JP2017123453A - チップ抵抗素子 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、チップ抵抗素子に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態は、互いに反対に位置した第１及び第２面を有する絶縁基板と、上記絶縁基板の第１面に配置された抵抗層と、上記絶縁基板の第１面の両側にそれぞれ配置され、上記抵抗層に連結された第１及び第２内部電極と、上記抵抗層を覆い、上記第１及び第２内部電極の一部に延びた抵抗保護層と、上記抵抗保護層の一部と重なるように上記第１及び第２内部電極上にそれぞれ配置され、ＣｕＮｉ合金粉末と樹脂を含む電極保護層と、上記電極保護層を覆うように上記第１及び第２内部電極上に配置され、上記抵抗保護層に連結される第１及び第２外部電極と、を含む、チップ抵抗素子を提供する。
【選択図】図１

Description

本発明は、チップ抵抗素子に関する。

通常、チップ抵抗素子は、外部環境で長期間用いられる場合、内部電極などの要所で不所望の反応が起こって、素子の信頼性が低下したり、性能を喪失したりすることがある。例えば、内部電極に通常的に用いられる銀（Ａｇ）などの金属は硫化しやすいため、不利な反応物（例えば、Ａｇ_２Ｓ）を形成し、さらには断線を起こす恐れがある。

従来は、このような問題を解決するために、内部電極の代替や内部電極保護層の導入などの方法が提案されていたが、これらは、優れた伝導性を確保しにくいだけでなく、メッキ性が不良となって外部電極のためのメッキ層が形成されにくいという問題や、下部構造との接着力が弱くなって剥離されてしまうという問題があった。

特開２００４−２５９８６４号公報

本発明の一実施形態の目的は、メッキ性に優れており、下部構造との接着力が強い電極保護層を有するチップ抵抗素子を提供することにある。

本発明の一実施形態は、互いに反対に位置した第１及び第２面を有する絶縁基板と、上記絶縁基板の第１面に配置された抵抗層と、上記絶縁基板の第１面の両側にそれぞれ配置され、上記抵抗層に連結された第１及び第２内部電極と、上記抵抗層を覆い、上記第１及び第２内部電極の一部に延びた抵抗保護層と、上記抵抗保護層の一部と重なるように上記第１及び第２内部電極上にそれぞれ配置され、ＣｕＮｉ合金粉末と樹脂を含む電極保護層と、上記電極保護層を覆うように上記第１及び第２内部電極上に配置され、上記抵抗保護層に連結される第１及び第２外部電極と、を含むチップ抵抗素子を提供する。

一例において、上記ＣｕＮｉ合金粉末のＮｉ重量比が２０ｗｔ％以上であることができる。

一例において、上記ＣｕＮｉ合金粉末は、上記電極保護層の全体重量を基準として８０〜９５ｗｔ％で含まれることができる。

一例において、上記ＣｕＮｉ合金粉末の平均粒度（ｄ５０）は２μｍ〜３０μｍの範囲であることができる。

一例において、上記電極保護層はカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）をさらに含むことができる。例えば、上記カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）は０．２〜１．５ｗｔ％で含まれることができる。上記カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）は、５μｍ〜２０μｍの範囲の長さ及び３ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の直径を有することができる。

本発明の一実施形態は、複数の電極パッドを有する回路基板と、上記回路基板に配置されたチップ抵抗素子と、を含み、上記チップ抵抗素子は、互いに反対に位置した第１及び第２面を有する絶縁基板と、上記絶縁基板の第１面に配置された抵抗層と、上記絶縁基板の第１面の両側にそれぞれ配置され、上記抵抗層に連結された第１及び第２内部電極と、上記抵抗層を覆い、上記第１及び第２内部電極の一部に延びた抵抗保護層と、上記抵抗保護層の一部と重なるように上記第１及び第２内部電極上にそれぞれ配置され、ＣｕＮｉ合金粉末と樹脂を含む電極保護層と、上記電極保護層を覆うように上記第１及び第２内部電極上に配置され、上記抵抗保護層に連結される第１及び第２外部電極と、を含み、上記チップ抵抗素子の第１及び第２外部電極は、ボンディングメタルを介して上記複数の電極パッドに電気的に連結される、チップ抵抗素子アセンブリーを提供する。

本実施形態によると、樹脂含量比が異なる多層電極保護構造を導入することで、下部に位置した抵抗保護層からの剥離を防止するとともに、外部電極のためのメッキ層を容易に形成することができる。

本発明の一実施形態によるチップ抵抗素子を示す側断面図である。 図１に図示されたチップ抵抗素子を示す上部平面図である。 図１に図示された抵抗素子が実装基板に搭載された抵抗素子アセンブリーを示す斜視図である。 本発明の一実施形態によるチップ抵抗素子を示す側断面図である。 図４に図示されたチップ抵抗素子を示す上部平面図である。 （ａ）は、本発明による実施例１によるチップ抵抗素子の耐硫化特性テスト後の断面状態を撮影した写真であり、（ｂ）は、比較例によるチップ抵抗素子の耐硫化特性テスト後の断面状態を撮影した写真である。 本発明による実施例２（合金比率の変化）によるチップ抵抗素子の耐硫化特性を比較するグラフである。 本発明による実施例２（ＣＮＴ追加量の変化）によるチップ抵抗素子の耐硫化特性を比較するグラフである。 本発明の一実施形態によるチップ抵抗素子を示す斜視図である。 図９に図示されたチップ抵抗素子を示す側断面図である。

以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。

図１は本発明の一実施形態によるチップ抵抗素子を示す斜視図であり、図１は図２に図示された抵抗素子のＩ‐Ｉ´線に沿って切開して見た側断面図である。

図１及び図２を参照すると、本実施形態によるチップ抵抗素子１０は、絶縁基板１１と、抵抗層１５と、第１及び第２内部電極１２、１３と、第１及び第２外部電極１８、１９と、を含む。上記チップ抵抗素子１０は、上記抵抗層１５を保護するための抵抗保護層１６と、上記第１及び第２内部電極１２、１３を保護するための電極保護層１７と、をさらに含む。

上記絶縁基板１１はその一面に配置された抵抗層１５を含む。上記絶縁基板１１は、比較的薄い抵抗層１５を支持し、チップ抵抗素子１０の耐久性を確保することができる。上記絶縁基板１１は熱伝導度に優れた材質からなることができる。上記絶縁基板１１は、使用時に抵抗層１５で生成された熱を外部に効果的に放出させることができる。例えば、上記絶縁基板１１はアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）などのセラミックまたはポリマー基材であることができる。特定例において、上記絶縁基板１１は、薄い板状のアルミニウムの表面をアノダイジング（ａｎｏｄｉｚｉｎｇ）処理することで得られたアルミナ基板であることができる。

上記第１及び第２内部電極１２、１３は上記絶縁基板１１の両側に配置される。上記抵抗層１５は、上記第１及び第２内部電極１２、１３に連結されるように上記絶縁基板１１の一面に配置される。上記抵抗層１５としては、種々の金属または合金や、酸化物などの化合物が用いられることができる。例えば、ＣｕＮｉ合金、ＮｉＣｒ合金、Ｒｕ酸化物、Ｓｉ酸化物、Ｍｎ及びＭｎ系合金の少なくとも一つを含むことができる。上記抵抗層１５は、ペーストに製造されて所望の領域に印刷されることができる。

上記第１及び第２内部電極１２、１３は、上記抵抗層１５に連結され、上記絶縁基板１１の上面（「第１面」ともいう）に配置された上面電極１２ａ、１３ａを含む。上記第１及び第２内部電極１２、１３は、上面電極１２ａ、１３ａの他にも、外部電極１８、１９が形成される領域にさらに形成されることができる。本実施形態のように、上記第１及び第２内部電極１２、１３は、上記絶縁基板１１の両側面に配置された側面電極１２ｂ、１３ｂを含むことができる。図１に示すように、上記側面電極１２ｂ、１３ｂは、上記絶縁基板１１の第１面の反対に位置した第２面まで延びることができる。

上記第１及び第２内部電極１２、１３は、導電性ペーストを用いた印刷工程（印刷後焼成）または蒸着工程により形成されることができる。上記第１及び第２内部電極１２、１３は、それぞれ第１及び第２外部電極１８、１９のためのメッキ工程でシード（ｓｅｅｄ）として用いられることができる。例えば、上記第１及び第２内部電極１２、１３は、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）の少なくとも一つを含むことができる。上記内部電極１２、１３は、その形成位置に応じて異なる物質で形成されることができる。例えば、上記上面電極１２ａ、１３ａは、上記抵抗層１５と直接連結されるため、高い伝導性を確保するためにＡｇなどの高い伝導性を有する成分を含有し、上記側面電極１２ｂ、１３ｂは、ＮｉまたはＰｄなどの成分を含有することができる。

上記抵抗保護層１６は、図２に示すように上記抵抗層１５を覆うように配置され、上記抵抗層１５を外部の衝撃から保護することができる。例えば、上記抵抗保護層１６は、シリコン（ＳｉＯ_２）やガラス（ｇｌａｓｓ）またはポリマーを含むことができる。本実施形態において、上記抵抗保護層１６は２層構造からなり、上記抵抗層１５上に順に積層された第１抵抗保護層１６ａと第２抵抗保護層１６ｂを含む。上記第１抵抗保護層１６ａは、トリミング（ｔｒｉｍｍｉｎｇ）工程前に配置され、トリミング過程でレーザーなどによって不所望の領域が損傷することを防止することができる。上記第２抵抗保護層１６ｂは、トリミング工程後に配置され、使用過程で外部衝撃から上記抵抗層１５を保護することができる。例えば、上記第１抵抗保護層１６ａはガラス系物質を含み、上記第２抵抗保護層１６ｂはポリマーの樹脂（ｒｅｓｉｎ）を含有することができる。

図１及び図２に示すように、上記電極保護層１７は、上記抵抗保護層１６の一部と重なるように上記第１及び第２内部電極１２、１３上にそれぞれ配置されることができる。上記電極保護層１７は、上記第１及び第２内部電極１２、１３を外部への露出による損傷から保護する役割を担う。例えば、上記第１及び第２内部電極１２、１３のうち上面電極１２ａ、１３ａはＡｇを含有することができるが、これにより、外部大気中の硫黄成分に接触されてＡｇ_２Ｓなどの硫化物が形成されやすく、深刻な断線不良が発生し得る。

本実施形態で採用された電極保護層１７は、ＣｕＮｉ合金粉末と、ＣｕＮｉ合金粉末が分散された樹脂と、を含む。上記電極保護層１７に採用される樹脂は、これに限定されるものではないが、エポキシ、シリコン樹脂、またはその組み合わせであることができる。上記電極保護層１７に採用される導電性粉末は、硫黄との反応性が低いニッケル（Ｎｉ）を含有することができる。例えば、上記ＣｕＮｉ合金粉末のＮｉ重量比が２０ｗｔ％以上であることができる。このような合金粉末により、十分な耐硫化特性を確保することができる。電極保護層１７の伝導性を十分に確保するために、上記Ｎｉ重量比は８０ｗｔ％以下であることができる。特定例において、上記Ｎｉ重量比は４０〜７５ｗｔ％以下であることができる。

下部層との密着力とメッキ性を考慮して、上記ＣｕＮｉ合金粉末は、上記電極保護層１７の全体重量を基準として８０〜９５ｗｔ％で含まれることができる。例えば、電極保護層のためのペーストは、ＣｕＮｉ合金粉末７０〜８０ｗｔ％、樹脂５〜１０ｗｔ％、溶媒１０〜１５ｗｔ％を含んで製造されることができる

上記ＣｕＮｉ合金粉末の含量だけでなく、その粒度も第１及び第２外部電極１８、１９のためのメッキ性に影響を与える。例えば、上記ＣｕＮｉ合金粉末は２μｍ〜３０μｍの範囲の平均粒度（ｄ５０）を有することができる。特定例では、平均粒度（ｄ５０）が２μｍ〜１０μｍの範囲であることができる。

上記電極保護層１７は、電極の一部として十分な伝導性を有するだけでなく、その下部に位置した層（すなわち、内部電極１２、１３と抵抗保護層１６）との強固な結合と、その上部に第１及び第２外部電極１８、１９を形成するために、メッキ性に優れた表面を提供することができる。

上記電極保護層１７は、樹脂を母材（ｍａｔｒｉｘ）として含有し、且つ抵抗保護層１６の一部と重なるように配置されるため、上記電極保護層１７と抵抗保護層１６との界面付近Ａへの浸透経路を遮断することで、上記第１及び第２内部電極１２、１３を効果的に保護することができる。本実施形態において、上記電極保護層１７は、上記第２抵抗保護層１６ｂの樹脂と同一の樹脂を含むことができる。

本実施形態で採用された電極保護層１７はＣｕＮｉ合金粉末を含有することで、メッキ性（例えば、ニッケルメッキ）を向上させることができる。さらに、上述のようにＣｕＮｉ合金粉末の含量及び／または粒度を調節することで、電極保護層１７の表面における第１及び第２外部電極１８、１９のためのメッキ工程をさらに円滑に行うことができる。

図３は図１に図示された抵抗素子が実装基板に搭載された抵抗素子アセンブリーを示す斜視図である。

図３を参照すると、本実施形態によるチップ抵抗素子アセンブリー１００は、図１に図示されたチップ抵抗素子１０と、上記チップ抵抗素子１０が実装された回路基板１１０と、を含む。

上記回路基板１１０は、素子実装領域に第１及び第２電極パッド１１８、１１９を含む。上記第１及び第２電極パッド１１８、１１９は、上記回路基板１１０に具現された回路パターンに連結され、素子の実装のために提供されるランドパターンを指す。上記第１及び第２外部電極１８、１９は半田１２０を介して第１及び第２電極パッド１１８、１１９に連結されることができる。

図３に示すように、上記チップ抵抗素子１０は、抵抗層１５が形成された面（ここでは、抵抗保護層１６で表示されている）が上部に向くように実装されることができる。この場合、外部の大気に露出されやすいため内部電極が硫化しやすいが、上述のように、ＣｕＮｉ粉末が含有された電極保護層１７を採用して、耐硫化特性とともにメッキ性を確保することにより、優れたチップ抵抗素子及びアセンブリー製品を提供することができる。

図４は本発明の一実施形態によるチップ抵抗素子を示す側断面図である。

図４に図示されたチップ抵抗素子１０Ａは、電極保護層１７´の構成、トリミング工程の適用有無、及び内部電極１２´の形成方法のみが異なって、それ以外は図１及び図２に図示されたチップ抵抗素子１０と類似すると理解することができる。本実施形態の構成要素は、特に反対される説明がない限り、図１及び図２に図示されたチップ抵抗素子１０の同一または類似の構成要素についての説明を参照して理解されることができる。

上記電極保護層１７´は、樹脂Ｅと、上記樹脂Ｅに含有されたＣｕＮｉ合金粉末Ｐと、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）と、を含むことができる。

本実施形態では、ＣｕＮｉ合金粉末Ｐとともにカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を用いることにより、十分な伝導性を確保することができる。上記ＣｕＮｉ合金粉末Ｐは、上記電極保護層１７´の全体重量を基準として８０〜９５ｗｔ％で含まれることができ、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）がさらに含まれることができる。例えば、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）の含量は、全体重量を基準として０．２〜１．５ｗｔ％であることができる。上述のように、上記電極保護層１７´は、ペーストを製造した後印刷することで形成されることができる。このような作業性を考慮して、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）の長さは５μｍ〜２０μｍの範囲であり（であるか）、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）の直径は３ｎｍ〜２０ｎｍの範囲であることができる。

上記電極保護層１７´に採用される樹脂は、これに限定されるものではないが、エポキシ、シリコン樹脂、またはその組み合わせであることができる。

このように、ＣｕＮｉ合金粉末を用いて電極保護層を提供することができ、その含量及び粒度だけでなく、他の粉末（例えば、カーボンナノチューブ）との組み合わせにより、所望の特性（例えば、伝導性）を選択的に強化させることができる。

本実施形態で採用された第１及び第２内部電極１２´、１３´は、上述の実施形態と異なる工程により形成されることができる。第１及び第２内部電極１２´、１３´において、上面電極１２ａ、１３ａは、上述の実施形態と類似して、抵抗層１５´に連結されるように上記絶縁基板１１の第１面に配置される。しかし、上述の実施形態と異なって、側面電極１２ｂ´、１３ｂ´は、上記絶縁基板１１の側面だけでなく、上記電極保護層１７´の側面にも提供されることができる。これは、電極保護層１７´が形成された後に側面電極１２ｂ´、１３ｂ´が形成されるためである。これに限定されないが、図４に示すように、上記側面電極１２ｂ´、１３ｂ´は、上記絶縁基板１１の第１面の反対に位置した第２面まで延びることができる。

上記抵抗層１５´は部分的に除去された部分Ｔを含むことができる。これは、抵抗値を高精度に調整するためにトリミングした結果である。ここで、「トリミング」とは、上記抵抗層１５´を形成した後、回路設計に必要な抵抗値を得るための微細切断（ｃｕｔｔｉｎｇ）などのような部分的除去工程を意味する。

図５に示すように、抵抗層１５´上に第１抵抗保護層１６ａ´を形成した後、所望の抵抗値を得るためのトリミング工程を行うことができる。上記第１抵抗保護層１６ａ´はガラス系物質を含み、トリミング過程でレーザーなどによって不所望の領域が損傷することを防止することができる。トリミング過程で、図５に示すように、部分的に除去されて所望の抵抗値を有することができる。次いで、上記第２抵抗保護層１６ｂ´が上記第１抵抗保護層１６ａ´上に配置され、トリミング過程で露出された抵抗層１５´も覆って保護することができる。上記第２抵抗保護層１６ｂ´はポリマーの樹脂を含有することができる。上記第２抵抗保護層１６ｂ´の樹脂は、上記電極保護層１７´の樹脂Ｅと同一の樹脂を含むことができる。

本発明の具体的な実施形態による作用と効果を確認するために、下記のようにテストを行った。

実施例１
図１と類似のチップ抵抗素子に第１及び第２電極保護層を本発明の条件にしたがって製造した。

先ず、Ａｇを主成分とするペーストを用いて上面電極を形成した。電極保護層は、８５．５ｗｔ％のＣｕＮｉ合金粉末（重量比５５：４５）、１９ｗｔ％のエポキシ樹脂、及び１ｗｔ％のカーボンナノチューブを溶媒と混合したペーストを用いて形成した。上記ペーストにおいて、カーボンナノチューブとしては約８ｎｍの直径及び１０〜１５μｍの長さを有する製品を用いた。次いで、上記上面電極上にＮｉメッキ及びＳｎメッキを連続して施すことで外部電極を形成した。

比較例
電極保護層を形成せずに、Ｎｉメッキ及びＳｎメッキを連続して施すことで外部電極を形成したことを除き、実施例１と同様の方法によりチップ抵抗素子を製造した。

耐硫化特性の評価テスト（ＦｏＳ）
実施例１及び比較例によるチップ抵抗素子に対して、ＩＢＭより提案されたＦｏｓテストを行った。具体的に、１０５℃に維持されたオーブンにガラスデシケーター（ｇｌａｓｓ ｄｅｓｉｃｃａｔｏｒ）を入れ、その内部に所定の固体硫黄（Ｓ_８）とともに実施例１及び比較例によるチップ抵抗素子を投入し、初期抵抗値に対する抵抗率の経時変化を測定した。

その結果、実施例１によるチップ抵抗素子は、１０００時間露出した後にも抵抗値の変化率が０．５％以下であって、優れた安定性を示すのに対し、比較例によるチップ抵抗素子は、４８０時間後に抵抗値の変化率が３０％以上であって、深刻な不良が発生した。

図６の（ａ）及び（ｂ）から確認できるように、実施例１によるチップ抵抗素子（図６（ａ）参照）の場合、外部電極と抵抗保護層との界面で電極保護層１７が安定して密着された状態が維持されているのに対し、比較例によるチップ抵抗素子（図６（ｂ）参照）の場合、外部電極と抵抗保護層との界面でＡｇ_２Ｓの硫化物が形成されたことを確認することができる。このような硫化物は、外部電極と抵抗保護層との間の密着力が低いため、その空間の間に硫黄成分が浸透して上面電極の銀成分と反応した結果物であると理解することができる。

実施例２：ＣｕＮｉ合金の評価
本実施形態で有益に採用されることができるＣｕＮｉ合金に対して評価を行った。Ｃｕ／Ｎｉの比率（Ｎｉ含量：０ｗｔ％、２０ｗｔ％、４５ｗｔ％、８０ｗｔ％、１００ｗｔ％）を異ならせて、それぞれのサンプルのための合金粉末の耐硫化特性と比抵抗値を測定した。本実験では、上記条件による合金粉末をエポキシ樹脂１０ｗｔ％とともに９０ｗｔ％混合して電極保護層サンプルを製造した。

先ず、それぞれのサンプルに対して、合金比率によるＦｏＳテストを行った。テスト方法は、上述の方法と同様の方法により行った。さらに、カーボンナノチューブの添加量による各サンプルの比抵抗値の変化をともに測定した。

その結果を表１と、図７及び図８のグラフに示した。表１においてＦｏＳの評価結果は、比抵抗値の変化率が±１％以下に維持された最大時間を記載した。

表１と図７を参照すると、ＦｏＳ最大維持時間が、サンプルａは１５時間に過ぎなかったが、ニッケルを含有する場合に増加し、ニッケルの含量が４５ｗｔ％以上である場合には１０００時間以上となって、耐硫化特性が強化されたことを確認することができる。

このように耐硫化特性の点で、ＣｕＮｉ合金のＮｉ重量比を２０ｗｔ％以上、さらには４０ｗｔ％以上にすることができる。但し、Ｎｉ重量比が増加すると比抵抗が高くなるため、高いＮｉ重量比を有する合金の場合、カーボンナノチューブを適宜混合することができる。

表１と図８を参照すると、カーボンナノチューブの添加量を増加させることにより、全体比抵抗が大きく減少することを確認することができる。特に、ニッケルの重量比が８０ｗｔ％以上であるＣｕＮｉ合金粉末の場合にも、カーボンナノチューブと混合することで比抵抗を大きく減少させることができる。必要に応じて、ペーストの作業性のために、カーボンナノチューブの添加量を１．５ｗｔ％以下、さらには１．０ｗｔ％以下に調節することができる。

本実施形態によるチップ抵抗素子に採用される多層電極保護層の構造は、様々なタイプのチップ抵抗素子にも有益に適用されることができる。例えば、アレイタイプのチップ抵抗素子はもちろん、多端子（例えば、３端子）のチップ抵抗素子にも有益に適用されることができる。

図９は本発明の一実施形態（アレイタイプ）によるチップ抵抗素子を示す斜視図であり、図１０は図９に図示されたチップ抵抗素子を示す側断面図である。

図９を参照すると、本実施形態によるチップ抵抗素子５０は、５個の抵抗部が所定の間隔Ｄで配列された絶縁基板５１を含む。

上記チップ抵抗素子５０のそれぞれの抵抗部は、図１０に示すように、抵抗層５５と、第１及び第２内部電極５２、５３と、第１及び第２外部電極５８、５９と、抵抗保護層５６と、電極保護層５７と、を含む。本実施形態の構成要素は、特に反対される説明がない限り、図４及び図５に図示されたチップ抵抗素子１０Ａの類似の構成要素についての説明を参照して理解されることができる。

上記絶縁基板５１の上面（または第１面）には、５個の抵抗層５５が所定の間隔で配置されることができる。それぞれの抵抗層５５に上記第１及び第２内部電極５２、５３は上記絶縁基板５１の両側に配置される。上記第１及び第２内部電極５２、５３は、上記抵抗層５５に連結され、上記絶縁基板５１の上面に配置された上面電極５２ａ、５３ａと、上記絶縁基板５１の両側面に配置された側面電極５２ｂ、５３ｂと、を含むことができる。図１０に示すように、上記側面電極５２ｂ、５３ｂは上記絶縁基板５１の下面まで延びることができる。

上記抵抗保護層５６は、上記抵抗層５５を覆うように配置されており、第１抵抗保護層５６ａと第２抵抗保護層５６ｂを含む。上記第１抵抗保護層５６ａはトリミング工程前に形成され、トリミング工程後に上記第２抵抗保護層５６ｂが形成されることができる。

上記電極保護層５７は、図１０に示すように、上記抵抗保護層５６の一部と重なるように上記第１及び第２内部電極５２、５３上にそれぞれ配置されることができる。

本実施形態で採用された電極保護層５７は、ＣｕＮｉ合金粉末と、ＣｕＮｉ合金粉末が分散された樹脂と、を含む。例えば、上記ＣｕＮｉ合金粉末のＮｉ重量比が２０ｗｔ％以上であることができる。このような合金粉末により、十分な耐硫化特性を確保することができる。電極保護層５７の伝導性を十分に確保するために、上記Ｎｉ重量比は８０ｗｔ％以下であることができる。下部層との密着力及びメッキ性を考慮して、上記ＣｕＮｉ合金粉末は、上記電極保護層５７の全体重量を基準として８０〜９５ｗｔ％で含まれることができる。

上記ＣｕＮｉ合金粉末の含量だけでなく、その粒度も第１及び第２外部電極５８、５９のためのメッキ性に影響を与える。例えば、上記ＣｕＮｉ合金粉末は２μｍ〜３０μｍの範囲の平均粒度（ｄ５０）を有することができる。特定例では、平均粒度（ｄ５０）が２μｍ〜１０μｍの範囲であることができる。

上記電極保護層５７は、電極の一部として十分な伝導性を有するだけでなく、その下部に位置した層との強固な結合と、その上部に第１及び第２外部電極５８、５９を形成するために、メッキ性に優れた表面を提供することができる。

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。

１０ チップ抵抗素子
１１ 絶縁基板
１２、１３ 第１及び第２内部電極
１５ 抵抗層
１６ 抵抗保護層
１６ａ、１６ｂ 第１及び第２抵抗保護層
１７ 電極保護層
１７ａ、１７ｂ 第１及び第２電極保護層
１８、１９ 第１及び第２外部電極

Claims (15)

1. 互いに反対に位置した第１及び第２面を有する絶縁基板と、
   前記絶縁基板の第１面に配置された抵抗層と、
   前記絶縁基板の第１面の両側にそれぞれ配置され、前記抵抗層に連結された第１及び第２内部電極と、
   前記抵抗層を覆い、前記第１及び第２内部電極の一部に延びた抵抗保護層と、
   前記抵抗保護層の一部と重なるように前記第１及び第２内部電極上にそれぞれ配置され、ＣｕＮｉ合金粉末と樹脂を含む電極保護層と、
   前記電極保護層を覆うように前記第１及び第２内部電極上に配置され、前記抵抗保護層に連結される第１及び第２外部電極と、を含む、チップ抵抗素子。
2. 前記ＣｕＮｉ合金粉末のＮｉ重量比が２０ｗｔ％以上である、請求項１に記載のチップ抵抗素子。
3. 前記ＣｕＮｉ合金粉末は、前記電極保護層の全体重量を基準として８０〜９５ｗｔ％で含まれる、請求項１または２に記載のチップ抵抗素子。
4. 前記ＣｕＮｉ合金粉末の平均粒度（ｄ５０）は２μｍ〜３０μｍの範囲である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のチップ抵抗素子。
5. 前記電極保護層はカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）をさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載のチップ抵抗素子。
6. 前記カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）は０．２〜１．０ｗｔ％で含まれる、請求項５に記載のチップ抵抗素子。
7. 前記カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）は、５μｍ〜２０μｍの範囲の長さ及び３ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の直径を有する、請求項５または６に記載のチップ抵抗素子。
8. 前記第１及び第２内部電極は銀（Ａｇ）を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載のチップ抵抗素子。
9. 前記抵抗保護層は、前記電極保護層の樹脂と同一の樹脂を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載のチップ抵抗素子。
10. 前記抵抗保護層は、
    前記抵抗層上に配置され、ガラスを含有する第１抵抗保護層と、
    前記第１抵抗保護層上に配置され、樹脂を含有する第２抵抗保護層と、を含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載のチップ抵抗素子。
11. 前記第１及び第２内部電極はそれぞれ、前記絶縁基板の第１面に位置した上面電極と、前記絶縁基板の側面に位置した側面電極と、を含み、前記電極保護層は前記上面電極上に配置される、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のチップ抵抗素子。
12. 前記第１及び第２外部電極はそれぞれ、ニッケル（Ｎｉ）を含有する第１メッキ層と、前記第１メッキ層上に配置され、Ｓｎ及びＰｂの少なくとも一つを含有する第２メッキ層と、を含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のチップ抵抗素子。
13. 複数の電極パッドを有する回路基板と、
    前記回路基板に配置されたチップ抵抗素子と、を含み、
    前記チップ抵抗素子は、互いに反対に位置した第１及び第２面を有する絶縁基板と、前記絶縁基板の第１面に配置された抵抗層と、前記絶縁基板の第１面の両側にそれぞれ配置され、前記抵抗層に連結された第１及び第２内部電極と、前記抵抗層を覆い、前記第１及び第２内部電極の一部に延びた抵抗保護層と、前記抵抗保護層の一部と重なるように前記第１及び第２内部電極上にそれぞれ配置され、ＣｕＮｉ合金粉末と樹脂を含む電極保護層と、前記電極保護層を覆うように前記第１及び第２内部電極上に配置され、前記抵抗保護層に連結される第１及び第２外部電極と、を含み、
    前記チップ抵抗素子の第１及び第２外部電極は、ボンディングメタルを介して前記複数の電極パッドに電気的に連結される、チップ抵抗素子アセンブリー。
14. 前記ＣｕＮｉ合金粉末は、前記電極保護層の全体重量を基準として８０〜９５ｗｔ％で含まれ、前記ＣｕＮｉ合金粉末の平均粒度（ｄ５０）は２μｍ〜３０μｍの範囲である、請求項１３に記載のチップ抵抗素子アセンブリー。
15. 前記電極保護層は、前記電極保護層の全体重量を基準として０．２〜１．５ｗｔ％のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）をさらに含む、請求項１４に記載のチップ抵抗素子アセンブリー。