JP2017161932A - 多重パターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】多重パターン形成方法が提供される。【解決手段】(a)パターニングされる層を備える半導体基板を提供することと、(b)1つ以上のパターニングされる層の上に、酸不安定基を含むマトリクスポリマー、光酸発生剤、及び溶媒を含む組成物から形成されるフォトレジスト層を形成することと、(c)活性化放射にフォトレジスト層をパターン状に露光することと、(d)露光されたフォトレジスト層をベークすることと、(e)ベークされたフォトレジスト層を第1の現像剤と接触させて第1のレジストパターンを形成することと、(f)第1のレジストパターンを、第1の現像剤とは異なる第2の現像剤に対して可溶性から不溶性に、第1のレジストパターンの側壁領域の溶解性を切り替えるための手段を含むコーティング組成物で処理することと、(g)第2の現像剤と接触させて第1のレジストパターンの一部分を除去し、多重パターンを形成することと、を含む。【選択図】なし
Description
本発明は一般に電子機器の製造に関する。より具体的には、本発明は微細リソグラフィパターンを形成するための多重パターン形成方法に関する。
半導体製造業において、フォトレジスト材料は、基板自体に加えて、半導体基板上に配置される金属、半導体、または誘電体層等の1つ以上の下位層に画像を転写するために使用される。半導体装置の集積密度を上げてナノメーター範囲における寸法を有する構造の形成を可能とするために、高分解能を有するフォトレジスト及びフォトリソグラフィ加工ツールが開発されており、開発され続けている。
半導体装置においてnm尺度の形状を得る1つの手法は、化学的に増幅されたフォトレジストの露光中に、例えば193nm以下の光の短い波長を用いることである。液浸リソグラフィは、例えばKrFまたはArF光源を有する撮像装置のレンズの開口数を効果的に増加させる。これは、撮像装置の最終面と半導体ウェハの上面との間で比較的高い屈折率液(すなわち、浸漬液)を使用することによって実現される。浸漬液は、空気または不活性気体媒体で発生される場合よりもより多い量の光をレジスト層に集中させる。
線幅/線間隔パターンの印刷について、典型的には193nmの浸漬スキャナは36nmのハーフピッチ線幅/線間隔パターンを解像することができる。コンタクトホールまたは任意の2次元パターンを印刷するための解像度は、ダークフィールドマスクに対する低空中像コントラストによってさらに限定される。液浸リソグラフィについての、コンタクトホールの最も小さなハーフピッチは、一般的に約50nmに限定される。標準的な液浸リソグラフィプロセスは、より大きな解像度を必要とする装置の製造に一般的に適していない。
より大きな解像度、及び既存のリソグラフィツールの能力を伸ばすことを目指して、さまざまなダブルパターニング技術が提案されている。1つのかかる技術は自己整合ダブルパターニング(SADP)である(例えば、米国特許公開第2009/0146322A1号を参照されたい)。従来のSADPプロセスでは、プレパターンの線の上にスペーサ層が形成され、続いてエッチングすることで線及び間隔の水平面上の全てのスペーサ層材料を除去し、線の側壁上の材料のみを残す。次に元々のパターニングされた線をエッチングによって除去して、1つ以上の下位層をエッチングするためのマスクとして使用される側壁スペーサを残す。各線に2つのスペーサがあるため、線密度は効果的に倍になる。従来のSADPプロセスは複雑な沈着及びエッチング機器ならびにプロセススキームを必要とし、結果として低スループット及びウェハ汚染の可能性の増大となり得る。かかる問題を回避するか最小限に抑える、より単純なダブルパターニング手法を使用することがより望ましいであろう。
別のダブルパターニング技術は、例えば、文献「Exploration of New Resist Chemistries and Process Methods for Enabling Dual‐Tone Development」、C.Fonsecaら、6th International Symposium on Immersion Lothography Extensions、プラハ、チェコ共和国(2009年10月2日)に記載のダブル現像方法(double development method)である。この方法は、最初にポジティブトーン現像剤(例えばTMAH)によって高露光量領域を除去し、次にネガティブトーン現像剤(有機溶媒)によって未露光または最低露光量領域を除去して、フォトレジスト層を2回現像することで、フォトレジスト層から形成される特徴の数を倍にする。ネガティブトーン現像剤は、ポジティブトーン現像の後に形成されるレジストパターンの中央部分を除去する一方で、レジストパターンの2つの対面する側壁を典型的に規定する中間量領域を残す意図がある。基本的なダブル現像方法に関連する問題としては、低い線幅の粗さ(LWR)及び許容できないパターン形状が挙げられる。これらの問題は、ポジティブトーン現像後のパターン側壁の低酸コントラストによるものであると理解されている。
C.Fonsecaらの文献はさらに、ポジティブトーン現像後にフラッド露光(flood exposure)及びベークのステップを含むダブル現像プロセスを記載する。これは、側壁領域における酸不安定基の脱保護の結果として、レジストパターンの側壁における高酸含有量を得て、ネガティブトーン現像剤において不溶性である側壁部分をもたらすと考えられている。しかしながらこの方法は、以前の低量領域を含むレジストパターン全体にわたる酸不安定基がフラッド露光及びベーク中に同時に脱保護になるということで不利となり得る。これは、ネガティブトーン現像剤において低量領域を不溶性または部分的に不溶性としてもたらし、それによって現像剤がレジストパターンの中央部分に浸透してレジストパターンを完全に除去することを難しくして、結果としてパターン欠損を招く可能性がある。
当技術分野では、最新技術に関連する上記の問題の1つ以上に対処する、電子装置製造において有用な多重パターニングプロセスについて、継続的な需要が存在する。
本発明の一態様によれば、多重パターン形成方法が提供される。方法は、(a)1つ以上のパターニングされる層を備える半導体基板を提供することと、(b)1つ以上のパターニングされる層の上に、酸不安定基を含むマトリクスポリマー、光酸発生剤、及び溶媒を含む組成物から形成されるフォトレジスト層を形成することと、(c)活性化放射にフォトレジスト層をパターン状に露光することと、(d)露光されたフォトレジスト層をベークすることと、(e)ベークされたフォトレジスト層を第1の現像剤と接触させて第1のレジストパターンを形成することと、(f)第1のレジストパターンを、第1の現像剤とは異なる第2の現像剤に対して可溶性から不溶性に、第1のレジストパターンの側壁領域の溶解性を切り替えるための手段を有するコーティング組成物を用いて処理することと、(g)処理された第1のレジストパターンを第2の現像剤に接触させて、第1のレジス
トパターンの一部を除去し、溶解性切り替え後の側壁領域を残してマルチパターンを形成することと、を含む。
トパターンの一部を除去し、溶解性切り替え後の側壁領域を残してマルチパターンを形成することと、を含む。
発明の方法は、高解像パターンを提供するための半導体装置の製造に、特に適用性を見出す。本明細書に使用される用語は特定の実施形態を説明する目的のみで使用されており、本発明を限定する意図はない。本明細書で使用されるように、単数形「a」、「an」、及び「the」は、文脈によって別段示されない限りは単数形及び複数形の両方を含むように意図される。
本発明は以下の図面を参照して説明され、図面内で、類似する参照番号は類似する特徴を示す。
本発明に係るプロセスを、多重パターンを形成する例示的なプロセスフローを示す図1を参照して説明する。図1Aは、さまざまな層及び特徴を含み得る基板100を断面で図示する。基板は、シリコンまたは化合物半導体(例えば、III‐VまたはII‐VI)等の半導体、ガラス、石英、セラミック、銅等の材料であり得る。典型的には、基板は単結晶シリコンまたは化合物半導体ウェハ等の半導体ウェハであり、1つ以上の層を有し、その表面にパターニングされた特徴が形成されていてもよい。1つ以上のパターニングされる層102は基板100の上に設けられてもよい。任意で、例えば基板材料にトレンチを形成することが望ましいときに、下位層の基板基材自体がパターニングされてもよい。基板基材自体をパターニングする場合、パターンは基板の層に形成されると考えられる。
層は、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タンタル、チタン、タングステン、かかる金属の合金、窒化物、またはケイ化物の層等の1つ以上の導電層、ドープアモルファスシリコンまたはドープポリシリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、または金属酸化物の層等の1つ以上の誘電体層、単結晶シリコン等の半導体層、及びそれらの組み合わせを含んでいてもよい。エッチングされる層は、例えば、プラズマCVD、低圧CVD、またはエピタキシャル成長等の化学蒸着(CVD)、スパッタリングまたは蒸着等の物理蒸着(PVD)、もしくは電気めっき法といった、さまざまな方法によって形成することができる。1つ以上のエッチングされる層102の特定の厚さは、材料及び形成される特定の装置によって左右される。
エッチングされる特定の層、層の厚さ及び使用されるフォトリソグラフィ材料ならびにプロセスによっては、フォトレジスト層104がその上にコーティングされるハードマスク層及び/または下層反射防止コーティング(BARC)を用いることが所望され得る。ハードマスク層の使用は、例えば、非常に薄いレジスト層と共に、エッチングされる層が著しいエッチング深さを必要とするとき、及び/または特定のエッチャントが低レジスト選択性を有するときに、望まれ得る。ハードマスク層が使用されるとき、形成されるレジストパターンはハードマスク層に転写可能であり、続いて、下位層をエッチングするためのマスクとして使用可能である。好適なハードマスク材料及びそれらの形成方法は当技術分野で周知である。典型的な材料には、例えば、タングステン、チタン、窒化チタン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、非晶質炭素、シリコン酸窒化物及びシリコン窒化物が含まれる。ハードマスク層は単層、または異なる材料からなる複数の層を含むことができる。ハードマスク層は、例えば、化学または物理蒸着によって形成可能である。
下層反射防止コーティングは、それが無い場合に、形成されたパターンの品質に悪影響が及ぶ形で基板及び/または下位層がフォトレジスト露光中に著しい量の入射放射線を反射する場合において、所望されるであろう。かかるコーティングによって、焦点深度、露光許容度、線幅均一性及びCD制御を改善することができる。反射防止コーティングは、レジストが例えばKrFエキシマレーザ光(248nm)またはArFエキシマレーザ光(193nm)等の遠紫外線(300nm以下)に露光されるときに典型的に用いられる。反射防止コーティングは、単層または複数の異なる層を含むことができる。好適な反射防止材料及び形成方法は当技術分野で周知である。反射防止材料は市販されており、例えば、Rohm and Haas Electronic Materials LLC社(マルボロ、マサチューセッツ州、米国)よりAR(商標)の商標下で発売されるものが挙げられる。
フォトレジスト層104は化学的に増幅された感光性組成物から形成される。フォトレジスト組成物は、スピンコーティング、浸漬、ローラーコーティング、またはその他の従来のコーティング技術によって基板に塗布することができる。これらのうち、スピンコーティングが典型的である。スピンコーティングについて、コーティング溶液の固形分は、用いられる具体的なコーティング機器、溶液の粘度、塗布ツールの速度及びスピンするための時間の長さに基づいて、所望の膜厚を提供するために調節可能である。フォトレジスト層104の典型的な厚さは約500から3000Åである。
本発明に有用なフォトレジスト組成物は酸感受性を有するマトリクス樹脂を含む化学的に増幅されたフォトレジスト組成物を含む。これは、フォトレジスト組成物の層の一部として、樹脂及び組成物層がソフトベーク、活性放射線の露光、及び露光後ベーク後に、光酸発生剤によって発生される酸と反応することで、結果として有機現像剤における溶解性の変化が生じることを意味する。溶解性における変化は、マトリクスポリマーにおける光酸不安定エステルまたはアセタール基等の酸不安定脱離基が活性放射線への露光及び熱処理後に光酸促進脱保護反応を受けて酸を生成するときにもたらされる。本発明に有用な好適なフォトレジスト組成物は市販されている。
193nm等、200nm以下の波長で撮像するには、マトリクスポリマーは実質的に、放射線の吸収量が高い基であるフェニル、ベンジル、または他の芳香族基を典型的に含まない(例えば、15モル%未満)、または全く含まない。好ましい酸不安定基には、例えば、マトリクスポリマーのエステルのカルボキシル酸素に共有結合する三級の非環式アルキル炭素(例えば、t‐ブチル)または三級の脂環式炭素(例えば、メチルアダマンチル)を含有するアセタール基またはエステル基が含まれる。
好適なマトリクスポリマーはさらに(アルキル)アクリレート単位、好ましくは、tブチルアクリレート、t‐ブチルメタクリレート、メチルアダマンチルアクリレート、メチルアダマンチルメタクリレート、エチルフェンキルアクリレート、エチルフェンキルメタクリレート等の酸不安定(アルキル)アクリレート単位、及び他の非環式アルキル及び脂環式アルキルならびに(アルキル)アクリレートを含有するポリマーを含む。他の好適なマトリクスポリマーには、例えば、任意に置換されたノルボルネン等の非芳香族環状オレフィン(環内二重結合)の重合単位を含有するものが含まれる。
まだ他の好適なマトリクスポリマーには、重合無水物単位、特に、欧州特許公開第01008913A1号公報及び米国特許第6,048,662号等に開示される重合無水マレイン酸及び/またはイタコン酸無水物単位が含まれる。マトリクスポリマーとして好適なものとしては、ヘテロ原子、特に酸素及び/または硫黄を含有する繰り返し単位を含有する樹脂も挙げられる(但し無水物以外、すなわち、単位はケト環原子を含有しない)。ヘテロ脂環式単位はポリマーバックボーンに溶融可能であり、ノルボルネン基の重合等から得られる溶融炭素脂環式単位、及び/または無水マレイン酸またはイタコン酸無水物の重合等から得られる無水単位を含むことができる。このようなポリマーは、国際特許出願第US01/14914号及び米国特許第6,306,554号に開示される。他の好適なマトリクスポリマーを含有するヘテロ原子基には、例えば、米国特許第7,244,542号に開示されるように、1種以上のヘテロ原子(例えば、酸素または硫黄)含有基、例えば、ヒドロキシナフチル基で置換された重合炭素環式アリール単位を含有するポリマーが含まれる。
上述のマトリクスポリマーの2種類以上のブレンドを、フォトレジスト組成物に好適に用いることができる。フォトレジスト組成物において用いるための好適なマトリクスポリマーは市販されており、当業者によって容易に作製可能である。マトリクスポリマーはレジスト組成物中に、レジストの露光されるコーティング層を好適な現像液中で現像可能にするのに十分な量で存在する。典型的に、マトリクスポリマーは、レジスト組成物の全固形分に基づいて、50から95重量%の量で組成物中に存在する。マトリクスポリマーの重量平均分子量Mwは、典型的には100,000未満、例えば、5000から100,000まで、より典型的には5000から15,000までである。
フォトレジスト組成物はさらに、組成物のコーティング層に、活性放射線に露光された後に潜像を生成する上で十分な量を採用した光酸発生剤(PAG)を含む。例えば、光酸発生剤は、フォトレジスト組成物の全固形分に基づいて約1から20重量%の量で好適に存在する。典型的に、化学的に増幅されたレジストについては、化学的に増幅されていない材料に比べてより少ない量のPAGが好適となる。
好適なPAGは化学的に増幅されたフォトレジストの分野において周知であり、例えば、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、(p‐tert‐ブトキシフェニル)ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリス(p‐tert‐ブトキシフェニル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムp‐トルエンスルホネート等のオニウム塩、2‐ニトロベンジル‐p‐トルエンスルホネート、2,6‐ジニトロベンジル‐p‐トルエンスルホネート、及び2,4‐ジニトロベンジル‐p‐トルエンスルホネート等のニトロベンジル誘導体、1,2,3‐トリス(メタンスルホニルオキシ)ベンゼン、1,2,3‐トリス(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ベンゼン、及び1,2,3‐トリス(p‐トルエンスルホニルオキシ)ベンゼン等のスルホン酸エステル、ビス(ベンゼンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p‐トルエンスルホニル)ジアゾメタン等のジアゾメタン誘導体、ビス‐O‐(p‐トルエンスルホニル)‐α‐ジメチルグリオキシム、及びビス‐O‐(n‐ブタンスルホニル)‐α‐ジメチルグリオキシム等のグリオキシム誘導体、N‐ヒドロキシスクシンイミドメタンスルホン酸エステル、N‐ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホン酸エステル等、N‐ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル誘導体、ならびに、2‐(4‐メトキシフェニル)‐4,6‐ビス(トリクロロメチル)‐1,3,5‐トリアジン、及び2‐(4‐メトキシナフチル)‐4,6‐ビス(トリクロロメチル)‐1,3,5‐トリアジン等のハロゲン含有トリアジン化合物が含まれる。かかるPAGを1つ以上用いることができる。
フォトレジスト組成物に好適な溶媒には、例えば、2‐メトキシエチルエーテル(ジグリム)、エチレングリコールモノメチルエーテル、及びプロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル及び乳酸エチルなどの乳酸類、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、エトキシプロピオン酸エチル、及びメチル‐2‐ヒドロキシイソブチレート等のプロピオン酸類、酢酸メチルセロソルブ等のセロソルブエステル類、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類、ならびにアセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン及び2‐ヘプタノン等のケトン等が含まれる。上述の溶媒の2、3種類以上のブレンド等の溶媒のブレンドもまた、好適である。溶媒は組成物中に、フォトレジスト組成物の全重量に基づいて、典型的には90から99重量%、より典型的には95から98重量%の量で存在する。
フォトレジスト組成物はさらに、他の任意の材料を含むことができる。例えば、ネガ型レジスト組成物は典型的に架橋剤化合物をも含む。好適な架橋剤化合物には、例えば、光酸発生剤を活性放射線に露光した状態で酸に露出することで硬化、架橋、または固化する、メラミン樹脂等のアミン系材料が含まれる。好ましい架橋剤には、メラミン、グリコールウリル類、ベンゾグアナミン系材料及び尿素系材料を含むアミン系材料が含まれる。メラミン‐ホルムアルデヒド樹脂が一般的に最も好ましい。かかる架橋剤は市販されており、例えばメラミン樹脂はCymel300、301及び303の商標名でAmerican Cyanamid社より販売されている。グリコールウリル樹脂はCymel1170、1171、1172の商標名でAmerican Cyanamid社より販売されており、尿素系樹脂はBeetle60、65、及び80の商標名で販売されており、ベンゾグアナミン樹脂はCymel1123及び1125の商標名で販売されている。193nm等の200nm以下の波長での撮像について、好ましいネガ型フォトレジストがShipley Companyへの国際特許出願第03077029号に開示されている。
フォトレジスト組成物はまた、他の任意の材料を含むことができる。例えば、組成物は化学線染料及び造影剤、抗ストリエーション剤、可塑剤、加速剤、感光剤等を1つ以上含むことができる。かかる任意の添加剤は、用いられる場合は典型的に、フォトレジスト組成物の全固形分に基づいて、0.1から10重量%等の少量で組成物に存在する。
レジスト組成物の好ましい任意の添加剤は添加塩基である。好適な塩基には、例えば、N,N‐ビス(2‐ヒドロキシエチル)ピバルアミド、N,N‐ジエチルアセトアミド、N1,N1,N3,N3‐テトラブチルマロンアミド、1‐メチルアゼパン‐2‐オン、1‐アリルアゼパン‐2‐オン、及びtert‐ブチル 1,3‐ジヒドロキシ‐2‐(ヒドロキシメチル)プロパン‐2‐イルカルバメート等の直鎖状及び環状アミドならびにそれらの誘導体、ピリジン及びジ‐tert‐ブチルピリジン等の芳香族アミン類、トリイソプロパノールアミン、n‐tert‐ブチルジエタノールアミン、トリス(2‐アセトキシ‐エチル)アミン、2,2’,2’’,2’’’‐(エタン‐1,2‐ジイルビス(アザネトリイル))テトラエタノール、及び2‐(ジブチルアミノ)エタノール、2,2’,2’’‐ニトリロトリエタノール等の脂肪族アミン類、1‐(tert‐ブトキシカルボニル)‐4‐ヒドロキシピペリジン、tert‐ブチル 1‐ピロリジンカルボキシレート、tert‐ブチル 2‐エチル‐1H‐イミダゾール‐1‐カルボキシレート、ジ‐tert‐ブチルピペラジン‐1,4‐ジカルボキシレート及びN(2‐アセトキシ‐エチル)モルホリン等の環状脂肪族アミン類が含まれる。添加塩基は典型的に、例えば、フォトレジスト組成物の全固形分に対して0.01から5重量%、好ましくは0.1から2重量%の、比較的少ない量で用いられる。
フォトレジストは周知の手順に従って調製可能である。例えば、レジストは、好適な溶媒、例えば、2‐メトキシエチルエーテル(ジグリム)、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチルまたは乳酸メチル等、好ましくは乳酸エチルである乳酸類、プロピオン酸、特にプロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル及びエトキシプロピオン酸エチル、酢酸メチルセロソルブ等のセロソルブエステル、トルエンまたはキシレン等の芳香族炭化水素、もしくは、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、及び2‐ヘプタノン等のケトンの1種以上にフォトレジストの成分を溶解することで、コーティング組成物として調製可能である。望ましいフォトレジストの全固形分は、組成物における特定のポリマー、最終層厚及び露光波長等の因子に左右される。典型的には、フォトレジストの固形分は、フォトレジスト組成物の全重量に基づいて1から10重量%、より典型的には2から5重量%で変動する。好適なフォトレジストは当技術分野にて周知であり、例えば、米国特許公開第20100040971A1号公報、同第20100055624A1号公報、同第20110294069A1号公報、同第20120219902A1号公報、同第20130115559A1号公報、及び同第7998655B2号公報に記載されるものが含まれる。
フォトレジスト層104は典型的には、次にソフトベークされて層における溶媒容量を最小限に抑え、これによって不粘着コーティングを形成し、基板に対する層の粘着力を向上させる。ソフトベークはホットプレートまたはオーブンにて行うことができ、ホットプレートが典型的である。ソフトベークの温度及び時間は、例えば、フォトレジストの具体的な材料及び厚さに左右される。典型的なソフトベークは約85から150℃の温度、及び約30から90秒の時間で行われる。
フォトレジスト層104は次に、フォトマスク108を通して活性放射線106にパターン状に露光されて、露光領域と非露光領域との間の溶解性に違いを出す。組成物に対して活性的な放射にフォトレジスト組成物を露光することに対する本明細書の参考文献では、放射によってフォトレジスト組成物内に潜像を形成することができることを示す。フォ
トマスクは光学的に透明及び光学的に不透明な領域を、それぞれ、活性放射線に露光される及び露光されないレジスト層の領域に対応して有する。露光波長は典型的に、400nm以下、300nm以下、または200nm以下、例えば193nmまたはEUV波長(例えば、13.4、または13.5nm)であり、193nm(浸漬または乾式リソグラフィ)及びEUVが好まれる。露光エネルギーは典型的に約10から80mJ/cm2であり、露光ツール及び感光性組成物の成分に左右される。
トマスクは光学的に透明及び光学的に不透明な領域を、それぞれ、活性放射線に露光される及び露光されないレジスト層の領域に対応して有する。露光波長は典型的に、400nm以下、300nm以下、または200nm以下、例えば193nmまたはEUV波長(例えば、13.4、または13.5nm)であり、193nm(浸漬または乾式リソグラフィ)及びEUVが好まれる。露光エネルギーは典型的に約10から80mJ/cm2であり、露光ツール及び感光性組成物の成分に左右される。
フォトレジスト層104の露光後、ポスト露光ベーク(PEB)が行われる。PEBは、例えば、ホットプレートまたはオーブン内にて行うことができる。PEBの条件は、例えば、特定のフォトレジスト組成物及び層厚に左右される。PEBは典型的に、約80から150℃の温度、及び約30から90秒の時間で行われる。これにより、極性切り替え領域と非切り替え領域との間の境界線で定義される潜像(それぞれ、露光領域及び非露光領域に対応する)が形成される。
フォトレジスト層104は次に、ポジティブトーン現像剤で現像されて層の露光領域が除去され、非露光領域を残して図1Bに示すようにレジストパターン104’が形成される。レジストパターンは限定されておらず、線幅/線間隔パターン及び/またはコンタクトホールパターンを含むことができる。好適なポジティブトーン現像剤には、例えば、水酸化テトラ‐アルキルアンモニウム溶液、典型的には0.26規定度(N)(2.38重量%)の水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)溶液の、水酸化第4級アンモニウム溶液等の水性アルカリ現像剤が含まれる。
図1Cに示すように、ポジティブトーン現像後に形成されたレジストパターン104’は、ポジティブトーン現像剤とは異なる第2の現像剤に対して可溶性から不溶性に、パターンの側壁領域の溶解性を切り替えるための手段を含むコーティング組成物110で処理する。溶解性を切り替える手段は、典型的には、酸、または例えば熱酸発生剤もしくは光酸発生剤等の酸発生剤、または上記のいずれかの組み合わせである。酸、または酸発生剤の場合はその発生された酸は、フォトレジストパターンの側壁部分における溶解性の切り替えを、フォトレジストパターンのマトリクスポリマーの酸不安定基の切断を引き起こすことでもたらすことができる。溶解性切り替え手段に加えて、コーティング組成物は典型的にマトリクスポリマーと溶媒とを含み、任意の追加成分を含むことができる。マトリクスポリマーは、フォトレジストパターンの上に所望の厚さを有する層の形態でコーティング組成物をコーティングすることを可能とする。これは、フォトレジストパターンとの相互作用のための十分な酸含量を存在させることを補助する。
コーティング組成物において使用するために好適な酸には、無機酸及び有機酸が含まれる。好適な無機酸には、例えば、硝酸類、フッ化水素酸類、塩酸類、臭化水素酸類及びヨウ化水素酸類等のハロゲン酸類、スルホン酸類、亜硫酸類、過塩素酸類、ホウ酸類、ならびに亜リン酸類及びリン酸類等の亜リン酸類が含まれる。これらの無機酸のうち、スルホン酸類が好まれる。有機酸には、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸及び酪酸を含むアルカン酸類等のカルボン酸類ならびにポリカルボン酸類、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、ペルフルオロ酢酸、ペルフルオロオクタン酸、シュウ酸、マロン酸及びコハク酸等のジカルボン酸類、クエン酸等のヒドロキシアルカン酸、ジメチルリン酸及びジメチルホスフィン酸等の有機リン酸類、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、1‐ペンタンスルホン酸、1‐ヘキサンスルホン酸、1‐ヘプタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ベンゼンジスルホン酸、トルエンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸等の芳香族スルホン酸類を含むアルキルスルホン酸等のスルホン酸類が含まれる。コーティング組成物への使用に好適な酸は、脂肪族及び芳香族構造を含む。
コーティング組成物において用いるのに好適な酸発生剤には、熱酸発生剤(TAG)、光酸発生剤(PAG)、及びそれらの組み合わせから選択されるものが含まれる。TAGは、コーティング組成物をその特定のTAGに特徴的な温度まで(またはそれを超えて)加熱すると、酸を発生させる。PAGは、組成物をその特定のPAGについての活性放射線、例えば特定の波長(例えば、365nm、248nm、193nmまたはEUV波長(例えば13.5nm))を有する光、もしくは電子ビーム(Eビーム)放射に露光すると、酸を発生させる。コーティング組成物にPAGが存在する場合、フォトレジストパターンに悪影響を与えない露光放射線を用いるように注意するべきである。例えば、下位層のフォトレジストパターンがポジティブトーン材料から形成される場合、コーティング組成物の露光放射はパターンのレジスト材料の脱保護を引き起こさないように選択されるべきである。典型的に、組成物はPAGを含まずにTAGを含んでいる。なぜなら、加熱による酸発生は活性放射線への露光よりも簡単な様態で行うことができるからである。好ましくは、TAGまたはPAGから発生した酸はスルホン酸などの強酸であり、芳香族であっても非芳香族であってもよい。発生した酸は、任意でフッ素化される。例えば、非芳香族構造についての酸のα位置に少なくとも1つのフッ素置換基を有するTAG及びPAGを用いることができる。
好適なTAGは、50℃より高い、例えば、70℃より高い、90℃より高い、120℃より高い、または150℃より高い温度で活性化させることができる。好適な熱酸発生剤の例には、2‐ニトロベンジルトシレート、2,4‐ジニトロベンジルトシレート、2,6‐ジニトロベンジルトシレート、4‐ニトロベンジルトシレート等のニトロベンジルトシレート類、2‐トリフルオロメチル‐6‐ニトロベンジル 4‐クロロベンゼンスルホネート、2‐トリフルオロメチル‐6‐ニトロベンジル 4‐ニトロベンゼンスルホネート等のベンゼンスルホネート類、フェニル、4‐メトキシベンゼンスルホネート等のフェノールスルホン酸エステル、10‐カンファースルホン酸、トリフルオロメチルベンゼンスルホン酸、ペルフルオロブタンスルホン酸のトリエチルアンモニウム塩等の有機酸のアンモニウム塩、及び特定のオニウム塩が含まれる。TAGとしては、米国特許第3,474,054号、同第4,200,729号、同第4,251,665号、及び同第5,187,019号に開示されるものを含む、多種多様の芳香族(アントラセン、ナフタレン、またはベンゼン誘導体)スルホン酸アミン塩が使用可能である。TAGの例には、King Industries,Norwalk,Conn.USA社によって、NACURE(商標)、CDX(商標)及びK‐PURE(商標)の名称、例えばNACURE5225、CDX‐2168E、K‐PURE(商標)2678及びK‐PURE(商標)2700の下で販売されている。かかるTAGの1種以上を使用可能である。好適な光酸発生剤は、化学的に増幅されたフォトレジストの当技術分野において周知であり、例えば、フォトレジスト組成物に対して上述されるものを含む。かかるPAGを1つ以上用いることができる。
溶解性を切り替える手段は典型的に、コーティング組成物の全固形分に基づいて、0.01から20重量%、より典型的には0.1から10重量%、または1から5重量%の量で組成物に存在する。
コーティング組成物のマトリクスポリマーは、現像中に完全除去が可能となるように第2の現像剤において良好な溶解性を有するべきである。コーティング組成物のマトリクスポリマーは、典型的に100Å/秒以上、好ましくは1000Å/秒以上の現像剤溶解速度を示す。マトリクスポリマーは、本明細書に記載のコーティング組成物の溶媒に対して、第2の現像剤に加えて、可溶性である。マトリクスポリマーは、例えば、ポリビニルアルコール類、ポリアクリル酸類、ポリビニルピロリドン類、ポリビニルアミン類、ポリビニルアセタル類、ポリスチレン類、ポリ(メタ)アクリレート類、及びそれらの組み合わせから選択することができる。好ましくは、ポリマーは、−OH、−COOH、−SO3H、SiOH、ヒドロキシルスチレン、ヒドロキシルナフタレン、スルホンアミド、ヘキサフルオロイソプロピルアルコール、無水物、ラクトン類、エステル類、エーテル類、アリルアミン、ピロリドン類、及びそれらの組み合わせから選択される1つ以上の官能基を含有する。
コーティング組成物におけるマトリクスポリマーの含量は、例えば、層の目標の厚さによって左右され、より厚い層にはより高いポリマー含量が用いられる。マトリクスポリマーは典型的に、コーティング組成物の全固形分に基づいて、80から99重量%、より典型的には90から98重量%の量で組成物に存在する。ポリマーの重量平均分子量は典型的に400,000未満、好ましくは3000から50,000、より好ましくは3000から25,000である。
コーティング組成物において有用なポリマーはホモポリマーであってもよく、または複数の個別の繰り返し単位を有する、例えば2、3、または4つの個別の繰り返し単位を有するコポリマーであってもよい。コーティング組成物は典型的に単一のポリマーを含むが、任意で1つ以上の追加のポリマーを含んでいてもよい。コーティング組成物に使用される好適なポリマー及びモノマーは市販されており、ならびに/または当業者によって容易に作製可能である。
コーティング組成物はさらに、溶媒または溶媒混合物を含む。コーティング組成物は水溶液の形態をとることができる。コーティング組成物を配合してキャストする好適な溶媒材料は、コーティング組成物の非溶媒成分に対して非常に良い溶解特性を示すが、相互混合を最小限に抑えるために第1のフォトレジストパターンを感知できるほどに溶解しない。溶媒は典型的に、水、有機溶媒、及びその混合物から選択される。コーティング組成物についての好適な有機溶媒には、例えば、プロピオン酸n‐ブチル、プロピオン酸n‐ペンチル、プロピオン酸n‐ヘキシル及びプロピオン酸n‐ヘプチル等のプロピオン酸アルキル、ならびに酪酸n‐ブチル、酪酸イソブチル及びイソブチルイソブチレート等の酪酸アルキル等のアルキルエステル、2,5‐ジメチル‐4‐ヘキサノン及び2,6‐ジメチル‐4‐ヘプタノン等のケトン、n‐ヘプタン、n‐ノナン、n‐オクタン、n‐デカン、2‐メチルヘプタン、3‐メチルヘプタン、3,3‐ジメチルヘキサン、及び2,3,4‐トリメチルペンタン等の脂肪族炭化水素類、ならびにペルフルオロヘプタン等のフッ素化脂肪族炭化水素類、1‐ブタノール、2‐ブタノール、イソブチルアルコール、tert‐ブチルアルコール、3‐メチル‐1‐ブタノール、1‐ペンタノール、2‐ペンタノール、4‐メチル‐2‐ペンタノール、1‐ヘキサノール、1‐ヘプタノール、1‐オクタノール、2‐ヘキサノール、2‐ヘプタノール、2‐オクタノール、3‐ヘキサノール、3‐ヘプタノール、3‐オクタノール及び4‐オクタノール等の直鎖、分岐または環状C4〜C9一価アルコール、2,2,3,3,4,4‐ヘキサフルオロ‐1‐ブタノール、2,2,3,3,4,4,5,5‐オクタフルオロ‐1‐ペンタノール及び2,2,3,3,4,4,5,5,6,6‐デカフルオロ‐1‐ヘキサノール、ならびに2,2,3,3,4,4‐ヘキサフルオロ‐1,5‐ペンタンジオール、2,2,3,3,4,4,5,5‐オクタフルオロ‐1,6‐ヘキサンジオール及び2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7‐ドデカフルオロ‐1,8‐オクタンジオール等のC5〜C9フッ化ジオール、イソペンチルエーテル及びジプロピレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル、ならびにこれらの溶媒の1つ以上を含有する混合物が含まれる。これらの有機溶媒のうち、アルコール類、エステル類、エーテル類及び脂肪族炭化水素類が好まれる。コーティング組成物の溶媒成分は、コーティング組成物に基づいて90〜99重の量で典型的に存在する。
コーティング組成物はさらに表面活性剤を含むことができる。典型的な表面活性剤には、同時に親水性及び疎水性であり得ることを意味する両親媒性の性質を示すものが含まれる。両親媒性の表面活性剤は、水に対して強い親和力を有する親水性の1つ以上の頭部基、及び有機物親和性であり水をはじく長い疎水性尾部を保有する。好適な表面活性剤はイオン性(すなわち、アニオン性、カチオン性)または非イオン性であり得る。表面活性剤のさらなる例には、シリコーン表面活性剤、ポリ(アルキレンオキシド)表面活性剤、及びフッ素系表面活性剤が含まれる。好適な非イオン性表面活性剤には、TRITON(登録商標)X‐114、X‐100、X‐45、X‐15等のオクチル及びノニルフェノールエトキシレート、ならびにTERGITOL(商標)TMN‐6等の分岐第2級アルコールエトキシレート(The Dow Chemical Company社、ミッドランド、ミシガン州、米国)が含まれるがこれらに限定されない。まださらに例示的な表面活性剤には、アルコール(第1級及び第2級)エトキシレート類、アミンエトキシレート類、グルコシド類、グルカミン、ポリエチレングリコール類、ポリ(エチレングリコール‐コ‐プロピレングリコール)、またはグレンロック、ニュージャージー州のManufacturers Confectioners Publishing Co.にて出版されたMcCutcheon’s Emulsifiers and Detergents,North American Edition for the Year 2000に開示される他の表面活性剤が含まれる。アセチレン系ジオール誘導体である非イオン性表面活性剤もまた、好適であり得る。かかる表面活性剤はアレンタウン、ペンシルベニア州のAir Products and Chemicals,Inc.より市販されており、SURFYNOL(登録商標)及びDYNOL(登録商標)の商標名で販売されている。追加の好適な表面活性剤には、他のトリブロックEO‐PO‐EOコポリマーであるPLURONIC(登録商標)25R2、L121、L123、L31、L81、L101及びP123(BASF,Inc.)等のポリマー化合物が含まれる。
表面活性添加剤は、CTOから被り層が存在することを防止するまたは最小限に抑えるために、コーティング組成物中で有利に用いることができ、この被り層は、コーティング組成物からレジストパターンの上表面への望まれない酸拡散を引き起こす可能性がある。好適な表面活性添加剤は、第1のパターンの処理中にコーティング組成物から形成される層の上表面に移動することができる。任意に、表面活性熱塩基発生剤等の表面活性塩基発生剤を、被り層内に存在する酸を中和するために用いることができる。
さらなる任意の添加剤として、コーティング組成物はさらに架橋剤を含んでいてもよいが、典型的にはかかる材料を含まない。表面活性剤及び他の任意の添加剤は、用いられる場合には、典型的にコーティング組成物の合計固形分に基づいて0.01から10重量%などの少量にて組成物に存在する。
コーティング組成物は既知の手順に従って調製可能である。例えば、組成物は溶媒成分に組成物の固形成分を溶解することで調製可能である。コーティング組成物の望ましい合計固形量は、所望の最終的な層の厚さ等の因子に左右される。好ましくは、コーティング組成物の厚さは、被り層からのレジストパターンの最上表面への酸拡散量を最小限にするために、レジストパターンの厚さ以下、またはレジストパターンのものよりも著しく大きくない。好ましくは、コーティング組成物の固形分は、組成物の全重量に対して0.1から10重量%、より好ましくは1から5重量%である。
コーティング組成物層110は典型的に、スピンコーティングによって基板に塗布される。コーティング溶液の固形分は、所望の膜厚を提供するために、使用される特定のコーティング機器、溶液の粘度、コーティングツールの速度、及びスピニング許容時間に基づいて調節可能である。層110の典型的な厚さは100から1500Åである。
図1Dに示すように、次に、基板がベークされ、組成物層における溶媒が除去されて、遊離酸または熱的に発生した酸が第1のレジストパターンの側壁112内に拡散することを可能とし、レジスト側壁領域において極性変化反応が発生する。ベークはホットプレートまたはオーブンで行うことができ、ホットプレートが典型的である。好適なベーク温度は50℃を超え、例えば、70℃を超え、90℃を超え、120℃を超え、または150℃を超え、70から160℃の温度及び約30から90秒の時間が典型的である。単一のベークステップが典型的であるが、複数ステップのベークも使用可能である。
コーティング組成物において光酸発生剤が用いられる場合、組成物層110は上述のベークの前に、酸を発生させるために活性放射線に露光される。この場合、第1の露光に用いられるものと同一のフォトマスクを用いたパターン状の露光であることが好ましい。このようにして、第1のレジストパターン104’の非側壁部分における酸発生を防止または最小限に抑えることができる。
フォトレジストパターンは次にネガティブトーン現像剤と接触させられて、溶解性が切り替えられていない第1のフォトレジストパターン104’の部分を除去し、図1Eに示すように、溶解性が切り替えられた側壁112を残して多重パターンを形成する。現像剤は典型的に有機現像剤であり、例えば、ケトン類、エステル類、エーテル類、炭化水素類、及びそれらの混合物から選択される溶媒である。好適なケトン溶媒には、例えば、アセトン、2‐ヘキサノン、5‐メチル‐2‐ヘキサノン、2‐ヘプタノン、4‐ヘプタノン、1‐オクタノン、2‐オクタノン、1‐ノナノン、2‐ノナノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、及びメチルイソブチルケトンが含まれる。好適なエステル溶媒には、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル‐3‐エトキシプロピオネート、3‐メトキシブチルアセテート、3‐メチル‐3‐メトキシブチルアセテート、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸ブチル、ギ酸プロピル、酪酸エチル、酪酸ブチル、及び酪酸プロピルが含まれる。好適なエーテル溶媒には、例えば、ジオキサン、テトラヒドロフラン、及びグリコールエーテル溶媒、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、及びメトキシメチルブタノールが含まれる。好適なアミド溶媒には、例えば、N‐メチル‐2‐ピロリドン、N,N‐ジメチルアセトアミド及びN,N‐ジチルホルムアミドが含まれる。好適な炭化水素溶媒には、例えば、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素溶媒が含まれる。さらに、これらの溶媒、または1つ以上の列挙される溶媒を上述以外の溶媒と混合した、もしくは水と混合した混合物を用いることができる。他の好適な溶媒には、フォトレジスト組成物において用いられるものが含まれる。現像剤は好ましくは2‐ヘプタノン、またはn‐ブチルアセテートなどの酢酸ブチルである。有機溶媒は典型的に現像剤において、現像剤の全重量に基づいて、90重量%から100重量%、より典型的には95重量%を超えて、98重量%を超えて、99重量%を超えて、または100重量%の混合量で存在する。
第2の現像剤材料は任意の添加剤、例えば、フォトレジストに関して上述する表面活性剤を含んでいてもよい。かかる任意の添加剤は典型的に、例えば、現像剤の全重量に基づいて、約0.01から5重量%の量の低濃度で存在する。
現像剤は既知の方法、例えばスピンコーティングまたはパドルコーティングによって基板に塗布することができる。現像時間は、溶解性が切り替えられていないフォトレジストの領域を除去するのに有効な期間についてであり、典型的には5から30秒の時間である。現像は典型的に室温で行われる。
図1Fを参照すると、エッチングされる1つ以上の層は多重パターン112をエッチングマスクとして用いて、パターン102’を形成する。好適なエッチング法及び下位層をエッチングする化学物質は当技術分野で周知である。反応性イオンエッチング等の乾式エッチングプロセスが典型的である。次に、レジスト側壁多重パターン112を、周知の方法、例えば酸素プラズマ灰化を用いて、基板から除去することができる。結果として得られる構造は、図1Gに図示されるような、線幅/線間隔、トレンチ及び/またはコンタクトホールパターン等のエッチングされた特徴102’のパターンである。
図1に対して例示される方法はポジティブトーン現像剤を第1の現像剤として、及びネガティブトーン現像剤を第2の現像剤として用いるが、本発明の方法はこのような順序に限定されない。本発明のさらなる態様によれば、ポジティブトーン現像剤及びネガティブトーン現像剤の順番は逆転可能であり、ネガティブトーン現像剤を第1の現像剤として、ポジティブトーン現像剤が第2の現像剤とすることができる。この現像順序を用いた本発明に係る多重パターニング法の例示的なプロセスフローが図2に図示される。図1に対する説明は、以下を除き、このプロセスに一般的に適用可能である。図2Aに示すようにフォトレジスト層104の露光後、フォトレジスト層104の未露光領域は図2Bに示すようにネガティブトーン現像剤によって除去され、露光領域を残して第1のレジストパターン104’が形成される。第1のレジストパターン104’の側壁部分は、塗布されるポジティブトーン現像剤において、例えば、コーティング組成物に架橋剤を含めることで、不溶性とすることができる。架橋剤は第1のレジストパターン104’の側壁112に注入され、図2Dに示すように、コーティング組成物のベーク中に架橋される。第1のレジストパターン104’の非架橋部分は、図2Eに示すように、ポジティブトーン現像剤によって除去され、不溶性の側壁部分112を残して多重パターンが形成される。
図3は、本発明のさらなる態様に係る多重パターニングプロセスフローを示す。このプロセスは、第1のレジストパターンからレジスト多重パターンを形成した後にパターンシュリンクプロセスを含む。パターンシュリンクは、図3Fに示すように、多重パターン112の上にコーティング114を形成することによって実現される。好適なパターンシュリンク方法及び材料は当技術分野で周知である。シュリンクコーティングの結果として、隣接するパターン間の間隔が少なくなる。これは、直接パターニングによって容易に形成できない非常に小さい寸法を有するコンタクトホール及びトレンチ等の特徴の形成を可能とする。このプロセスフローは、図1に対して説明されるように第1にポジティブトーン現像、及び第2にネガティブトーン現像の順序で例示しているが、図2を参照して説明される逆の順序にも適用可能である。
以下の非限定的な実施例は、本発明を図示するものである。
フォトレジスト組成物調製
フォトレジスト組成物1
PGMEA中ポリマーA溶液(10%)を25.4g、メチル‐2‐ヒドロキシイソブチレート中PAG A溶液(2%)を15.95g、メチル‐2‐ヒドロキシイソブチレート中PAG B溶液(2%)を9.905g、メチル‐2‐ヒドロキシイソブチレート中tert‐ブチル(1,3‐ジヒドロキシ‐2‐(ヒドロキシメチル)プロパン‐2‐イル)カルバメートの溶液(1%)を4.96g、PGMEA中添加剤A(23.2%)を0.414g、PGMEAを10.73g、及びメチル‐2‐ヒドロキシイソブチレートを32.67g、5時間混合した。混合物は0.2ミクロンのナイロンフィルタでろ過した。
フォトレジスト組成物1
PGMEA中ポリマーA溶液(10%)を25.4g、メチル‐2‐ヒドロキシイソブチレート中PAG A溶液(2%)を15.95g、メチル‐2‐ヒドロキシイソブチレート中PAG B溶液(2%)を9.905g、メチル‐2‐ヒドロキシイソブチレート中tert‐ブチル(1,3‐ジヒドロキシ‐2‐(ヒドロキシメチル)プロパン‐2‐イル)カルバメートの溶液(1%)を4.96g、PGMEA中添加剤A(23.2%)を0.414g、PGMEAを10.73g、及びメチル‐2‐ヒドロキシイソブチレートを32.67g、5時間混合した。混合物は0.2ミクロンのナイロンフィルタでろ過した。
フォトレジスト組成物2
PGMEA中ポリマーB溶液(10%)を5.57g、PGMEA中ポリマーC溶液(10%)を5.57g、メチル‐2‐ヒドロキシブチレート中PAG A溶液(2%)を1.062g、メチル‐2‐ヒドロキシイソブチレート中PAG C溶液(2%)を8.232g、メチル‐2‐ヒドロキシイソブチレート中tert‐ブチル(1,3‐ジヒドロキシ‐2‐(ヒドロキシメチル)プロパン‐2‐イル)カルバメート(1%)の溶液を0.504g、PGMEA中添加剤A(23.2%)を0.163g、PGMEAを24.41g、及びメチル‐2‐ヒドロキシイソブチレートを54.491g、5時間混合した。混合物は0.2ミクロンのナイロンフィルタでろ過した。
PGMEA中ポリマーB溶液(10%)を5.57g、PGMEA中ポリマーC溶液(10%)を5.57g、メチル‐2‐ヒドロキシブチレート中PAG A溶液(2%)を1.062g、メチル‐2‐ヒドロキシイソブチレート中PAG C溶液(2%)を8.232g、メチル‐2‐ヒドロキシイソブチレート中tert‐ブチル(1,3‐ジヒドロキシ‐2‐(ヒドロキシメチル)プロパン‐2‐イル)カルバメート(1%)の溶液を0.504g、PGMEA中添加剤A(23.2%)を0.163g、PGMEAを24.41g、及びメチル‐2‐ヒドロキシイソブチレートを54.491g、5時間混合した。混合物は0.2ミクロンのナイロンフィルタでろ過した。
レジストパターンコーティング組成物調製
レジストパターンコーティング組成物1
メチルイソブチルカルビノール中n‐ブチルメタクリレート/メタクリル酸コポリマー溶液(77/23モル比)(23%)を6.1081g、メチルイソブチルカルビノール中p‐トルエンスルホン酸溶液(1%)を2.16g、メチルイソブチルカルビノールを72.663g、及びイソアミルエーテルを19.716g、全ての成分が溶解するまで混合した。混合物は0.2ミクロンのナイロンフィルタでろ過した。
レジストパターンコーティング組成物1
メチルイソブチルカルビノール中n‐ブチルメタクリレート/メタクリル酸コポリマー溶液(77/23モル比)(23%)を6.1081g、メチルイソブチルカルビノール中p‐トルエンスルホン酸溶液(1%)を2.16g、メチルイソブチルカルビノールを72.663g、及びイソアミルエーテルを19.716g、全ての成分が溶解するまで混合した。混合物は0.2ミクロンのナイロンフィルタでろ過した。
レジストパターンコーティング組成物2
メチルイソブチルカルビノール中n‐ブチルメタクリレート/メタクリル酸コポリマー溶液(77/23モル比)(23%)を6.1081g、メチルイソブチルカルビノール中p−トルエンスルホン酸溶液(1%)を1.513g、メチルイソブチルカルビノールを72.663g、及びイソアミルエーテルを19.716g、全ての成分が溶解するまで混合した。混合物は0.2ミクロンのナイロンフィルタでろ過した。
メチルイソブチルカルビノール中n‐ブチルメタクリレート/メタクリル酸コポリマー溶液(77/23モル比)(23%)を6.1081g、メチルイソブチルカルビノール中p−トルエンスルホン酸溶液(1%)を1.513g、メチルイソブチルカルビノールを72.663g、及びイソアミルエーテルを19.716g、全ての成分が溶解するまで混合した。混合物は0.2ミクロンのナイロンフィルタでろ過した。
リソグラフィプロセス
実施例1
200mmのシリコンウェハにAR(商標)40A反射防止剤(Dow Electronic Materials)をスピンコーティングして、第1の下層反射防止コーティング(BARC)をTEL Lithius(Tokyo Electron)コーティングトラック上に形成した。ウェハを215℃で60秒間ベークし、800ÅのBARC膜厚を得た。フォトレジスト組成物1(Dow Electronic Materials)を、BARCをコーティングしたウェハにコーティングし、90℃で60秒間ソフトベークして、600Åのレジスト層の厚さを得た。ウェハは、ASML PAS5500/1100スキャナを用いて、0.75NAは193nmにて、105nm線/180nmピッチの線幅/線間隔パターンのPSM特徴サイズを有するフォトマスクを通して、二重極35Y下、アウター/インナーシグマが0.89/0.64で、露光された。露
光されたウェハは100℃で60秒間露光後ベークされ、TMAH現像剤(2.38重量%)で現像されて、第1のレジストパターンを形成した。CDは、日立製9380CDSEMを使用し、800ボルト(V)の加速電圧、8.0ピコアンペア(pA)のプローブ電流にて、200Kx倍率を用いてトップダウン走査電子顕微鏡法(SEM)によって撮像された画像を処理することで求めた。CD測定の結果は、線幅について129nmであった。
実施例1
200mmのシリコンウェハにAR(商標)40A反射防止剤(Dow Electronic Materials)をスピンコーティングして、第1の下層反射防止コーティング(BARC)をTEL Lithius(Tokyo Electron)コーティングトラック上に形成した。ウェハを215℃で60秒間ベークし、800ÅのBARC膜厚を得た。フォトレジスト組成物1(Dow Electronic Materials)を、BARCをコーティングしたウェハにコーティングし、90℃で60秒間ソフトベークして、600Åのレジスト層の厚さを得た。ウェハは、ASML PAS5500/1100スキャナを用いて、0.75NAは193nmにて、105nm線/180nmピッチの線幅/線間隔パターンのPSM特徴サイズを有するフォトマスクを通して、二重極35Y下、アウター/インナーシグマが0.89/0.64で、露光された。露
光されたウェハは100℃で60秒間露光後ベークされ、TMAH現像剤(2.38重量%)で現像されて、第1のレジストパターンを形成した。CDは、日立製9380CDSEMを使用し、800ボルト(V)の加速電圧、8.0ピコアンペア(pA)のプローブ電流にて、200Kx倍率を用いてトップダウン走査電子顕微鏡法(SEM)によって撮像された画像を処理することで求めた。CD測定の結果は、線幅について129nmであった。
レジストパターンウェハは、TEL Lithiusコーティングトラック上にレジストパターンコーティング組成物1でコーティングして、350Åの厚さまで70℃で60秒間ベークした。ウェハをn‐ブチルアセテートで現像して、第1のレジストパターンから多重パターンを形成した。CDは、日立製9380CD‐SEMを使用して、800ボルト(V)の加速電圧、8.0ピコアンペア(pA)のプローブ電流にて、200Kx倍率を用いて、トップダウン走査電子顕微鏡法(SEM)によって撮像された画像を処理することで求めた。CD測定の結果は、多重パターンについて45nmであった。
実施例2
300mmのシリコンウェハをAR(商標)40A反射防止剤(Dow Electronic Materials)でスピンコーティングして、第1の下層反射防止コーティング(BARC)をTEL Lithius(Tokyo Electron)コーティングトラック上に形成した。ウェハを215℃で60秒間ベークし、800ÅのBARC膜厚を得た。フォトレジスト組成物2(Dow Electronic Materials)を、BARCをコーティングしたウェハにコーティングし、95℃で60秒間ソフトベークして、600Åのレジスト層の厚さを得た。ウェハは、Nikon S610c浸漬スキャナを用いて、1.30NAは193nmにて、52nm間隔/160nmピッチの線幅/線間隔パターンのPSM特徴サイズを有するフォトマスクを通して、二重極35Y下、アウター/インナーシグマが0.98/0.78で、露光された。露光されたウェハは95℃で60秒間露光後ベークされ、TMAH現像剤(2.38重量%)で現像されて、第1のレジストパターンを形成した。CDは、日立製CG4000のCD‐SEMを用いてトップダウン走査電子顕微鏡法(SEM)によって撮像された画像を処理することによって求めた。CD測定の結果は、間隔について52.06nmであった。レジスト形成ウェハは、TEL Lithiusコーティングトラック上にレジストパターンコーティング組成物2でコーティングして、360Å及び460Åの厚さまで70℃で60秒間ベークした。ウェハはn‐ブチルアセテートで現像されて、第1のレジストパターンから多重パターンを形成した。
300mmのシリコンウェハをAR(商標)40A反射防止剤(Dow Electronic Materials)でスピンコーティングして、第1の下層反射防止コーティング(BARC)をTEL Lithius(Tokyo Electron)コーティングトラック上に形成した。ウェハを215℃で60秒間ベークし、800ÅのBARC膜厚を得た。フォトレジスト組成物2(Dow Electronic Materials)を、BARCをコーティングしたウェハにコーティングし、95℃で60秒間ソフトベークして、600Åのレジスト層の厚さを得た。ウェハは、Nikon S610c浸漬スキャナを用いて、1.30NAは193nmにて、52nm間隔/160nmピッチの線幅/線間隔パターンのPSM特徴サイズを有するフォトマスクを通して、二重極35Y下、アウター/インナーシグマが0.98/0.78で、露光された。露光されたウェハは95℃で60秒間露光後ベークされ、TMAH現像剤(2.38重量%)で現像されて、第1のレジストパターンを形成した。CDは、日立製CG4000のCD‐SEMを用いてトップダウン走査電子顕微鏡法(SEM)によって撮像された画像を処理することによって求めた。CD測定の結果は、間隔について52.06nmであった。レジスト形成ウェハは、TEL Lithiusコーティングトラック上にレジストパターンコーティング組成物2でコーティングして、360Å及び460Åの厚さまで70℃で60秒間ベークした。ウェハはn‐ブチルアセテートで現像されて、第1のレジストパターンから多重パターンを形成した。
Claims (17)
- 多重パターン形成方法であって、
(a)1つ以上のパターニングされる層を備える半導体基板を提供することと、
(b)前記1つ以上のパターニングされる層の上に、酸不安定基を含むマトリクスポリマー、光酸発生剤、及び溶媒を含む組成物から形成されるフォトレジスト層を形成することと、
(c)活性化放射に前記フォトレジスト層をパターン状に露光することと、
(d)前記露光されたフォトレジスト層をベークすることと、
(e)前記ベークされたフォトレジスト層を第1の現像剤と接触させて第1のレジストパターンを形成することと、
(f)前記第1のレジストパターンを、前記第1の現像剤とは異なる第2の現像剤に対して可溶性から不溶性に、前記第1のレジストパターンの側壁領域の溶解性を切り替えるための手段を含むコーティング組成物で処理することと、
(g)前記処理された第1のレジストパターンを前記第2の現像剤と接触させて前記第1のレジストパターンの一部分を除去し、前記溶解性切り替え後の側壁領域を残して多重パターンを形成することと、を含み、
溶解性を切り替えるための手段である前記コーティング組成物は、酸発生剤、酸、または前記のもののいずれかの組み合わせを含み、前記酸発生剤が熱酸発生剤、光酸発生剤、及びこれらの組み合わせから選択される、
前記方法。 - 多重パターン形成方法であって、
(a)1つ以上のパターニングされる層を備える半導体基板を提供することと、
(b)前記1つ以上のパターニングされる層の上に、酸不安定基を含むマトリクスポリマー、光酸発生剤、及び溶媒を含む組成物から形成されるフォトレジスト層を形成することと、
(c)活性化放射に前記フォトレジスト層をパターン状に露光することと、
(d)前記露光されたフォトレジスト層をベークすることと、
(e)前記ベークされたフォトレジスト層を第1の現像剤と接触させて第1のレジストパターンを形成することと、
(f)前記第1のレジストパターンを、前記第1の現像剤とは異なる第2の現像剤に対して可溶性から不溶性に、前記第1のレジストパターンの側壁領域の溶解性を切り替えるための手段を含むコーティング組成物で処理して、前記第1のレジストパターンの側壁領域の溶解性を切り替え、前記コーティング組成物から形成される層の厚さは、前記第1のレジストパターンの側壁領域の溶解性を切り替える際に、前記第1のレジストパターンの厚さ以下である、ことと、
(g)前記処理された第1のレジストパターンを前記第2の現像剤と接触させて前記第1のレジストパターンの一部分を除去し、前記溶解性切り替え後の側壁領域を残して多重パターンを形成することと、を含む、
前記方法。 - 前記コーティング組成物は、前記第2の現像剤中で可溶性であるポリマーを含む、請求項1または2に記載の多重パターン形成方法。
- 前記コーティング組成物は有機溶媒を含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の多重パターン形成方法。
- 前記コーティング組成物は、前記コーティング組成物で前記第1のパターンを処理する間に、前記組成物から形成される層の上面に移動する表面活性添加剤をさらに含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の多重パターン形成方法。
- 前記第1の現像剤は水性アルカリ現像剤であり、前記第2の現像剤は有機溶媒現像剤である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の多重パターン形成方法。
- 前記第1の現像剤は有機溶媒現像剤であり、前記第2の現像剤は水性アルカリ現像剤である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の多重パターン形成方法。
- 多重パターン形成方法であって、
(a)1つ以上のパターニングされる層を備える半導体基板を提供することと、
(b)前記1つ以上のパターニングされる層の上に、酸不安定基を含むマトリクスポリマー、光酸発生剤、及び溶媒を含む組成物から形成されるフォトレジスト層を形成することと、
(c)活性化放射に前記フォトレジスト層をパターン状に露光することと、
(d)前記露光されたフォトレジスト層をベークすることと、
(e)前記ベークされたフォトレジスト層を第1の現像剤と接触させて第1のレジストパターンを形成することと、
(f)前記第1のレジストパターンを、前記第1の現像剤とは異なる第2の現像剤に対して可溶性から不溶性に、前記第1のレジストパターンの側壁領域の溶解性を切り替えるための手段を含むコーティング組成物で処理することと、
(g)前記処理された第1のレジストパターンを前記第2の現像剤と接触させて前記第1のレジストパターンの一部分を除去し、前記溶解性切り替え後の側壁領域を残して多重パターンを形成することと、を含み、
(h)前記多重パターンを形成した後に、前記多重パターンを、ポリマー及び溶媒を含むシュリンク組成物でコーティングして、前記多重パターンの幅を増加させ、それにより前記多重パターン中の間隔を減少させることをさらに含む、前記多重パターン形成方法。 - 前記シュリンク組成物の前記ポリマーは、窒素含有基、エポキシ、カルボン酸、エステル、アルコール、またはそれらの組み合わせから選択される基を含む、請求項8に記載の多重パターン形成方法。
- 前記シュリンク組成物の前記ポリマーは、前記多重パターンの表面に存在するカルボン酸基と結合を形成する官能基を含む、請求項8に記載の多重パターン形成方法。
- 前記シュリンク組成物の前記溶媒は、水性溶媒または有機溶媒である、請求項8〜10のいずれか1項に記載の多重パターン形成方法。
- 多重パターン形成方法であって、
(a)1つ以上のパターニングされる層を備える半導体基板を提供することと、
(b)前記1つ以上のパターニングされる層の上に、酸不安定基を含むマトリクスポリマー、光酸発生剤、及び溶媒を含む組成物から形成されるフォトレジスト層を形成することと、
(c)活性化放射に前記フォトレジスト層をパターン状に露光することと、
(d)前記露光されたフォトレジスト層をベークすることと、
(e)前記ベークされたフォトレジスト層を第1の現像剤と接触させて第1のレジストパターンを形成することと、
(f)前記第1のレジストパターンを、前記第1の現像剤とは異なる第2の現像剤に対して可溶性から不溶性に、前記第1のレジストパターンの側壁領域の溶解性を切り替えるための手段を含むコーティング組成物で処理することと、
(g)前記処理された第1のレジストパターンを前記第2の現像剤と接触させて前記第1のレジストパターンの一部分を除去し、前記溶解性切り替え後の側壁領域を残して多重パターンを形成することと、を含み、
前記第1の現像剤は水性アルカリ現像剤であり、前記第2の現像剤は有機溶媒現像剤であり、前記第2の現像剤が前記処理された第1のレジストパターンと接触するとき、前記第1のレジストパターン及び前記コーティング組成物の部分を同時に除去する、
前記方法。 - 多重パターン形成方法であって、
(a)1つ以上のパターニングされる層を備える半導体基板を提供することと、
(b)前記1つ以上のパターニングされる層の上に、酸不安定基を含むマトリクスポリマー、光酸発生剤、及び溶媒を含む組成物から形成されるフォトレジスト層を形成することと、
(c)活性化放射に前記フォトレジスト層をパターン状に露光することと、
(d)前記露光されたフォトレジスト層をベークすることと、
(e)前記ベークされたフォトレジスト層を第1の現像剤と接触させて第1のレジストパターンを形成することと、
(f)前記第1のレジストパターンを、前記第1の現像剤とは異なる第2の現像剤に対して可溶性から不溶性に、前記第1のレジストパターンの側壁領域の溶解性を切り替えるための手段及びマトリクスポリマーを含むコーティング組成物で処理することと、
(g)前記処理された第1のレジストパターンを前記第2の現像剤と接触させて前記第1のレジストパターンの一部分を除去し、前記溶解性切り替え後の側壁領域を残して多重パターンを形成することと、を含み、
前記コーティング組成物は、前記コーティング組成物による第1のパターンの処理中にコーティング組成物から形成される層の上表面に移動する表面活性添加剤をさらに含み、前記第1の現像剤は水性アルカリ現像剤であり、前記第2の現像剤は有機溶媒現像剤である、
前記方法。 - 前記多重パターンを形成した後に、前記多重パターンを、ポリマー及び溶媒を含むシュリンク組成物でコーティングして、前記多重パターンの幅を増加させ、それにより前記多重パターン中の間隔を減少させることをさらに含む、請求項1〜7、12〜13のいずれか1項に記載の多重パターン形成方法。
- 前記シュリンク組成物の前記ポリマーが、窒素含有基、エポキシ、カルボン酸、エステル、アルコール、またはそれらの組み合わせから選択される基を含む、請求項14に記載の多重パターン形成方法。
- 前記シュリンク組成物の前記ポリマーが、前記多重パターンの表面に存在するカルボン酸基と結合を形成する官能基を含む、請求項14に記載の多重パターン形成方法。
- 前記シュリンク組成物の前記溶媒が、水性溶媒または有機溶媒である、請求項14〜16のいずれか1項に記載の多重パターン形成方法。
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