JP2017179397A - 基板処理装置、ガスの供給方法、基板処理方法及び成膜方法 - Google Patents
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Abstract
Description
該処理容器内の圧力を測定する圧力検出手段と、
該処理容器内を排気する排気管に設けられた排気側バルブと、
前記処理容器にガス供給管を介して接続されたガス貯留タンクと、
該ガス貯留タンクに貯留されたガス量を測定するガス量測定手段と、
前記ガス供給管に設けられ、前記圧力検出手段で検出された前記処理容器内の圧力に基づいてバルブ開度を変化させ、前記ガス貯留タンクから前記処理容器に供給されるガスの流路面積を制御することにより、前記処理容器内の圧力を制御可能な制御バルブと、を有する。
該ガス貯留タンクに貯留された前記ガスが所定量に達したことを検出する工程と、
前記容器に接続された排気管のコンダクタンスを一定にする工程と、
前記容器内の圧力を検出する工程と、
前記ガス供給管に設けられた制御バルブが、検出された前記容器内の圧力に基づいてバルブ開度を変化させ、前記ガス貯留タンクから前記処理容器に供給されるガスの流路面積を変化さることにより、前記容器内の圧力が所定の一定圧力となるように制御する工程と、を有する。
Pb(バッファ圧力)については、圧力計80が存在し、Vbが分かっていて流量が積算流量計で一定量に管理されているので、Pbは管理される。または、圧力計80が無くても、Vbが分かっていて、かつ流量も分かっているので、Pbは管理される。
ここで、Pb×Vbは、バッファタンク40内のガス量(分子の総量)である。即ち、貯留しているガス量である。
1,000sccm(ガス量)=3Torr(圧力)×10sec(時間)×ガス流速α(=ガス量/圧力×時間)が成立する。
11 インジェクタ
12 ウエハボート
13 ヒータ
20、21 ガス供給管
30 制御バルブ
40 ガス貯留タンク
50 マスフローコントローラ
60 ガス供給源
70、71 遮断弁
80、81 圧力センサ
90 排気管
100 排気側バルブ
110 真空ポンプ
120 コントローラ
121 流量積算カウント部
122 圧力制御部
130 電空レギュレータ
140 ホストコンピュータ
Claims (19)
- 基板を収容可能な処理容器と、
該処理容器内の圧力を測定する圧力検出手段と、
該処理容器内を排気する排気管に設けられた排気側バルブと、
前記処理容器にガス供給管を介して接続されたガス貯留タンクと、
該ガス貯留タンクに貯留されたガス量を測定するガス量測定手段と、
前記ガス供給管に設けられ、前記圧力検出手段で検出された前記処理容器内の圧力に基づいてバルブ開度を変化させ、前記ガス貯留タンクから前記処理容器に供給されるガスの流路面積を制御することにより、前記処理容器内の圧力を制御可能な制御バルブと、を有する基板処理装置。 - 前記制御バルブは、前記処理容器内の圧力が所定の一定圧力となるように前記バルブ開度を変化させる請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記圧力検出手段は、前記処理容器と前記排気側バルブとの間の前記排気管に設けられた請求項1又は2に記載の基板処理装置。
- 前記ガス貯留タンクに接続された第2のガス供給管を更に有し、
前記ガス量測定手段は、該第2のガス供給管を介して前記ガス貯留タンクに供給されたガスの積算流量を測定する積算流量計である請求項1乃至3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記制御バルブは、前記排気側バルブが所定の開度に固定され、かつ前記ガス量測定手段により測定された前記ガス量が所定量に達したときに、前記処理容器の圧力が前記所定の一定圧力となるように前記バルブ開度を変化させる制御を行う請求項1乃至4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記制御バルブは、前記ガス貯留タンクに前記ガスが貯留されるときには閉とされる請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記ガス貯留タンクと前記制御バルブとの間には遮断弁が設けられ、前記ガス貯留タンクに前記ガスが貯留されるときには該遮断弁が閉とされる請求項5又は6に記載の基板処理装置。
- 前記ガス貯留タンクから前記処理容器に前記ガスを供給する時間は、前記ガス貯留タンクに貯留された前記所定量の前記ガスが、前記処理容器内において前記所定の一定圧力を維持可能な所定時間に設定されている請求項6又は7に記載の基板処理装置。
- 前記ガス貯留タンクへの前記所定量の前記ガスの供給と、前記ガス貯留タンクから前記処理容器への前記ガスの供給とが、複数回繰り返される請求項8に記載の基板処理装置。
- 前記圧力検出手段で検出された前記処理容器内の圧力に基づいて、前記制御バルブの開閉動作の制御を行う制御手段を更に備えた請求項1乃至9のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記制御手段は、前記排気側バルブの制御を行うとともに、前記ガス量測定手段で測定した前記ガス量に基づいて、前記制御バルブの開閉動作の制御を行う請求項10に記載の基板処理装置。
- 前記ガス貯留タンクは、成膜用の原料ガスを貯留する請求項1乃至11のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 容器にガス供給管を介して接続されたガス貯留タンクにガスを供給して貯留する工程と、
該ガス貯留タンクに貯留された前記ガスが所定量に達したことを検出する工程と、
前記容器に接続された排気管のコンダクタンスを一定にする工程と、
前記容器内の圧力を検出する工程と、
前記ガス供給管に設けられた制御バルブが、検出された前記容器内の圧力に基づいてバルブ開度を変化させ、前記ガス貯留タンクから前記容器に供給されるガスの流路面積を変化さることにより、前記容器内の圧力が所定の一定圧力となるように制御する工程と、を有するガスの供給方法。 - 前記ガス貯留タンクに接続された第2のガス供給管を介して前記ガスは前記ガス貯留タンクに供給され、
前記第2のガス供給管に設けられた積算流量計により前記ガス貯留タンクに貯留された前記ガスが前記所定量に達したことを検出する請求項13に記載のガスの供給方法。 - 前記制御バルブは、前記ガス貯留タンクに前記ガスを供給する工程では閉とされている請求項13又は14に記載のガスの供給方法。
- 前記ガス貯留タンクから前記容器に前記ガスを供給する時間は、前記ガス貯留タンクに貯留された前記所定量の前記ガスが、前記容器内において前記所定の一定圧力を維持可能な所定時間に設定されている請求項15に記載のガスの供給方法。
- 前記制御バルブを閉にする前記ガス貯留タンクへの前記所定量の前記ガスの充填と、前記ガス貯留タンクから前記容器への前記ガスの供給とが、複数回繰り返される請求項16に記載のガスの供給方法。
- 処理容器に基板を搬入する工程と、
該処理容器に、請求項13乃至17のいずれか一項に記載されたガスの供給方法を用いて、基板を処理する処理ガスを供給する工程と、を有する基板処理方法。 - 処理容器に基板を搬入する工程と、
該処理容器に、請求項16に記載されたガスの供給方法を用いて、成膜用の原料ガスを供給する工程と、
前記処理容器に、前記原料ガスと反応して反応生成物を生成可能な反応ガスを供給する工程と、
前記処理容器に、前記原料ガス及び前記反応ガスをパージするパージガスを供給する工程と、を有する成膜方法。
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