WO2023112667A1 - 電子部品 - Google Patents

Abstract

硫化ガスによる断線の発生を低減することができ、しかも、硫化物の発生を抑制することができる電子部品を提供する。電子部品１０は、基板１と、基板１上に形成された素子部２と、素子部２に接続された引き出し電極３と、絶縁保護層１３と、中間電極９と、中間電極９を覆う外部電極１４と、を備える。絶縁保護層１３は、素子部２と、引き出し電極３の一部と、を覆う。中間電極９は、絶縁保護層１３の一部と、絶縁保護層１３に覆われていない部分の引き出し電極３の表面と、を覆う。中間電極９は、導電粒子と樹脂分とを含む。前記導電粒子は、繊維状導電粒子と、フレーク状導電粒子と、を含む。

Description

電子部品

　本開示は、電子部品に関する。より詳細には、基板上に素子部を有する電子部品に関する。

　特許文献１には、チップ抵抗器が記載されている。このチップ抵抗器は、上面を有する基板と、前記基板の上面に設けられた抵抗層と、前記基板の上面であって、前記抵抗層の両端部に、前記抵抗層と電気的に接続して設けられた第１の上面電極層と、前記第１の上面電極層の上に設けられ、７５重量％以上８５重量％以下で、かつ、平均粒径が０．３μｍから２μｍの間の銀粒子と、１重量％以上１０重量％以下のカーボンと、樹脂とを含む、第２の上面電極層と、を備えている。

国際公開第２０１２／１１４６７３号

　特許文献１のようなチップ抵抗器においては、硫化ガスによる断線の発生、及び硫化銀の発生をさらに抑制することが要望されている。

　本開示は、硫化ガスによる断線の発生を低減することができ、しかも、硫化物の発生を抑制することができる電子部品を提供することを目的とする。

　本開示の一態様に係る電子部品は、基板と、前記基板上に形成された素子部と、前記素子部に接続された引き出し電極と、絶縁保護層と、中間電極と、前記中間電極を覆う外部電極と、を備える。前記絶縁保護層は、前記素子部と、前記引き出し電極の一部と、を覆う。前記中間電極は、前記絶縁保護層の一部と、前記絶縁保護層に覆われていない部分の前記引き出し電極の表面と、を覆う。前記中間電極は、導電粒子と樹脂分とを含む。前記導電粒子は、繊維状導電粒子と、フレーク状導電粒子と、を含む。

図１は、本実施形態に係る電子部品（チップ抵抗器）を示す断面図である。 図２Ａ～Ｃは、本実施形態に係る電子部品（チップ抵抗器）の製造工程を示す説明図である。 図３Ａ～Ｈは、本実施形態に係る電子部品（チップ抵抗器）の製造工程を示す説明図である。

　（実施形態）
　（１）概要
　本実施形態に係る電子部品１０は、特許文献１に記載されたチップ抵抗器と同様の構成を有している。すなわち、電子部品１０は、基板１と、基板１上に形成された素子部２と、素子部２に接続された引き出し電極３と、絶縁保護層１３と、中間電極９と、中間電極９を覆う外部電極１４と、を備えている。絶縁保護層１３は、素子部２と、引き出し電極３の一部と、を覆っている。中間電極９は、絶縁保護層１３の一部と、絶縁保護層１３に覆われていない部分の引き出し電極３の表面と、を覆っている。そして、中間電極９は、導電粒子と樹脂分とを含み、導電粒子は、繊維状導電粒子と、フレーク状導電粒子と、を含んでいる。

　このような構成であれば、引き出し電極３が絶縁保護層１３と中間電極９とで全体が覆われるため、硫化ガス雰囲気下であっても、硫酸ガスが引き出し電極３に作用しにくくなる。このため、引き出し電極３中に含まれる導体（金属）が硫化物に変化するのを抑制することができ、引き出し電極３の断線の発生を抑制することができる。なお、引き出し電極３の断線とは、引き出し電極３が成長した硫化物により物理的に切断する場合と、引き出し電極３が硫化物により電気抵抗が大きくなり、電気的に不通になる場合との両方を含む。

　また、中間電極９は、樹脂分と、繊維状導電粒子と、フレーク状導電粒子と、を含んでいるため、引き出し電極３との密着性が良好で剥離が生じにくく、抵抗値も低く、中間電極９からの硫化物の発生（結晶成長）も抑制することができ、外観不良を低減することができる。

　（２）詳細
　（２．１）電子部品
　本実施形態に係る電子部品１０は、チップ抵抗器である。チップ抵抗器は、例えば、表面実装機（マウンタ）を用いて、プリント基板の表面（実装面）に実装される表面実装（ＳＭＴ）用のチップ抵抗器である。またチップ抵抗器は、例えば、厚膜チップ抵抗器である。

　電子部品１０は、例えば、図１に示すように、基板１と、素子部２と、引き出し電極３と、絶縁保護層１３と、中間電極９と、外部電極１４と、を備えている。

　基板１は電気的な絶縁性を有し、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３（アルミナ）を９６％～９９％含有するアルミナ基板である。基板１の平面視（図１の上方から見た場合）の形状は、例えば、長方形などの矩形状である。

　素子部２は、抵抗体であって、電気的な抵抗を有し、厚膜であって、基板１の一面（図１の上面）に設けられている。素子部２は、例えば、ＲｕＯ_２、ＡｇＰｄ、ＣｕＮｉ等から構成される。素子部２は、平面視において、基板１の略中央部に位置し、平面視の形状は、例えば、長方形などの矩形状である。

　引き出し電極３は、上面電極であって、基板１の上面に一対設けられている。各引き出し電極３は、それぞれ、素子部２の長手方向（図１の左右方向）の両端部において、素子部２と電気的に接続されている。具体的には、各引き出し電極３の一端部は、素子部２の下側に位置し、各引き出し電極３の他端は、基板１の右端又は左端に位置している。

　引き出し電極３は、金属の銀を含んで形成されている。また、引き出し電極３は、銅、金、ニッケル、錫などの金属を含んでいても良い。引き出し電極３は、例えば、導電ペーストの硬化物で形成されている。導電ペーストは、例えば、樹脂成分又はガラス成分と、導体粒子と、を含有している。導体粒子は、上記金属を含む粒子で形成することができる。引き出し電極３は、例えば、Ａｇ系サーメット厚膜電極からなる。

　絶縁保護層１３は、硫化ガスなどのガス及び水分（湿気）が素子部２に接触しにくくして保護するための層である。絶縁保護層１３は、素子部２の全体を覆っている。また、絶縁保護層１３は、引き出し電極３の一部を覆っている。ここで、引き出し電極３の一部とは、素子部２と接続される引き出し電極３の端部及びその周辺部分である。これにより、絶縁保護層１３で素子部２と引き出し電極３との接続部分が保護され、素子部２と引き出し電極３との接続部分にガスや水分が作用しにくくなり、腐食が生じにくい。

　絶縁保護層１３は、電気的な絶縁性を有する層であり、ガラス被膜（プリコートガラス）４と、樹脂層５と、を備えている。ガラス被膜４は、素子部２の表面上に形成されており、素子部２を全体にわたって覆っている。ガラス被膜４は、長手方向（図１の左右方向）の両端部において引き出し電極３の一部を覆っている。すなわち、ガラス被膜４は、素子部２の膜厚方向（基板１の厚み方向）から見て、素子部２と一対の引き出し電極３との境界を覆い、素子部２から一対の引き出し電極３の端部及びその周辺部分にかけて連続的に覆っている。樹脂層５は、ガラス被膜４の表面上に形成されており、ガラス被膜４を全体にわたって覆っている。従って、樹脂層５は、ガラス被膜４を介して素子部２の全体を覆っている。

　ガラス被膜４は無機質材料で形成されており、例えば、クリスタルガラス又は石英ガラスなどのガラス材料又はＡｌ_２Ｏ_３（アルミナ）を含む無機質材料などで形成されている。また、ガラス被膜４は、アルミナ以外の他の金属酸化物、あるいは金属窒化物で形成されていてもよい。

　樹脂層５は、素子部２及びガラス被膜４を保護するための層である。樹脂層５は、エポキシ樹脂を含むコーティング剤の硬化物で形成されている。樹脂層５は、ガラス被膜４の全面及び一対の引き出し電極３の一部を覆っている。すなわち、樹脂層５は、素子部２の膜厚方向から見て、ガラス被膜４と一対の引き出し電極３との境界を覆い、ガラス被膜４から一対の引き出し電極３の少なくとも一部にかけて連続的に覆っている。従って、樹脂層５は、素子部２をカバーしている。樹脂層５の平面視の形状は、例えば、長方形などの矩形状である。一対の引き出し電極３のうち、ガラス被膜４の長手方向（図１の左右方向）の両端部と金属めっき層７との間に位置する部分は、樹脂層５で直接覆われている。

　樹脂層５は、樹脂の他に、シリカ粒子と、シリコーンゴム粒子とを含有していても良い。この場合、樹脂層５が樹脂単独で形成される場合に比べて、熱等で樹脂層５に生じる応力を緩和することができる。従って、樹脂層５の熱伸縮はガラス被膜４の熱伸縮に追随しやすくなり、樹脂層５とガラス被膜４が剥離しにくくなる。

　中間電極９は、電極として作用する。また、中間電極９は、引き出し電極３を保護する層としても作用する。すなわち、中間電極９は、引き出し電極３がガスや水分に触れるのを低減して腐食しにくくし、しかも、引き出し電極３に硫化銀などの硫化物が生成されるのを低減する。これにより、引き出し電極３の断線が低減され、また、硫化物の生成による外観低下を低減することができる。

　中間電極９は、絶縁保護層１３の一部を覆っている。ここで、絶縁保護層１３の一部とは、絶縁保護層１３の端部であって、樹脂層５の表面に中間電極９の端面が接触して樹脂層５の端部が覆われている。これにより、絶縁保護層１３と引き出し電極３との境界部分が中間電極９で覆われる。

　中間電極９は、引き出し電極３の一部を覆っている。ここで、引き出し電極３の一部とは、絶縁保護層１３に覆われていない部分である。中間電極９は、絶縁保護層１３に覆われていない部分において、引き出し電極３の表面上に形成されている。このようにして、中間電極９は、引き出し電極３の表面を覆って、引き出し電極３にガスや水分が触れるのを低減している。

　電子部品１０は、一対の裏面電極８を更に備える。一対の裏面電極８は、それぞれ、基板１の下面（素子部２及び引き出し電極３が無い面）に設けられている。一対の裏面電極８の各々は、例えば、Ａｇ系サーメット厚膜電極からなる。一対の裏面電極８は、基板１の裏面（図１の下面）の長手方向（図１の左右方向）の両端部にそれぞれ位置している。一対の裏面電極８は、一対の引き出し電極３と一対一に対応している。なお、一対の裏面電極８については省略されてもよい。

　外部電極１４は、電子部品１０を機器に実装する際に電気的に接続する際の端子として使用される部分である。外部電極１４は、一対の電極層（端面電極）６と、一対の金属めっき層７とを有している。一対の電極層６は、各々、例えば、Ａｇなどの金属を含む金属層からなる。一対の電極層６は、基板１の長手方向（図１の左右方向）の両端部にそれぞれ位置している。一対の電極層６は、各々、一対の引き出し電極３及び一対の裏面電極８と電気的に接続されている。一対の電極層６は、各々、引き出し電極３及び裏面電極８の素子部２側の端部と反対側の端部の表面上に接触して設けられている。従って、一対の電極層６は、各々、中間電極９及び裏面電極８を覆っている。

　各電極層６は、例えば、樹脂分とカーボン粒子と銀粉を含む導体で形成するのが好ましい。この場合、樹脂分は、フェノキシ樹脂又はエポキシ樹脂などである。カーボン粒子は、電極層６の導電性補助の目的で配合されている。また、電極層６を導電ペーストの硬化物で形成する場合、導電ペーストの塗布認識用の着色剤として、カーボン粒子が配合されている。銀粉としては、表面が銀製の導電膜で被覆されたウィスカ状無機フィラー、及びフレーク状銀粉末が使用可能である。ウィスカ状無機フィラーは、電極層６のたわみ強度の向上が図れる。フレーク状銀粉末は、電極層６と金属めっき層７との密着性の向上を図ることができる。また、電極層６は、ニッケル－クロム合金などの金属スパッタから形成される導体であってもよい。

　一対の金属めっき層７は、各々、第１めっき層７１と、第２めっき層７２と、を含む。一対の金属めっき層７の各々は、一対の引き出し電極３のうち、対応する引き出し電極３の一部と接続され、かつ絶縁保護層１３の樹脂層５の表面と接する。また、一対の金属めっき層７の各々は、一対の電極層６のうち対応する電極層６を覆っている。第１めっき層７１は、例えば、Ｎｉめっきで形成することができる。第２めっき層７２は、例えば、Ｓｎめっきで形成することができる。

　外部電極１４は、絶縁保護層１３の一部を覆っている。ここで、絶縁保護層１３の一部とは、絶縁保護層１３の端部であって、引き出し電極３の素子部２側の端部が絶縁保護層１３の端部で覆われている。従って、外部電極１４で絶縁保護層１３の端部を覆うことによって、絶縁保護層１３と引き出し電極３との境界を外部電極１４で覆うことができ、ガス及び湿気が引き出し電極３にまで進入しにくくなる。

　（２．２）中間電極
　本実施形態に係る電子部品１０の中間電極９は、導電粒子と樹脂分とを含んでいる。導電粒子は、繊維状導電粒子と、フレーク状導電粒子と、を含んでいる。

　また、中間電極９におけるカーボン粒子の含有率は、中間電極９に含まれる固形分の重量に対して１ｗｔ％未満であることが好ましい。なお、中間電極９に含まれる固形分とは、導電粒子と樹脂分とカーボン粒子である。カーボン粒子は、中間電極９の導電性を補助的に向上させるため、及び中間電極９を導電ペーストで形成する場合に、導電ペーストが塗布されたか否かの視認性を向上させるための着色剤などをして使用される。しかしながら、中間電極９にカーボン粒子が含まれていると、導電粒子の沈降が抑制され、表面に導電粒子が多く露出するため、硫化銀などの硫化物（金属硫化物）が生成されやすくなる。そこで、本実施形態では、カーボン粒子は、中間電極９に含まれる固形分の重量に対して１ｗｔ％未満としている。これにより、中間電極９に硫化ガスが作用しても硫化銀などの硫化物の結晶が生成されにくくなる。硫化物の生成の観点からは、中間電極９に含まれるカーボン粒子は少ないほうが好ましいので、中間電極９にはカーボン粒子を実質的に含まない。すなわち、中間電極９におけるカーボン粒子の含有率は、０ｗｔ％である。

　中間電極９における導電粒子の含有率は、中間電極９に含まれる固形分の重量に対して４６ｗｔ％以上６１ｗｔ％以下であることが好ましい。６１ｗｔ％以下であれば、導電粒子の表面露出が少ないため、この範囲であれば、硫化ガス雰囲気中であっても中間電極９に硫化物が発生しにくくなり、特に、４６ｗｔ％以上であれば、中間電極９の抵抗値が上昇しにくくて導電性が低下しにくい。中間電極９における導電粒子の含有率は、中間電極９に含まれる固形分の重量に対して４８ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下であることがより好ましく、５０ｗｔ％以上５８ｗｔ％以下であることがさらに好ましい。

　中間電極９に含まれる樹脂分は、樹脂の硬化物であって、多官能エポキシ樹脂と、硬化剤と、を含有することが好ましい。この場合、多官能エポキシ樹脂は硬化剤により硬化して中間電極９の樹脂分を構成する。多官能エポキシ樹脂は、一分子中に複数のエポキシ基を有するエポキシ樹脂である。多官能エポキシ樹脂は、単官能エポキシ樹脂に比べて、硬化による架橋密度が高くなる。従って、単官能エポキシ樹脂を使用する場合に比べて、中間電極９の樹脂部分のガラス転移点が高くなり、中間電極９の耐熱性を向上させることができる。

　多官能エポキシ樹脂としては、以下の構造式（１）～（６）で示すものが使用可能である。なお、構造式（１）は、ＤＰＰノボラック型エポキシ樹脂である。構造式（２）は、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂である。構造式（３）は、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂である。構造式（４）は、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂である。構造式（５）は、アリーレン型エポキシ樹脂である。構造式（６）は、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂である。なお、ｎは任意の整数である。

　上記多官能エポキシ樹脂の中でも、構造式（１）で示すＤＰＰノボラック型エポキシ樹脂又は構造式（２）で示すテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が好ましい。これらのエポキシ樹脂は、他の多官能エポキシ樹脂に比べて、高い柔軟性を有する硬化物が得られる。従って、熱サイクル試験において、中間電極９に割れ（亀裂）及び欠けが生じにくくなる。

　硬化剤は多官能エポキシ樹脂の硬化剤である。すなわち、多官能エポキシ樹脂は硬化剤によって硬化し、樹脂部分を構成する。硬化剤としては、イミダゾール系硬化剤、フェノールノボラック型硬化剤及びジシアンジアミド硬化剤のうちの少なくとも一つが使用可能である。イミダゾール系硬化剤としては、以下の構造式（７）で示すものが使用可能である。ジシアンジアミド硬化剤としては、以下の構造式（８）で示すものが使用可能である。フェノールノボラック型硬化剤としては、以下の構造式（９）で示すものが使用可能である。なお、ｎは任意の整数である。硬化剤として、ジシアンジアミド硬化剤を使用する場合は、芳香族ジメチルウレアを硬化触媒として併用するのが好ましく、これにより、多官能エポキシ樹脂の硬化を促進することができる。

　中間電極９における繊維状導電粒子とフレーク状導電粒子の重量比は、５／５～７／３であることが好ましい。この範囲であれば、中間電極９において、硫化物の発生を抑制することができる。すなわち、上記重量比が５／５よりフレーク状導電粒子の割合が多くなると、導電性粒子の表面露出が多くなり、硫化銀が発生し易くなる。また、上記重量比が７／３よりフレーク状導電粒子が少なくなると抵抗値が高くなってしまう。

　繊維状導電粒子は、繊維状無機物を金属で覆った粒子であることが好ましい。すなわち、繊維状導電粒子は、ウィスカ状等の繊維状の無機物（無機フィラー）の表面を金属製の導電膜で被覆して形成されている。これにより、繊維状導電粒子を金属だけで形成する場合に比べて、金属の使用量を少なくして繊維状導電粒子を得ることができる。

　繊維状無機物は、チタン酸カリウム、ウォストナイト、セピオライト、酸化亜鉛、酸化チタン、硫酸バリウム、硫酸マグネシウム、窒化ケイ素からなる群から選ばれる１種又は複数種を含んでいる。導電膜を形成する金属は、銀、銅、金、ニッケル、錫からなる群から選ばれる１種又は複数種を含んでいてもよい。繊維状導電粒子としては、繊維状無機物の種類及び導電膜を形成する金属の種類が異なる複数種の繊維状導電粒子を併用することが可能であるが、例えば、繊維状無機物がチタン酸カリウムで、導電膜を形成する金属が銀である繊維状導電粒子を使用することができる。

　繊維状導電粒子は、平均繊維径が０．１μｍ以上２μｍ以下、平均繊維長が５μｍ以上３０μｍ以下、アスペクト比が５以上２００以下であることが好ましく、この範囲であれば、混錬時に繊維状導電粒子が折れることなく、抵抗値を下げることができる。繊維状導電粒子のアスペクト比は、平均繊維長を平均繊維径で除した値（平均繊維長／平均繊維径）で表される。平均繊維径、平均繊維長は、それぞれ、ＳＥＭ観察により求めた値である。

　フレーク状導電粒子は、薄片状金属粉を含むことが好ましく、これにより、中間電極９における硫化物の発生をさらに抑制することができる。薄片状金属粉は、厚みの薄い金属箔片を使用することができる。フレーク状導電粒子は、例えば、フレーク状銀粒子を含む。フレーク状導電粒子は、他にも、銅、金、ニッケル、錫からなる群から選ばれる１種又は複数種の金属で形成されるものを含んでいてもよい。

　フレーク状導電粒子は、平均粒径が１μｍ以上３０μｍ以下であり、厚みと平均粒径のアスペクト比は、５以上３００以下であることが好ましく、アスペクト比が５未満であれば、導電粒子（フレーク状導電粒子）の嵩密度が低くなり、表面に導電粒子が露出せず、抵抗値が高くなる。また、アスペクト比３００超であれば嵩密度が高くなりすぎ表面に導電粒子の露出が多く、硫化銀が発生し易くなる。この範囲であれば、中間電極９における硫化物の発生をさらに抑制することができる。厚みと平均粒径のアスペクト比は、平均粒径を厚みで除した値（平均粒径／厚み）で表される。平均粒径はレーザー回折法による５０％粒度である。

　（２．３）電子部品の製造方法
　本実施形態に係る電子部品１０の製造方法について、図２Ａ～Ｃ及び図３Ａ～Ｈに基づいて説明する。

　電子部品１０を形成するにあたっては、図２Ａに示すように、シート状基板１１１を使用する。シート状基板１１１は平面視でほぼ矩形状に形成され、基板１と同じ材質で同じ厚みに形成されている。シート状基板１１１は基板１よりも大きく形成され、基板１が複数個取り可能な大きさである。シート状基板１１１には、基板１と同じ大きさのチップ領域１２が複数形成されている。各チップ領域１２は、一つの基板１に対応する。すなわち、各チップ領域１２に素子部２及び絶縁保護層１３などが形成されることにより、一つの電子部品１０が作製される。複数のチップ領域１２は、シート状基板１１１に縦方向及び横方向に並んで設けられている。シート状基板１１１は、後述のように、樹脂層５が形成された後、図２Ｂに示すような、縦方向に複数のチップ領域１２が連なった短冊状基板１１に分割される。短冊状基板１１は、後述のように電極層６が形成された後、横方向に分割されて、図２Ｃに示すような、一つのチップ領域１２を有する基板１が形成される。

　そして、まず、シート状基板１１１の各チップ領域１２の裏面に裏面電極（図２Ａ～Ｃ及び図３Ａ～Ｈにおいて図示省略）を形成する。次に、シート状基板１１１の各チップ領域１２の表面に引き出し電極３を形成する（図３Ａ参照）。引き出し電極３及び裏面電極は、例えば、Ａｇ系サーメットの導電ペーストを用いることができる。引き出し電極３及び裏面電極は、例えば、スクリーン印刷にて導電ペーストをチップ領域１２の表面及び裏面の長手方向の両端部に印刷（塗布）した後、焼結させることで形成される。また引き出し電極３及び裏面電極は、スパッタリングにより金属膜をチップ領域１２の表面及び裏面の長手方向の両端部に形成した後、フォトリソグラフ及びエッチングにて膜の不要部分を除去することで形成してもよい。

　引き出し電極３を形成した後、シート状基板１１１の各チップ領域１２の表面に素子部２を形成する（図３Ｂ参照）。素子部２は、例えば、ＲｕＯ_２からなる抵抗体ペーストをスクリーン印刷でチップ領域１２の表面に印刷（塗布）した後、焼成することで形成される。

　素子部２を形成した後、素子部２の表面を覆うガラス被膜４を形成する（図３Ｃ参照）。ガラス被膜４は、例えば、ガラスコーティング剤をスクリーン印刷で各チップ領域１２に印刷（塗布）した後、焼成することで形成される。

　ガラス被膜４を形成した後、トリミングが行われる（図３Ｄ参照）。トリミングは、電子部品１０の抵抗値の調整のために行われる。トリミングは、各チップ領域１２の素子部２及びガラス被膜４の一部を除去してトリミング部２０を形成することにより行われる。

　トリミングの後、ガラス被膜４の表面を覆う樹脂層５を形成する（図３Ｅ参照）。樹脂層５は、後述のコーティング剤をスクリーン印刷でチップ領域１２に印刷（塗布）した後、加熱などにより硬化することで形成される。また樹脂層５の表面には表示部が形成される。図３Ｅでは、表示部として「１０２」の文字が形成されている。表示部は、電子部品１０の抵抗値、品番、種類などを示している。表示部は、例えば、樹脂層５の表面に捺印などでインクを印刷した後、熱や紫外線などでインクを硬化させることにより形成する。

　樹脂層５及び表示部を形成した後、引き出し電極３の表面に中間電極９を形成する。中間電極９は、例えば、未硬化の樹脂分と導電粒子とを含む導電ペーストを用いることができる。中間電極９は、例えば、スクリーン印刷にて導電ペーストを、ガラス被膜４及び樹脂層５（絶縁保護層１３）で覆われていない部分の引き出し電極３の表面に印刷（塗布）した後、未硬化の樹脂分を硬化させることで形成される。

　中間電極９を形成した後、シート状基板１１１を細長い短冊状に分割して（一次分割）、図２Ｂに示すような短冊状基板１１を形成する。シート状基板１１１の分割位置を図２Ａに一点鎖線で示す。シート状基板１１１はチップ領域１２の長手方向の両端部の位置で分割される。これにより、短冊状基板１１の長手方向に沿って複数のチップ領域１２が並んでいる。また短冊状基板１１の長手方向に沿って各チップ領域１２に形成した引き出し電極３が並んでいる。

　次に、各チップ領域１２に電極層６を形成する（図３Ｆ参照）。電極層６は短冊状基板１１の長手方向の端部に形成される。電極層６は、例えば、導電ペーストなどを印刷（塗布）して硬化させることにより形成する。また電極層６は、例えば、スパッタリングにて形成してもよい。

　電極層６を形成した後、短冊状基板１１を各チップ領域１２で個片化するように分割して（二次分割）、図２Ｃに示すような基板１を形成する。この後、金属めっき層７を構成する第１めっき層７１と第２めっき層７２とを順次形成する（図３Ｇ及び図３Ｈ参照）。このようにして電子部品１０が形成される。電子部品１０は、完成検査及びテーピングが施されて出荷等される。

　（３）変形例
　実施形態は、本開示の様々な実施形態の一つに過ぎない。実施形態は、本開示の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。

　上記では、電子部品１０がチップ抵抗器の場合について説明したが、これに限られない。

　（まとめ）
　以上説明したように、第１の態様に係る電子部品（１０）は、基板（１）と、基板（１）上に形成された素子部（２）と、素子部（２）に接続された引き出し電極（３）と、絶縁保護層（１３）と、中間電極（９）と、中間電極（９）を覆う外部電極（１４）と、を備える。絶縁保護層（１３）は、素子部（２）と、引き出し電極（３）の一部と、を覆う。中間電極（９）は、絶縁保護層（１３）の一部と、絶縁保護層（１３）に覆われていない部分の引き出し電極（３）の表面と、を覆う。中間電極（９）は、導電粒子と樹脂分とを含む。前記導電粒子は、繊維状導電粒子と、フレーク状導電粒子と、を含む。

　第１の態様によれば、中間電極（９）によって、硫化ガスによる引き出し電極（３）の断線を低減することができ、しかも、硫化物の発生を抑制することができる、という利点がある。

　第２の態様は、第１の態様に係る電子部品（１０）であって、中間電極（９）におけるカーボン粒子の含有率は、１ｗｔ％未満である。

　第２の態様によれば、硫化物の発生をさらに抑制することができる、という利点がある。

　第３の態様は、第１又は２の態様に係る電子部品（１０）であって、中間電極（９）における前記繊維状導電粒子と前記フレーク状導電粒子の重量比は、５／５～７／３である。

　この態様によれば、硫化物の発生をさらに抑制することができる、という利点がある。

　第４の態様は、第１～３のいずれか１つの態様に係る電子部品（１０）であって、中間電極（９）の固形分中の前記導電粒子の重量が、４６ｗｔ％以上６１ｗｔ％以下である。

　第４の態様によれば、硫化物の発生をさらに抑制することができる、という利点がある。

　第５の態様は、第１～４のいずれか１つの態様に係る電子部品（１０）であって、前記樹脂分は、多官能エポキシ樹脂と、エポキシ硬化剤と、を含有する。

　第５の態様によれば、耐熱性のある中間電極（９）を形成することができる、という利点がある。

　第６の態様は、第１～５のいずれか１つの態様に係る電子部品（１０）であって、前記繊維状導電粒子は、繊維状無機物を金属で覆った粒子を含む。

　第６の態様によれば、金属に使用量を少なくして前記繊維状導電粒子を得ることができる、という利点がある。

　第７の態様は、第１～６のいずれか１つの態様に係る電子部品（１０）であって、前記繊維状導電粒子は、平均繊維径が０．１μｍ以上２μｍ以下、平均繊維長が５μｍ以上３０μｍ以下、アスペクト比が５以上２００以下である。

　第７の態様によれば、硫化物の発生をさらに抑制することができる、という利点がある。

　第８の態様は、第１～７のいずれか１つの態様に係る電子部品（１０）であって、前記フレーク状導電粒子は、薄片状金属粉を含む。

　第８の態様によれば、硫化物の発生をさらに抑制することができる、という利点がある。

　第９の態様は、第１～８のいずれか１つの態様に係る電子部品（１０）であって、前記フレーク状導電粒子は、平均粒径が１μｍ以上３０μｍ以下であり、厚みと平均粒径のアスペクト比は、５以上３００以下である。

　第９の態様によれば、硫化物の発生をさらに抑制することができる、という利点がある。

　第１０の態様は、第１～９のいずれか１つの態様に係る電子部品（１０）であって、中間電極（９）は、カーボン粒子を実質的に含まない。

　第１０の態様によれば、硫化物の発生をさらに抑制することができる、という利点がある。

　第１１の態様は、第１～１０のいずれか１つの態様に係る電子部品（１０）であって、絶縁保護層（１３）は、素子部（２）を覆うガラス被膜（４）と、ガラス被膜（４）を覆う樹脂層（５）と、を有する。

　第１１の態様によれば、絶縁保護層（１３）が素子部（２）から剥離しにくくすることができる、という利点がある。

　第１２の態様は、第１～１１のいずれか１つの態様に係る電子部品（１０）であって、外部電極（１４）は、電極層（６）と、電極層（６）を覆う金属めっき層（７）と、を有する。電極層（６）は、樹脂分とカーボン粒子と銀粉を含む導体、又は金属スパッタにより形成される導体である。

　第１２の態様によれば、外部電極（１４）の形成を容易に行える、という利点がある。

　第１３の態様は、第１～１２のいずれか１つの態様に係る電子部品（１０）であって、外部電極（１４）は、絶縁保護層（１３）の一部を覆う。

　第１３の態様によれば、耐湿性を向上させることができる、という利点がある。

　第１４の態様は、第１～１３のいずれか１つの態様に係る電子部品（１０）であって、引き出し電極（３）は、銀を含む。

　第１４の態様によれば、硫化銀の発生を抑制することができる、という利点がある。

　第１５の態様は、第１～１４のいずれか１つの態様に係る電子部品（１０）であって、前記導電粒子は、銀を含む。

　第１５の態様によれば、硫化銀の発生を抑制することができる、という利点がある。

　（実施例１～７、比較例）
　図１に示す電子部品（チップ抵抗器）を図２Ａ～Ｃ及び図３Ａ～Ｈに示す工程に従って作成した。中間電極は、表１に示す組成を有するように形成した。多官能エポキシ樹脂の樹脂１としては、構造式（１）のＤＰＰノボラック型エポキシ樹脂を使用した。多官能エポキシ樹脂の樹脂２としては、構造式（２）のテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂を使用した。硬化剤Ａとしては、構造式（７）のイミダゾール系硬化剤を使用した。硬化剤Ｂとしては、構造式（８）のジシアンジアミド硬化剤と芳香族ジメチルウレア（硬化触媒）とを併用した。繊維状導電粒子としては、チタン酸カリウムで形成した繊維状無機物の表面を銀の導電膜で被覆したものを使用した。フレーク状導電粒子としては、フレーク状銀粉を使用した。

　そして、中間電極について、耐硫化ガス試験と、耐硫化ガス試験前の抵抗値を測定した。耐硫化ガス試験は、硫化ガス（Ｈ_２Ｓ）の濃度が３ｐｐｍである雰囲気中に中間電極を１０００時間放置し、硫化銀の発生の有無を確認した。そして、硫化銀が発生しなかったものに「Ａ」を付し、硫化銀がわずかに発生したものに「Ｂ」を付し、硫化銀が多量に発生したものに「Ｃ」を付した。中間電極の抵抗値は、６Ω以下のものに「Ａ」を付し、６Ω超過から８.５Ω以下を「Ｂ」を付し、８.５Ω超過に「Ｃ」を付した。結果を表１に示す。

　１　基板
　２　素子部
　３　引き出し電極
　４　ガラス被膜
　５　樹脂層
　６　電極層
　７　金属めっき層
　９　中間電極
　１０　電子部品
　１３　絶縁保護層
　１４　外部電極

Claims (15)

1. 　基板と、
   　前記基板上に形成された素子部と、
   　前記素子部に接続された引き出し電極と、
   　前記素子部と、前記引き出し電極の一部と、を覆う絶縁保護層と、
   　前記絶縁保護層の一部と、前記絶縁保護層に覆われていない部分の前記引き出し電極の表面と、を覆う中間電極と、
   　前記中間電極を覆う外部電極と、を備え、
   　前記中間電極は、導電粒子と、樹脂分と、を含み、
   　前記導電粒子は、繊維状導電粒子と、フレーク状導電粒子と、を含む、
   　電子部品。
2. 　前記中間電極におけるカーボン粒子の含有率は、１ｗｔ％未満である、
   　請求項１に記載の電子部品。
3. 　前記中間電極における前記繊維状導電粒子と前記フレーク状導電粒子の重量比は、５／５～７／３である、
   　請求項１又は２に記載の電子部品。
4. 　前記中間電極の固形分中の前記導電粒子の重量が、４６ｗｔ％以上６１ｗｔ％以下である、
   　請求項１～３のいずれか１項に記載の電子部品。
5. 　前記樹脂分は、多官能エポキシ樹脂と、エポキシ硬化剤と、を含有する、
   　請求項１～４のいずれか１項に記載の電子部品。
6. 　前記繊維状導電粒子は、繊維状無機物を金属で覆った粒子を含む、
   　請求項１～５のいずれか１項に記載の電子部品。
7. 　前記繊維状導電粒子は、平均繊維径が０．１μｍ以上２μｍ以下、平均繊維長が５μｍ以上３０μｍ以下、アスペクト比が５以上２００以下である、
   　請求項１～６のいずれか１項に記載の電子部品。
8. 　前記フレーク状導電粒子は、薄片状金属粉を含む、
   　請求項１～７のいずれか１項に記載の電子部品。
9. 　前記フレーク状導電粒子は、平均粒径が１μｍ以上３０μｍ以下であり、厚みと平均粒径のアスペクト比は、５以上３００以下である、
   　請求項１～８のいずれか１項に記載の電子部品。
10. 　前記中間電極は、カーボン粒子を実質的に含まない、
    　請求項１～９のいずれか１項に記載の電子部品。
11. 　前記絶縁保護層は、前記素子部を覆うガラス被膜と、前記ガラス被膜を覆う樹脂層と、を有する、
    　請求項１～１０のいずれか１項に記載の電子部品。
12. 　前記外部電極は、電極層と、前記電極層を覆う金属めっき層と、を有し、
    　前記電極層は、樹脂分とカーボン粒子と銀粉を含む導体、又は金属スパッタにより形成される導体である、
    　請求項１～１１のいずれか１項に記載の電子部品。
13. 　前記外部電極は、前記絶縁保護層の一部を覆う、
    　請求項１～１２のいずれか１項に記載の電子部品。
14. 　前記引き出し電極は、銀を含む、
    　請求項１～１３のいずれか１項に記載の電子部品。
15. 　前記導電粒子は、銀を含む、
    　請求項１～１４のいずれか１項に記載の電子部品。

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