JP2017142983A - 絶縁ブスバー、絶縁ブスバーの製造方法及び電子機器 - Google Patents
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- 238000009413 insulation Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 123
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 145
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 20
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012789 electroconductive film Substances 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B7/00—Insulated conductors or cables characterised by their form
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- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
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- H01B13/06—Insulating conductors or cables
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- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B7/00—Insulated conductors or cables characterised by their form
- H01B7/02—Disposition of insulation
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/60—Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02G—INSTALLATION OF ELECTRIC CABLES OR LINES, OR OF COMBINED OPTICAL AND ELECTRIC CABLES OR LINES
- H02G5/00—Installations of bus-bars
- H02G5/005—Laminated bus-bars
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
- H01L2924/13092—Dual Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [DGMOSFET]
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
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Abstract
【解決手段】絶縁ブスバー1は、板状の導体2,3と、導体2,3を覆う絶縁膜4a,4b,5a,5bとを有する。さらに、絶縁ブスバー1は、導体2,3と接触するように絶縁膜4a,4b,5a,5bの内側の面に形成され、導体2,3の端部2c,2d,3c,3dと絶縁膜4a,4b,5a,5bとの間の空隙7a,7b,8a,8bを覆う導電性膜9a〜9d,10a〜10dを有する。
【選択図】図1
Description
図1は、本実施の形態の絶縁ブスバーの一例を示す断面図である。
また、図2は、本実施の形態の絶縁ブスバーの一例を示す平面図である。なお、図1は、図2のA−A線での断面を示している。
導体2は、上面2aと下面2b及び端部2c,2dが絶縁膜4a,4bで覆われている。導体3についても同様に、上面3aと下面3b及び端部3c,3dが絶縁膜5a,5bで覆われている。
本実施の形態の絶縁ブスバー1は、さらに、以下のような導電性膜を有している。
図3は、空隙を覆う導電性膜を有さない絶縁ブスバーの一部を等価回路で示した図である。なお、以下では説明を簡単にするため、接着層における抵抗及びキャパシタについては考慮しない。
一方、図1に示したような空隙7aは、図3では、抵抗R4と抵抗R4に並列に接続されたキャパシタC4で示されている。また、図1に示したような空隙8aは、図3では、抵抗R5と抵抗R5に並列に接続されたキャパシタC5で示されている。
キャパシタC4,C5のキャパシタンスは、キャパシタC1〜C3のキャパシタンスよりも大きい。また、抵抗R4,R5の抵抗値は、空隙7a,8aにおける空気の抵抗値である。
図1に示したような導電性膜9a〜9d,10a〜10dを設けると、図3に示すように、直列に接続された抵抗R1と抵抗R4の間のノードが導体2と電気的に接続されることになる。また、直列に接続された抵抗R3と抵抗R5の間のノードが導体3と電気的に接続されることになる。これにより、抵抗R4,R5とキャパシタC4,C5は、ないものとみなせる。このため、空隙7a,8aでの電界集中を緩和でき、部分放電の発生を抑制できる。同様に、空隙7b,8bでの電界集中についても緩和でき、部分放電の発生を抑制できる。
また、高耐電圧化を実現するために導体2,3間の絶縁材料(たとえば、図1の絶縁板6)の厚さを増加させることもないため、低インダクタンス特性を損なうこともない。逆にいうと、本実施の形態の絶縁ブスバー1は耐電圧性能が高いため、導体2,3の間の絶縁材料の厚さをより薄くでき、インダクタンスをより小さくすることもできる。このため、絶縁ブスバー1の小型化が期待できる。
絶縁ブスバー20は、板状の複数の導体21,22を有している。導体21は、上面21aと下面21b及び端部21cが絶縁膜23a,23bで覆われている。導体22についても同様に、上面22aと下面22b及び端部22cが絶縁膜24a,24bで覆われている。絶縁膜23a,23b,24a,24bで覆われた導体21,22は、絶縁板25を介して積層されている。
(絶縁ブスバーの製造方法例)
図6乃至図10は、絶縁ブスバーの製造方法の一例を示す斜視図である。
絶縁膜30上に予め接着層が形成されていない場合には、図7に示すように、接着層32が、絶縁膜30上と、導電性膜31の端部とを覆うように形成される。図7の例では、X方向に長さd1で形成されている導電性膜31の2辺(Y方向に伸びる2辺)において、導電性膜31の端部が一部覆われるように接着層32が形成されている。これによって、導電性膜31が、X方向に長さdだけ露出している。このような接着層32は、マスクを用いて形成される。
ところで、図7に示されている導電性膜31が露出している領域において、後の工程で絶縁膜30上に配置される板状の導体の端部に垂直な方向の辺の長さdは、その導体の厚さtに基づいて決定される。厚さtによって、発生する空隙の大きさが変わるためである。厚さtが大きくなるほど、発生する空隙の大きさは大きくなる。
以後の工程については図示を省略するが、図10に示したような構造が、複数、絶縁板(厚さ数mm程度の樹脂やセラミックスなど)を介して接着剤を用いて接着され、積層構造をもつ絶縁ブスバーが形成される(前述の図1参照)。
図11に示すように、導体33の端部33aと絶縁膜30,34との間には空隙35が形成されている。導体33の端部33aと、導電性膜31,36との間の角度θ1,θ2は、製造条件にもよるが、たとえば、30°から70°の範囲となる。
これによって、空隙35は、同電位の導体33と導電性膜31,36で覆われることになる。これにより、空隙35内の電界強度を低減することができ、部分放電の発生を抑制できる。このため、高耐電圧な絶縁ブスバーの製造が可能となる。
図12は、絶縁ブスバーを用いた電子機器の一部の一例を示す断面図である。図1に示した要素と同じ要素については同一符号が付されている。
電子機器40は、絶縁ブスバー1と、半導体素子41を有している。たとえば、半導体素子41は、パワーMOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)や、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)などのパワー半導体である。
絶縁ブスバー1には、貫通端子42,43が形成されており、貫通端子42は、下層の導体2と電気的に接続されており、貫通端子43は上層の導体3と電気的に接続されている。
このような電子機器40において、絶縁ブスバー1は、前述したように、空隙7a,7b,8a,8bでの部分放電の発生を抑制できる。このため、より高耐電圧の電子機器40を提供できる。
図13は、絶縁ブスバーの変形例を示す断面図である。図5と同じ要素については同一符号が付されている。
以上、実施の形態に基づき、本発明の絶縁ブスバー、絶縁ブスバーの製造方法及び電子機器の一観点について説明してきたが、これらは一例にすぎず、上記の記載に限定されるものではない。
2,3 導体
4a,4b,5a,5b 絶縁膜
6 絶縁板
7a,7b,8a,8b 空隙
9a〜9d,10a〜10d 導電性膜
Claims (9)
- 板状の導体と、
前記導体を覆う絶縁膜と、
前記導体と接触するように前記絶縁膜の内側の面に形成され、前記導体の端部と前記絶縁膜との間の空隙を覆う導電性膜と、
を有することを特徴とする絶縁ブスバー。 - 前記絶縁膜で覆われた前記導体が、絶縁板を介して複数積層されており、
複数積層された前記導体のうち、少なくとも2つは互いに異なる電位となる、ことを特徴とする請求項1に記載の絶縁ブスバー。 - 前記絶縁板の端部より内側に位置する前記空隙が、前記導電性膜で覆われていることを特徴とする請求項2に記載の絶縁ブスバー。
- 第1の絶縁膜の一方の面の一部に第1の導電性膜を形成し、
第2の絶縁膜の一方の面の一部に第2の導電性膜を形成し、
接着剤により前記第1の絶縁膜上に板状の導体を、前記第1の導電性膜に接触するように貼り付け、
前記接着剤により前記導体上に前記第2の絶縁膜を、前記第2の導電性膜が前記導体に接触するように貼り付け、
前記導体の端部と前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜との間の空隙が、前記第1の導電性膜及び前記第2の導電性膜で覆われるように、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜とを貼り合わせる、
ことを特徴とする絶縁ブスバーの製造方法。 - 前記第1の導電性膜または前記第2の導電性膜において、前記導体の前記端部に垂直な方向の辺の長さは、前記導体の厚さに基づいて決定される、ことを特徴とする請求項4に記載の絶縁ブスバーの製造方法。
- 前記辺の長さは、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜とを貼り合わせる際に生じる、前記第1の導電性膜または前記第2の導電性膜と、前記導体の前記端部との間の角度に基づいて決定される、ことを特徴とする請求項5に記載の絶縁ブスバーの製造方法。
- 前記辺の長さは、さらに、前記第1の導電性膜または前記第2の導電性膜が前記導体と接する部分と、前記第1の導電性膜と前記第2の導電性膜とが接する部分の、前記導体の前記端部に垂直な方向の長さに基づいて決定される、ことを特徴とする請求項5または6に記載の絶縁ブスバーの製造方法。
- 前記第1の導電性膜または前記第2の導電性膜の少なくとも1辺は、前記接着剤によって少なくとも一部が覆われている、ことを特徴とする請求項4乃至7の何れか一項に記載の絶縁ブスバーの製造方法。
- 板状の導体と、前記導体を覆う絶縁膜と、前記導体と接触するように前記絶縁膜の内側の面に形成され、前記導体の端部と前記絶縁膜との間の空隙を覆う導電性膜と、を備えた絶縁ブスバーと、
前記導体と貫通端子を介して電気的に接続された端子を備えた半導体素子と、
を有することを特徴とする電子機器。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016023691A JP6682894B2 (ja) | 2016-02-10 | 2016-02-10 | 絶縁ブスバー、絶縁ブスバーの製造方法及び電子機器 |
DE102016226231.9A DE102016226231A1 (de) | 2016-02-10 | 2016-12-27 | Isolierte sammelschiene, verfahren zum herstellen einer isolierten sammelschiene und elektronisches gerät |
CN201611243225.5A CN107068251B (zh) | 2016-02-10 | 2016-12-29 | 绝缘母线、绝缘母线的制造方法及电子设备 |
US15/402,314 US10186475B2 (en) | 2016-02-10 | 2017-01-10 | Insulated busbar, insulated busbar fabrication method, and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016023691A JP6682894B2 (ja) | 2016-02-10 | 2016-02-10 | 絶縁ブスバー、絶縁ブスバーの製造方法及び電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017142983A true JP2017142983A (ja) | 2017-08-17 |
JP6682894B2 JP6682894B2 (ja) | 2020-04-15 |
Family
ID=59382552
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016023691A Expired - Fee Related JP6682894B2 (ja) | 2016-02-10 | 2016-02-10 | 絶縁ブスバー、絶縁ブスバーの製造方法及び電子機器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10186475B2 (ja) |
JP (1) | JP6682894B2 (ja) |
CN (1) | CN107068251B (ja) |
DE (1) | DE102016226231A1 (ja) |
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-
2016
- 2016-02-10 JP JP2016023691A patent/JP6682894B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-12-27 DE DE102016226231.9A patent/DE102016226231A1/de not_active Withdrawn
- 2016-12-29 CN CN201611243225.5A patent/CN107068251B/zh active Active
-
2017
- 2017-01-10 US US15/402,314 patent/US10186475B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102016226231A1 (de) | 2017-08-10 |
JP6682894B2 (ja) | 2020-04-15 |
US10186475B2 (en) | 2019-01-22 |
CN107068251B (zh) | 2020-10-30 |
CN107068251A (zh) | 2017-08-18 |
US20170229379A1 (en) | 2017-08-10 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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