JP2020178031A - 放熱装置及びその製造方法 - Google Patents

放熱装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2020178031A
JP2020178031A JP2019079125A JP2019079125A JP2020178031A JP 2020178031 A JP2020178031 A JP 2020178031A JP 2019079125 A JP2019079125 A JP 2019079125A JP 2019079125 A JP2019079125 A JP 2019079125A JP 2020178031 A JP2020178031 A JP 2020178031A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
aluminum
base plate
composite material
wiring layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2019079125A
Other languages
English (en)
Inventor
南 和彦
Kazuhiko Minami
和彦 南
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Showa Denko KK filed Critical Showa Denko KK
Priority to JP2019079125A priority Critical patent/JP2020178031A/ja
Publication of JP2020178031A publication Critical patent/JP2020178031A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

Abstract

【課題】搭載面の反りが小さく且つ製造コストを削減しうる放熱装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】放熱装置1は絶縁基板5とベースプレート7を具備する。絶縁基板5は、セラミック製絶縁層3と絶縁層3の上面に接合されたアルミニウム製上配線層2と絶縁層3の下面に接合されたアルミニウム製下配線層4とを備える。下配線層4とベースプレート7が積層状にろう付接合されている。ベースプレート7は、厚さが300μm以上のアルミニウム層7Aと、平面方向の線膨張係数が2〜15ppm/Kのアルミニウム−炭素粒子複合材層7Bとを備える。アルミニウム層7Aと複合材層7Bが積層状に接合されている。【選択図】図1

Description

本発明は、半導体素子等の発熱性素子の熱を放散する放熱装置及びその製造方法に関する。
ここで、本発明に係る放熱装置の上下方向は限定されるものではないが、本明細書及び特許請求の範囲では、放熱装置の構成を理解し易くするため、放熱装置における発熱性素子が搭載される側を放熱装置の上側、及び、その反対側を放熱装置の下側と定義する。
また、本明細書及び特許請求の範囲では、文中に特に明示した場合を除き、「アルミニウム」の語は純アルミニウム及びアルミニウム合金の双方を含む意味で用いられ、「銅」の語は純銅及び銅合金の双方を含む意味で用いられる。
発熱性素子として例えばパワー半導体素子を備えるパワーモジュールは、一般に絶縁基板(例:DAB基板、DBC基板)を具備している。絶縁基板は、セラミック製絶縁層と、絶縁層の上面に接合された金属製上配線層と、絶縁層の下面に接合された金属製下配線層とを備えている。パワー半導体素子は、一般に絶縁基板の上配線層の上面からなる搭載面にはんだ層を介して接合されることで搭載面に搭載される。
絶縁基板の下配線層はその下側に配置されたベースプレートと積層状にろう付接合される。さらに、ベースプレートはその下側に配置された部材として例えば放熱部材と積層状に締結又は接合される。これにより、パワー半導体素子の熱を放散する放熱装置が構成される。ベースプレートは一般に銅製である(特許文献1参照)。
特開平7−142674号公報
絶縁基板はセラミック製絶縁層を備えているため一般にその平面方向の線膨張係数が低く、よって絶縁基板の平面方向の線膨張係数と銅製ベースプレートの平面方向の線膨張係数との差が大きい。そのため、絶縁基板とベースプレートをろう付接合する際に絶縁基板に大きな熱応力が加わり、この熱応力により絶縁基板の上配線層の搭載面に反りが生じ易い。搭載面に反りが生じると、搭載面のパワー半導体素子(発熱性素子)とのはんだ付接合性に悪影響を与えるし、パワー半導体素子が傾いた状態に搭載面に搭載され易くなる。
ここで、アルミニウム−炭素粒子複合材は高い熱伝導性を有するとともに、更に、低い線膨張係数を有している。そこで、この複合材で絶縁基板のベースプレートを形成することが考えられる。
しかしながら、この複合材は高価である。そのため、この複合材でベースプレート全体を形成すると、絶縁基板の製造コストが増大する虞がある。
本発明は、上述した技術背景に鑑みてなされたもので、その目的は、搭載面の反りが小さく、且つ、製造コストを削減しうる放熱装置及びその製造方法を提供することにある。
本発明は以下の手段を提供する。
1) セラミック製絶縁層と前記絶縁層の上面に接合されたアルミニウム製上配線層と前記絶縁層の下面に接合されたアルミニウム製下配線層とを備えた絶縁基板と、
前記絶縁基板の前記下配線層の下側に配置されるベースプレートと、を具備し、
前記上配線層はその上側に発熱性素子が搭載されるものであり、
前記下配線層と前記ベースプレートが積層状にろう付接合され、
前記ベースプレートは、厚さが300μm以上のアルミニウム層と平面方向の線膨張係数が2〜15ppm/Kのアルミニウム−炭素粒子複合材層とを備えるとともに、前記アルミニウム層と前記複合材層が積層状に接合されている放熱装置。
2) 前記ベースプレートの前記アルミニウム層のアルミニウムの純度が99質量%以上である前項1記載の放熱装置。
3) 前記ベースプレートにおいて前記複合材層が前記アルミニウム層の下側に配置されている前項1又は2記載の放熱装置。
4) 前記ベースプレートの前記アルミニウム層の厚さをA、及び、前記ベースプレートの前記複合材層の厚さをBとするとき、
A:Bが1:2〜2:1の範囲に設定されている前項1〜3のいずれかに記載の放熱装置。
5) 前記ベースプレートの前記アルミニウム層の厚さをA、前記ベースプレートの前記複合材層の厚さをB、A/(A+B)の値をx、及び、前記複合材層の平面方向の線膨張係数をy(その単位:ppm/K)とするとき、
x及びyが次式1〜3を全て満足している前項1〜4のいずれかに記載の放熱装置。
1/3≦x≦2/3 … 式1
2≦y … 式2
y≦−21x+21 … 式3。
6) セラミック製絶縁層と前記絶縁層の上面に接合されたアルミニウム製上配線層と前記絶縁層の下面に接合されたアルミニウム製下配線層とを備えた絶縁基板と、
前記絶縁基板の前記下配線層の下側に配置されるベースプレートと、を準備し、
前記上配線層はその上側に発熱性素子が搭載されるものであり、
前記ベースプレートは、厚さが300μm以上のアルミニウム層と平面方向の線膨張係数が2〜15ppm/Kのアルミニウム−炭素粒子複合材層とを備えるとともに、前記アルミニウム層と前記複合材層は互いに別体であり、
前記ベースプレートにおける前記アルミニウム層と前記複合材層とを積層状にろう付接合するのと同時に前記絶縁基板の前記下配線層と前記ベースプレートとを積層状にろう付接合する放熱装置の製造方法。
本発明は以下の効果を奏する。
前項1では、ベースプレートは、厚さが300μm以上のアルミニウム層と平面方向の線膨張係数が2〜15ppm/Kのアルミニウム−炭素粒子複合材層とを備えることにより、絶縁基板の平面方向の線膨張係数とベースプレートの平面方向の線膨張係数との差を小さくすることができ、そのため、放熱装置における発熱性素子が搭載される搭載面の反りを低減することができるし、更に、放熱装置の製造コストを削減することができるし、放熱装置の放熱性能を向上させることができるし、ベースプレートの加工性の低下を抑制することができる。
前項2では、ベースプレートのアルミニウム層のアルミニウムの純度が99質量%以上であることにより、放熱装置の製造コストを確実に削減することができる。さらに、ベースプレートの厚さ方向の熱伝導率が高くなり、そのため放熱装置の放熱性能を確実に向上させることができる。
前項3では、ベースプレートにおいて複合材層がアルミニウム層の下側に配置していることにより、搭載面の反りを確実に低減することができる。
前項4では、アルミニウム層の厚さAと複合材層の厚さBとの比A:Bが1:2〜2:1の範囲に設定されていることにより、前項1の効果を確実に発揮させることができる。
前項5では、x及びyが上記式1〜3を全て満足していることにより、前項1の効果を確実に発揮させることができる。
前項6では、ベースプレートにおけるアルミニウム層と複合材層とを積層状にろう付接合するのと同時に絶縁基板の下配線層とベースプレートとを積層状にろう付接合することにより、前項1〜5のいずれかに記載の放熱装置の製造工程数を減らすことができ、そのため、放熱装置の製造コストを更に削減することができる。
図1は、本発明の第1実施形態に係る放熱装置の概略断面図である。 図2は、同放熱装置においてx及びyの関係を説明する図(グラフ)である。 図3は、本発明の第2実施形態に係る放熱装置の概略断面図である。 図4は、同放熱装置の製造方法を説明する概略断面図である。
本発明の幾つかの実施形態について図面を参照して以下に説明する。
図1に示すように、本発明の第1実施形態に係る放熱装置1は、絶縁基板5、ベースプレート7、ベースプレート7の下側に配置された部材9などを具備しており、これらの部材5、7、9は積層状に接合一体化されている。上述の部材9は具体的には例えば放熱部材であり、その材料は例えばアルミニウム等の金属である。
絶縁基板5は、DAB(Direct Aluminum Bonding)基板とも呼ばれているものであり、絶縁層3と、絶縁層3の上面に直接的に接合されたアルミニウム製上配線層2と、絶縁層3の下面に直接的に接合されたアルミニウム製下配線層4とを備えている。なお、絶縁基板5において、上配線層2は回路層とも呼ばれており、下配線層4は緩衝層とも呼ばれている。
絶縁層3は電気絶縁性を有しており、セラミック製である。セラミックの種類は限定されるものではなく、セラミックとして、窒化アルミニウム(AlN)、アルミナ(Al)、窒化ケイ素(Si)などが用いられる。セラミックの線膨張係数は金属(例:アルミニウム、銅)の線膨張係数よりも低く、そのため、絶縁基板5の平面方向の線膨張係数は概ね5〜9ppm/Kである。
上配線層2、絶縁層3及び下配線層4はそれぞれ例えば平面視略方形状のものである。絶縁層3の一辺の長さは上配線層2及び下配線層4の一辺の長さよりも長い。
上配線層2、絶縁層3及び下配線層4は、通常、下配線層4とベースプレート7が接合される前に予め接合一体化されている。
上配線層2はその上側に発熱性素子(二点鎖線で示す)が搭載されるものであり、具体的には上配線層2はその上面からなる、発熱性素子21用搭載面2aを有している。発熱性素子21は半導体素子(例:パワー半導体素子)などであり、上配線層2の搭載面2aにはんだ層(二点鎖線で示す)22を介して接合されることで搭載面2aに搭載される。なお、搭載面2aには搭載面2aの発熱性素子21とのはんだ付接合性を向上させるための膜(例:ニッケルめっき膜)が形成される場合もある。
ベースプレート7は、絶縁基板5の下配線層4の下側に配置されるとともに下配線層4と積層状にろう付接合される部材である。ここで本明細書では、「ろう付接合」とは、ろう付けにより接合されることを意味する。
ベースプレート7は板状(詳述すると平板状)であって例えば平面視略方形状のものである。ベースプレート7の一辺の長さは絶縁基板5の下配線層4の一辺の長さより長い。
ベースプレート7の厚さは限定されるものではなく、例えば1〜10mmである。
そして、放熱装置1において、絶縁基板5の下配線層4とベースプレート7とは、両者4、7の間に配置された両面アルミニウムブレージングシート11又はろう材箔(図示せず)を用いてろう付接合されている。
すなわち、絶縁基板5の下配線層4とベースプレート7とを接合する場合には、絶縁基板5の下配線層4とベースプレート7との間に両面アルミニウムブレージングシート11又はろう材箔を配置し、そしてこの状態でこれらを所定のろう付け雰囲気(例:非酸化性雰囲気、真空)中にて所定のろう付け温度(例:590〜620℃)に加熱する。これにより、下配線層4とベースプレート7が積層状にろう付接合される。符号「6」は下配線層4とベースプレート7を接合したろう付接合層であり、ろう付接合層6は下配線層4とベースプレート7との間に配置(介在)されている。
下配線層4とベースプレート7を接合するろう付け手段は限定されるものではなく、特に真空ろう付けであることが好ましい。
ここで、両面アルミニウムブレージングシート11とは、アルミニウムからなる心材の両面にそれぞれ皮材としてのアルミニウム系ろう材層がクラッドされたものである。ブレージングシート11は一般に薄い方が熱伝導性が高いため、ブレージングシート11の厚さは1mm以下であることが好ましく、特に0.5mm以下であることがよい。ブレージングシート11の厚さの下限は限定されるものではなく、通常0.1mmである。
さらに、ブレージングシート11には応力緩和のための厚さ方向に貫通した穴が設けられていてもよい。
ブレージングシート11の各ろう材層及びろう材箔のろう材は、アルミニウム系のものであり、特にAl−Si−Mg系ろう材であることが好ましい。さらに、ろう材の流動性を向上させる元素成分(例:Bi、Sr)がろう材に微量に添加されていてもよい。
具体的には、本第1実施形態では、下配線層4とベースプレート7は、両者4、7の間に配置された両面アルミニウムブレージングシート11を用いてろう付接合されている。したがって、下配線層4とベースプレート7は、ブレージングシート11からなるろう付接合層6を介してろう付接合されている。
放熱部材9は、発熱性素子21から絶縁基板5及びベースプレート7を順次伝導してきた熱を放散する板状のものであり、例えばヒートシンクからなる。ただし本発明では、放熱部材9はヒートシンクからなるものであることに限定されるものではなく、その他に例えば液冷式のものであってもよい。この場合、放熱部材9は一般に冷却液が流通する通路を有する。
ベースプレート7と放熱部材9は、所定の締結部材(例:ボルト)により積層状に機械的に締結されるか、あるいは所定の接合手段(例:ろう付け)により積層状に金属的(冶金的)に接合されている。
次に、ベースプレート7の構成について以下に説明する。
ベースプレート7は、アルミニウム層7Aとアルミニウム−炭素粒子複合材層7Bとを備える。複合材層7Bはアルミニウム層7Aの下側に配置されるとともに、アルミニウム層7Aと複合材層7Bが積層状に接合一体化されており、これによりベースプレート7が形成されている。
アルミニウム層7Aと複合材層7Bを接合する接合手段は限定されるものではない。本第1実施形態ではアルミニウム層7Aと複合材層7Bは圧延クラッドされるか又は焼結接合されており、後述する第2実施形態ではアルミニウム層107Aと複合材層107Bはろう付接合されている。
複合材層7Bはアルミニウム−炭素粒子複合材からなる。複合材は、アルミニウムマトリックス(図示せず)とアルミニウムマトリックス中に分散した多数の炭素粒子(図示せず)とを含むものであり、アルミニウム基炭素粒子複合材とも呼ばれている。
炭素粒子としては、炭素繊維(例:ピッチ系炭素繊維、PAN系炭素繊維)、カーボンナノチューブ(VGCF(登録商標)を含む)、グラフェン(例:単層グラフェン、多層グラフェン)、天然黒鉛粒子(例:鱗片状黒鉛粒子)、人造黒鉛粒子(例:異方性黒鉛粒子、等方性黒鉛粒子)などが用いられる。また、複合材層7Bの平面方向の線膨張係数を所望する値(範囲)に設定するため、これらの粒子の中から選択された複数種を炭素粒子として用いてもよい。
炭素粒子の大きさは限定されるものではなく、好ましくは炭素粒子の最長軸方向の平均長さは0.1μm〜2mmである。
複合材層7Bにおいて、複合材に対する炭素粒子の体積含有率は限定されるものではないが、炭素粒子の使用量を少なくすることでベースプレート7の製造コスト(即ち放熱装置1の製造コスト)を削減するため、60体積%以下であることが好ましく、特に40体積%以下であることがよい。複合材に対する炭素粒子の体積含有率の下限は限定されるものではなく、好ましくは10体積%である。
複合材の製造方法は限定されるものではなく、複合材の製造方法として粉末焼結法、塗工+焼結法などが用いられる。粉末焼結法とは、アルミニウム粉末と炭素粉末(炭素粒子として)との混合物を焼結素材として所定の焼結装置により焼結する方法である。塗工+焼結法とは、アルミニウム箔上に炭素粒子が塗工された炭素粒子塗工箔の積層体を焼結素材として所定の焼結装置により焼結する方法である。
焼結装置は限定されるものではなく、焼結装置として真空ホットプレス装置、放電プラズマ焼結装置などが用いられる。焼結装置として真空ホットプレス装置が用いられる場合における焼結条件の一例は次のとおりである。
焼結温度は450〜640℃、焼結時間(即ち焼結温度の保持時間)は10〜300min、焼結素材への最終加圧力は1〜40MPaである。
複合材層7B中の炭素粒子は例えば複合材層7Bの平面方向に配向している。この場合、複合材層7Bは熱伝導率に異方性を有し、具体的には複合材層7Bの厚さ方向の熱伝導率は複合材層7Bの平面方向の熱伝導率よりも低い。
複合材層7Bの平面方向の線膨張係数は2〜15ppm/Kの範囲に設定されている。これにより、絶縁基板5の平面方向の線膨張係数とベースプレート7の平面方向の線膨張係数との差を小さくすることができ、そのため、搭載面2aの反りを低減することができるし、さらに、ベースプレート7の製造コスト(即ち放熱装置1の製造コスト)を削減することができるし、ベースプレート7の加工性(例:塑性加工性)の低下を抑制することができる。
すなわち、この線膨張係数が15ppm/Kを超える場合、絶縁基板5の平面方向の線膨張係数とベースプレート7の平面方向の線膨張係数との差が大きく、そのため搭載面2aの反りが大きくなる。この線膨張係数が2ppm/K未満の場合、複合材層7Bを製造するための炭素粒子の使用量が多い。その結果、ベースプレート7の製造コストが高くなるし、ベースプレート7の加工性が低下する。
ここで、複合材層7Bの平面方向の線膨張係数とは、詳述すると25℃から300℃の範囲における複合材層7Bの平面方向の平均線膨張係数を意味する。放熱装置1の各構成部材の平面方向の線膨張係数の意味もこれと同じである。
アルミニウム層7Aはアルミニウムからなる。アルミニウム層7Aの厚さ方向の熱伝導率とアルミニウム層7Aの平面方向の熱伝導率とは概ね等しい。
アルミニウム層7Aの厚さは300μm以上でなければならない。この場合、放熱装置1の放熱性能を向上させることができるし、ベースプレート7の製造コストを削減することができる。アルミニウム層7Aの厚さが300μm未満では、放熱装置1の放熱性能を向上させる効果に乏しいし、ベースプレート7の製造コストを削減する効果にも乏しい。
アルミニウム層7Aの厚さの上限は限定されるものではなく、好ましくは5000μmある。
さらに、アルミニウム層7Aの厚さをA、及び、複合材層7Bの厚さをBとするとき、A:Bは1:2〜2:1の範囲に設定されていることが好ましい。その理由は次のとおりである。
すなわち、A≧B/2の場合は、アルミニウム層7Aが厚く、そのため、ベースプレート7の製造コストを確実に削減することができるし、放熱装置1の放熱性能を確実に向上させることができる。
B≧A/2の場合は、複合材層7Bが厚く、そのため、搭載面2aの反りを確実に低減することができるし、ベースプレート7の強度を高めることができる。
さらに、A/(A+B)の値をx、及び、複合材層7Bの平面方向の線膨張係数をy(その単位:ppm/K)とするとき、x及びyは下記式1〜3を全て満足していることが好ましい。すなわち、アルミニウム層7Aの厚さAと複合材層7Bの厚さBと複合材層7Bの平面方向の線膨張係数yとは、x及びyが図2に示した斜線領域Dに位置するように設定されていることが好ましい。なお、斜線領域Dとは、図2中のX軸(横軸)及びY軸(縦軸)の直交座標においてx=1/3の直線とx=2/3の直線とy=2の直線とy=−21x+21の直線とで包囲された領域(各境界直線上を含む)である。A及びBのそれぞれの単位は通常「μm」が用いられる。
1/3≦x≦2/3 … 式1
2≦y … 式2
y≦−21x+21 … 式3。
x及びyが式1〜3を全て満足していることにより、搭載面2aの反りを確実に低減することができるし、ベースプレート7の製造コストを確実に削減することができるし、放熱装置1の放熱性能を確実に向上させることができるし、ベースプレート7の加工性の低下を確実に抑制することができるし、ベースプレート7の強度を高めることができる。その理由は以下のとおりである。
xが式1中の「1/3≦x」を満足する場合とは、上述したA≧B/2の場合を意味する。したがって、ベースプレート7の製造コストを確実に削減することができるし、放熱装置1の放熱性能を確実に向上させることができる。
xが式1中の「x≦2/3」を満足する場合とは、上述したB≧A/2の場合を意味する。したがって、搭載面2aの反りを確実に低減することができるし、ベースプレート7の強度を高めることができる。
yが式2である「2≦y」を満足することにより、複合材層7Bを製造するための炭素粒子の使用量を確実に少なくすることができ、そのため、ベースプレート7の製造コストを確実に削減することができるし、ベースプレート7の加工性の低下を確実に抑制することができる。
x及びyが式3である「y≦−21x+21」を満足することにより、搭載面2aの反りを確実に低減することができる。
ここで、複合材層7Bの平面方向の線膨張係数が複合材層7Bの平面方向に平行な複数の方向で相異する場合は、これらの線膨張係数の算術平均値を複合材層7Bの平面方向の線膨張係数として採用される。
アルミニウム層7Aのアルミニウムの純度は限定されるものではないが、99質量%以上であることが好ましい。この場合、アルミニウム層7Aのアルミニウム材料を安価に入手することができるし、ベースプレート7の厚さ方向の熱伝導率が高くなる。これにより、ベースプレート7の製造コストを確実に削減することができるし、放熱装置1の放熱性能を確実に向上させることができる。
アルミニウム層7Aのアルミニウムの純度の上限は限定されるものではないが、ベースプレート7の製造コストを確実に削減し且つ放熱装置1の放熱性能を確実に向上させるため、アルミニウムの純度の上限は99.3質量%であることが好ましい。
さらに、ベースプレート7において、上述したように複合材層7Bはアルミニウム層7Aの下側に配置されている。したがって、複合材層7Bがアルミニウム層7Aの上側に配置されている場合よりも複合材層7Bが絶縁層3から離れた位置に配置されているので、搭載面2aの反りを確実に低減することができる。
図3及び4は、本発明の第2実施形態に係る放熱装置101及びその製造方法を説明する図である。これらの図において、上記第1実施形態の放熱装置1の要素と同じ作用を奏する要素には、上記第1実施形態の放熱装置1の要素に付された符号に100を加算した符号が付されている。本第2実施形態について上記第1実施形態との相異点を中心に以下に説明する。
図3に示すように、本第2実施形態の放熱装置101では、ベースプレート107におけるアルミニウム層107Aとアルミニウム−炭素粒子複合材層107Bは、両者107A、107Bの間に配置された両面アルミニウムブレージングシート112又はろう材箔を用いてろう付接合されている。符号「108」はアルミニウム層107Aと複合材層107Bを接合したろう付接合層であり、ろう付接合層108はアルミニウム層107Aと複合材層107Bとの間に配置(介在)されている。
アルミニウム層107Aと複合材層107Bを接合するろう付け手段は限定されるものではなく、特に真空ろう付けであることが好ましい。
具体的には、本第2実施形態では、アルミニウム層107Aと複合材層107Bは、両者107A、107Bの間に配置された両面アルミニウムブレージングシート112を用いてろう付接合されている。したがって、アルミニウム層107Aと複合材層107Bは、ブレージングシート112からなるろう付接合層108を介してろう付接合されている。
本第2実施形態の放熱装置101のその他の構成は上記第1実施形態の放熱装置1の構成と同じである。
本第2実施形態の放熱装置101の製造方法は次のとおりである。
図4に示すように、絶縁基板105とベースプレート107をそれぞれ準備する。
絶縁基板105における上配線層102、絶縁層103及び下配線層104は予め接合一体化されている。
ベースプレート107は、アルミニウム層107Aとアルミニウム−炭素粒子複合材層107Bとを備えるとともに、両者107A、107Bはまだ接合一体化されておらず、すなわち互いに別体である。
次いで、絶縁基板105の下配線層104とベースプレート107とを積層状に配置するとともに、ベースプレート107におけるアルミニウム層107Aと複合材層107Bとを積層状に配置し、更に、下配線層104とベースプレート107との間に両面アルミニウムブレージングシート111(又はろう材箔)を配置するとともに、アルミニウム層107Aと複合材層107Bとの間に両面アルミニウムブレージングシート112(又はろう材箔)を配置する。そしてこの状態で、アルミニウム層107Aと複合材層107Bとを積層状にろう付接合することでベースプレート107を形成するのと同時に下配線層104とベースプレート107(詳述するとベースプレート107のアルミニウム層107A)とを積層状にろう付接合する。
具体的には、絶縁基板105の下配線層104と両面アルミニウムブレージングシート111とアルミニウム層107Aと両面アルミニウムブレージングシート112と複合材層107Bとをこの順に積層する。そしてこの状態でこれらを所定のろう付け雰囲気中にて所定のろう付け温度に加熱する。これにより、下配線層104とアルミニウム層107Aと複合材層107Bを一括してろう付接合する。その結果、図3に示した本第2実施形態の放熱装置101が製造される。
このように、ベースプレート107におけるアルミニウム層107Aと複合材層107Bとをろう付接合するのと同時に絶縁基板105の下配線層104とベースプレート107(具体的にはベースプレート107のアルミニウム層107A)とをろう付接合することにより、放熱装置101の製造工程数を減らすことができ、そのため、ベースプレート107の製造コストを更に削減することができる。
以上で本発明の幾つかの実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で様々に変更可能である。
本発明の具体的な実施例及び比較例を以下に示す。ただし本発明は下記実施例に限定されるものではない。
<実施例1>
図1に示した上記第1実施形態の放熱装置1を次の方法で製造した。
上配線層2と絶縁層3と下配線層4とを備えた絶縁基板5を準備した。上配線層2は絶縁層3の上面に直接的にろう付接合されており、下配線層4は絶縁層3の下面に直接的にろう付接合されていた。上配線層2及び下配線層4はそれぞれ純度4N(即ち99.99質量%)のアルミニウム製であり、絶縁層3は窒化アルミニウム(AlN)製であった。
上配線層2、絶縁層3及び下配線層4はそれぞれ平面視正方形状のものである。上配線層2及び下配線層4の一辺の長さはそれぞれ60mmであり、その厚さはそれぞれ0.6mmであった。絶縁層3の一辺の長さは64mmであり、その厚さは0.64mmであった。
また、ベースプレート7を準備した。ベースプレート7は、アルミニウム層7Aとアルミニウム−炭素粒子複合材層7Bとを備えるとともに、アルミニウム層7Aと複合材層7Bは直接的に焼結接合されている。
ベースプレート7において、アルミニウム層7A及び複合材層7Bはそれぞれ平面視正方形状のものである。アルミニウム層7A及び複合材層7Bの一辺の長さはそれぞれ100mmであり、その厚さはそれぞれ2mmであった。
アルミニウム層7Aのアルミニウムの材質はA1100であり、その純度は99.3質量%であった。
複合材層7Bは、炭素粒子として炭素繊維を用いた塗工+焼結法により製造されたものである。炭素繊維の平均繊維長(即ち炭素繊維の最長軸方向の平均長さ)は150μmであった。また、複合材に対する炭素繊維の体積含有率は14体積%であった。複合材層7B中の炭素繊維は複合材層7Bの平面方向に配向しており、複合材層7Bの平面方向の線膨張係数は10ppm/Kであった。
複合材層7Bの平面方向の線膨張係数の測定方法は次のとおりである。
複合材層7Bの平面方向の長さ10mm及び断面が一辺5mmの試験片を、複合材層7Bを形成する複合材から採取した。そして、この試験片について25℃から300℃の範囲における平均線膨張係数を測定し、この測定値を複合材層7Bの平面方向の線膨張係数とした。
次いで、絶縁基板5の下配線層4とベースプレート7(詳述するとベースプレート7のアルミニウム層7A)とを、両者4、7の間に配置した厚さが0.5mmの両面アルミニウムブレージングシート(ろう材層のクラッド率10%)11を用いて真空ろう付け法により積層状にろう付接合した。
その後、上配線層2の搭載面2aの平面度を測定した。その結果、搭載面2aの平面度は0.12mmであった。
搭載面2aの平面度の測定方法は次のとおりである。
搭載面2aを平行な平面で挟んだときにできる隙間の値を搭載面2aの平面度(最大傾斜式平面度)として測定した。この測定での搭載面2aの測定領域は□60mm(即ち搭載面2aの全体)であり、またこの測定はダイヤルゲージを用いた触針式の測定方法により行った。
<実施例2>
図3及び4に示した上記第2実施形態の放熱装置101を次の方法で製造した。
実施例1の絶縁基板5と同じ絶縁基板105を準備した。
また、ベースプレート107を準備した。ベースプレート107は、アルミニウム層107Aとアルミニウム−炭素粒子複合材層107Bとを備えるとともに、アルミニウム層107Aと複合材層107Bは接合一体化されておらず、即ち別体のものである。
ベースプレート107において、アルミニウム層107A及び複合材層107Bはそれぞれ平面視正方形状のものである。アルミニウム層107A及び複合材層107Bの一辺の長さはそれぞれ100mmであり、その厚さはそれぞれ2mmであった。
アルミニウム層107Aのアルミニウムの材質はA1100であり、その純度は99.3質量%であった。
複合材層107Bは、炭素粒子として炭素繊維を用いた塗工+焼結法により製造されたものである。炭素繊維の平均繊維長(即ち炭素繊維の最長軸方向の平均長さ)は150μmであった。また、複合材に対する炭素繊維の体積含有率は16体積%であった。複合材層107B中の炭素繊維は複合材層107Bの平面方向に配向しており、複合材層107Bの平面方向の線膨張係数は9ppm/Kであった。なお、複合材層107Bの平面方向の線膨張係数の測定方法は実施例1と同じである。
次いで、絶縁基板105の下配線層104と厚さが0.5mmの両面アルミニウムブレージングシート(ろう材層のクラッド率10%)111とアルミニウム層107Aと厚さが0.5mmの両面アルミニウムブレージングシート(ろう材層のクラッド率10%)112と複合材層107Bとをこの順に積層し、そしてこの状態でこれらを真空ろう付け法により積層状に一括してろう付接合した。
その後、上配線層102の搭載面102aの平面度を測定した。その結果、搭載面102aの平面度は0.13mmであった。なお、搭載面102aの平面度の測定方法は実施例1と同じである。
<比較例>
上配線層と絶縁層と下配線層とを備えた絶縁基板を準備した。上配線層は絶縁層の上面に直接的にろう付接合されており、下配線層は絶縁層の下面に直接的にろう付接合されていた。上配線層及び下配線層はそれぞれ銅製であり、絶縁層は窒化ケイ素(Si)製であった。
上配線層、絶縁層及び下配線層はそれぞれ平面視正方形状のものである。上配線層及び下配線層の一辺の長さはそれぞれ60mmであり、その厚さはそれぞれ0.6mmであった。絶縁層の一辺の長さは64mmであり、その厚さは0.64mmであった。
また、ベースプレートを準備した。ベースプレートはその全体が銅製であり、平面視正方形状のものである。ベースプレートの一辺の長さは100mmであり、その厚さは3mmであった。
次いで、絶縁基板の下配線層とベースプレートとを積層状にはんだ付により接合した。この際に用いたはんだ材はSn−Ag−Cu系のものであり、その厚さは200μmであった。
その後、上配線層の搭載面の平面度を測定した。その結果、搭載面の平面度は0.5mmであった。なお、搭載面の平面度の測定方法は実施例1と同じである。
上述した実施例1、2及び比較例の結果から分かるように、実施例1の搭載面2aの平面度と実施例2の搭載面102aの平面度は、比較例の搭載面の平面度よりも小さかった。したがって、実施例1及び2の搭載面の反りは小さく、よってこれらの搭載面は発熱性素子とのはんだ付接合性が高いと考えられる。
本発明は、半導体素子等の発熱性素子の熱を放散する放熱装置及びその製造方法に利用可能である。
1、101:放熱装置
2、102:上配線層
2a、102a:搭載面
3、103:絶縁層
4、104:下配線層
5、105:絶縁基板
6、106:ろう付接合層
7、107:ベースプレート
7A、107A:アルミニウム層
7B、107B:アルミニウム−炭素粒子複合材層
9、109:放熱部材
21:発熱性素子

Claims (6)

  1. セラミック製絶縁層と前記絶縁層の上面に接合されたアルミニウム製上配線層と前記絶縁層の下面に接合されたアルミニウム製下配線層とを備えた絶縁基板と、
    前記絶縁基板の前記下配線層の下側に配置されるベースプレートと、を具備し、
    前記上配線層はその上側に発熱性素子が搭載されるものであり、
    前記下配線層と前記ベースプレートが積層状にろう付接合され、
    前記ベースプレートは、厚さが300μm以上のアルミニウム層と平面方向の線膨張係数が2〜15ppm/Kのアルミニウム−炭素粒子複合材層とを備えるとともに、前記アルミニウム層と前記複合材層が積層状に接合されている放熱装置。
  2. 前記ベースプレートの前記アルミニウム層のアルミニウムの純度が99質量%以上である請求項1記載の放熱装置。
  3. 前記ベースプレートにおいて前記複合材層が前記アルミニウム層の下側に配置されている請求項1又は2記載の放熱装置。
  4. 前記ベースプレートの前記アルミニウム層の厚さをA、及び、前記ベースプレートの前記複合材層の厚さをBとするとき、
    A:Bが1:2〜2:1の範囲に設定されている請求項1〜3のいずれかに記載の放熱装置。
  5. 前記ベースプレートの前記アルミニウム層の厚さをA、前記ベースプレートの前記複合材層の厚さをB、A/(A+B)の値をx、及び、前記複合材層の平面方向の線膨張係数をy(その単位:ppm/K)とするとき、
    x及びyが次式1〜3を全て満足している請求項1〜4のいずれかに記載の放熱装置。
    1/3≦x≦2/3 … 式1
    2≦y … 式2
    y≦−21x+21 … 式3
  6. セラミック製絶縁層と前記絶縁層の上面に接合されたアルミニウム製上配線層と前記絶縁層の下面に接合されたアルミニウム製下配線層とを備えた絶縁基板と、
    前記絶縁基板の前記下配線層の下側に配置されるベースプレートと、を準備し、
    前記上配線層はその上側に発熱性素子が搭載されるものであり、
    前記ベースプレートは、厚さが300μm以上のアルミニウム層と平面方向の線膨張係数が2〜15ppm/Kのアルミニウム−炭素粒子複合材層とを備えるとともに、前記アルミニウム層と前記複合材層は互いに別体であり、
    前記ベースプレートにおける前記アルミニウム層と前記複合材層とを積層状にろう付接合するのと同時に前記絶縁基板の前記下配線層と前記ベースプレートとを積層状にろう付接合する放熱装置の製造方法。
JP2019079125A 2019-04-18 2019-04-18 放熱装置及びその製造方法 Pending JP2020178031A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019079125A JP2020178031A (ja) 2019-04-18 2019-04-18 放熱装置及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019079125A JP2020178031A (ja) 2019-04-18 2019-04-18 放熱装置及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2020178031A true JP2020178031A (ja) 2020-10-29

Family

ID=72935713

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019079125A Pending JP2020178031A (ja) 2019-04-18 2019-04-18 放熱装置及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2020178031A (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005095944A (ja) * 2003-09-25 2005-04-14 Sentan Zairyo:Kk 金属基板−炭素基金属複合材料構造体および該構造体の製造方法。
JP2010098057A (ja) * 2008-10-15 2010-04-30 Mitsubishi Materials Corp ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール及び緩衝層付パワーモジュール用基板
JP2017224748A (ja) * 2016-06-16 2017-12-21 株式会社Uacj 回路基板付きヒートシンク及びその製造方法
JP2018022738A (ja) * 2016-08-02 2018-02-08 昭和電工株式会社 絶縁基板の製造方法及び絶縁基板

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005095944A (ja) * 2003-09-25 2005-04-14 Sentan Zairyo:Kk 金属基板−炭素基金属複合材料構造体および該構造体の製造方法。
JP2010098057A (ja) * 2008-10-15 2010-04-30 Mitsubishi Materials Corp ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール及び緩衝層付パワーモジュール用基板
JP2017224748A (ja) * 2016-06-16 2017-12-21 株式会社Uacj 回路基板付きヒートシンク及びその製造方法
JP2018022738A (ja) * 2016-08-02 2018-02-08 昭和電工株式会社 絶縁基板の製造方法及び絶縁基板

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3057125B1 (en) Substrate for heat sink-equipped power module, and production method for same
JP5488619B2 (ja) パワーモジュール用基板及びパワーモジュール
TWI690041B (zh) 具有散熱片的電源模組用基板及電源模組
WO2014115677A1 (ja) パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール
KR20190121768A (ko) 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판
JP2011023475A (ja) 絶縁基板、絶縁回路基板、半導体装置、絶縁基板の製造方法及び絶縁回路基板の製造方法
JP6417834B2 (ja) 冷却器付パワーモジュール用基板及び冷却器付パワーモジュール用基板の製造方法
JP2011129880A (ja) 電子機器用放熱板およびその製造方法
JP7159395B2 (ja) 回路基板および半導体モジュール
CN110383469B (zh) 带散热片的功率模块用基板
WO2018180159A1 (ja) ヒートシンク付き絶縁回路基板の製造方法
JP7151583B2 (ja) ヒートシンク付き絶縁回路基板
JP2010219441A (ja) 電子部品収納用パッケージ
JP6544983B2 (ja) 冷却基板
JP2011071260A (ja) 積層材およびその製造方法、絶縁積層材およびその製造方法
JP6201828B2 (ja) 放熱板付パワーモジュール用基板の製造方法
JP2013055237A (ja) パワーモジュール用基板の製造方法
CN110999544A (zh) 陶瓷电路基板
JP2011023545A (ja) 放熱構造体およびパワーモジュール
JP2020178031A (ja) 放熱装置及びその製造方法
JP6774252B2 (ja) 絶縁基板の製造方法及び絶縁基板
JP2020113598A (ja) 放熱装置
JP7302446B2 (ja) 放熱装置
JP7054073B2 (ja) ヒートシンク付き絶縁回路基板
JP2019096841A (ja) 絶縁基板及び放熱装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220119

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20221223

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230110

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20230131

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20230201

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20230307

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20230704