JP2015135492A - フォトレジストオーバーコート組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フォトレジストオーバーコート組成物は、クエンチングポリマーであって、塩基性部分を有する第1の単位、および特定のモノマーから形成される第2の単位を含むクエンチングポリマー、および有機溶媒を含み、前記クエンチングポリマーは、オーバーコート組成物の全固体を基準にして80から100重量%の量で組成物中に存在する。
【選択図】なし
Description
また、フォトレジストオーバーコート組成物を使用するフォトリソグラフィーパターンを形成する方法を提供する。
フォトレジストオーバーコート組成物は、ネガ型現像プロセスにおいてフォトレジスト層上に被覆される場合、幾何学的に均一なレジストパターン、レジスト露光中の低減された反射率、改善された焦点寛容度(focus latitude)、露出寛容度、および低減された欠陥の1以上等の種々の利点をもたらす。これらの利点は、組成物をドライリソグラフィーまたは液浸リソグラフィープロセスにおいて使用するときに達成することができる。フォトレジスト組成物の他に露光波長は特に限定されず、248nmまたは193nm(液浸またはドライリソグラフィー)もしくはEUV波長(例えば、13.4nm)等のサブ−200nmが典型的である。液浸リソグラフィーを用いる場合、オーバーコート組成物は、フォトレジスト成分が浸漬液中に浸出するのを避けるための効果的な障壁層を形成するのに用いることができ、浸漬液との望ましい接触角特性をもたらし、露光スキャンスピードの増大を可能にする。
本発明に有用なフォトレジスト組成物は、酸感受性のマトリックスポリマーを含む化学増幅型フォトレジスト組成物を含み、フォトレジスト組成物の層の一部として、ポリマーおよび組成物層は、光酸発生剤から生成した酸との反応、それに続くソフトベーク、化学線への露光および露光後ベークの結果として有機現像剤中での溶解性が変化する。溶解性の変化は、マトリックス中の光酸不安定エステルまたはアセタール基等の酸不安定基が 活性化放射線および熱処理に曝されて光酸促進脱保護反応を受けるときにもたらされる。本発明の有用な好適なフォトレジスト組成物は市販品を入手可能である。
本発明に従うプロセスを、ネガ型現像によりフォトリソグラフィーパターンを形成するための例示的なプロセスの流れを示す図1A〜Cを参照しながら説明する。
フォトレジストポリマーの合成に用いるモノマー構造をそれらの略号とともに以下に示す。
ECPMAのモノマー(5.092g)、MCPMA(10.967g)、MNLMA(15.661g)、およびHADA(8.280g)を60gのPGMEA中に溶解した。モノマー溶液を窒素で20分間バブリングして脱気した。PGMEA(27.335g)を濃縮器および機械式撹拌機を備えた500mLの3つ首フラスコに入れ、窒素で20分間バブリングして脱気した。次いで、反応フラスコ中の溶媒の温度を80℃にした。V601(ジメチル−2,2−アゾジイソブチレート)(0.858g)を8gのPGMEA中に溶解し、開始溶液を窒素で20分間バブリングして脱気した。開始溶液を反応フラスコに加え、次いで強撹拌および窒素雰囲気の下、モノマー溶液を3時間かけて滴下して反応器中に供給した。モノマーの供給が完了した後、重合混合物を80℃でさらに1時間維持した。合計4時間の重合時間(3時間の供給および1時間の供給後撹拌)の後、重合混合物を室温まで放冷した。沈殿をメチルtert−ブチルエーテル(MTBE)(1634g)中で行った。沈殿物をろ過により集め、一晩空気乾燥、120gのTHF中に再溶解、およびMTBE(1634g)中に再沈殿させた。最終的なポリマーをろ過、一晩空気乾燥および60℃で48時間真空下でさらに乾燥し、ポリマーPP−1(Mw:20,120およびPDI:1.59)を得た。
MCPMA(17.234g)およびNLM(22.766g)のモノマーを60gのPGMEAに溶解した。モノマー溶液を窒素で20分間バブリングして脱気した。PGMEA(31.938g)を濃縮器および機械式撹拌機を備えた500mLの3つ首フラスコに入れ、窒素で20分間バブリングして脱気した。反応フラスコ中の溶媒の温度を80℃にした。V601(ジメチル−2,2−アゾジイソブチレート)(2.831g)を8gのPGMEA中に溶解し、開始溶液を窒素で20分間バブリングして脱気した。開始溶液を反応フラスコに加え、次いで強撹拌および窒素雰囲気の下、モノマー溶液を3時間かけて滴下して反応器中に供給した。モノマーの供給が完了した後、重合混合物を80℃でさらに1時間維持した。合計4時間の重合時間(3時間の供給および1時間の供給後撹拌)の後、重合混合物を室温まで放冷した。沈殿をメチルtert−ブチルエーテル(MTBE)(1713g)中で行った。沈殿物をろ過により集め、一晩空気乾燥、120gのTHF中に再溶解、およびMTBE(1713g)中に再沈殿させた。最終的なポリマーをろ過、一晩空気乾燥および60℃で48時間真空下でさらに乾燥し、ポリマーPP−2(Mw:8,060およびPDI:1.46)を得た。
以下に記載するように、下記のモノマーをオーバーコートポリマー(OP)の合成に用いた。
30gのiBMAおよび10gのnBMAモノマーを60gのPGMEAに溶解した。モノマー溶液を窒素で20分間バブリングして脱気した。PGMEA(32.890g)を濃縮器および機械撹拌機を備えた500mLの3つ首フラスコに入れ、窒素で20分間バブリングして脱気した。次いで、反応フラスコ中の溶媒を80℃にした。V601(3.239g)を8gのPGMEA中に溶解し、開始溶液を窒素で20分間バブリングして脱気した。開始溶液を反応フラスコに加え、次いで強撹拌および窒素雰囲気の下、モノマー溶液を3時間かけて滴下して反応器中に供給した。モノマーの供給が完了した後、重合混合物を80℃でさらに1時間維持した。合計4時間の重合時間(3時間の供給および1時間の供給後撹拌)の後、重合混合物を室温まで放冷した。沈殿をメタノール/水(8/2)混合物(1730g)中で行った。沈殿したポリマーをろ過により集め、一晩空気乾燥、120gのTHF中に再溶解、およびメタノール/水(8/2)混合物(1730g)中に再沈殿させた。最終的なポリマーをろ過、一晩空気乾燥および25℃で48時間真空下でさらに乾燥し、33.1gのポリ(iBMA/nBMA)(75/25)コポリマー(OP−1)(Mw=9,203およびMw/Mn=1.60)を得た。
37.433gのiBMAおよび2.567gのTBAEMAモノマーを60gのPGMEAに溶解した。モノマー溶液を窒素で20分間バブリングして脱気した。PGMEA(28.311g)を濃縮器および機械式撹拌機を備えた500mLの3つ首フラスコに入れ、窒素で20分間バブリングして脱気した。次いで、反応フラスコ中の溶媒の温度を80℃にした。V601(1.276g)を8gのPGMEA中に溶解し、開始溶液を窒素で20分間バブリングして脱気した。開始溶液を反応フラスコに加え、次いで強撹拌および窒素雰囲気の下、モノマー溶液を3時間かけて滴下して反応器中に供給した。モノマーの供給が完了した後、重合混合物を80℃でさらに1時間維持した。合計4時間の重合時間(3時間の供給および1時間の供給後撹拌)の後、重合混合物を室温まで放冷した。沈殿をメタノール/水(8/2)混合物(1651g)中で行った。沈殿したポリマーをろ過により集め、一晩空気乾燥、120gのTHF中に再溶解、およびメタノール/水(8/2)混合物(1651g)中に再沈殿させた。最終的なポリマーをろ過、一晩空気乾燥および25℃で48時間真空下でさらに乾燥し、28.3gのポリ(iBMA/TBAEMA)(95/5)コポリマー(OP−2)を得た。
追加の塩基含有添加ポリマーを上記の手順を用いて合成した。OP−1およびOP−2を含む結果を表1に示す。
1.294gのPP−1および1.294gのPP−2を29.070gのPGMEA、19.380gのシクロヘプタノン、および48.450gのメチル−2−ヒドロキシイソブチレート中に溶解した。この混合物に0.484gの下記PAGAおよび0.029gの1−(tert−ブトキシカルボニル)−4−ヒドロキシピペリジンを加えた。得られた混合物を機械ローラー上に3時間転がし、次いで0.2ミクロンの細孔径を有するテフロンフィルターに通してろ過した。
表2に示す成分および量を用いてオーバーコートポリマーをイソブチルイソブチレート(IBIB)中に溶解することによりレジストオーバーコート組成物を調製した。得られた混合物を機械ローラー上に3時間転がし、次いで0.2ミクロンの細孔径を有するテフロンフィルターに通してろ過した。オーバーコート表面での反射率を低減するために、入射波の4分の1波長に対応する目標とする厚さ(〜1500rpmでスピンコーティングした後)に基づいて組成物を配合した。
200mmシリコンウェハ上の塩基−結合オーバーコートポリマーの効果を調べるために、ASML/1100スキャナーに連結したTEL CleanTrack ACT8を用いてドライリソグラフィーを行った。シリコンウェハをARTM77ボトム−反射防止コーティング(BARC)材料(ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ)を用いてスピンコートし、205℃で60秒間ベークして800Åのフィルム厚を得た。フォトレジスト組成物(PC)をBARC被覆ウェハ上に被覆し、TEL CleanTrack ACT8 コーター/ディベロッパー上で90℃で60秒間ソフトベークし、940Åのレジスト層厚を得た。表2に示すオーバーコート組成物をレジストの最上部に被覆し、TEL CleanTrack ACT8 コーター/ディベロッパー上で90℃で60秒間ソフトベークし、290Åのオーバーコート厚を得た。ウェハを0.75NA、0.89アウターシグマ(outer sigma)および0.64インナーシグマ(inner sigma)を有する環状照明条件で露光した。露光したウェハを85℃で60秒間露光後ベークし、ブチルアセテート(NBA)現像剤を用い、TEL CleanTrack ACT8 コーター/ディベロッパー上で30秒間現像した。CDの目標を200nmピッチを有する100nmの密集コンタクトホール(dense contact hole)とした。表3に示すように、塩基−結合ポリマーオーバーコート使用とオーバーコートなし(比較例1)および比較オーバーコート組成物(比較例2)との比較により改善されたプロセスウィンドウが観察された。
Claims (9)
- クエンチングポリマーであって、
塩基性部分を有する第1の単位、および
下記一般式(I):
有機溶媒
を含み、
前記クエンチングポリマーが、オーバーコート組成物の全固体を基準にして80から100重量%の量で組成物中に存在する、
フォトレジストオーバーコート組成物。 - 塩基性部分を有する単位が、クエンチングポリマーを基準にして0.1から30モル%の量でクエンチングポリマー中に存在する、請求項1〜3のいずれかに記載のフォトレジストオーバーコート組成物。
- Zが単結合である、請求項1〜5のいずれかに記載のフォトレジストオーバーコート組成物。
- クエンチングポリマーがランダムコポリマーである、請求項1〜6のいずれかに記載のフォトレジストオーバーコート組成物。
- クエンチングポリマーがブロックコポリマーである、請求項1〜6のいずれかに記載のフォトレジストオーバーコート組成物。
- クエンチングポリマーがグラジエントポリマーである、請求項1〜6のいずれかに記載のフォトレジストオーバーコート組成物。
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