JP2017111844A - サンプルホールド回路、および表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】サンプルずれを抑制する。
【解決手段】本開示のサンプルホールド回路は、第1のMOSトランジスタおよび第2のMOSトランジスタを含み、第1のMOSトランジスタおよび第2のMOSトランジスタの互いのソース端子が所定のノードに相互接続され、第1のMOSトランジスタのゲート端子に入力信号が入力される差動対と、第2のMOSトランジスタのゲート端子に接続され、入力信号をサンプルホールドするキャパシタと、キャパシタおよび第2のMOSトランジスタのゲート端子にソース端子が接続され、所定のオン電圧が印加されたときにキャパシタに入力信号をサンプルホールドさせるスイッチトランジスタと、入力信号をサンプルホールドさせるときに、スイッチトランジスタのゲート端子を所定のノードに接続させるオン電圧制御トランジスタとを備える。
【選択図】図4
【解決手段】本開示のサンプルホールド回路は、第1のMOSトランジスタおよび第2のMOSトランジスタを含み、第1のMOSトランジスタおよび第2のMOSトランジスタの互いのソース端子が所定のノードに相互接続され、第1のMOSトランジスタのゲート端子に入力信号が入力される差動対と、第2のMOSトランジスタのゲート端子に接続され、入力信号をサンプルホールドするキャパシタと、キャパシタおよび第2のMOSトランジスタのゲート端子にソース端子が接続され、所定のオン電圧が印加されたときにキャパシタに入力信号をサンプルホールドさせるスイッチトランジスタと、入力信号をサンプルホールドさせるときに、スイッチトランジスタのゲート端子を所定のノードに接続させるオン電圧制御トランジスタとを備える。
【選択図】図4
Description
本開示は、サンプルホールド回路、および表示装置に関する。
A/D(アナログ/デジタル)変換器やコンパレータ回路等に利用されるサンプルホールド回路が知られている。サンプルホールド回路は、スイッチトランジスタとキャパシタとを備え、スイッチトランジスタのオン/オフ動作に応じてキャパシタにアナログの電圧信号をサンプルホールドする回路である。
上記特許文献1には、サンプルホールド回路において、スイッチトランジスタのゲートとキャパシタとの間の浮遊容量に起因するクロックフィードスルーの影響を抑制するための回路構成が提案されている。上記特許文献1に記載のサンプルホールド回路では、クロックフィードスルーの影響を受けてキャパシタに記憶される信号電圧がずれることを抑制するために、入力信号の電圧よりも適度に高いオン電圧を発生させる電圧生成回路を利用して、スイッチトランジスタを駆動する。しかしながら、このような回路構成では、電圧生成回路を構成するためのレイアウト面積が必要となり、また消費電力も増加する。
本開示の目的は、サンプルずれを抑制することができるようにしたサンプルホールド回路、および表示装置を提供することにある。
本開示によるサンプルホールド回路は、第1のMOSトランジスタおよび第2のMOSトランジスタを含み、第1のMOSトランジスタおよび第2のMOSトランジスタの互いのソース端子が所定のノードに相互接続され、第1のMOSトランジスタのゲート端子に入力信号が入力される差動対と、第2のMOSトランジスタのゲート端子に接続され、入力信号をサンプルホールドするキャパシタと、キャパシタおよび第2のMOSトランジスタのゲート端子にソース端子が接続され、所定のオン電圧が印加されたときにキャパシタに入力信号をサンプルホールドさせるスイッチトランジスタと、入力信号をサンプルホールドさせるときに、スイッチトランジスタのゲート端子を所定のノードに接続させるオン電圧制御トランジスタとを備えたものである。
本開示による表示装置は、サンプルホールド回路を有し、入力信号として画像信号が入力されるコンパレータ回路を含み、サンプルホールド回路を、上記本開示によるサンプルホールド回路で構成したものである。
本開示によるサンプルホールド回路、または表示装置では、入力信号をサンプルホールドさせるときに、スイッチトランジスタのゲート端子が、差動対の所定のノードに接続される。
本開示のサンプルホールド回路、または表示装置によれば、入力信号をサンプルホールドするときに、スイッチトランジスタのゲート端子を、差動対の所定のノードに接続するようにしたので、サンプルずれを抑制することができる。
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
0.比較例のサンプルホールド回路の概要および課題(図1〜図3)
1.第1の実施の形態(図4〜図7)
1.1 構成
1.2 動作
1.3 効果
2.第2の実施の形態(図8〜図10)
3.適用例(図11〜図12)
4.その他の実施の形態
0.比較例のサンプルホールド回路の概要および課題(図1〜図3)
1.第1の実施の形態(図4〜図7)
1.1 構成
1.2 動作
1.3 効果
2.第2の実施の形態(図8〜図10)
3.適用例(図11〜図12)
4.その他の実施の形態
<0.比較例のサンプルホールド回路の概要および課題>
図1は、比較例に係るサンプルホールド回路の一構成例を示している。
図1は、比較例に係るサンプルホールド回路の一構成例を示している。
(比較例に係るサンプルホールド回路の構成)
比較例に係るサンプルホールド回路は、スイッチトランジスタTswと、キャパシタC1と、差動対10と、電源電圧(VDD)供給ライン11と、グランド電圧(GND)供給ライン12と、電流源13と、出力段回路14とを備えている。また、比較例に係るサンプルホールド回路は、Vsig入力端子21と、ゲート電圧信号(Gate)入力端子22と、レファレンス電圧信号(Ref)入力端子23とを備えている。
比較例に係るサンプルホールド回路は、スイッチトランジスタTswと、キャパシタC1と、差動対10と、電源電圧(VDD)供給ライン11と、グランド電圧(GND)供給ライン12と、電流源13と、出力段回路14とを備えている。また、比較例に係るサンプルホールド回路は、Vsig入力端子21と、ゲート電圧信号(Gate)入力端子22と、レファレンス電圧信号(Ref)入力端子23とを備えている。
出力段回路14は、例えばサンプルホールド回路が表示装置に適用される場合、画素の駆動回路等である。
差動対10は、第1のMOS(Metal-Oxide-Semiconductor)トランジスタTr1および第2のMOSトランジスタTr2からなる一対のMOSトランジスタを含んでいる。第1のMOSトランジスタTr1および第2のMOSトランジスタTr2は、p型MOS(PMOS)トランジスタからなる。第1のMOSトランジスタTr1および第2のMOSトランジスタTr2は、互いのソース端子が相互接続されている。第1のMOSトランジスタTr1および第2のMOSトランジスタTr2のソース端子は電流源13に接続されている。第1のMOSトランジスタTr1および第2のMOSトランジスタTr2のドレイン端子は、出力段回路14に接続されている。
第1のMOSトランジスタTr1のゲート端子には、信号電圧Vsigの入力信号が入力される。差動対10は、第1のMOSトランジスタTr1のゲート端子が正入力端子、第2のMOSトランジスタTr2のゲート端子が負入力端子を構成し、スイッチトランジスタTswがオンしたときに負帰還回路を構成する。
スイッチトランジスタTswはn型MOS(NMOS)トランジスタからなる。スイッチトランジスタTswのソース端子は、キャパシタC1の一端と第2のMOSトランジスタTr2のゲート端子とに接続されている。スイッチトランジスタTswは、ゲート端子に所定のオン電圧が印加されたときにキャパシタC1に入力信号をサンプルホールドさせる。スイッチトランジスタTswのゲート端子には、所定のオン電圧として、VDD電位のゲート電圧信号Gateが入力される。スイッチトランジスタTswのドレイン端子は、出力段回路14に接続されている。
キャパシタC1は、一端が、第2のMOSトランジスタTr2のゲート端子に接続され、スイッチトランジスタTswのスイッチ動作に応じて、入力信号をサンプルホールドする。キャパシタC1の他端には、レファレンス電圧信号Refが入力される。
(比較例に係るサンプルホールド回路の動作および課題)
図2は、図1に示したサンプルホールド回路におけるスイッチトランジスタTswがオン状態のときの電荷の移動を示している。図3は、図1に示したサンプルホールド回路におけるスイッチトランジスタTswがオフ状態のときの電荷の移動を示している。図5は、図1に示したサンプルホールド回路における電源電圧VDDとスイッチトランジスタTswのオン電圧との関係を示している。
図2は、図1に示したサンプルホールド回路におけるスイッチトランジスタTswがオン状態のときの電荷の移動を示している。図3は、図1に示したサンプルホールド回路におけるスイッチトランジスタTswがオフ状態のときの電荷の移動を示している。図5は、図1に示したサンプルホールド回路における電源電圧VDDとスイッチトランジスタTswのオン電圧との関係を示している。
図1に示した比較例に係るサンプルホールド回路は、差動対10を入力段としたコンパレータ回路またはバッファアンプとなっている。図1において、ゲート電圧信号GateがVDD電位にあるとき、スイッチトランジスタTswがオンして差動対10が負帰還を形成し、差動対10の正入力端子と負入力端子とが同電位になって、キャパシタC1に入力信号の信号電圧Vsigが記憶される。次に、ゲート電圧信号GateがGND電位に遷移してスイッチトランジスタTswがオフとなるとき、スイッチトランジスタTswの寄生容量pCapを介してキャパシタC1に記憶された入力信号の信号電圧Vsigの値がずれてしまう。これは、図5に示したように、VDD電位が高く、入力信号の信号電圧Vsigとの乖離が大きい場合に顕著となる。
比較例に係るサンプルホールド回路では、サンプル期間終了時に、スイッチトランジスタTswのゲート端子がVDD電位からGND電位に遷移すると、スイッチトランジスタTswの寄生容量pCapを介して、入力信号の信号電圧Vsigを記憶したキャパシタC1に電荷が流れ、電位がずれる。この流れる電荷は、図2に示すようにスイッチトランジスタTswがオン状態で導通しているときはスイッチトランジスタTswのソース側およびドレイン側の両側からキャパシタC1に流れる。一方、図3に示すようにスイッチトランジスタTswがオフ状態で導通していないときには、ソース側からのみ電荷がキャパシタC1に流れる。このため、入力信号の信号電圧Vsigが低くVDD電位との乖離が大きいほど、流れる電荷も多くなって、サンプルした電位のずれも大きくなる。
<1.第1の実施の形態>
次に、本開示の第1の実施の形態について説明する。以下では、上記比較例と略同様の構成および作用等を有する部分については、適宜説明を省略する。
[1.1 構成]
図4は、本開示の第1の実施の形態に係るサンプルホールド回路の一構成例を示している。図6は、図4に示したサンプルホールド回路における電源電圧VDDとスイッチトランジスタTswのオン電圧との関係を示している。
図4は、本開示の第1の実施の形態に係るサンプルホールド回路の一構成例を示している。図6は、図4に示したサンプルホールド回路における電源電圧VDDとスイッチトランジスタTswのオン電圧との関係を示している。
本実施の形態に係るサンプルホールド回路は、図1に示した比較例に係るサンプルホールド回路の構成に対して、オン電圧制御トランジスタTr11と、オフ電圧制御トランジスタTr12と、xゲート電圧信号(xGate)入力端子24とをさらに備えている。
オン電圧制御トランジスタTr11は、NMOSトランジスタからなる。オン電圧制御トランジスタTr11は、ソース端子がスイッチトランジスタTswのゲート端子に接続されている。オン電圧制御トランジスタTr11のゲート端子には、ゲート電圧信号Gateが入力される。オン電圧制御トランジスタTr11のドレイン端子は、第1のMOSトランジスタTr1と第2のMOSトランジスタTr2とが相互接続された所定のノード20に接続されている。
オン電圧制御トランジスタTr11は、入力信号をサンプルホールドさせるときに、スイッチトランジスタTswのゲート端子を所定のノード20に接続させる。オン電圧制御トランジスタTr11は、差動対10が負帰還回路を構成する場合にのみ、スイッチトランジスタTswのゲート端子を所定のノード20に接続させる。これにより、スイッチトランジスタTswのオン電圧は、所定のノード20の電圧となる。
ここで、所定のノード20の電圧は、入力信号の信号電圧Vsigと第1のMOSトランジスタTr1および第2のMOSトランジスタTr2におけるゲート−ソース間の電圧Vgsとの和(Vsig+Vgs)である。入力信号をサンプルホールドさせるときの所定のノード20の電圧は、図6に示したように、電源電圧VDDよりも低い電圧となる。
オフ電圧制御トランジスタTr12は、NMOSトランジスタからなる。オフ電圧制御トランジスタTr12は、ソース端子がグランド電圧供給ライン12に接続されている。オフ電圧制御トランジスタTr12のゲート端子には、xゲート電圧信号xGateが入力される。オフ電圧制御トランジスタTr12のドレイン端子は、スイッチトランジスタTswのゲート端子に接続されている。
オフ電圧制御トランジスタTr12は、スイッチトランジスタTswのゲート端子に、スイッチトランジスタTswをオフさせる所定のオフ電圧として、GND電圧を印加する。
その他の構成は、上記比較例に係るサンプルホールド回路と略同様であってもよい。
[1.2 動作]
上記したように、比較例に係るサンプルホールド回路では、サンプル終了時にスイッチトランジスタTswのゲート電圧を電源電圧VDDからGND電圧に遷移させてオフとする。このとき、図2に示すように寄生容量pCapを介してゲート端子からキャパシタC1に電荷の移動が起こり、スイッチトランジスタTswがオフするまでは、スイッチトランジスタTswのソース側およびドレイン側の両側から寄生容量pCapの電荷がキャパシタC1に流れる。しかしながら、スイッチトランジスタTswをオフしてからは、図3に示すようにスイッチトランジスタTswのソース側からのみ、片側分の電荷だけがキャパシタC1に流れ込み、サンプルした電圧信号がずれる。これを抑制するには、図6に示すように、スイッチトランジスタTswのオン状態の電圧を下げればよい。
上記したように、比較例に係るサンプルホールド回路では、サンプル終了時にスイッチトランジスタTswのゲート電圧を電源電圧VDDからGND電圧に遷移させてオフとする。このとき、図2に示すように寄生容量pCapを介してゲート端子からキャパシタC1に電荷の移動が起こり、スイッチトランジスタTswがオフするまでは、スイッチトランジスタTswのソース側およびドレイン側の両側から寄生容量pCapの電荷がキャパシタC1に流れる。しかしながら、スイッチトランジスタTswをオフしてからは、図3に示すようにスイッチトランジスタTswのソース側からのみ、片側分の電荷だけがキャパシタC1に流れ込み、サンプルした電圧信号がずれる。これを抑制するには、図6に示すように、スイッチトランジスタTswのオン状態の電圧を下げればよい。
図6に示すように、スイッチトランジスタTswがオンするのに十分な、かつサンプルする入力信号の信号電圧Vsigとの乖離が大きくならない電位でスイッチトランジスタTswを駆動すれば、オンからオフへの遷移時にスイッチトランジスタTswがオンしている期間が短くなって、サンプルずれも抑制される。なお、図5および図6において、Vthは、スイッチトランジスタTswがオンする、信号電圧Vsigからの閾値電圧を示す。一方で、先行技術文献(特開2002−197886号公報)に記載されているような電圧生成回路を用いる手法では、電圧生成回路を構成するためのレイアウト面積が必要となり、また消費電力も増加する。また、電圧生成回路を構成するために回路素子が増加する。
本実施の形態では、差動対10を入力段としたコンパレータ回路もしくはバッファアンプが負帰還を構成しているとき、つまりスイッチトランジスタTswが導通しているときにのみ、差動対10の所定のノード20の電圧が、「Vsig+Vgs」となる。
図7は、入力信号の信号電圧Vsigとサンプルずれとの関係を示している。図7には、比較例として図1に示したサンプルホールド回路の特性を示す。また、実施例として、図4に示したサンプルホールド回路の特性を示す。
図7において、横軸は信号電圧Vsig(V)を示している。図7において、縦軸は、信号電圧Vsigと実際にキャパシタC1にサンプルホールドされた電圧との差分を、サンプルずれ量として示している。
図7では、サンプルホールド回路を構成する各MOSトランジスタの特性を、T(Typical)、F(Fast)、およびS(Slow)で示している。また、図7において、例えば、FSは、サンプルホールド回路内のNMOSトランジスタの特性がF(Fast)、PMOSトランジスタの特性がS(Slow)であることを示す。すなわち、図7のTT、FF、FS等の表記は、サンプルホールド回路内のNMOSトランジスタの特性を前に、PMOSトランジスタの特性を後ろに表記したものである。
図7に示したように、図4に示したサンプルホールド回路では、比較例に係るサンプルホールド回路に対して、MOSトランジスタの特性ばらつきに対して、サンプルずれが改善されている。比較例に係るサンプルホールド回路では、TT(typical)の場合を中心として、FF,FS,SS,SFの場合ではサンプルずれがばらついている。これに対して、図4に示したサンプルホールド回路では、サンプルずれの絶対値が全体に減ってVsig依存も減ったうえに、MOSトランジスタの特性ばらつきに対してもTT,SS,FFの場合のようにNMOSトランジスタとPMOSトランジスタとが同じ特性方向にばらついた場合はサンプルずれは略同じになる。また、FSやSFの場合のようにMOSトランジスタの特性ばらつきがアンバランスになったときだけ、サンプルずれ量がばらつく、という改善効果がある。
その他の動作は、上記比較例に係るサンプルホールド回路と略同様であってもよい。
[1.3 効果]
以上のように、本実施の形態によれば、入力信号をサンプルホールドするときに、スイッチトランジスタTswのゲート端子を、差動対10の所定のノード20に接続するようにしたので、サンプルずれを抑制することができる。
以上のように、本実施の形態によれば、入力信号をサンプルホールドするときに、スイッチトランジスタTswのゲート端子を、差動対10の所定のノード20に接続するようにしたので、サンプルずれを抑制することができる。
本実施の形態によれば、サンプルする入力信号の信号電圧Vsigがどのような電圧であっても、常にスイッチトランジスタTswのオン電圧が「Vsig+Vgs」となって、サンプルずれが抑制される(図7)。また、本実施の形態によれば、サンプルずれの量のVsig依存性が減少する(図7)。
また、本実施の形態によれば、オン電圧発生回路のような特別な回路は不要であり、オン電圧発生回路を用いる場合のような消費電力の増加がない。本実施の形態によれば、比較例のサンプルホールド回路に対して2つの回路素子(オン電圧制御トランジスタTr11およびオフ電圧制御トランジスタTr12)の追加のみで、オン電圧発生回路を用いた場合と同様の効果があり、レイアウト面積の増加が微小で済む。これらの効果は、特にディスプレイドライバのような多チャンネル回路に適用した場合に特に大きくなる。
なお、本明細書に記載された効果はあくまでも例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。以降の他の実施の形態の効果についても同様である。
<2.第2の実施の形態>
次に、本開示の第2の実施の形態について説明する。以下では、上記第1の実施の形態と略同様の構成および作用を有する部分については、適宜説明を省略する。
次に、本開示の第2の実施の形態について説明する。以下では、上記第1の実施の形態と略同様の構成および作用を有する部分については、適宜説明を省略する。
図8は、本開示の第2の実施の形態に係るサンプルホールド回路の一例を示している。図10は、図8に示したサンプルホールド回路におけるオン電圧を示している。
図8に示したサンプルホールド回路は、図4に示したサンプルホールド回路におけるNMOSトランジスタをPMOSトランジスタに、PMOSトランジスタをNMOSトランジスタに置き換えた回路構成となっている。
本実施の形態に係るサンプルホールド回路は、図4に示したサンプルホールド回路の構成における差動対10に代えて差動対10’を備えている。差動対10’は、第1のMOSトランジスタTr1’および第2のMOSトランジスタTr2’からなる一対のMOSトランジスタを含んでいる。第1のMOSトランジスタTr1’および第2のMOSトランジスタTr2’は、NMOSトランジスタからなる。
また、本実施の形態に係るサンプルホールド回路は、図4に示したサンプルホールド回路の構成におけるスイッチトランジスタTswに代えてスイッチトランジスタTsw’を備えている。スイッチトランジスタTsw’は、PMOSトランジスタからなる。
また、本実施の形態に係るサンプルホールド回路は、図4に示したサンプルホールド回路の構成におけるオン電圧制御トランジスタTr11に代えてオン電圧制御トランジスタTr12’を備えている。また、本実施の形態に係るサンプルホールド回路は、図4に示したサンプルホールド回路の構成におけるオフ電圧制御トランジスタTr12に代えてオフ電圧制御トランジスタTr11’を備えている。
オン電圧制御トランジスタTr12’は、PMOSトランジスタからなる。オン電圧制御トランジスタTr12’は、ソース端子がスイッチトランジスタTsw’のゲート端子に接続されている。オン電圧制御トランジスタTr12’のゲート端子には、xゲート電圧信号xGateが入力される。オン電圧制御トランジスタTr12’のドレイン端子は、第1のMOSトランジスタTr1’と第2のMOSトランジスタTr2’とが相互接続された所定のノード20’に接続されている。
オン電圧制御トランジスタTr12’は、入力信号をサンプルホールドさせるときに、スイッチトランジスタTsw’のゲート端子を所定のノード20’に接続させる。オン電圧制御トランジスタTr12’は、差動対10’が負帰還回路を構成する場合にのみ、スイッチトランジスタTsw’のゲート端子を所定のノード20’に接続させる。これにより、スイッチトランジスタTsw’のオン電圧は、所定のノード20’の電圧となる。
ここで、所定のノード20’の電圧は、入力信号の信号電圧Vsigと第1のMOSトランジスタTr1’および第2のMOSトランジスタTr2’におけるゲート−ソース間の電圧Vgsとの差(Vsig−Vgs)である。入力信号をサンプルホールドさせるときの所定のノード20’の電圧は、図10に示したように、GND電圧よりも高い電圧となる。
オフ電圧制御トランジスタTr11’は、PMOSトランジスタからなる。オフ電圧制御トランジスタTr11’は、ソース端子が電源電圧供給ライン11に接続されている。オフ電圧制御トランジスタTr11’のゲート端子には、ゲート電圧信号Gateが入力される。オフ電圧制御トランジスタTr11’のドレイン端子は、スイッチトランジスタTsw’のゲート端子に接続されている。
オフ電圧制御トランジスタTr11’は、スイッチトランジスタTsw’のゲート端子に、スイッチトランジスタTsw’をオフさせる所定のオフ電圧として、図10に示したように、電源電圧VDDを印加する。
図9は、比較例に係るサンプルホールド回路におけるオン電圧を示している。なお、ここでの比較例に係るサンプルホールド回路とは、図1に示したサンプルホールド回路におけるNMOSトランジスタをPMOSトランジスタに、PMOSトランジスタをNMOSトランジスタに置き換えた回路構成である。なお、図9および図10において、Vthは、スイッチトランジスタTsw’がオンする、信号電圧Vsigからの閾値電圧を示す。
比較例に係るサンプルホールド回路では、図9に示したようにスイッチトランジスタTsw’のオン電圧はGND電圧であり、入力信号の信号電圧Vsigとの乖離が大きい。これに対して、本実施の形態に係るサンプルホールド回路では、図10に示すように、スイッチトランジスタTsw’がオンするのに十分な、かつサンプルする入力信号の信号電圧Vsigとの乖離が大きくならない電位でスイッチトランジスタTsw’を駆動する。これにより、上記第1の実施の形態と同様にサンプルずれが抑制される。
その他の構成および動作、ならびに効果は、上記比較例または第1の実施の形態と略同様であってもよい。
<3.適用例>
次に、上記各実施の形態で説明したサンプルホールド回路の適用例について説明する。
次に、上記各実施の形態で説明したサンプルホールド回路の適用例について説明する。
本開示のサンプルホールド回路は、各種の装置におけるA/D変換器やコンパレータ回路に適用可能である。ここでは、一例として、表示装置のコンパレータ回路に適用した例を説明する。
図11は、各実施の形態に係るサンプルホールド回路が適用される表示装置の一構成例を示している。図12は、図11に示した表示装置における画素の一構成例を示している。なお、図面の簡略化のため、図11には3×5個の画素のみを図示しているが、これよりも多くの画素を有した構成であってもよい。
表示装置は、発光部31、および、発光部31を駆動する駆動回路32から構成された画素30が、複数、2次元マトリクス状に配列されてなる。画素30は副画素であってもよい。複数の画素30は、第1の方向および第2の方向に2次元マトリクス状に配列されている。表示装置はさらに、画素30を駆動するための周辺の駆動部として、電圧供給部101、走査回路102、制御波形生成回路103、および、画像信号出力回路104を備えている。走査回路102は、走査線SCLに接続されている。
発光部31は、発光ダイオード(LED)から構成されており、アノード電極が電源部に接続されている。複数の画素30の各駆動回路32は、コンパレータ回路33、電流源34、および、発光部駆動用トランジスタTRDrvを備えている。
発光部駆動用トランジスタTRDrvは、例えば、nチャネル型のトランジスタからなる。ただし、nチャネル型のトランジスタに限られるものではない。発光部駆動用トランジスタTRDrvは、ドレイン電極が発光部31のカソード電極に接続され、ソース電極が電流源34を介して接地部(グランド)に接続されている。
コンパレータ回路33には、上記各実施の形態に係るサンプルホールド回路を適用可能である。コンパレータ回路33には、鋸波形の電圧変化を有する制御波形(発光制御波形)VSawが制御波形生成回路103から制御波形線PSLを通して与えられるとともに、信号電圧Vsigが画像信号出力回路104からデータ線DTLを通して与えられる。なお、信号電圧Vsigは、具体的には、画素30における発光状態(輝度)を制御する発光強度信号の電圧(画像信号電圧)である。コンパレータ回路33は、制御波形VSawと信号電圧Vsigに基づく電位とを比較し、比較結果に基づく所定電圧(便宜上、『第1の所定電圧』と呼ぶ)を出力する。
電流源34には、電圧供給部101から基準電圧VRefおよび基準電流IRefが供給される。電流源34は、基準電圧VRefおよび基準電流IRefを基に電圧電流変換して定電流を生成する。発光部駆動用トランジスタTRDrvは、コンパレータ回路33から出力される第1の所定電圧によって駆動されることで、発光部31に電流を供給し、発光部31を発光させる。すなわち、発光部駆動用トランジスタTRDrvは、コンパレータ回路33の出力に応じて発光部31に電流を供給する電流供給部を構成している。
表示装置は、各画素30がコンパレータ回路33を含む駆動回路32を有することで、信号電圧Vsigに基づく電位に応じた時間だけ発光部31を発光させる、すなわち、発光部31をPWM駆動する駆動法を採っている。このPWM駆動法によれば、発光部31の発光ばらつきを軽減できる利点がある。
<4.その他の実施の形態>
本開示による技術は、上記各実施の形態の説明に限定されず種々の変形実施が可能である。
本開示による技術は、上記各実施の形態の説明に限定されず種々の変形実施が可能である。
例えば、本技術は以下のような構成を取ることができる。
(1)
第1のMOSトランジスタおよび第2のMOSトランジスタを含み、前記第1のMOSトランジスタおよび前記第2のMOSトランジスタの互いのソース端子が所定のノードに相互接続され、前記第1のMOSトランジスタのゲート端子に入力信号が入力される差動対と、
前記第2のMOSトランジスタのゲート端子に接続され、前記入力信号をサンプルホールドするキャパシタと、
前記キャパシタおよび前記第2のMOSトランジスタのゲート端子にソース端子が接続され、所定のオン電圧が印加されたときに前記キャパシタに前記入力信号をサンプルホールドさせるスイッチトランジスタと、
前記入力信号をサンプルホールドさせるときに、前記スイッチトランジスタのゲート端子を前記所定のノードに接続させるオン電圧制御トランジスタと
を備えるサンプルホールド回路。
(2)
前記差動対は、前記第1のMOSトランジスタのゲート端子が正入力端子、前記第2のMOSトランジスタのゲート端子が負入力端子を構成すると共に、前記スイッチトランジスタがオンしたときに負帰還回路を構成し、
前記オン電圧制御トランジスタは、前記負帰還回路を構成する場合にのみ、前記スイッチトランジスタのゲート端子を前記所定のノードに接続させる
上記(1)に記載のサンプルホールド回路。
(3)
前記スイッチトランジスタのゲート端子に、前記スイッチトランジスタをオフさせる所定のオフ電圧を印加するオフ電圧制御トランジスタ
をさらに備える
上記(1)または(2)に記載のサンプルホールド回路。
(4)
前記所定のノードの電圧は、前記入力信号の電圧と第1のMOSトランジスタおよび第2のMOSトランジスタにおけるゲート−ソース間の電圧との和である
上記(1)ないし(3)のいずれか1つに記載のサンプルホールド回路。
(5)
電源電圧を供給する電源電圧供給ラインをさらに備え、
前記入力信号をサンプルホールドさせるときの前記所定のノードの電圧は、前記電源電圧よりも低い電圧である
上記(1)ないし(4)のいずれか1つに記載のサンプルホールド回路。
(6)
サンプルホールド回路を有し、入力信号として画像信号が入力されるコンパレータ回路を含み、
前記サンプルホールド回路は、
第1のMOSトランジスタおよび第2のMOSトランジスタを含み、前記第1のMOSトランジスタおよび前記第2のMOSトランジスタの互いのソース端子が所定のノードに相互接続され、前記第1のMOSトランジスタのゲート端子に入力信号が入力される差動対と、
前記第2のMOSトランジスタのゲート端子に接続され、前記入力信号をサンプルホールドするキャパシタと、
前記キャパシタおよび前記第2のMOSトランジスタのゲート端子にソース端子が接続され、所定のオン電圧が印加されたときに前記キャパシタに前記入力信号をサンプルホールドさせるスイッチトランジスタと、
前記入力信号をサンプルホールドさせるときに、前記スイッチトランジスタのゲート端子を前記所定のノードに接続させるオン電圧制御トランジスタと
を備える表示装置。
(1)
第1のMOSトランジスタおよび第2のMOSトランジスタを含み、前記第1のMOSトランジスタおよび前記第2のMOSトランジスタの互いのソース端子が所定のノードに相互接続され、前記第1のMOSトランジスタのゲート端子に入力信号が入力される差動対と、
前記第2のMOSトランジスタのゲート端子に接続され、前記入力信号をサンプルホールドするキャパシタと、
前記キャパシタおよび前記第2のMOSトランジスタのゲート端子にソース端子が接続され、所定のオン電圧が印加されたときに前記キャパシタに前記入力信号をサンプルホールドさせるスイッチトランジスタと、
前記入力信号をサンプルホールドさせるときに、前記スイッチトランジスタのゲート端子を前記所定のノードに接続させるオン電圧制御トランジスタと
を備えるサンプルホールド回路。
(2)
前記差動対は、前記第1のMOSトランジスタのゲート端子が正入力端子、前記第2のMOSトランジスタのゲート端子が負入力端子を構成すると共に、前記スイッチトランジスタがオンしたときに負帰還回路を構成し、
前記オン電圧制御トランジスタは、前記負帰還回路を構成する場合にのみ、前記スイッチトランジスタのゲート端子を前記所定のノードに接続させる
上記(1)に記載のサンプルホールド回路。
(3)
前記スイッチトランジスタのゲート端子に、前記スイッチトランジスタをオフさせる所定のオフ電圧を印加するオフ電圧制御トランジスタ
をさらに備える
上記(1)または(2)に記載のサンプルホールド回路。
(4)
前記所定のノードの電圧は、前記入力信号の電圧と第1のMOSトランジスタおよび第2のMOSトランジスタにおけるゲート−ソース間の電圧との和である
上記(1)ないし(3)のいずれか1つに記載のサンプルホールド回路。
(5)
電源電圧を供給する電源電圧供給ラインをさらに備え、
前記入力信号をサンプルホールドさせるときの前記所定のノードの電圧は、前記電源電圧よりも低い電圧である
上記(1)ないし(4)のいずれか1つに記載のサンプルホールド回路。
(6)
サンプルホールド回路を有し、入力信号として画像信号が入力されるコンパレータ回路を含み、
前記サンプルホールド回路は、
第1のMOSトランジスタおよび第2のMOSトランジスタを含み、前記第1のMOSトランジスタおよび前記第2のMOSトランジスタの互いのソース端子が所定のノードに相互接続され、前記第1のMOSトランジスタのゲート端子に入力信号が入力される差動対と、
前記第2のMOSトランジスタのゲート端子に接続され、前記入力信号をサンプルホールドするキャパシタと、
前記キャパシタおよび前記第2のMOSトランジスタのゲート端子にソース端子が接続され、所定のオン電圧が印加されたときに前記キャパシタに前記入力信号をサンプルホールドさせるスイッチトランジスタと、
前記入力信号をサンプルホールドさせるときに、前記スイッチトランジスタのゲート端子を前記所定のノードに接続させるオン電圧制御トランジスタと
を備える表示装置。
10,10’…差動対、11…電源電圧(VDD)供給ライン、12…グランド電圧(GND)供給ライン、13…電流源、14…出力段回路、20,20’…所定のノード、21…Vsig入力端子、22…ゲート電圧信号(Gate)入力端子、23…レファレンス電圧信号(Ref)入力端子、24…xゲート電圧信号(xGate)入力端子、
30…画素、31…発光部、32…駆動回路、33…コンパレータ回路、34…電流源、101…電圧供給部、102…走査回路、103…制御波形生成回路、104…画像信号出力回路、DTL…データ線、PSL…制御波形線、SCL…走査線、Tsw…スイッチトランジスタ(NMOSトランジスタ)、Tsw’…スイッチトランジスタ(PMOSトランジスタ)、Tr1…第1のMOSトランジスタ(PMOSトランジスタ)、Tr2…第2のMOSトランジスタ(PMOSトランジスタ)、Tr1’…第1のMOSトランジスタ(NMOSトランジスタ)、Tr2’…第2のMOSトランジスタ(NMOSトランジスタ)、Tr11…オン電圧制御トランジスタ(NMOSトランジスタ)、Tr12…オフ電圧制御トランジスタ(NMOSトランジスタ)、Tr11’…オフ電圧制御トランジスタトランジスタ(PMOSトランジスタ)、Tr12’…オン電圧制御トランジスタ(PMOSトランジスタ)、C1…キャパシタ、pCap…寄生容量、TRDrv…発光部駆動用トランジスタ、Vsig…信号電圧(画像信号電圧)。
30…画素、31…発光部、32…駆動回路、33…コンパレータ回路、34…電流源、101…電圧供給部、102…走査回路、103…制御波形生成回路、104…画像信号出力回路、DTL…データ線、PSL…制御波形線、SCL…走査線、Tsw…スイッチトランジスタ(NMOSトランジスタ)、Tsw’…スイッチトランジスタ(PMOSトランジスタ)、Tr1…第1のMOSトランジスタ(PMOSトランジスタ)、Tr2…第2のMOSトランジスタ(PMOSトランジスタ)、Tr1’…第1のMOSトランジスタ(NMOSトランジスタ)、Tr2’…第2のMOSトランジスタ(NMOSトランジスタ)、Tr11…オン電圧制御トランジスタ(NMOSトランジスタ)、Tr12…オフ電圧制御トランジスタ(NMOSトランジスタ)、Tr11’…オフ電圧制御トランジスタトランジスタ(PMOSトランジスタ)、Tr12’…オン電圧制御トランジスタ(PMOSトランジスタ)、C1…キャパシタ、pCap…寄生容量、TRDrv…発光部駆動用トランジスタ、Vsig…信号電圧(画像信号電圧)。
Claims (6)
- 第1のMOSトランジスタおよび第2のMOSトランジスタを含み、前記第1のMOSトランジスタおよび前記第2のMOSトランジスタの互いのソース端子が所定のノードに相互接続され、前記第1のMOSトランジスタのゲート端子に入力信号が入力される差動対と、
前記第2のMOSトランジスタのゲート端子に接続され、前記入力信号をサンプルホールドするキャパシタと、
前記キャパシタおよび前記第2のMOSトランジスタのゲート端子にソース端子が接続され、所定のオン電圧が印加されたときに前記キャパシタに前記入力信号をサンプルホールドさせるスイッチトランジスタと、
前記入力信号をサンプルホールドさせるときに、前記スイッチトランジスタのゲート端子を前記所定のノードに接続させるオン電圧制御トランジスタと
を備えるサンプルホールド回路。 - 前記差動対は、前記第1のMOSトランジスタのゲート端子が正入力端子、前記第2のMOSトランジスタのゲート端子が負入力端子を構成すると共に、前記スイッチトランジスタがオンしたときに負帰還回路を構成し、
前記オン電圧制御トランジスタは、前記負帰還回路を構成する場合にのみ、前記スイッチトランジスタのゲート端子を前記所定のノードに接続させる
請求項1に記載のサンプルホールド回路。 - 前記スイッチトランジスタのゲート端子に、前記スイッチトランジスタをオフさせる所定のオフ電圧を印加するオフ電圧制御トランジスタ
をさらに備える
請求項1に記載のサンプルホールド回路。 - 前記所定のノードの電圧は、前記入力信号の電圧と第1のMOSトランジスタおよび第2のMOSトランジスタにおけるゲート−ソース間の電圧との和である
請求項1に記載のサンプルホールド回路。 - 電源電圧を供給する電源電圧供給ラインをさらに備え、
前記入力信号をサンプルホールドさせるときの前記所定のノードの電圧は、前記電源電圧よりも低い電圧である
請求項1に記載のサンプルホールド回路。 - サンプルホールド回路を有し、入力信号として画像信号が入力されるコンパレータ回路を含み、
前記サンプルホールド回路は、
第1のMOSトランジスタおよび第2のMOSトランジスタを含み、前記第1のMOSトランジスタおよび前記第2のMOSトランジスタの互いのソース端子が所定のノードに相互接続され、前記第1のMOSトランジスタのゲート端子に入力信号が入力される差動対と、
前記第2のMOSトランジスタのゲート端子に接続され、前記入力信号をサンプルホールドするキャパシタと、
前記キャパシタおよび前記第2のMOSトランジスタのゲート端子にソース端子が接続され、所定のオン電圧が印加されたときに前記キャパシタに前記入力信号をサンプルホールドさせるスイッチトランジスタと、
前記入力信号をサンプルホールドさせるときに、前記スイッチトランジスタのゲート端子を前記所定のノードに接続させるオン電圧制御トランジスタと
を備える表示装置。
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