JP2020178031A - 放熱装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記絶縁基板の前記下配線層の下側に配置されるベースプレートと、を具備し、
前記上配線層はその上側に発熱性素子が搭載されるものであり、
前記下配線層と前記ベースプレートが積層状にろう付接合され、
前記ベースプレートは、厚さが300μm以上のアルミニウム層と平面方向の線膨張係数が2〜15ppm/Kのアルミニウム−炭素粒子複合材層とを備えるとともに、前記アルミニウム層と前記複合材層が積層状に接合されている放熱装置。
A:Bが1:2〜2:1の範囲に設定されている前項1〜3のいずれかに記載の放熱装置。
x及びyが次式1〜3を全て満足している前項1〜4のいずれかに記載の放熱装置。
1/3≦x≦2/3 … 式1
2≦y … 式2
y≦−21x+21 … 式3。
前記絶縁基板の前記下配線層の下側に配置されるベースプレートと、を準備し、
前記上配線層はその上側に発熱性素子が搭載されるものであり、
前記ベースプレートは、厚さが300μm以上のアルミニウム層と平面方向の線膨張係数が2〜15ppm/Kのアルミニウム−炭素粒子複合材層とを備えるとともに、前記アルミニウム層と前記複合材層は互いに別体であり、
前記ベースプレートにおける前記アルミニウム層と前記複合材層とを積層状にろう付接合するのと同時に前記絶縁基板の前記下配線層と前記ベースプレートとを積層状にろう付接合する放熱装置の製造方法。
2≦y … 式2
y≦−21x+21 … 式3。
図1に示した上記第1実施形態の放熱装置1を次の方法で製造した。
図3及び4に示した上記第2実施形態の放熱装置101を次の方法で製造した。
上配線層と絶縁層と下配線層とを備えた絶縁基板を準備した。上配線層は絶縁層の上面に直接的にろう付接合されており、下配線層は絶縁層の下面に直接的にろう付接合されていた。上配線層及び下配線層はそれぞれ銅製であり、絶縁層は窒化ケイ素(Si3N4)製であった。
2、102:上配線層
2a、102a:搭載面
3、103:絶縁層
4、104:下配線層
5、105:絶縁基板
6、106:ろう付接合層
7、107:ベースプレート
7A、107A:アルミニウム層
7B、107B:アルミニウム−炭素粒子複合材層
9、109:放熱部材
21:発熱性素子
Claims (6)
- セラミック製絶縁層と前記絶縁層の上面に接合されたアルミニウム製上配線層と前記絶縁層の下面に接合されたアルミニウム製下配線層とを備えた絶縁基板と、
前記絶縁基板の前記下配線層の下側に配置されるベースプレートと、を具備し、
前記上配線層はその上側に発熱性素子が搭載されるものであり、
前記下配線層と前記ベースプレートが積層状にろう付接合され、
前記ベースプレートは、厚さが300μm以上のアルミニウム層と平面方向の線膨張係数が2〜15ppm/Kのアルミニウム−炭素粒子複合材層とを備えるとともに、前記アルミニウム層と前記複合材層が積層状に接合されている放熱装置。 - 前記ベースプレートの前記アルミニウム層のアルミニウムの純度が99質量%以上である請求項1記載の放熱装置。
- 前記ベースプレートにおいて前記複合材層が前記アルミニウム層の下側に配置されている請求項1又は2記載の放熱装置。
- 前記ベースプレートの前記アルミニウム層の厚さをA、及び、前記ベースプレートの前記複合材層の厚さをBとするとき、
A:Bが1:2〜2:1の範囲に設定されている請求項1〜3のいずれかに記載の放熱装置。 - 前記ベースプレートの前記アルミニウム層の厚さをA、前記ベースプレートの前記複合材層の厚さをB、A/(A+B)の値をx、及び、前記複合材層の平面方向の線膨張係数をy(その単位:ppm/K)とするとき、
x及びyが次式1〜3を全て満足している請求項1〜4のいずれかに記載の放熱装置。
1/3≦x≦2/3 … 式1
2≦y … 式2
y≦−21x+21 … 式3 - セラミック製絶縁層と前記絶縁層の上面に接合されたアルミニウム製上配線層と前記絶縁層の下面に接合されたアルミニウム製下配線層とを備えた絶縁基板と、
前記絶縁基板の前記下配線層の下側に配置されるベースプレートと、を準備し、
前記上配線層はその上側に発熱性素子が搭載されるものであり、
前記ベースプレートは、厚さが300μm以上のアルミニウム層と平面方向の線膨張係数が2〜15ppm/Kのアルミニウム−炭素粒子複合材層とを備えるとともに、前記アルミニウム層と前記複合材層は互いに別体であり、
前記ベースプレートにおける前記アルミニウム層と前記複合材層とを積層状にろう付接合するのと同時に前記絶縁基板の前記下配線層と前記ベースプレートとを積層状にろう付接合する放熱装置の製造方法。
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