KR100598910B1 - 이멀젼 리소그래피 공정에 사용되는 포토레지스트막코팅용 중합체, 비이온성 광산발생제 및 이를 포함하는포토레지스트막 코팅용 조성물 - Google Patents

이멀젼 리소그래피 공정에 사용되는 포토레지스트막코팅용 중합체, 비이온성 광산발생제 및 이를 포함하는포토레지스트막 코팅용 조성물 Download PDF

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Abstract

해상도가 60nm 이하인 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 이멀젼 리소그래피 공정에 있어서, 이멀젼 용매에 용해되지 않고, 노광원에 대한 투명도가 우수하며, 노광 후 현상 공정에서 현상액에 대한 용해도가 우수한 포토레지스트막 코팅용 중합체, 비이온성 광산발생제, 및 코팅용 용매를 포함하는 포토레지스트막 코팅용 조성물이 개시된다. 상기 포토레지스트막 코팅용 중합체는
Figure 112004043895658-pat00001
(여기서, R1 및 R2는 명세서에서 정의한 바와 같다)로 표시되고, 상기 비이온성 광산발생제는 화학식
Figure 112004043895658-pat00002
(여기서, R3 및 R4는 명세서에서 정의한 바와 같다)로 표시되는 화합물이다.
이멀젼 리소그래피, 포토레지스트막 코팅용 중합체, 비이온성 광산발생제, ArF

Description

이멀젼 리소그래피 공정에 사용되는 포토레지스트막 코팅용 중합체, 비이온성 광산발생제 및 이를 포함하는 포토레지스트막 코팅용 조성물 {Photoresist layer-coating polymer, nonionic photo acid generator, and photoresist layer-coating composition including the same}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 포토레지스트막 코팅용 중합체의 NMR 스펙트럼.
도 2 내지 8은 각각 본 발명의 실시예 2 내지 7, 및 대조예에서 제조한 포토레지스트 패턴의 전자 주사 현미경 사진.
본 발명은 포토레지스트막 코팅용 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 이멀젼 리소그래피 공정에서, 포토레지스트막을 보호하기 위한 코팅막을 포토레지스트막의 상부에 형성하기 위한 포토레지스트막 코팅용 중합체, 비이온성 광산발생제 및 이를 포함하는 포토레지스트막 코팅용 조성물에 관한 것이다.
반도체 집적회로 소자의 고집적화에 따라, 종래의 256 메가비트급의 기억용량을 가진 다이나믹 랜덤 액서스 메모리(이하, "DRAM"이라함) 보다 고용량의 기가 비트급 DRAM이 개발되고 있으며, 이에 따라 보다 미세한 선폭의 포토레지스트 패턴 형성이 요구되고 있다. 현재 ArF 엑사이머 레이저(193nm)를 노광원으로 사용하여 해상도가 70nm인 포토레지스트 패턴을 구현할 수 있게 되었으며, 해상도가 60nm 이하인, 보다 미세한 선폭의 포토레지스트 패턴을 구현하기 위한 포토리소그래피 공정이 연구되고 있다. 미세 포토레지스트 패턴을 형성하기 위해서는 노광원의 파장을 감소시키는 방법이 주로 사용되고 있으나, 보다 단파장인 F2 엑사이머 레이저(157nm)를 노광원으로 사용하는 경우, 페리클(pellicle)의 제작 및 감광성 포토레지스트의 개발이 용이하지 않고, 전자빔(electron beam)을 노광원으로 사용하는 경우에는 생산성이 낮다는 문제점이 있으며, EUV(extreme ultra violet)를 노광원으로 사용하는 경우에는 노광원의 안정성이 낮다는 문제점이 있다. 따라서, ArF 등의 상용 노광원을 사용하면서, 변형조명(off-axis illumination), 광학근접교정(optical proximity correction), 이멀젼 리소그래피(immersion lithography) 공정 등의 해상도 향상 기술(resolution enhancement techniques: RET)이 연구, 개발되고 있으며, 이 중 특히 이멀젼 리소그래피 공정이 2004년 초부터 본격적으로 주목받고 있다.
이멀젼 리소그래피 공정은, 통상적인 드라이(dry) 리소그래피 공정과는 달리, 노광 렌즈와 웨이퍼 등의 반도체 회로 기판 사이를 공기 대신 물 등의 이멀젼 용매로 채운 상태에서 노광 공정을 수행하는 것으로서, 공기에 대한 이멀젼 용매의 굴절률의 비만큼 구경수(Numerical Aperture: NA)가 커지므로, 동일한 파장의 노광원 하에서도 보다 미세한 포토레지스트 패턴을 구현할 수 있다. 예를 들어, 이멀젼 용매로서 물을 사용하면, 공기에 대한 물의 굴절률의 비인 1.4배 만큼 해상도가 우수한 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 그러나, 이와 같은 이멀젼 리소그래피 공정에 있어서, 이멀젼 용매와 접촉하는 감광성 포토레지스트막에 포함된 광산발생제 및 기타 첨가제가 이멀젼 용매에 의하여 용해되고, 용해된 물질은 이멀젼 용매를 매개로 하여 노광 렌즈에 부착됨으로서, 노광 렌즈를 오염시키는 등의 문제가 발생한다. 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 감광성 포토레지스트막의 상부를 고분자로 코팅하는 방법이 연구되고 있으나, 통상적으로는 코팅용 조성물의 용매에 의하여 포토레지스트막의 광산발생제 성분이 용해되므로, 포토레지스트막 상부의 광산발생제 함량이 감소하게 된다. 이와 같은 경우, 현상 공정에 의하여 형성되는 포토레지스트 패턴의 상부가 다른 부분에 비해 두껍게 되는 티탑(T-top) 현상이 발생하는 문제가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 해상도가 60nm 이하인 포토레지스트 패턴 형성을 위한 이멀젼 리소그래피 공정에 있어서, 이멀젼 용매에 용해되지 않고, 노광원에 대한 투명도가 우수하며, 노광 후 현상 공정에서 현상액에 대한 용해도가 우수한, 포토레지스트막 코팅용 중합체, 비이온성 광산발생제 및 이를 포함하는 포토레지스트막 코팅용 조성물을 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 상기 포토레지스트막 코팅용 조성물을 이용한 포토레지스트 패턴의 형성방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 포토레지스트막 코팅용 중합체를 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112004043895658-pat00003
상기 화학식 1에서, R1 및 R2는 각각 수소 또는 메틸기이고, a 및 b는 상기 포토레지스트막 코팅용 중합체를 이루는 전체 단량체에 대한 각 반복 단위의 몰분율로서, a 및 b는 각각 0.5 내지 0.9 및 0.5 내지 0.1이다
본 발명은 또한 하기 화학식 2로 표시되는 비이온성 광산발생제를 제공한다.
[화학식 2]
Figure 112004043895658-pat00004
상기 화학식 2에서 R3은 탄소수 1 내지 20의 치환되거나 치환되지 않은 아릴렌(arylene), 알킬렌(alkylene) 또는 알케닐렌(alkenylene)이고, R4는 탄소수 1 내지 20의 치환되거나 치환되지 않은 아릴, 알킬 또는 알케닐기이다.
본 발명은 또한 상기 포토레지스트막 코팅용 중합체 및 비이온성 광산발생제 를 포함하는 포토레지스트막 코팅용 조성물 및 상기 포토레지스트막 코팅용 조성물을 이용한 포토레지스트 패턴의 형성방법을 제공한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 하기 화학식 1로 표시되는 포토레지스트막 코팅용 중합체는, 이멀젼 리소그래피 공정에 있어서, 물 등의 이멀젼 용매에 용해되지 않으므로, 포토레지스트막의 광산발생제 성분 등의 용출로 인한 노광 렌즈의 오염을 방지할 수 있고, ArF 등의 통상적인 노광원에 대한 투명도 및 투과도가 우수하며, 현상 공정에 있어서 통상적인 현상액에 대한 용해도가 높으므로, 우수한 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 상기 포토레지스트막 코팅용 중합체의 중량 평균 분자량은 포 토레지스트막에 코팅되는 코팅막의 두께 및 현상액에 대한 용해도에 따라 달라질 수 있으나, 바람직하게는 1,000 내지 1,000,000, 더욱 바람직하게는 1,000 내지 500,000, 가장 바람직하게는 2,000 내지 100,000이다. 만일 상기 중량 평균 분자량이 1,000 미만이면 감광성 포토레지스트막의 상부에 원하는 두께의 코팅막을 형성하기 어렵고, 상기 분자량이 1,000,000을 초과하면 현상액에 대한 코팅막의 용해도가 저하되는 문제점이 있다.
Figure 112004043895658-pat00005
상기 화학식 1에서, R1 및 R2는 각각 수소 또는 메틸기이고, a 및 b는 상기 포토레지스트막 코팅용 중합체를 이루는 전체 단량체에 대한 각 반복 단위의 몰분율로서, a 및 b는 각각 0.5 내지 0.9 및 0.5 내지 0.1이다.
상기 화학식 1의 포토레지스트막 코팅용 중합체는 통상적인 고분자 중합방법으로 제조될 수 있으며, 예를 들면, t-부틸(메타)아크릴레이트 단량체 및 (메타)아크릴산 단량체를 유기용매에 용해시키고, 중합개시제를 첨가한 후, 진공 상태 혹은 질소분위기 및 55℃-75℃의 온도에서 6 내지 12시간 동안 자유 라디칼 중합 반응을 수행하여 제조될 수 있다. 이때 상기 포토레지스트막 코팅용 중합체의 특성을 훼손하지 않는 범위 내에서, 필요에 따라 소량의 다른 단량체를 공중합시킬 수도 있 다. 상기 유기 용매로는 자유 라디칼 중합 반응 등의 중합 반응에 통상적으로 사용되는 유기 용매를 사용할 수 있으며, 예를 들면 에탄올, 메탄올, 이소프로판올, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트(PGMEA), 에틸아세테이트, 테트라하이드로퓨란, 사이클로헥사논, 메틸에틸케톤, 톨루엔 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트를 사용할 수 있다. 상기 중합개시제로는 고분자 중합 반응에 통상적으로 사용되는 중합개시제를 사용할 수 있으며, 예를 들면 2,2'-아조비스이소부티로니트릴(AIBN), t-부틸하이드로퍼옥사이드, 벤조일퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드, 디-t-부틸퍼옥사이드로 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있고, 바람직하게는 2,2'-아조비스이소부티로니트릴을 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 포토레지스트막 코팅용 조성물은, 상기 화학식 1로 표시되는 포토레지스트막 코팅용 중합체, 비이온성 광산발생제 및 코팅용 용매를 포함하며, 상기 포토레지스트막 코팅용 중합체, 비이온성 광산발생제를 코팅용 용매에 통상적으로 용해시켜 포토레지스트막 코팅용 조성물을 제조할 수 있다. 상기 비이온성 광산발생제는 이멀젼 리소그래피 공정에서 이멀젼 용매로 용출되는 포토레지스트 조성물의 광산발생제를 보충하기 위하여 첨가되는 것으로서, 이와 같은 비이온성 광산발생제로는 물 등의 이멀젼 용매에 대한 용해도가 작은 비이온성 광산발생제를 제한 없이 사용할 수 있으나, 바람직하게는 하기 화학식 2로 표시되는 비이온성 광산발생제를 사용할 수 있다,
Figure 112004043895658-pat00006
상기 화학식 2에서 R3은 탄소수 1 내지 20의 치환되거나 치환되지 않은 아릴렌(arylene), 알킬렌(alkylene) 또는 알케닐렌(alkenylene)이고, R4는 탄소수 1 내지 20의 치환되거나 치환되지 않은 아릴, 알킬 또는 알케닐기이다. 상기 R3 및 R4에 치환되는 치환체는 니트로(nitro), 페닐(phenyl), 할로겐, 또는 할로겐기를 가지거나 가지지 않는 탄소수 1 내지 5의 직쇄 혹은 측쇄 치환된 알킬(alkyl) 또는 알콕시(alkoxy)일 수 있다.
상기 비이온성 광산발생제의 바람직한 예는 하기 화학식 2a 내지 2f로 표시되는 화합물이다.
Figure 112004043895658-pat00007
Figure 112004043895658-pat00008
Figure 112004043895658-pat00009
Figure 112004043895658-pat00010
Figure 112004043895658-pat00011
Figure 112004043895658-pat00012
상기 비이온성 광산발생제의 함량은 상기 화학식 1의 포토레지스트막 코팅용 중합체에 대하여 0.05 내지 5중량%인 것이 바람직하며, 만일 상기 함량이 0.05중량% 미만이면 비이온성 광산발생제 첨가 효과가 미미하고, 5중량%를 초과하면 포토레 지스트 패턴의 단면이 오히려 경사지게 될 뿐 만 아니라, ArF(193nm) 등의 노광용 광원을 과도하게 흡수하여 포토레지스트막에 도달하는 광원의 양이 적어지는 단점이 있다. 이러한 문제점을 보완하기 위해 노광 에너지를 크게 하면 공정 생산성이 저하된다.
상기 코팅용 용매는 상기 포토레지스트막 코팅용 중합체 및 비이온성 광산발생제를 용해시켜 코팅막을 균일하게 도포시키는 역할을 하는 것으로서, 이러한 역할을 하는 화합물을 상기 코팅용 용매로서 제한 없이 사용할 수 있다. 또한 상기 용매로는 상기 비이온성 광산발생제 및 포토레지스트 조성물의 광산발생제의 용출 정도가 낮은 용매를 사용하는 것이 바람직하고, 예를 들면 노말부탄올, 노말헥산올, 이소부탄올 등을 단독 또는 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다. 상기 용매의 함량은, 상기 포토레지스트막 코팅용 중합체에 대하여, 1,000 내지 10,000중량% (즉, 10 내지 100배)인 것이 바람직하며, 만일 상기 범위를 벗어나면 원하는 최적 두께의 코팅막을 균일하게 형성할 수 없는 문제점이 있다.
본 발명에 따른 포토레지스트 패턴의 형성 방법은, a) 피식각층 상부에 화학증폭형 포토레지스트 조성물을 도포하여 포토레지스트막을 형성하는 단계; b) 형성된 포토레지스트막에 본 발명에 따른 포토레지스트막 코팅용 조성물을 도포하여 코팅막을 형성하는 단계; c) 상기 포토레지스트막 및 코팅막에, 이멀젼 리소그래피 공정으로 단파장의 광원을 노광하는 단계; 및 d) 노광된 포토레지스트막 및 코팅막 을 현상하는 단계를 포함한다. 상기 a) 포토레지스트막을 형성하는 단계는, 실리콘 웨이퍼, 알루미늄 기판 등의 피식각층 상부에 통상적인 화학증폭형 포토레지스트 조성물을 스핀코터 등을 이용하여 도포하고, 건조하여, 얇은 박막을 형성함으로서 수행할 수 있다. 상기 b) 코팅막 형성 단계는, 형성된 포토레지스트막에 상기 화학식 1의 포토레지스트막 코팅용 중합체, 비이온성 광산발생제 및 용매를 포함하는 조성물을 스핀코터 등을 이용하여 도포하고, 건조하여 수행할 수 있다. 상기 c) 단파장의 광원을 노광하는 단계는, 예를 들어 이멀젼 용매로서 물을 사용하고, 통상적인 이멀젼 리소그래피 공정에 따라 수행할 수 있으며, 이때 노광용 광원으로는 ArF 엑사이머 레이저, KrF 엑사이머 레이저, F2 엑사이머 레이저, EUV 등을 사용할 수 있다. 상기 d) 현상 단계는, 당업계에서 통상적으로 알려진 현상액, 예를 들면 알칼리 현상액, 바람직하게는 테트라메틸암모늄히드록사이드(TMAH) 수용액을 사용하여 수행할 수 있다. 상기 현상액의 농도는 0.1 내지 10 중량%인 것이 바람직하고, 상기 현상액에 메탄올, 에탄올 등과 같은 수용성 유기용매 및 계면활성제를 적정량 첨가하여 사용할 수도 있다. 상기 포토레지스트 패턴의 형성 방법은 상기 a) 도포 단계 후 b) 코팅 단계 전, b) 코팅 단계 후 c) 노광 단계 전, 및/또는 c) 노광 단계 후 d) 현상 단계 전에 가열 단계를 더욱 포함할 수 있으며, 상기 가열 단계는 70 내지 200℃에서 이루어지는 것이 바람직하다. 만일 상기 가열 온도가 70℃미만이면 용매가 충분히 증발하지 않게 되고, 200℃를 초과하면 조성물이 열분해될 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하나, 본 발명이 하기 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1] 포토레지스트막 코팅용 중합체의 제조
t-부틸아크릴레이트 7.2g, 아크릴산 3g 및 AIBN 0.2g을 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 용매 100g에 넣고, 66℃의 온도 및 N2 1.2기압에서 8시간 동안 중합 반응시켰다. 중합 반응이 완결된 후, 반응 생성물에 헥산을 첨가하여 생성되는 침전물을 진공 건조함으로서, 흰색 고체인 폴리(t-부틸아크릴레이트-아크릴산) 중합체 8.8g을 얻었다. 얻어진 중합체의 수평균 분자량은 52,000이었고, 그의 NMR 스펙트럼을 도 1에 나타내었다.
[실시예 2] 포토레지스트막 코팅용 조성물의 제조 및 포토레지스트 패턴의 형성
상기 실시예 1에서 제조한 포토레지스트막 코팅용 중합체 2.0g 및 하기 화학식 2a로 표시되는 N-하이드록시숙신이미드 메탄설포네이트(N-hydroxysuccinimide methansulfonate) 0.1g을 노말부탄올 100g에 용해시켜, 포토레지스트막 코팅용 조성물을 제조하였다. (주)동진 쎄미켐의 DHA3604E ArF 포토레지스트를 웨이퍼에 200nm 두께로 도포한 후, 130℃에서 90초 동안 가열하여 포토레지스트막을 형성하 였다. 형성된 포토레지스트막에 상기 포토레지스트막 코팅용 조성물을 3000rpm의 회전속도로 스핀 코팅한 후, 다시 90℃에서 60초 동안 가열하여 60 nm 두께의 코팅막을 형성하였다. 다음으로, 포토레지스트막 코팅막에 증류수를 충분히 부어준 상태로 5분 동안 방치한 후 물을 제거하였고, 물이 제거된 코팅막 및 포토레지스트막을 ArF 엑사이머 레이저로 노광하였다. 노광된 코팅막 및 포토레지스트막을 다시 130℃에서 90초 동안 가열한 후, 현상하여 90nm의 L/S(line and space) 형태의 포토레지스트 패턴을 형성하였으며, 형성된 포토레지스트 패턴의 전자 주사 현미경 사진을 도 2에 나타내었다.
[실시예 3 내지 7] 포토레지스트막 코팅용 조성물의 제조 및 포토레지스트 패턴의 형성
비이온성 광산발생제로서 상기 화학식 2a로 표시되는 N-하이드록시숙신이미드 메탄설포네이트 대신, 각각 화학식 2b의 N-하이드록시말레이미드 트리플루오로메탄설포네이트(N-hydroxymaleimide trifluoromethansulfonate), 화학식 2c의 N-하이드록시석신이미드 파라-톨루엔설포네이트(N-hydroxysuccinimide p-toluenesulfonate), 화학식 2d의 N-하이드록시-5-노르보넨-2,3-디카르복시이미드 메탄설포네이트(N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboxyimide methansufonate), 화학식 2e의 N-하이드록시-5-노르보넨-2,3-디카르복시이미드 트리플루오로메탄설포네이트(N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboxyimide trifluoromethansufonate), 화학식 2f의 N-하이드록시-5-노르보넨-2,3-디카르복시이미드 파라-톨루엔설포네이트 (N-hydroxy-5-norbornene-2,3- dicarboxyimide p-toluenesulfonate)를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 2와 동일한 방법으로 포토레지스트막 코팅용 조성물을 제조하고, 포토레지스트 패턴을 형성하였으며, 형성된 포토레지스트 패턴의 전자 주사 현미경 사진을 도 3 내지 7에 각각 나타내었다.
[대조예] 포토레지스트막 코팅용 조성물의 제조 및 포토레지스트 패턴의 형성
비이온성 광산발생제를 사용하지 않은 것을 제외하고는, 실시예 2와 동일한 방법으로 포토레지스트막 코팅용 조성물을 제조하고, 포토레지스트 패턴을 형성하였으며, 형성된 포토레지스트 패턴의 전자 주사 현미경 사진을 도 8에 나타내었다.
도 2 내지 8로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예 2 내지 7에 의하여 형성된 포토레지스트 패턴이, 대조예에 의하여 형성된 레지스트 패턴과 비교하여, 티탑 현상이 생기지 않는 등 패턴의 단면이 수직으로 형성되어, 보다 우수함을 알 수 있다.
본 발명에 따른 포토레지스트막 코팅용 중합체는 이멀젼 용매에 용해되지 않고, 노광원에 대한 투명도가 우수하며, 노광 후 현상 공정에서 현상액에 대한 용해도가 우수하므로, 이멀젼 리소그래피 공정으로 해상도가 60nm 이하인 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다는 장점이 있다. 또한 본 발명에 따른 포토레지스트막 코팅용 조성물은, 티탑 현상 등이 발생하지 않아 단면이 수직인 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있어, 고용량의 반도체 소자를 제조할 수 있다.

Claims (10)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 포토레지스트막 코팅용 중합체.
    [화학식 1]
    Figure 112006030355264-pat00013
    상기 화학식 1에서, R1 및 R2는 각각 수소 또는 메틸기이고, a 및 b는 상기 포토레지스트막 코팅용 중합체를 이루는 전체 단량체에 대한 각 반복 단위의 몰분율로서, 각각 0.5 내지 0.9 및 0.1 내지 0.5이다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트막 코팅용 중합체의 중량 평균 분자량은 1,000 내지 1,000,000인 것인 포토레지스트막 코팅용 중합체.
  3. 제1항에 있어서, 상기 중합체는 t-부틸(메타)아크릴레이트 단량체 및 (메타)아크릴산 단량체를 유기용매에 용해시키고, 중합개시제를 첨가한 후, 자유 라디칼 중합 반응시켜 제조되는 것인 포토레지스트막 코팅용 중합체.
  4. 하기 화학식 2로 표시되는 비이온성 광산발생제.
    [화학식 2]
    Figure 112004043895658-pat00014
    상기 화학식 2에서 R3은 탄소수 1 내지 20의 치환되거나 치환되지 않은 아릴렌, 알킬렌 또는 알케닐렌이고, R4는 탄소수 1 내지 20의 치환되거나 치환되지 않은 아릴, 알킬 또는 알케닐기이다.
  5. 제4항에 있어서, 상기 비이온성 광산발생제는 하기 화학식 2a 내지 2f로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 비이온성 광산발생제.
    [화학식 2a]
    Figure 112004043895658-pat00015
    [화학식 2b]
    Figure 112004043895658-pat00016
    [화학식 2c]
    Figure 112004043895658-pat00017
    [화학식 2d]
    Figure 112004043895658-pat00018
    [화학식 2e]
    Figure 112004043895658-pat00019
    [화학식 2f]
    Figure 112004043895658-pat00020
  6. 상기 화학식 1로 표시되는 포토레지스트막 코팅용 중합체, 비이온성 광산 발생제 및 코팅용 용매를 포함하는 포토레지스트막 코팅용 조성물.
  7. 제6항에 있어서, 상기 코팅용 용매는 노말부탄올, 노말헥산올, 이소부탄올 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 포토레지스트막 코팅용 조성물.
  8. 제6항에 있어서, 상기 비이온성 광산발생제는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물인 것인 포토레지스트막 코팅용 조성물.
  9. 제6항에 있어서, 제6항에 있어서, 상기 비이온성 광산발생제의 함량은 상기 포토레지스트막 코팅용 중합체 100중량부에 대하여 0.05 내지 5중량부이고, 상기 코팅용 용매의 함량은 상기 포토레지스트막 코팅용 중합체 100중량부에 대하여, 1,000 내지 10,000중량부인 것인 포토레지스트막 코팅용 조성물.
  10. 피식각층 상부에 화학증폭형 포토레지스트 조성물을 도포하여 포토레지스트막을 형성하는 단계;
    형성된 포토레지스트막에 제6항에 따른 포토레지스트막 코팅용 조성물을 도포하여 코팅막을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트막 및 코팅막에, 이멀젼 리소그래피 공정으로 단파장의 광원을 노광하는 단계; 및
    노광된 포토레지스트막 및 코팅막을 현상하는 단계를 포함하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
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