JP2017168732A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017168732A JP2017168732A JP2016054107A JP2016054107A JP2017168732A JP 2017168732 A JP2017168732 A JP 2017168732A JP 2016054107 A JP2016054107 A JP 2016054107A JP 2016054107 A JP2016054107 A JP 2016054107A JP 2017168732 A JP2017168732 A JP 2017168732A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- seal ring
- semiconductor substrate
- semiconductor
- semiconductor device
- vias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
Description
第1実施形態にかかる半導体装置について図1〜図6を参照して説明する。なお、図1は断面図ではないが、図を見やすくするために部分的にハッチングを示してある。また、各図中に示したXYZ方向は、各図において対応しており、半導体装置における一方向をX方向、X方向に垂直な一方向をY方向、XY平面に対する法線方向をZ方向として表してある。
第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してTSV24の形状を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
上記第2実施形態では、TSV24を四角柱形状として複数個並べた構造としたが、図9に示すように、TSV24を円柱形上として複数個並べた構造としても良い。この場合、各TSV24の径は、第1〜第3導体パターン23a〜23cの幅よりも小さくされている。このような構造としても、第2実施形態と同様の効果を得ることができる。
第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1、第2実施形態に対して第1シールリング21の構造を変更したものであり、その他については第1、第2実施形態と同様であるため、第1、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明する。なお、ここでは第1実施形態のように、TSV24を1つの四角形枠状で形成する場合を例に挙げて説明するが、第2実施形態およびその変形例で説明したようにTSV24を複数個に分離した構造とする場合も同様の構造を適用できる。
上記第1〜第3実施形態では、第1シールリング21についてのみTSV24を設けたり、バンプ部25を備えたりしている。このような構造を第2シールリング26についても備えるようにすることができる。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
11 半導体基板
12 層間絶縁膜
20 シールリング
21、26 第1、第2シールリング
22a ビア
22a〜22c、27a〜27c ビア
23a〜23c、28a〜28c 導体パターン
24、29 TSV
25 バンプ部
Claims (5)
- 半導体チップの外周部にシールリング(20〜21)を備えた半導体装置であって、
表面および裏面を有する半導体基板(11)と、
前記半導体基板の表面側に配置され、貫通孔が形成された層間絶縁膜(12a〜12f)と、
前記貫通孔内に形成された金属にて構成されるビア(22a〜22c、27a〜27c)と、前記層間絶縁膜の上に形成されると共に前記ビアに接続された金属にて構成された導体パターン(23a〜23c、28a〜28c)と、を含む表面構造体と、前記半導体基板の表面と裏面との間を貫通し、前記半導体基板を構成する半導体材料よりも高い強度を有すると共に前記表面構造体に接続されたスルーホールビア(24、29)を含む裏面構造体と、を有する前記シールリングと、を備える半導体装置。 - 前記半導体基板の裏面側には、前記スルーホールビアに接続される金属にて構成されたバンプ部(25、30)が備えられている請求項1に記載の半導体装置。
- 前記スルーホールビアは、前記半導体チップの外縁に沿って枠体形状とされている請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記スルーホールビアは、前記半導体チップの外縁に沿って点線状に複数個備えられている請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記半導体チップのうち前記シールリングが備えられた領域を外周領域(R2)とし、該外周領域の内側をアクティブ領域(R1)として、
前記スルーホールのうち前記アクティブ領域とされる前記半導体チップの内周側から外周側に向かう方向における寸法と比較して、前記導体パターンにおける同方向の寸法の方が大きくされている請求項1ないし4のいずれか1つに記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016054107A JP6711046B2 (ja) | 2016-03-17 | 2016-03-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016054107A JP6711046B2 (ja) | 2016-03-17 | 2016-03-17 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017168732A true JP2017168732A (ja) | 2017-09-21 |
JP6711046B2 JP6711046B2 (ja) | 2020-06-17 |
Family
ID=59914142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016054107A Active JP6711046B2 (ja) | 2016-03-17 | 2016-03-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6711046B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109830464A (zh) * | 2019-02-15 | 2019-05-31 | 德淮半导体有限公司 | 半导体结构及其形成方法 |
EP3564994A1 (en) * | 2018-05-03 | 2019-11-06 | ams AG | Semiconductor device with through-substrate via |
CN112510001A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-03-16 | 西安微电子技术研究所 | 一种带tsv通孔的芯片结构和制备方法 |
US11127656B2 (en) | 2017-02-15 | 2021-09-21 | Ams Ag | Crack-resistant semiconductor devices |
CN112470269B (zh) * | 2018-05-03 | 2024-05-10 | ams有限公司 | 带有贯穿衬底通孔的半导体器件 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010161367A (ja) * | 2009-01-07 | 2010-07-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | ダイ、スタック構造、及びシステム |
JP2013542596A (ja) * | 2010-09-24 | 2013-11-21 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 補強シリコン貫通ビアを備える半導体チップ |
JP2014220375A (ja) * | 2013-05-08 | 2014-11-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2016
- 2016-03-17 JP JP2016054107A patent/JP6711046B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010161367A (ja) * | 2009-01-07 | 2010-07-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | ダイ、スタック構造、及びシステム |
JP2013542596A (ja) * | 2010-09-24 | 2013-11-21 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 補強シリコン貫通ビアを備える半導体チップ |
JP2014220375A (ja) * | 2013-05-08 | 2014-11-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11127656B2 (en) | 2017-02-15 | 2021-09-21 | Ams Ag | Crack-resistant semiconductor devices |
EP3564994A1 (en) * | 2018-05-03 | 2019-11-06 | ams AG | Semiconductor device with through-substrate via |
WO2019211041A1 (en) * | 2018-05-03 | 2019-11-07 | Ams Ag | Semiconductor device with through-substrate via |
KR20200138791A (ko) * | 2018-05-03 | 2020-12-10 | 에이엠에스 아게 | 기판 관통 비아를 갖는 반도체 디바이스 |
CN112470269A (zh) * | 2018-05-03 | 2021-03-09 | ams有限公司 | 带有贯穿衬底通孔的半导体器件 |
US11367672B2 (en) * | 2018-05-03 | 2022-06-21 | Ams Ag | Semiconductor device with through-substrate via |
KR102456781B1 (ko) | 2018-05-03 | 2022-10-21 | 에이엠에스-오스람 아게 | 기판 관통 비아를 갖는 반도체 디바이스 |
CN112470269B (zh) * | 2018-05-03 | 2024-05-10 | ams有限公司 | 带有贯穿衬底通孔的半导体器件 |
CN109830464A (zh) * | 2019-02-15 | 2019-05-31 | 德淮半导体有限公司 | 半导体结构及其形成方法 |
CN112510001A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-03-16 | 西安微电子技术研究所 | 一种带tsv通孔的芯片结构和制备方法 |
CN112510001B (zh) * | 2020-11-30 | 2023-06-30 | 珠海天成先进半导体科技有限公司 | 一种带tsv通孔的芯片结构和制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6711046B2 (ja) | 2020-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100830581B1 (ko) | 관통전극을 구비한 반도체 소자 및 그 형성방법 | |
US7948060B2 (en) | Integrated circuit structure | |
JP2007123328A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2008305897A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2017168732A (ja) | 半導体装置 | |
JP2004297022A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
CN101290912A (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
JP2013239589A (ja) | 半導体装置およびその製造方法、電子部品 | |
JP6234725B2 (ja) | 半導体ウェハー、半導体icチップ及びその製造方法 | |
JP2011139103A (ja) | 半導体装置 | |
JP2013105956A (ja) | 半導体装置およびその製造方法、電子部品 | |
JPWO2018037667A1 (ja) | 半導体装置、撮像装置、および半導体装置の製造方法 | |
JP2010135391A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
TWI528506B (zh) | 一種為改良封裝共面性打開焊接罩和/或介電體增加蓋體或環狀物厚度與接觸面積的封裝基板 | |
JP2009272490A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP4675147B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN111668157B (zh) | 半导体装置 | |
JP5876893B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2022046884A (ja) | 半導体装置 | |
JP2020155487A (ja) | 半導体記憶装置およびその製造方法 | |
JP2008124070A (ja) | 半導体装置 | |
JP2013058525A (ja) | 半導体装置、及びその製造方法 | |
KR102029915B1 (ko) | 솔더 패드, 솔더 패드를 포함하는 반도체 칩 및 그 형성 방법 | |
TW201916140A (zh) | 半導體裝置 | |
JP5726989B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190304 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200113 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200428 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200511 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6711046 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |