)의 양면에 브레이징 접합할 수 있는 공지의 브레이징 필러층(40)으로 다양하게 변형실시할 수 있음을 밝혀둔다.
도 5는 본 발명에 따른 복층구조를 가지는 금속기판의 다른 실시예를 도시한 확대 단면도로써, 도 5를 참고하면, 상기 제1금속층(20)과 상기 제2금속층(30)은 금속박을 상기 베이스 금속기재(10) 상에 접합될 수 있고, 용융된 금속 용융액을 상기 베이스 금속기재(10) 상에 도포한 후 냉각 및 경화시켜 형성될 수도 있다.
상기 베이스 금속기재(10)는 금속 용융액 내부에 침지된 후 인출되어 양면에 각각 상기 제1금속층(20)과 상기 제2금속층(30)이 형성될 수 있다.
상기 제1금속층(20)과 상기 제2금속층(30)은 금속이 멜팅된 후 다시 경화된 멜팅조직을 가지는 것을 일 예로 한다.
한편, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 복층구조를 가지는 금속기판 제조방법을 도시한 공정도로써, 도 5를 참고하면 베이스 금속기재(10)를 준비하는 기재 준비단계(S100) 및 상기 베이스 금속기재(10)의 양면에 각각 제1금속층(20)과 제2금속층(30)을 형성하는 금속층 형성단계(S200)를 포함하며, 상기 제1금속층(20)과 상기 제2금속층(30)의 열팽창률은 상기 베이스 금속기재(10)의 열팽창률보다 작은 것을 특징으로 한다.
즉, 상기 금속층 형성단계(S200)는 상기 베이스 금속기재(10)의 열팽창률보다 작은 열팽창율을 가지는 제1금속층(20)과 제2금속층(30)을 상기 베이스 금속기재(10)의 양면에 각각 형성하는 것이다.
또한 상기 금속층 형성단계(S200)는 상기 베이스 금속기재(10)의 열팽창률과 열전도도보다 작은 열팽창률과 열전도도를 가지는 제1금속층(20)과 제2금속층(30)을 상기 베이스 금속기재(10)의 양면에 각각 형성하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 복층구조를 가지는 금속기판 제조방법은, 특정 팽창율을 만족시키기 위한 금속기판으로 4 ~ 9ppm/℃의 열팽창률을 가지는 금속기판을 제조하는 것을 일 예로 한다.
또한, 본 발명에 따른 복층구조를 가지는 금속기판은 특정 팽창율과 더불어 특정 열전도도를 만족시키기 위한 금속기판으로 140 ~ 240W/m·K의 열전도도를 가지는 금속기판을 제조하는 것을 일 예로 한다.
상기 베이스 금속기재(10)의 금속재질 및 상기 제1금속층(20)과 상기 제2금속층(30)의 금속재질의 구체적인 예는 상기에서 설명한 바와 동일하여 중복기재로 생략함을 밝혀둔다.
본 발명의 일 실시예에 의한 복층구조를 가지는 금속기판 제조방법은, 상기 베이스 금속기재(10)보다 열팽창률이 작은 금속재질의 제1금속박(21)과 제2금속박(31)을 준비하고 상기 제1금속박(21)의 일면과 상기 제2금속박(31)의 일면에 각각 브레이징 접합을 위한 상기 제1접합용 증착층(21a)과 상기 제2접합용 증착층(31a)을 각각 형성하는 증착단계(S110)를 더 포함할 수 있다.
상기 증착단계(S110)는 상기 금속층 형성단계(S200) 이전에 행해지는 것으로 상기 기재 준비단계(S100) 이전에 이루어질 수도 있고, 상기 기재 준비단계(S100)와 동시에 이루어질 수도 있고, 상기 기재 준비단계(S100)와 상기 금속층 형성단계(S200)의 사이에서 이루어질 수도 있다.
상기 증착단계(S110)는 물리 증착법으로 0초과 10㎛ 이하의 두께로 상기 제1접합용 증착층(21a)과 상기 제2접합용 증착층(31a)을 상기 제1금속박(21)의 일면과 상기 제2금속박(31)의 일면에 형성할 수 있다.
상기 물리 증착법은 진공증착, 열증착(Evaporation), 이빔(ebeam)증착, 레이저(laser) 증착, 스퍼터링(Sputtering), 아크이온플레이팅(Arc Ion Plating) 중 어느 하나인 것을 일 예로 한다.
상기 금속층 형성단계(S200)는 상기 베이스 금속기재(10)의 양면에 각각 브레이징 필러층(40)을 형성하는 과정(S210);
상기 베이스 금속기재(10)의 양면에 상기 제1금속박(21)과 상기 제2금속박(31)을 적층하고 브레이징하는 과정(S220)을 포함한다.
상기 금속층 형성단계(S200)는 브레이징으로 상기 제1금속박(21)과 상기 제2금속박(31)을 상기 베이스 금속기재(10) 상에 견고하게 접합시킨다.
상기 브레이징 필러층(40)을 형성하는 과정(S210)은 물리 증착법으로 브레이징 필러층(40)을 형성할 수도 있고, 도금 공정을 통해 브레이징 필러층(40)을 형성할 수도 있고, 페이스트 형태의 브레이징 필러를 도포하여 브레이징 필러층(40)을 형성할 수도 있다.
상기 금속층 형성단계(S200)는 용융된 금속 용융액 내부에 상기 베이스 금속기재(10)를 침지시키는 과정(S230), 금속 용융액에서 상기 베이스 금속기재(10)를 인출하고 경화시키는 과정(S240)을 포함하여 상기 베이스 금속기재(10)의 양면에 각각 상기 제1금속층(20)과 상기 제2금속층(30)을 형성할 수도 있다.
본 발명은 특정 열팽창률 즉, 4 ~ 9ppm/℃의 열팽창률을 가지는 금속기판을 용이하게 제조하여 점차 다양하게 개발되고 있는 칩구조체를 실장함에 있어 칩구조체의 작동 시 칩구조체와 금속기판 사이의 열팽창률 차이로 인한 내구성 저하를 방지하고 칩구조체의 내구성 및 작동 신뢰성을 향상시킨다.
또한, 본 발명은 열전도도가 우수하여 칩구조체의 내구성 및 작동 신뢰성을 더 향상시킨다.
본 발명은 제조 과정이 단순하고, 제조원가가 저렴하여 가격 경쟁력을 향상시킨다.
이와 같은 본 발명의 기본적인 기술적 사상의 범주 내에서, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서는 다른 많은 변형이 가능함은 물론이고, 본 발명의 권리범위는 첨부한 특허청구 범위에 기초하여 해석되어야 할 것이다.
10 : 베이스 금속기재 20 : 제1금속층
21 : 제1금속박 21a : 제1접합용 증착층
30 : 제2금속층 31 : 제2금속박
31a : 제2접합용 증착층 40 : 브레이징 필러층
41 : 제1Ag필러층 42 : Cu필러층
43 : 제2Ag필러층

Claims (13)

  1. 베이스 금속기재;
    상기 베이스 금속기재의 일면에 구비되는 제1금속층; 및
    상기 베이스 금속기재의 타면에 구비되는 제2금속층을 포함하며,
    상기 제1금속층과 상기 제2금속층의 열팽창률은 상기 베이스 금속기재의 열팽창률보다 작은 것을 특징으로 하고,
    상기 베이스 금속기재의 재질은 구리(Cu)이고, 상기 제1금속층과 상기 제2금속층의 재질은 몰리브덴(Mo), SUS, CuMo 중 어느 하나인 것을 특징으로 하며,
    상기 제1금속층과 상기 제2금속층은 제1금속박과 제2금속박으로 각각 형성되고, 상기 제1금속박에서 상기 베이스 금속기재 상에 접합되는 접합면에는 브레이징 접합을 위한 제1접합용 증착층이 각각 구비되고 상기 제2금속박에서 상기 베이스 금속기재 상에 접합되는 접합면에는 브레이징 접합을 위한 제2접합용 증착층이 각각 구비되며, 상기 베이스 금속기재의 양면에는 각각 상기 제1금속박과 상기 제2금속박을 브레이징 접합시키기 위한 브레이징 필러층이 구비되는 것을 특징으로 하고,
    상기 브레이징 필러층은 제1Ag필러층, Cu필러층, 제2Ag필러층이 차례로 적층된 것을 특징으로 하는 복층구조를 가지는 금속기판.
  2. 제1항에 있어서,
    4 ~ 9ppm/℃의 열팽창률을 가지는 것을 특징으로 하는 복층구조를 가지는 금속기판.
  3. 제2항에 있어서,
    140 ~ 240W/m·K의 열전도도를 가지는 것을 특징으로 하는 복층구조를 가지는 금속기판.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 베이스 금속기재를 준비하는 기재 준비단계; 및
    상기 베이스 금속기재의 양면에 각각 제1금속층과 제2금속층을 형성하는 금속층 형성단계를 포함하며,
    상기 제1금속층과 상기 제2금속층의 열팽창률은 상기 베이스 금속기재의 열팽창률보다 작은 것을 특징으로 하고,
    상기 베이스 금속기재의 재질은 구리(Cu)이고, 상기 제1금속층과 상기 제2금속층의 재질은 몰리브덴(Mo), SUS, CuMo 중 어느 하나인 것을 특징으로 하며,
    상기 베이스 금속기재보다 열팽창률이 작은 금속재질의 제1금속박과 제2금속박을 준비하고 상기 제1금속박의 일면과 상기 제2금속박의 일면에 각각 브레이징 접합을 위한 상기 제1접합용 증착층과 상기 제2접합용 증착층을 각각 형성하는 증착단계를 포함하며,
    상기 금속층 형성단계는,
    상기 베이스 금속기재의 양면에 각각 브레이징 필러층을 형성하는 과정; 및
    상기 베이스 금속기재의 양면에 상기 제1금속박과 상기 제2금속박을 적층하고 브레이징하는 과정을 포함하고,
    상기 브레이징 필러층은 제1Ag필러층, Cu필러층, 제2Ag필러층이 차례로 적층된 것을 특징으로 하는 복층구조를 가지는 금속기판 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    4 ~ 9ppm/℃의 열팽창률을 가지는 금속기판을 제조하는 것을 특징으로 하는 복층구조를 가지는 금속기판 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    140 ~ 240W/m·K의 열전도도를 가지는 금속기판을 제조하는 것을 특징으로 하는 복층구조를 가지는 금속기판 제조방법.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
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