JP2017106917A - 化学元素濃度の測定および半導体プロセスの制御のための熱リン酸の自動サンプリング - Google Patents
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Abstract
Description
図1から図5を全体的に参照すると、第1の位置にあるリモートサンプリング場所から、1つ以上の距離にわたって第2の位置にある中央分析システムまで輸送されるサンプルを分析するよう構成された実施例のシステムが説明される。実施において、サンプルは、シリコンの化学エッチングプロセス(例えば、窒化物ウェットエッチング)を含む半導体製造プロセスに使用される熱リン酸を含む。このようなプロセス中、例えば、熱リン酸は約150℃から約180℃を維持する可能性があるように、リモートサンプリング場所のサンプル点における熱リン酸は、150℃を超える可能性がある。約165℃より高い温度では、シリコン窒化物(例えば、Si3N4)のエッチングまたは除去が速くなり得るが、シリコン酸化物(例えば、SiO2)およびシリコンの選択制は低下する。システム100は、第1の位置にある分析システム102を含む。システム100は、第1の位置から離れた第2の位置にある1つ以上のリモートサンプリングシステム104をも含む。システム100は、第3の位置、第4の位置などにある1つ以上のリモートサンプリングシステム104をも含んでもよく、ここで第3の位置および/または第4の位置は、第1の位置から離れた場所にある。いくつかの具体例では、システム100は、(例えば、分析システム102に近接している)第1の位置にある1つ以上のサンプリングシステムをも含んでもよい。例えば、第1の位置にあるサンプリングシステムは、分析システム102に結合されたサンプリングデバイス132を含んでもよい。1つ以上のリモートサンプリングシステム104は、第2の位置、第3の位置、第4の位置などからのサンプルを受け取るように操作することができ、およびシステム100は、1つ以上のリモートサンプリングシステム104から分析のための分析システム102へサンプルを伝送するように操作することができる。例えば、1つ以上のリモートサンプリングシステム104は、吸入、ポンプ操作などによって、サンプリング場所からシステム100へサンプルを引き込むように構成された自動サンプラまたはその他のサンプリングデバイスを含んでもよい。
図2を参照すると、サンプル112を第2の位置(例えば、エッチングシステム50に近接した位置)から第1の位置(例えば、分析システム102に近接した位置)まで移送するより前に、サンプル112をリモート希釈する実施例におけるシステム100が示されている。分析システム102は、キャリア、希釈剤、および選択的に1つ以上の標準スパイクを、リモートサンプリングシステム104のサンプル準備デバイス108のバルブ110へ伝送する複数のポンプ(例えば、シリンジポンプ114、116、118、120)を含む。例えば、図示のように、分析システム102は、(例えば、キャリアライン115を通って)バルブ110にキャリアを供給するように構成されたキャリアポンプ114と、(例えば、希釈剤ライン117を通って)バルブ110に希釈剤を供給するように構成された希釈ポンプ116と、(要求により、標準ライン119を通って)バルブ110に標準スパイクを供給するように構成された標準ポンプ118と、リモートサンプリングシステム104内のエッチングシステム50からサンプル112を引き込むように構成されたサンプルポンプ120とを含む。代わりに、システム100は、エッチングシステム50により供給される1つ以上の圧力によって(例えば、リン酸などの作動流体の化学的再循環の流れによって)、またはバルブ110に結合され、サンプル112をエッチングシステム50からリモートサンプリングシステム104へ引き寄せるリモートサンプルポンプ121によって、エッチングシステム50からサンプル112を取り出すことができる。実施において、バルブ110に入る前に、サンプル温度を制御するためにサンプル112は冷却される(例えば、同心円循環システム、熱電デバイスなどによって)。例えば、熱リン酸では、バルブ110に導入される前に、リン酸の温度は、約30℃から約100℃の温度まで冷却されても良い。このような温度では、サンプリングプロセスを妨害するサンプルゲルの形成または高粘度の濃リン酸の発生を防ぎながら、バルブシステム(例えば、フッ素ポリマバルブシステム)の損傷を避けることができる。
図3Aおよび図3Bを参照すると、システム100は、本開示の実施例に従った、リモートサンプリングシステム104と分析システム102との間の温度制御された移送ライン124を容易にする熱シース300を含む。サンプルの温度は、リモートサンプリングシステム104と分析システム102との間の移送を容易にするようにまたは可能にするように制御することができる。例えば、熱リン酸では、熱シース300は、移送ライン124を通る伝送の間、約30℃から約100℃の温度でリン酸を冷却または維持することができる。このような温度では、移送ライン124を通る移送プロセスを妨害するサンプルゲルの形成を防ぎおよび/または高粘度の濃リン酸を防ぎながら、システム100のバルブの損傷を避けることができる。さらに、移送ライン124内のサンプルの粘度を制御することによって、システム100は、サンプル流体の粘度が高すぎる場合などの、バルブ110からの不純物の抽出によるサンプル112への不純物の導入を避けることができる。
実施において、分析システム102によるサンプル112の分析は、エッチングシステム50の1つ以上のプロセスデバイスの自動制御のためのデータをもたらすことができる。図5を参照すると、分析システム102は、エッチングシステム50と通信可能に結合され、それによって、分析システム102によって提供されるデータは、エッチングシステム50の1つ以上のプロセスデバイスの自動制御を容易にすることができる。例えば、再循環ライン54内の作動流体(例えば、リン酸)の再循環の速度を制御するための再循環ポンプ500(またはそのコントローラ)と、溶液槽52の温度を制御するためのヒータ502(またはそのコントローラ)と、新鮮なリン酸が酸溶液槽52に供給される速度を制御するためのポンプ504(またはそのコントローラ)などとを含むが、しかしこれに限定されないエッチングシステム50の制御デバイスを自動的に操作する制御信号を提供するために、分析システム102は、1つ以上の通信プロトコルによって、1つ以上の元素(例えば、シリコン、タングステン、銅、チタンなど)、有機種、無機種などの濃度データを報告することができる。例えば、ある実施では、システム100からウェットベンチシステム(例えば、エッチングシステム50)へ提供されるフィードバックが、新鮮なリン酸の追加を自動的に制御して、酸溶液槽52内のシリコン濃度を所望の濃度レベル(例えば、約50ppmのSi)に希釈する。さらに、半導体製品の生産速度をシリコン濃度と相関させて、酸溶液槽52のシリコン濃度に基づいたピーク生産速度を決定することができるので、システム100は、濃度データを利用してエッチングシステム50の生産速度を制御することができる。
主題は、構造的特徴および/またはプロセス動作に特有の言語で記載されているが、添付の特許請求の範囲において画定された主題は、必ずしも前記の特定の特徴または行為に限定されないことを理解すべきである。むしろ、前記の特定の特徴および行為は、特許請求の範囲の実施の形態の例として開示されたものである。
Claims (20)
- 第1の位置においてリン酸サンプルを集めるように構成されたリモートサンプリングシステムであって、リモートバルブに結合された保持ループを有する前記リモートバルブを含む前記リモートサンプリングシステムと、
前記第1の位置から離れた第2の位置に配置されるように構成された分析システムであって、前記分析システムは、移送ラインによって前記リモートバルブに結合され、前記分析システムは、前記リン酸サンプルの1つ以上の成分の濃度を測定するように構成された分析デバイスを含み、および前記分析デバイスによる分析のためにサンプルを前記保持ループから前記移送ラインに導入するように構成された前記第2の位置のサンプルのポンプを含む前記分析システムと、
を含むシステム。 - 前記リン酸サンプルは、前記第1の位置において約150℃から約180℃の温度を有する請求項1に記載のシステム。
- 前記分析システムは、前記移送ラインによって前記リモートバルブに結合され、および前記分析デバイスに結合されたローカルサンプルバルブをさらに含む請求項1に記載のシステム。
- 前記移送ラインの少なくとも一部を取り囲む熱シースをさらに含む請求項1に記載のシステム。
- 前記熱シースは、前記熱シースと前記移送ラインとの間の環状領域内にある温度調節された流体を含む請求項4に記載のシステム。
- 前記分析システムは、キャリア流体ラインによって前記リモートバルブに結合されたキャリアポンプ、希釈流体ラインによって前記リモートバルブに結合された希釈ポンプ、または標準流体ラインによって前記リモートバルブに結合された標準ポンプのうちの少なくとも1つを含む請求項1に記載のシステム。
- 前記移送ラインの少なくとも一部を取り囲む熱シースと、前記キャリア流体ライン、前記希釈流体ライン、または前記標準流体ラインのうちの少なくとも1つと、
をさらに含む請求項6に記載のシステム。 - 前記熱シースは、前記熱シースと前記移送ラインとの間の環状領域内にある温度調節された流体を含む請求項7に記載のシステム。
- 前記キャリア流体ライン、前記希釈流体ライン、または前記標準流体ラインのうちの少なくとも1つは、前記熱シースと前記移送ラインとの間の環状領域内に配置される請求項7に記載のシステム。
- 前記分析システムと、第1の位置のリン酸エッチングシステムのヒータ、前記リン酸エッチングシステムのリン酸を再循環させるように構成された再循環ポンプ、または新鮮なリン酸を前記リン酸エッチングシステムに導入するように構成されたポンプのうちの1つ以上との間の制御信号を提供するように構成された通信可能結合をさらに含む請求項1に記載のシステム。
- 前記制御信号は、前記分析システムによって測定された前記リン酸サンプルの1つ以上の成分の濃度に基づく請求項10に記載のシステム。
- 前記制御信号は、前記リン酸エッチングシステム中のシリコンの濃度を約50ppmに維持するように構成された請求項10に記載のシステム。
- リモートサンプリングシステムを使用して第1の位置においてリン酸サンプルを受け取る工程と、
前記第1の位置から離れた第2の位置に配置されたポンプまたは前記第1の位置に配置されたローカルサンプルポンプの動作によって、前記リモートサンプリングシステムの保持ループに前記リン酸サンプルを導入する工程と、
前記第2の位置に配置された第2のポンプの動作によって、前記リモートサンプリングシステムから移送ラインを通って前記第2の位置まで前記リン酸サンプルを移送する工程と、
前記第2の位置の分析デバイスを用いて前記リン酸サンプル内の化学元素の濃度を測定する工程と、
を含む方法。 - 前記リン酸サンプルは、前記第1の位置において約150℃から約180℃の温度を有する請求項13に記載の方法。
- 前記第2の位置に配置された前記第2のポンプの動作によって、前記リモートサンプリングシステムから前記移送ラインを通って前記第2の位置まで前記リン酸サンプルを移送する工程の間、前記リン酸サンプルの温度を制御する工程をさらに含む請求項13に記載の方法。
- 前記リン酸サンプルの温度を制御する工程は、前記リモートサンプリングシステムから前記移送ラインを通って前記リン酸サンプルを移送する工程を含み、前記移送ラインは、熱シース内に同心円状に配置される請求項15に記載の方法。
- キャリア流体ライン、希釈流体ライン、または標準流体ラインのうちの少なくとも1つは、前記移送ラインと前記熱シースとの間の領域に配置される請求項16に記載の方法。
- 前記リン酸サンプルを移送する工程の間前記リン酸サンプルの温度を制御する工程は、約30℃から約100℃の温度に前記リン酸サンプルを冷却する工程、または約30℃から約100℃の温度に前記リン酸サンプルを維持する工程のうちの少なくとも1つを含む請求項15に記載の方法。
- 前記第1の位置のリン酸エッチングシステムのヒータ、前記リン酸エッチングシステムのリン酸を再循環させるように構成された再循環ポンプ、または前記リン酸エッチングシステムに新鮮なリン酸を導入するように構成されたポンプのうちの1つ以上に制御信号を供給する工程であって、前記制御信号は、前記第2の位置の前記分析デバイスを用いて測定された前記リン酸サンプル内の化学元素の濃度に基づく制御信号である工程をさらに含む請求項13に記載の方法。
- 前記制御信号は、前記リン酸エッチングシステム中のシリコンの濃度を約50ppmに維持するように構成された請求項19に記載の方法。
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