KR20100032491A - 포지티브 포토레지스트 조성물 - Google Patents

포지티브 포토레지스트 조성물 Download PDF

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KR20100032491A
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photoresist composition
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alkyl group
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이경호
김성훈
유경욱
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

본 발명은 (A)알칼리 가용성 수지; (B)감광성 화합물; 및 (C)하기 화학식 1로 표시되는 카보네이트 화합물과 유기용매를 포함하는 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 주변의 온도 변화 및 장시간에 걸친 보존 안정성의 향상을 위해 유기용매를 혼합하여 사용하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물에 관한 것이다. 또한 본 발명에 따른 포지티브 포토레지스트 조성물은 카보네이트 화합물을 유기용매에 함유하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물로서, 500nm 이하의 고에너지선, X선 또는 전자선으로 노광하는 공정에서 사용할 수 있으며 보존 안정성이 우수하여, 파티클 등에 의한 결함이 없는 프로파일을 형성할 수 있다.
<화학식 1>
Figure 112008065577473-PAT00001
카보네이트 화합물

Description

포지티브 포토레지스트 조성물{Positive photoresist composition}
본 발명은 500nm 이하의 고에너지선, 전자선, X-선 또는 방사광과 같은 고에너지의 방사선에 의해서 작용하는 포토리소그래피 등에 적합한 포지티브 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
최근, 집적 회로의 집적도가 증가함에 따라, 플루오르화 크립톤(KrF) 또는 플루오르화 아르곤(ArF)으로부터의 엑시머 레이저를 사용하는 포토리소그래피가 주를 이루고 있다. 이러한 포토리소그래피에서 산 촉매 및 화학증폭 효과를 이용한, 소위 말하는 화학증폭형 레지스트가 채택된다. 화학증폭형 레지스트가 사용되는 경우, 방사선의 조사부에서는 광산발생제로부터 발생한 산이 이후의 열처리에 의하여 확산되고, 확산된 산을 촉매로써 사용하는 반응에 의해 조사부의 알칼리 현상액에 대한 용해성이 변화되어 포지티브 타입 또는 네가티브 타입 패턴이 수득된다.
또한, 집적도의 증가에 따라 포토레지스트의 조성물의 주성분이 변화되었는데 일반적으로 g, i-line에서는 노볼락 페놀계 및 나프토디아조계가 주성분으로, 플르오르화 크립톤의 엑시머레이저에서는 페놀성 히드록시와 광산발생제가 주성분으로, 플루오르화 아르곤의 엑시머레이저에서는 아크릴레이트 계열의 레진과 광산 발생제가 주성분으로 사용되고 있다. 이러한 변화는 주성분의 극성이 점점 높아지게 변화된 것으로, 적절한 유기용매를 사용하지 않으면 용해도가 저하되며, 저장시에 제석출되어 파티클 결함이 야기되며 또한 포토레지스트를 도포할 경우 공정결함으로 나타나게 된다.
상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 용해성이 향상되고, 온도가 변화하는 상황에서 장기보존시에도 재석출이 발생하지 않아 저장안정성이 높아지는 포지티브 포토레지스트 조성물을 제공하는 것이다. 또한 본 발명의 목적은 인체유해성 및 환경문제에 안정한 포지티브 포토레지스트 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명은 (A)알칼리 가용성 수지; (B)감광성 화합물; 및 (C)하기 화학식 1로 표시되는 카보네이트 화합물과 유기용매를 포함하는 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물을 제공한다.
<화학식 1>
Figure 112008065577473-PAT00002
상기 식에서, R1은 수소, 탄소수 1 내지 10의 직쇄 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 히드록시 알킬, 탄소수 3 내지 10의 분지쇄 알킬기, 탄소수 3 내지 10의 환식 알킬기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이다.
본 발명은 상기 포지티브 포토레지스트 조성물을 기판 상에 도포하고, 선택적으로 노광하고, 노광후굽기하고, 알칼리 현상액으로 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성방법을 제공한다.
본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물은 온도 변화 및 장시간 보관시 안정성을 향상시킨다. 또한, 본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물은 포토레지스트의 제조 및 보관에 있어서 용해성이 우수하고 재석출을 방지하여 파티클 같은 현상 결함이 발생하지 않는다. 또한, 본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물은 현상 이물질이 기판위에 도포 또는 재흡착을 저지함으로써, 현상 결함이 없는 프로파일을 형성할 수 있다.
이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물은, (A)알칼리 가용성 수지, (B)감광성 화합물 및 (C)용매를 포함한다.
본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물에 포함되는 (A)알칼리 가용성 수지는 노볼락계 수지, 폴리비닐알콜, 폴리비닐알킬에테르, 스티렌과 아크릴산의 공중합체, 메타크릴산과 메타크릴산 알킬에스테르와의 공중합체, 히드록시스티론의 중합체, 폴리비닐 히드록시 벤조에이트, 폴리비닐히드록시벤젠 등을 들 수 있다. 여기서, (A)알칼리 가용성 수지는 노볼락계 수지를 이용하는 것이 바람직하다. 상기 노볼락계 수지는, 방향족 알코올인 페놀, 메타크레졸, 파라크레졸 또는 이들의 혼합물과 포름알데히드를 반응시켜 합성한 중합체이다. 또한, 포토레지스트의 성능 개선을 위하여 상기 노볼락계 수지 중에서 고분자, 중분자 또는 저분자 등을 제거하여 용도에 적합한 분자량의 수지를 사용할 수도 있다.
본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물은 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물일 수도 있는데, 이 경우 (A)알칼리 가용성 수지는 본래는 알칼리 수용액에 불용성 또는 난용성이지만, 산의 작용에 의해 알칼리 수용액에 가용성이 되는 수지인 것이 바람직하다. 여기서, 이러한 수지는 산의 작용에 의해 해리 가능한 보호기를 알칼리 수용액에 대해 가용성인 수지에 도입시킴으로써 수득한 수지를 말한다. 이러한 수지의 예로는, 히드록시기의 일부를 보호기로 보호한 히드록시스티렌 골격을 갖는 수지 및/또는 히드록시기를 보호기로 보호한 (메트)아크릴레이트 골격을 갖는 수지를 들 수 있다.
상기 (A)알칼리 가용성 수지는 조성물 총 중량에 대하여 3 내지 25 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 상술한 범위를 만족하면, 해상도 및 프로파일 모양에 이점이 있다.
본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물에 포함되는 (B)감광성 화합물은 디아지드계 화합물을 이용하는 것이 바람직하다. 상기 디아지드계 화합물은 특별히 한정하지 않으나, 폴리히드록시 벤조페논과 1,2-나프토퀴논디아지드, 2-디아조-1-나프톨-5-설포닉산 및 2-디아조-1-나프톨-4-설포닉산로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 이용할 수 있다.
본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물이 화학증폭형 포지티브 포토레지스트일 경우, (B)감광성 화합물은 빛 또는 방사선의 작용에 의해 산을 발생하는 화합물은 광산발생제인 것이 바람직하다. 상기 광산발생제는, 물질 자체 또는 이러한 물질을 함유하는 레지스트 조성물에 자외선, 원자외선, 전자선, X-선, 또는 방사광과 같은 고에너지의 방사선을 조사함으로써 산을 생성시키는 물질이다. 상기 광산발생제로부터 생성되는 산은 수지에 작용하여 수지에 존재하는 산에 불안정한 기를 해리시킨다.
상기 광산발생제는 오늄염 화합물, s-트리아진계 유기 할로겐 화합물, 설폰 화합물, 설포네이트 화합물 등을 포함한다. 특정하게는, 다음 화합물이 열거된다:
디페닐요도늄 트리플루오로메탄설포네이트, 4-메톡시페닐페닐요도늄 헥사플루오로안티모네이트, 4-메톡시페닐페닐요도늄 트리플루오로메탄설포네이트, 비스(4-t-부틸페닐)요도늄 테트라플루오로보레이트, 비스(4-t-부틸페닐)요도늄 헥사플루오로포스페이트, 비스(4-t-부틸페닐)요도늄 헥사플루오로안티모네이트, 비스(4-t-부틸페닐)요도늄 트리플루오로메탄설포네이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로포스페이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로안티모네이트, 트리페닐설포늄 트리플루오로메탄설포네이트, 4-메틸페닐디페닐설포늄 퍼플루오로부탄설포네이트, 4-메틸페닐디페닐설포늄 퍼플루오로옥탄설포네이트, 4-메톡시페닐디페닐설포늄 헥사플루오로안티모네이트, 4-메톡시페닐디페닐설포늄 트리플루오로메탄설포네이트, p-톨릴디페닐설포늄 트리플루오로메탄설포네이트, 2,4,6-트리메틸페닐디페닐설포늄 트리 플루오로메탄설포네이트, 4-t-부틸페닐디페닐설포늄 트리플루오로메탄설포네이트, 4-페닐티오페닐디페닐설포늄 헥사플루오로포스페이트, 4-페닐티오페닐디페닐설포늄 헥사플루오로안티모네이트, 1-(2-나프톨릴메틸)티올라늄 헥사플루오로안티모네이트, 1-(2-나프톨릴메틸)티올라늄 트리플루오로메탄설포네이트, 4-히드록시-1-나프틸디메틸설포늄 헥사플루오로안티모네이트, 4-히드록시-1-나프틸디메틸설포늄트리플루오로메탄설포네이트, 2-메틸-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2,4,6-트리스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-페닐-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-클로로페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3-5-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-메톡시-1-나프틸)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(벤조[d][1,3]디옥솔란-5-일)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(3,4,5-트리메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(3,4-디메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(2,4-디메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(2-메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-부톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-펜틸옥시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 1-벤조일-1-페닐메틸 p-톨루엔설포네이트(통상, '벤조인 토실레이트'라고 함), 2-벤조일-2-히드록시-2-페닐에틸 p-톨루엔설포네이트 (통상, 'α-메틸올벤조인 토실레이트'라고 함), 1,2,3-벤젠톨릴 트리메탄설포네이트,2,6-디니트로벤질 p-톨루엔설포네이트, 2-니트로벤질 p-톨루엔설포네이트,4-니트로벤질 p- 톨루엔설포네이트, 디페닐 디설폰, 디-p-톨릴 디설폰, 디스(페닐설포닐)디아조메탄, 비스(4-클로로페닐설포닐)디아조메탄, 비스(p-톨릴설포닐)디아조메탄, 비스(4-3급-부틸페닐설포닐)디아조메탄, 비스(2,4-크실릴설포닐)디아조메탄, 비스(시클로헥실설포닐)디아조메탄, (벤조일)(페닐설포닐)디아조메탄, N-(페닐설포닐옥시)석신이미드, N-(트리플루오로메틸설포닐옥시)석신이미드, N-(트리플루오로메틸설포닐옥시)프탈이미드, N-(트리프루오로메틸설포닐옥시)-5-노르보르넨-2,3-디카복시이미드, N-(트리플루오로메틸설포닐옥시)나프탈이미드, N-(10-캄포르설포닐옥시)나프탈이미드, 4-메톡시-α-[[[(4-메틸페닐)설포닐]옥시]이미노]벤젠아세토니트릴 등이 포함된다.
상기 (B)감광성 화합물은 조성물 총 중량에 대하여, 0.03 내지 1.75 중량%로 함유되는 것이 바람직하다. 상술한 범위를 만족하면, 감도, 해상도 및 프로파일 모양에 이점이 있다.
본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물에 포함되는 (C)용매는 하기 화학식 1로 표시되는 카르보네이트 화합물과 유기용매를 포함한다. 하기 화학식 1로 표시되는 카르보네이트 화합물이 상기 (C)용매 내에 포함되면, 주변의 온도 변화 및 장시간에 걸친 보존 안정성이 향상되는 이점이 있다.
<화학식 1>
Figure 112008065577473-PAT00003
상기 식에서, R1은 수소, 탄소수 1 내지 10의 직쇄 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 히드록시 알킬, 탄소수 3 내지 10의 분지쇄 알킬기, 탄소수 3 내지 10의 환식 알킬기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이다.
상기 유기용매는 상기 (A)알칼리 가용성 수지 및 (B)감광성 화합물을 용해시키고 적합한 건조 속도를 나타내며 용매 증발 후 균일하고 매끄러운 피막을 제공하는 것이라면, 특별히 한정하지 않는다. 상기 유기용매의 예로는 에틸셀로솔브 아세테이트, 메틸셀로솔브 아세테이트 및 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트와 같은 글리콜 에테르 에스테르; 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르와 같은 글리콜 에테르; 에틸 락테이트, 부틸 아세테이트, 아밀 아세테이트 및 에틸 피루베이트와 같은 에스테르; 아세톤, 메틸 이소부틸 케톤, 2-헵타논 및 시클로헥사논과 같은 케톤; γ-부티로락톤과 같은 시클릭 에스테르; 3-메톡시-1-부탄올 등과 같은 알코올 등을 들 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 카보네이트와 유기용매는 상기 (C)용매 내에 1:99 내지 10:90의 중량비로 포함되는 것이 바람직하다. 상술한 범위를 만족하면, 주변의 온도 변화 및 장시간에 걸친 보존 안정성의 향상되는 이점이 있다.
상기 (C)용매의 함량은 본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물이 용액 상태로 존재할 수 있고, 조성물 총 중량이 100중량%가 되도록 잔량이 포함되는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 포지티브 포토레지스트 조성물에는 필요에 따라 착색제, 염료, 가소제, 속도증진제, 계면활성제 등의 첨가제를 첨가할 수 있다. 이러한 첨가제를 함유한 포토레지스트 조성물을 기판에 피복함으로써 개별공정의 특성에 따른 성능향상을 도모할 수도 있다.
2. 포토레지스트 조성물을 이용한 패턴 형성 방법.
본 발명의 포토레지스트 조성물을 침지, 분무, 회전 및 스핀 코팅을 포함하는 통상적인 방법으로 기판에 도포할 수 있다. 예를 들면 스핀 코팅하는 경우 포토레지스트 용액의 고체함량을 스피닝 장치의 종류와 방법에 따라 적절히 변화시킴으로서 목적하는 두께의 피복물을 형성할 수 있다. 상기 기판으로는 실리콘, 알루미늄, 이산화 실리콘, 도핑된 이산화실리콘, 질화실리콘, 탄탈륨, 구리, 폴리실리콘, 세라믹, 알루미늄/구리 혼합물 및 각종 중합성 수지로 이루어진 것이 포함된다.
상기 코팅된 포토레지스트 조성물을 20℃ 내지 100℃의 온도로 소프트 베이크를 수행할 수 있다. 상기 소프트 베이크는 포토레지스트 조성물 중 고체 성분을 열분해시키지 않으면서, 용매를 증발시키기 위하여 수행하는 것이다. 일반적으 로 소프트 베이크 공정을 통하여 용매의 농도를 최소화하는 것이 바람직하며, 따라서 이러한 처리는 대부분의 용매가 증발되어 포토레지스트 조성물의 얇은 피복막이 기판에 남을 때까지 수행한다.
다음으로 포토레지스트막이 형성된 기판을 적당한 마스크 또는 형판 등을 사용하여 노광한다. 노광시, 파장 500nm 이하인 단파장의 고에너지선, X선 또는 전자선으로 노광하는 것이 바람직하다.
상기 노광된 포토레지스트막을 포함하는 기판을 알카리성 현상 수용액에 충분히 침지시킨 다음, 노광된 부위의 포토레지스트막이 전부 또는 거의 대부분 용해될 때까지 방치한다. 상기 알카리성 현상 수용액으로는 특별히 한정하지 않으나, 알카리 수산화물, 수산화암모늄 또는 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH)를 함유하는 수용액을 이용할 수 있다.
상기 노광된 부위가 용해되어 제거되어 포토레지스트 패턴이 형성된 기판을 현상액으로부터 꺼낸 후, 포토레지스트막의 접착성 및 내화학성을 증진시키는 하드 베이크 공정을 수행할 수 있다. 상기 하드베이크 공정은 바람직하게는 포토레지스트 막의 연화점 이하의 온도에서 이루어지며, 바람직하게는 약 100 내지 150℃의 온도에서 수행할 수 있다.
이어서, 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 기판을 식각용액을 이용한 습식식각 또는 기체플라즈마를 이용한 건식식각을 이용하여 식각한다. 이때, 포토레지스트 패턴의 하부에 위치한 기판은 보호된다. 이와 같이 기판을 처리한 후 적절한 스트리퍼로 포토레지스트 패턴을 제거함으로써 기판에 미세 회로 패턴을 형성한다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시한다. 그러나 하기의 실시예는 본 발명을 보다 쉽게 이해하기 위하여 제공되는 것일 뿐, 이에 의해 본 발명의 내용이 한정되는 것은 아니다.
비교예 1 내지 2 및 실시예 1 내지 5 : 포지티브 포토레지스트의 제조
표 1에 제시된 수지, 감광성 화합물 및 퀀쳐를 제시된 중량부(고형분으로 환산된 것)로 용매에 용해시키고, 교반시킨 후, 기공 직경이 0.1㎛인 필터로 여과시켜 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
수지(중량부) 광산발생제(중량부) 용매(중량부) 퀀쳐(중량부)
실시예 1 A-1 100 B-1 4 C-1/C-3 390+10=400 D-1 0.2
실시예 2 A-1 100 B-1 4 C-1/C-3 360+40=400 D-1 0.2
실시예 3 A-1 100 B-1 4 C-1/C-4 370+30=400 D-1 0.2
실시예 4 A-1 100 B-1 4 C-1/C-5 380+20=400 D-1 0.2
비교예 1 A-1 100 B-1 4 C-1 400 D-1 0.2
비교예 2 A-1 100 B-1 4 C-2 400 D-1 0.2
A-1: 히드록시스티렌의 하이드록시기에 대해 에톡시에틸기/아이소프로필기 보호기를 함유한 분자량 20,000, 분산도 1.7의 수지로 에톡시에틸기=0.30, 아이소프로필기=0.10
B-1: 비스(페닐설포닐)디아조메탄
C-1: 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트
C-2: 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르
C-3: 프로필렌 카르보네이트
C-4: 부틸렌 카르보네이트
C-5: 글리세린 카르보네이트
D-1: 디시클로헥실메틸아민
시험예 : 포토레지스트 조성물의 성능 테스트
상기에서 제조한 레지스트 용액을 각각 23℃, 40℃에 보관한 후 입도분석을 30일 간격으로 180일간 측정하여 표 2에 나타내었다. 여기서, 입자수는 0.3㎛ 이상의 것의 개수이다
또한 30일 간격으로 상기 제조한 레지스트 용액을 헥사메틸디실라잔으로 처리된 실리콘 웨이퍼에 스핀 피복기를 사용하여 도포하였고, 건조시킨 후의 막두께가 1.208㎛이었다. 레지스트 용액을 도포한 후, 100℃의 열판에서 60초 동안 예비 열처리를 수행하였다. 이와 같이 형성된 레지스트 필름을 갖는 웨이퍼를 노광 파장이 248㎚(KrF)인 스캔 방식 노광기['NSR-S203B', 제조원: Nikon Corp., NA = 0.68, σ=0.75]를 사용하여 노광량을 서서히 변화시키면서 노광시켜 라인 및 스페이스 패턴을 형성시켰다. 이어서, 열판에서, 노광 후 열처리를 110℃에서 60초 동안 수행하였다. 추가로, 2.38% 테트라메틸암모늄히드록사이드 수용액을 사용하여 60초 동안 패들 현상을 수행하였다. 현상 후의 패턴을 KLA 주사 전자 현미경을 사용하여 0.3㎛ 라인 및 스페이스 패턴에서 프로파일을 측정하였고, 결과는 표 2에 나타내었다.
0일 30일 60일 90일 120일 180일 프로파일
실시예 1 23℃ 78 75 63 58 53 45 ◎
40℃ 79 73 58 52 46 40 ◎
실시예 2 23℃ 87 80 71 59 50 43 ◎
40℃ 84 78 72 61 55 48 ◎
실시예 3 23℃ 73 63 55 48 45 41 ◎
40℃ 75 67 58 52 43 36 ◎
실시예 4 23℃ 68 62 57 43 35 29 ◎
40℃ 65 65 58 50 48 39 ◎
비교예 1 23℃ 72 61 55 47 45 44 ◎
40℃ 75 63 67 85 196 536 X
비교예 2 23℃ 76 62 51 34 30 28 ◎
40℃ 73 65 83 103 235 623 X
* 입도 단위 : 개/ml
표 2에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 카르보네이트류의 유기용매를 함유할 경우 온도 변화 및 장시간 보관에 따른 재석출에 의한 파티클 발생이 없어 입도 안정성을 지님을 알 수 있다.

Claims (5)

  1. (A)알칼리 가용성 수지;
    (B)감광성 화합물; 및
    (C)하기 화학식 1로 표시되는 카보네이트 화합물과 유기용매를 포함하는 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물:
    <화학식 1>
    Figure 112008065577473-PAT00004
    상기 식에서, R1은 수소, 탄소수 1 내지 10의 직쇄 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 히드록시 알킬, 탄소수 3 내지 10의 분지쇄 알킬기, 탄소수 3 내지 10의 환식 알킬기 또는 탄소수 6 내지 14의 아릴기이다.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 (A)알칼리 가용성 3 내지 25중량%,
    상기 (B)감광성 화합물 0.03 내지 1.75중량%; 및
    상기 (C)화학식 1로 표시되는 카보네이트 화합물과 유기용매를 포함하는 용매 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 카르보네이트 화합물과 유기용매는 상기 (C)용매 내에 1:99 내지 10:90의 중량비로 포함되는 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.
  4. 청구항 1의 기재에 따른 포토레지스트 조성물을 기판 상에 도포하고, 선택적으로 노광하고, 노광후굽기하고, 알칼리 현상액으로 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 포지티브 레지스트 패턴 형성방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 선택적으로 노광하는 것은,
    파장 500nm 이하의 고에너지선, X선 또는 전자선으로 노광하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴형성방법.
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