JP2017123373A - 絶縁基板及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims abstract description 112
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 72
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 55
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 50
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 12
- 238000005422 blasting Methods 0.000 claims description 5
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 3
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
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- Ceramic Products (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
Description
前記搭載面が前記表皮層の上面からなる前項1記載の絶縁基板。
前記接合する工程の前に、再結晶化された純度99.9質量%以上の高純度アルミニウムからなる前記配線層の前記搭載面におけるその外周縁から少なくとも300μm内側までの外周領域に加工変質部を形成し、
前記接合する工程では、前記絶縁層と前記配線層とのろう付け時の熱により前記加工変質部を再結晶化して前記加工変質部の結晶粒の粒径を小さくする絶縁基板の製造方法。
本実施例1では、図2〜5に示した上記第1実施形態の配線層1を備えた絶縁基板を次のように製造した。
<実施例2>
本実施例2では、図6〜10に示した上記第2実施形態の配線層101を備えた絶縁基板を次のように製造した。
冷却層として板状ヒートシンク、緩衝層、絶縁層及び配線層を準備した。ヒートシンク、緩衝層及び絶縁層は、実施例1と同じものである。
2:配線層本体
3:表皮層
7、107:搭載面
7a、107a:搭載面の外周縁
11、111:絶縁層
15、115:ろう材層
20:絶縁基板
30、130:押さえ部材
Claims (7)
- アルミニウム配線層の上面からなる搭載面におけるその外周縁から少なくとも300μm内側までの外周領域の結晶粒の平均粒径が300μm以下に設定されている絶縁基板。
- 前記配線層は、純度99.9質量%以上の高純度アルミニウムからなる請求項1記載の絶縁基板。
- 前記配線層は、純度99.9質量%以上の高純度アルミニウムからなる配線層本体と、前記配線層本体の上面にクラッドされた純度99.8質量%以下のアルミニウムからなる表皮層とを備え、
前記搭載面が前記表皮層の上面からなる請求項1記載の絶縁基板。 - 前記表皮層の厚さが20μm以上300μm以下に設定されている請求項3記載の絶縁基板。
- 絶縁層上にろう材層を介して配線層が積層され且つ前記配線層の上面からなる搭載面を押さえ部材で押さえた状態で、前記絶縁層と前記配線層をろう付けにより接合する工程を備え、
前記接合する工程の前に、再結晶化された純度99.9質量%以上の高純度アルミニウムからなる前記配線層の前記搭載面におけるその外周縁から少なくとも300μm内側までの外周領域に加工変質部を形成し、
前記接合する工程では、前記絶縁層と前記配線層とのろう付け時の熱により前記加工変質部を再結晶化して前記加工変質部の結晶粒の粒径を小さくする絶縁基板の製造方法。 - 前記加工変質部をショットブラストにより形成する請求項5記載の絶縁基板の製造方法。
- 前記加工変質部を面打ち加工により形成する請求項5記載の絶縁基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016000485A JP6613144B2 (ja) | 2016-01-05 | 2016-01-05 | 絶縁基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016000485A JP6613144B2 (ja) | 2016-01-05 | 2016-01-05 | 絶縁基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017123373A true JP2017123373A (ja) | 2017-07-13 |
JP6613144B2 JP6613144B2 (ja) | 2019-11-27 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6613144B2 (ja) |
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JP6613144B2 (ja) | 2019-11-27 |
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